本發(fā)明是有關(guān)于一種升壓轉(zhuǎn)換器及其驅(qū)動(dòng)方法，特別是有關(guān)于一種用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

在目前的技術(shù)中，許多電池供電系統(tǒng)、不斷電系統(tǒng)(UPS)或是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)皆需使用升壓式的轉(zhuǎn)換器，其中不斷電系統(tǒng)及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)更是需要較高的電壓轉(zhuǎn)換比的轉(zhuǎn)換器。目前已有關(guān)于較高電壓轉(zhuǎn)換比的多種提高電壓轉(zhuǎn)換比的升壓轉(zhuǎn)換裝置。其中升壓轉(zhuǎn)換器(boost converter)的應(yīng)用非常廣泛，許多應(yīng)用中的正/負(fù)高電位電壓，都是利用所述升壓轉(zhuǎn)換器去進(jìn)行取得。

請(qǐng)參照?qǐng)D1、2所示，為一升壓轉(zhuǎn)換器，包含一電源V_DD、一控制電路11、一偵測(cè)電路12、一功率晶體管13及一電感14，其中所述控制電路11系輸出一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR至所述功率晶體管13的閘極，并利用所述電感14的充放電特性(即所述電感電流I_L的波形呈三角波)，而將所述電源V_DD(例如低電位電壓的系統(tǒng)電池)轉(zhuǎn)換成正高電位電壓。

然而，當(dāng)所述升壓轉(zhuǎn)換器剛啟動(dòng)時(shí)，所述電源V_DD會(huì)被抽取一股較大的注入電流I_VDD，此時(shí)，所述注入電流I_VDD的電流峰值會(huì)逐漸往上增加(見第2圖)，在特定應(yīng)用中，所述電源V_DD即為一電池，當(dāng)所述注入電流I_VDD的電流峰值過大時(shí)，所述電池于長(zhǎng)期使用下，所述注入電流I_VDD較容易對(duì)所述電池產(chǎn)生損害，并造成所述電池的使用壽命減低。

因此，有必要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的升壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行改良，以解決現(xiàn)有技術(shù)的升壓轉(zhuǎn)換器較容易對(duì)所述電池產(chǎn)生損害，并且造成所述電池的使用壽命減低的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器，利用軟啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，而產(chǎn)生更小的注入電流。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)方法，利用功率晶體管的閘極在抑制注入電流模式中接收工作周期較小的方波，在普通模式中接收工作周期較大的方波，用以避免電源受到損害并延長(zhǎng)使用壽命。

為達(dá)到上述的目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種一種用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器，包括一電感、一功率晶體管、一個(gè)二極管、一第一電容、一電阻及一控制單元；所述電感包含一電源端及一連接端，所述電源端電性連接一電源，且所述電源及所述電感之間具有一注入電流；所述功率晶體管包含一閘極、一漏極及一源極，所述漏極電性連接所述連接端；所述二極管的一端電性連接所述電感的連接端；所述第一電容電性連接所述二極管的另一端；所述電阻電性連接所述功率晶體管的源極；所述控制單元包含一控制電路、一軟啟動(dòng)電路及一偵測(cè)電路，所述控制電路電性連接所述功率晶體管的閘極，用以輸出一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至所述閘極，所述軟啟動(dòng)電路電性連接所述控制電路，所述偵測(cè)電路分別電性連接所述控制電路及所述二極管的另一端；其中所述軟啟動(dòng)電路用以使所述控制電路在一抑制注入電流模式及一普通模式之間切換，其中所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的工作周期小于所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的工作周期。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述偵測(cè)電路具有一比較器，用以比較所述第一電容的一負(fù)載電壓，并產(chǎn)生一偵測(cè)電壓。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述控制電路具有一波形產(chǎn)生器，所述波形產(chǎn)生器利用接收所述偵測(cè)電壓及所述電阻的一重置電壓而輸出所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述軟啟動(dòng)電路具有一選擇器、一短脈沖產(chǎn)生器及及一計(jì)數(shù)組件，其中所述選擇器電性連接所述功率晶體管的閘極，并用以接收所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述短脈沖產(chǎn)生器用以產(chǎn)生所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)并傳送至所述選擇器，所述計(jì)數(shù)組件用以計(jì)數(shù)時(shí)間而產(chǎn)生的一軟啟動(dòng)信號(hào)并傳送至所述選擇器。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述計(jì)數(shù)組件具有一頻率產(chǎn)生器、一計(jì)數(shù)器及一正反器，所述計(jì)數(shù)器電性連接所述頻率產(chǎn)生器，用以計(jì)算所述頻率產(chǎn)生器產(chǎn)生的頻率次數(shù)并進(jìn)行判斷，所述正反器電性連接所述計(jì)數(shù)器，用以產(chǎn)生所述軟啟動(dòng)信號(hào)。

