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一種漏電保護(hù)電路的制作方法

文檔序號(hào):7418052閱讀:146來源:國(guó)知局
一種漏電保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種漏電保護(hù)電路,包括漏電檢測(cè)單元,用于檢測(cè)電路中是否發(fā)生漏電,并在發(fā)生漏電時(shí)輸出漏電信號(hào),第一回路,被漏電信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通后會(huì)切斷故障處的電源,基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?,用于增?qiáng)漏電信號(hào)。因?yàn)榈谝换芈分挥性谑盏铰╇娦盘?hào)后才會(huì)導(dǎo)通,并切斷故障處電源以實(shí)現(xiàn)漏電保護(hù)功能,因此通過增加基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧獊碓鰪?qiáng)漏電信號(hào),可以降低對(duì)漏電檢測(cè)單元輸出的漏電信號(hào)能力的要求,即使漏電檢測(cè)單元輸出的漏電信號(hào)較弱,通過基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧鰪?qiáng)漏電信號(hào)后,仍能確保第一回路收到漏電信號(hào)并被導(dǎo)通。因此本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,對(duì)漏電檢測(cè)單元輸出漏電信號(hào)能力要求低的漏電保護(hù)電路。
【專利說明】一種漏電保護(hù)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及漏電保護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】。具體地說涉及一種漏電保護(hù)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]低壓配電系統(tǒng)中設(shè)漏電保護(hù)裝置是防止人身觸電事故的有效措施之一,也是防止因漏電引起電氣火災(zāi)和電氣設(shè)備損壞事故的技術(shù)措施之一。
[0003]常見的漏電保護(hù)裝置有漏電保護(hù)器、斷路器等?,F(xiàn)有技術(shù)中,當(dāng)負(fù)載在線運(yùn)行時(shí),會(huì)通過檢測(cè)元件,比如互感器來檢測(cè)電路中是否有漏電故障,具體應(yīng)用中,某一相線的火線、零線穿過互感器的磁環(huán),構(gòu)成了互感器的一次線圈,纏繞在磁環(huán)上的繞組構(gòu)成了互感器的二次側(cè)線圈。如果沒有漏電發(fā)生,這時(shí)流過火線、零線的電流向量和等于零,因此在互感器的二次側(cè)線圈上也不會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。而如果發(fā)生了漏電,則火線、零線的電流向量和不等于零,就會(huì)使互感器的二次側(cè)線圈上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),并觸發(fā)執(zhí)行機(jī)構(gòu),比如脫扣器脫扣切斷故障處的電源。
[0004]現(xiàn)有的電子式漏電保護(hù)斷路器中的漏電保護(hù)電路有兩種實(shí)現(xiàn)方式,一種是分立式,如圖1所示,互感器輸出的信號(hào)經(jīng)過簡(jiǎn)單的電阻電容處理后用來直接觸發(fā)可控硅D5,可控硅D5導(dǎo)通后,在火線A、脫扣線圈Coil、整流橋、可控硅D5以及零線N間形成回路,有電流流過脫扣線圈Coil,使其產(chǎn)生吸合力使搭扣與鎖扣脫開,將主觸頭分?jǐn)?,切斷故障處電源以?shí)現(xiàn)漏電保護(hù)的功能,此種漏電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,元器件少,成本低,但缺點(diǎn)是對(duì)互感器二次側(cè)線圈的輸出信號(hào)能力要求較高,需要主導(dǎo)線二次穿心以獲取較強(qiáng)的輸出信號(hào),增加了裝配難度,適用范圍受限;另一種是集成式,如圖2所示,就是采用集成芯片來處理互感器二次側