為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供另一種用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)方法，包含一啟動(dòng)步驟、一短脈沖步驟、一軟啟動(dòng)步驟及一切換步驟；所述啟動(dòng)步驟用以開啟一電源，使一功率晶體管導(dǎo)通；所述短脈沖步驟用以在一抑制注入電流模式中，利用一短脈沖產(chǎn)生器產(chǎn)生一抑制注入電流模式的一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并由一選擇器傳送至所述功率晶體管的一閘極；所述軟啟動(dòng)步驟用以在一普通模式中，利用一計(jì)數(shù)組件將一軟啟動(dòng)信號(hào)傳送至所述選擇器；所述切換步驟經(jīng)由所述選擇器選擇將一波形產(chǎn)生器產(chǎn)生的所述普通模式的一驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送至所述功率晶體管的閘極，其中所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的工作周期小于所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的工作周期。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述切換步驟之后，還包含一重置判斷步驟，其利用所述波形產(chǎn)生器接收一重置電壓，并使所述重置電壓與一第一參考電壓比較，因而判斷是否將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整為一低準(zhǔn)位邏輯。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述重置判斷步驟中，利用一電流源對(duì)一第二電容充電而產(chǎn)生一充電電壓，所述波形產(chǎn)生器接收所述充電電壓，并使所述充電電壓與一第二參考電壓比較，因而判斷是否將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整為一高準(zhǔn)位邏輯。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述重置判斷步驟之后，還包含一偵測(cè)步驟，其利用一偵測(cè)電路接收一負(fù)載電壓，并使所述負(fù)載電壓與一第三參考電壓比較，因而判斷是否關(guān)閉所述升壓轉(zhuǎn)換器。

如上所述，利用所述軟啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，使所述功率晶體管的閘極在抑制注入電流模式中接收工作周期較小的方波，在普通模式中接收工作周期較大的方波，進(jìn)而使所述注入電流在所述抑制注入電流模式中的電流峰值被壓低，而能夠產(chǎn)生更小的注入電流，用以避免所述電源受到損害，并延長(zhǎng)使用壽命。

附圖說明

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的升壓轉(zhuǎn)換器的電路的一示意圖。

圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的升壓轉(zhuǎn)換器的各組件電壓及電流的一比較圖。

圖3至5是根據(jù)本發(fā)明用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的一優(yōu)選實(shí)施例的電路一示意圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的一優(yōu)選實(shí)施例的各組件電壓及電流的一比較圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)方法的一優(yōu)選實(shí)施例的一流程圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如上、下、頂、底、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面、周圍、中央、水平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，為本發(fā)明用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的一優(yōu)選實(shí)施例，所述升壓轉(zhuǎn)換器100包括一電感2、一功率晶體管3、一個(gè)二極管4、 一第一電容5、一電阻6及一控制單元7，本發(fā)明將于下文詳細(xì)說明各組件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運(yùn)作原理。

請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，所述電感2包含一電源端21及一連接端22，所述電源端21電性連接一電源V_DD，且所述電源V_DD及所述電感2之間具有一注入電流I_VDD。

續(xù)參照?qǐng)D3所示，所述功率晶體管3為N型金氧半場(chǎng)效晶體管(NMOS)，且所述功率晶體管3包含一閘極、一漏極及一源極，其中所述漏極電性連接所述電感2的連接端22。

續(xù)參照?qǐng)D3所示，在本實(shí)施例中，所述二極管4為點(diǎn)接觸式二極管，其中所述二極管4的一端電性連接所述電感2的連接端22，當(dāng)對(duì)所述二極管4施加一正電壓時(shí)，所述二極管4即產(chǎn)生一順向電壓V_D。

續(xù)參照?qǐng)D3所示，在本實(shí)施例中，所述第一電容5為負(fù)載電容，且所述第一電容5電性連接所述二極管4的另一端并且接地，當(dāng)所述二極管4導(dǎo)通時(shí)，所述第一電容5即產(chǎn)生一負(fù)載電壓V_P。

續(xù)參照?qǐng)D3所示，在本實(shí)施例中，所述電阻6系電性連接所述功率晶體管3的源極，且當(dāng)所述功率晶體管3導(dǎo)通時(shí)，所述電阻6即產(chǎn)生一重置電壓V_RESE。

請(qǐng)參照?qǐng)D3、4所示，所述控制單元7包含一控制電路71、一軟啟動(dòng)電路72及一偵測(cè)電路73；其中所述控制電路71電性連接所述功率晶體管3的閘極，且所述控制電路71用以輸出一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR至所述閘極；所述軟啟動(dòng)電路72電性連接所述控制電路71；所述偵測(cè)電路73分別電性連接所述控制電路71及所述二極管4的另一端。在本實(shí)施例中，所述軟啟動(dòng)電路72用以使所述控制電路71在一抑制注入電流模式及一普通模式之間切換，其中所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的工作周期小于所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的工作周期(見圖6)。

請(qǐng)參照?qǐng)D3、5所示，在本實(shí)施例中，所述偵測(cè)電路73具有一比較器731，用以將所述第一電容5的負(fù)載電壓V_P與一第三參考電壓V_REF進(jìn)行比較，并產(chǎn)生一偵測(cè)電壓V_POK。

請(qǐng)參照?qǐng)D3、4所示，所述控制電路71具有一波形產(chǎn)生器711，所述波形產(chǎn)生器711利用接收所述偵測(cè)電壓V_POK及所述電阻6的重置電壓V_RESE，進(jìn)而輸出所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR。在本實(shí)施例中，所述波形產(chǎn)生器711系由比較器及SR正反器所組成，利用接收所述重置電壓V_RESE并比較所述重置電壓V_RESE與一第一參考電壓V_ON，或利用接收所述負(fù)載電壓V_P并比較一充電電壓V_c與一第二參考電壓V_OFF，而形成所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR傳送至所述功率晶體管3的閘極。

續(xù)參照?qǐng)D3、4所示，所述軟啟動(dòng)電路72具有一選擇器721、一短脈沖產(chǎn)生器722以及一計(jì)數(shù)組件723，其中所述選擇器721電性連接所述功率晶體管3的閘極31，并用以接收所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述短脈沖產(chǎn)生器722用以產(chǎn)生所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)并傳送至所述選擇器721，所述計(jì)數(shù)組件723用以計(jì)數(shù)時(shí)間而產(chǎn)生的一軟啟動(dòng)信號(hào)并傳送至所述選擇器721。

續(xù)參照?qǐng)D3、4所示，所述計(jì)數(shù)組件723具有一頻率產(chǎn)生器724、一計(jì)數(shù)器725及一正反器726，所述計(jì)數(shù)器725電性連接所述頻率產(chǎn)生器724，用以計(jì)算所述頻率產(chǎn)生器724產(chǎn)生的頻率次數(shù)并進(jìn)行判斷，所述正反器726電性連接所述計(jì)數(shù)器725，用以接收所述計(jì)數(shù)器725的判斷結(jié)果，并產(chǎn)生所述軟啟動(dòng)信號(hào)。