(cè)線圈檢測(cè)出來的漏電信號(hào),這種實(shí)現(xiàn)方式安全可靠,降低了對(duì)互感器二次側(cè)線圈輸出信號(hào)能力的要求,互感器主導(dǎo)線一次穿心即可,但缺點(diǎn)是所用元器件較多,成本較高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]為此,本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中缺少一種對(duì)互感器二次側(cè)線圈的輸出信號(hào)能力要求既低,結(jié)構(gòu)又簡(jiǎn)單的漏電保護(hù)電路,從而提供一種不僅對(duì)互感器二次側(cè)線圈的輸出信號(hào)能力要求低,結(jié)構(gòu)還簡(jiǎn)單的漏電保護(hù)電路。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0007]本實(shí)用新型提供了一種漏電保護(hù)電路,包括:
[0008]漏電檢測(cè)單元,用于檢測(cè)電路中是否發(fā)生漏電,并在發(fā)生漏電時(shí)輸出漏電信號(hào);
[0009]第一回路,被所述漏電信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通后會(huì)切斷故障處的電源;
[0010]基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?,用于增?qiáng)所述漏電信號(hào)。
[0011]本實(shí)用新型所述的漏電保護(hù)電路,所述漏電檢測(cè)單元包括互感器、第一穩(wěn)壓管D7、第一電容C2、第一電阻R4以及第二電阻R5 ;
[0012]所述互感器包括磁環(huán)和纏繞在所述磁環(huán)上的繞組,火線和零線從所述磁環(huán)穿出,所述繞組的一端與所述第一穩(wěn)壓管D7的陰極耦接,所述繞組的另一端與所述第一穩(wěn)壓管D7的陽極耦接,所述第一電容C2的一端經(jīng)所述第一電阻R4后與所述第一穩(wěn)壓管D7的陰極耦接,所述第一電容C2的另一端經(jīng)所述第二電阻R5后與所述第一穩(wěn)壓管D7的陽極耦接,所述第一電容C2與所述第一電阻R4耦接的一端即為所述漏電檢測(cè)單元的漏電信號(hào)輸出端。
[0013]本實(shí)用新型所述的漏電保護(hù)電路,所述第一回路包括第一可控硅D6、由第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3以及第四二極管D4組成的橋式電路、第一壓敏電阻MYR1以及第一脫扣線圈Coil ;
[0014]所述第一二極管D1的正極和所述第三二極管D3的負(fù)極連接作為橋式電路的第一端,所述第二二極管D2的正極和所述第四二極管D4的負(fù)極連接作為橋式電路的第二端,所述第一二極管D1的負(fù)極和所述第二二極管D2的負(fù)極連接作為橋式電路的第三端,所述第三二極管D3的正極和所述第四二極管D4的正極連接作為橋式電路的第四端;
[0015]所述第一可控硅D6的控制極與所述漏電檢測(cè)單元的漏電信號(hào)輸出端耦接,所述第一可控硅D6的正極與所述橋式電路的第三端耦接,所述第一可控硅D6的負(fù)極與所述橋式電路的第四端耦接,所述第一脫扣線圈Coil的一端與所述火線耦接,所述第一脫扣線圈Coil的另一端經(jīng)所述第一壓敏電阻MYR1后與所述零線耦接,所述第一壓敏電阻MYR1的兩端分別與所述橋式電路的第一端和第二端耦接。
[0016]本實(shí)用新型所述的漏電保護(hù)電路,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧ǖ谌娮鑂2、第二電容C1、第四電阻R3以及第五二極管D5 ;
[0017]所述第二電容C1、所述第四電阻R3以及所述第五二極管D5并聯(lián),所述第五二極管D5的負(fù)極與所述第一可控硅D6的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管D5的正極同時(shí)與所述第三電阻R2的一端以及所述第一電容C2與所述第二電阻R5間的公共端耦接,所述第三電阻R2的另一端與所述第一可控硅D6的正極耦接。
[0018]本實(shí)用新型所述的漏電保護(hù)電路,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧ǖ谌娮鑂2、第二電容C1、第四電阻R3、第五二極管D5以及第二穩(wěn)壓管Z1 ;
[0019]所述第四電阻R3與所述第五二極管D5串聯(lián)后與所述第二穩(wěn)壓管Z1并聯(lián),所述第二穩(wěn)壓管Z1的正極與所述第五二極管D5的負(fù)極以及所述第一可控硅D6的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管D5的正極與所述第一電容C2同所述第二電阻R5間的公共端耦接,所述第二穩(wěn)壓管Z1的陰極與所述第三電阻R2的一端耦接,所述第三電阻R2的另一端同時(shí)與所述第一可控硅D6的正極以及所述第二電容C1的一端耦接,所述第二電容C1的另一端接地。
[0020]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]本實(shí)用新型提供了一種漏電保護(hù)電路,包括漏電檢測(cè)單元,用于檢測(cè)電路中是否發(fā)生漏電,并在發(fā)生漏電時(shí)輸出漏電信號(hào),第一回路,被漏電信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通后會(huì)切斷故障處的電源,基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧糜谠鰪?qiáng)漏電信號(hào)。因?yàn)榈谝换芈分挥性谑盏铰╇娦盘?hào)后才會(huì)導(dǎo)通,并切斷故障處電源以實(shí)現(xiàn)漏電保護(hù)功能,因此通過增加基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧獊碓鰪?qiáng)漏電信號(hào),可以降低對(duì)漏電檢測(cè)單元輸出的漏電信號(hào)能力的要求,即使漏電檢測(cè)單元輸出的漏電信號(hào)較弱,通過基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧鰪?qiáng)漏電信號(hào)后,仍能確保第一回路收到漏電信號(hào)并被導(dǎo)通。因此本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,對(duì)漏電檢測(cè)單元輸出漏電信號(hào)能力要求低的漏電保護(hù)電路。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
[0023]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中分立式漏電保護(hù)電路的電路原理圖;
[0024]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中集成式漏電保護(hù)電路的電路原理圖;
[0025]圖3是本實(shí)用新型所述漏電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)框圖;
[0026]圖4是本實(shí)用新型所述漏電保護(hù)電路的一個(gè)具體案例的電路原理圖;
[0027]圖5是本實(shí)用新型所述漏電保護(hù)電路的另一個(gè)具體案例的電路原理圖。
[0028]圖中附圖標(biāo)記表示為:1-漏電檢測(cè)單元,2-第一回路,3-基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?1-互感器。

【具體實(shí)施方式】
[0029]本實(shí)施例提供了一種漏電保護(hù)電路,如圖3所示,包括:
[0030]漏電檢測(cè)單元1,用于檢測(cè)電路中是否發(fā)生漏電,并在發(fā)生漏電時(shí)輸出漏電信號(hào);
[0031]第一回路2,被所述漏電信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通后會(huì)切斷故障處的電源;
[0032]基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?,用于增強(qiáng)所述漏電信號(hào)。
[0033]具體地,若漏電檢測(cè)單元I輸出的漏電信號(hào)非常弱,第一回路2在收到該漏電信號(hào)后有可能不能被觸發(fā)導(dǎo)通,而第一回路2未導(dǎo)通,自然不能切斷故障處的電源以實(shí)現(xiàn)漏電保護(hù)功能了。而通過增加基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?,可以增強(qiáng)漏電檢測(cè)單元I輸出的漏電信號(hào),使漏電信號(hào)足以觸發(fā)并導(dǎo)通第一回路2,大大降低了對(duì)漏電檢測(cè)單元I輸出漏電信號(hào)能力的要求,使漏電保護(hù)電路運(yùn)行更加穩(wěn)定,在發(fā)生漏電時(shí)能夠及時(shí)切斷故障處的電源。