依據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，所述選擇器721初期先將所述短脈沖產(chǎn)生器722產(chǎn)生的抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR傳送至所述功率晶體管3的閘極，并且所述軟啟動(dòng)電路72的計(jì)數(shù)組件723計(jì)數(shù)所述頻率產(chǎn)生器724的所產(chǎn)生的頻率周期；接著，當(dāng)所述計(jì)數(shù)組件723計(jì)數(shù)所述頻率產(chǎn)生器724的所產(chǎn)生的頻率 周期達(dá)到預(yù)定目標(biāo)，即產(chǎn)生所述軟啟動(dòng)信號(hào)傳送至所述選擇器721，所述選擇器721接收所述軟啟動(dòng)信號(hào)之后，即選擇將所述波形產(chǎn)生器711產(chǎn)生的所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR傳送至所述功率晶體管3的閘極。

要說明的是，配合圖6所示，所述波形產(chǎn)生器711輸出的普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的波形概呈工作周期較大的方波，以高準(zhǔn)位邏輯及低準(zhǔn)位邏輯交替輸出，所述短脈沖產(chǎn)生器722輸出的抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的波形概呈工作周期較小的方波，所述電感2的電感電流I_L系對(duì)應(yīng)于所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR及所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR，進(jìn)而分別產(chǎn)生工作周期較小的三角波及工作周期較大的三角波，所述注入電流I_VDD受到所述電感電流I_L的變化的影響，因而使所述注入電流I_VDD在所述抑制注入電流模式中的電流峰值被壓低，而能夠產(chǎn)生更小的注入電流I_VDD。

如上所述，本發(fā)明利用所述軟啟動(dòng)電路72的設(shè)計(jì)，使所述功率晶體管3的閘極在抑制注入電流模式中接收工作周期較小的方波，在普通模式中接收工作周期較大的方波，進(jìn)而使所述注入電流I_VDD在所述抑制注入電流模式中的電流峰值被壓低，而能夠產(chǎn)生更小的注入電流I_VDD，用以避免所述電源V_DD受到損害并延長(zhǎng)使用壽命。

請(qǐng)參照?qǐng)D7并配合圖3、4、5所示，本發(fā)明用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)方法的一優(yōu)選實(shí)施例，系利用上述用以降低注入電流的升壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所述驅(qū)動(dòng)方法包含一啟動(dòng)步驟201、一短脈沖步驟202、一軟啟動(dòng)步驟203、一切換步驟204、一重置判斷步驟205及一偵測(cè)步驟206。

續(xù)參照?qǐng)D7所示，在所述啟動(dòng)步驟201中，開啟一電源V_DD，并使一升壓轉(zhuǎn)換器100的一功率晶體管3導(dǎo)通，其中當(dāng)所述升壓轉(zhuǎn)換器100剛啟動(dòng)時(shí)，所述升壓轉(zhuǎn)換器100的二極管4導(dǎo)通并產(chǎn)生一電壓V_D，使所述升壓轉(zhuǎn)換器100的一第一電容5的負(fù)載電壓V_P為V_DD-V_D。

續(xù)參照?qǐng)D7所示，在所述短脈沖步驟202中，控制所述升壓轉(zhuǎn)換器100的一控制電路71在一抑制注入電流模式中，即利用所述升壓轉(zhuǎn)換器100的一短脈沖產(chǎn)生器722產(chǎn)生一抑制注入電流模式的一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR(見第6圖)，并由所述升壓轉(zhuǎn)換器100的一選擇器721將所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR傳送至所述功率晶體管3的一閘極。在本實(shí)施例中，所述升壓轉(zhuǎn)換器100的一軟啟動(dòng)電路72的計(jì)數(shù)組件723的計(jì)數(shù)未達(dá)到預(yù)定目標(biāo)時(shí)，所述選擇器721將持續(xù)以所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR輸出至所述閘極，如第6圖所示，所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR系為所述短脈沖產(chǎn)生器722所產(chǎn)生的工作周期較小的方波，利用所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR直接傳送至所述功率晶體管3的閘極，抑制由所述電源V_DD充電的一注入電流I_VDD，使所述注入電流I_VDD的電流值被壓低。

續(xù)參照?qǐng)D7所示，在所述軟啟動(dòng)步驟203中，利用所述計(jì)數(shù)組件723將一軟啟動(dòng)信號(hào)傳送至所述選擇器721，使所述控制電路71被控制在一普通模式中。在本實(shí)施例中，所述軟啟動(dòng)電路72的一頻率產(chǎn)生器724經(jīng)過多次周期之后，所述計(jì)數(shù)組件723計(jì)數(shù)所述頻率產(chǎn)生器724的所產(chǎn)生的頻率周期已達(dá)到預(yù)定目標(biāo)，即產(chǎn)生所述軟啟動(dòng)信號(hào)傳送至所述選擇器721。

續(xù)參照?qǐng)D6所示，在所述切換步驟204中，所述選擇器721接收所述軟啟動(dòng)信號(hào)之后，即選擇將一波形產(chǎn)生器711產(chǎn)生的所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR傳送至所述功率晶體管3的閘極，其中所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的工作周期小于所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的工作周期(見圖6)。

續(xù)參照?qǐng)D7所示，在所述重置判斷步驟205中，系利用所述波形產(chǎn)生器711接收一重置電壓V_RESE，并使所述重置電壓V_RESE與一第一參考電壓V_ON進(jìn)行比較，因而判斷是否將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整為一低準(zhǔn)位邏輯；或利用一電流源I對(duì)一第二電容712進(jìn)行充電而產(chǎn)生所述充電電壓V_C，所述波形產(chǎn)生器711接收所述充電電壓V_C，并使所述充電電壓V_C與一第二參考 電壓V_OFF進(jìn)行比較，因而判斷是否將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)調(diào)整為一高準(zhǔn)位邏輯。

舉例來說，當(dāng)所述重置電壓V_RESE高于所述第一參考電壓V_ON，所述波形產(chǎn)生器711的SR正反器會(huì)將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR變?yōu)榈蜏?zhǔn)位邏輯，使所述功率晶體管3關(guān)閉，其中所述電感2為放電狀態(tài)，所述電感2的電流往所述第一電容5灌入，而完成一次升壓動(dòng)作；此時(shí)，所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR為低準(zhǔn)位邏輯，利用所述電流源I對(duì)一第二電容712進(jìn)行充電而產(chǎn)生一充電電壓V_C，當(dāng)所述充電電壓V_C高于所述第二參考電壓V_OFF，即透過所述波形產(chǎn)生器711的SR正反器將所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR變?yōu)楦邷?zhǔn)位邏輯。

續(xù)參照?qǐng)D7所示，在所述偵測(cè)步驟中206中，系利用一偵測(cè)電路73接收一負(fù)載電壓V_P，并使所述負(fù)載電壓V_P與一第三參考電壓V_REF進(jìn)行比較，因而判斷是否關(guān)閉所述升壓轉(zhuǎn)換器100。在本實(shí)施例中，如圖6所示，所述負(fù)載電壓V_P會(huì)隨著時(shí)間而遞增，因此利用所述偵測(cè)電路73偵測(cè)所述負(fù)載電壓V_P的電壓值，當(dāng)所述負(fù)載電壓V_P超過所述第三參考電壓V_REF即關(guān)閉所述升壓轉(zhuǎn)換器100。

如上所述，如圖6所示的所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR的波形概呈工作周期較大的方波，以高準(zhǔn)位邏輯及低準(zhǔn)位邏輯交替輸出，而所述電感2的電感電流I_L系對(duì)應(yīng)于所述抑制注入電流模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR及所述普通模式的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_GDR，進(jìn)而分別產(chǎn)生工作周期較小的三角波及工作周期較大的三角波，所述注入電流I_VDD受到所述電感電流I_L的變化的影響，因而使所述注入電流I_VDD在所述抑制注入電流模式中的電流峰值被壓低，而能夠產(chǎn)生更小的注入電流I_VDD，用以避免所述電源V_DD受到損害并延長(zhǎng)使用壽命。

本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地， 包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。