[0034]優(yōu)選地,如圖4、圖5所示,所述漏電檢測(cè)單元I可以包括互感器11、第一穩(wěn)壓管D7、第一電容C2、第一電阻R4以及第二電阻R5 ;
[0035]所述互感器11包括磁環(huán)和纏繞在所述磁環(huán)上的繞組,火線A和零線N從所述磁環(huán)穿出,所述繞組的一端與所述第一穩(wěn)壓管D7的陰極耦接,所述繞組的另一端與所述第一穩(wěn)壓管D7的陽極耦接,所述第一電容C2的一端經(jīng)所述第一電阻R4后與所述第一穩(wěn)壓管D7的陰極耦接,所述第一電容C2的另一端經(jīng)所述第二電阻R5后與所述第一穩(wěn)壓管D7的陽極耦接,所述第一電容C2與所述第一電阻R4耦接的一端即為所述漏電檢測(cè)單元I的漏電信號(hào)輸出端。
[0036]具體地,當(dāng)電路中發(fā)生漏電故障時(shí),流入互感器11磁環(huán)的電流和流出互感器11磁環(huán)的電流的矢量和不為零,互感器11的繞組兩端就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),經(jīng)第一穩(wěn)壓管D7穩(wěn)壓限幅以及第一電阻R4和第二電阻R5的分壓后施加在第一電容C2上,第一電容C2與第一電阻R4親接的一端的電壓即可作為漏電信號(hào),相應(yīng)的第一電容C2與第一電阻R4親接的一端即為漏電檢測(cè)單元I的漏電信號(hào)輸出端。第一電阻R4和第一電容C2連接可以進(jìn)行濾波,過濾掉漏電信號(hào)中的干擾。
[0037]優(yōu)選地,所述第一回路2可以包括第一可控硅D6、由第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3以及第四二極管D4組成的橋式電路、第一壓敏電阻MYRl以及第一脫扣線圈Coil ;
[0038]所述第一二極管Dl的正極和所述第三二極管D3的負(fù)極連接作為橋式電路的第一端,所述第二二極管D2的正極和所述第四二極管D4的負(fù)極連接作為橋式電路的第二端,所述第一二極管Dl的負(fù)極和所述第二二極管D2的負(fù)極連接作為橋式電路的第三端,所述第三二極管D3的正極和所述第四二極管D4的正極連接作為橋式電路的第四端;
[0039]所述第一可控硅D6的控制極與所述漏電檢測(cè)單元I的漏電信號(hào)輸出端耦接,所述第一可控硅D6的正極與所述橋式電路的第三端耦接,所述第一可控硅D6的負(fù)極與所述橋式電路的第四端耦接,所述第一脫扣線圈Coil的一端與所述火線A耦接,所述第一脫扣線圈Coil的另一端經(jīng)所述第一壓敏電阻MYRl后與所述零線耦接,所述第一壓敏電阻MYRl的兩端分別與所述橋式電路的第一端和第二端耦接。
[0040]具體地,火線和零線間的交流電經(jīng)橋式電路整流后會(huì)給第一可控硅D6的正極施加一個(gè)正向電壓,因?yàn)榈谝豢煽毓鐳6的控制極與漏電檢測(cè)單元I的漏電信號(hào)輸出端耦接,即為與第一電容C2與第一電阻R4間的公共端電連接,當(dāng)漏電檢測(cè)單元I產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)足夠大,也即漏電信號(hào)足夠強(qiáng),達(dá)到第一可控硅D6的控制極的觸發(fā)電壓時(shí),就會(huì)觸發(fā)導(dǎo)通第一可控娃D(zhuǎn)6 了,而第一可控娃D(zhuǎn)6導(dǎo)通后,火線A、第一脫扣線圈Coil、橋式電路、第一可控硅D6、零線N間就會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)通的回路,也即第一回路2導(dǎo)通,此時(shí)會(huì)有電流流過第一脫扣線圈Coil,使其產(chǎn)生吸合力使搭扣與鎖扣脫開,將主觸頭分?jǐn)?,切斷故障處電源以?shí)現(xiàn)漏電保護(hù)的功能。而第一脫扣線圈Coil和第一壓敏電阻MYRl相串聯(lián),可以吸收浪涌,維持電路穩(wěn)定。
[0041]優(yōu)選地,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?可以包括第三電阻R2、第二電容Cl、第四電阻R3以及第五二極管D5 ;
[0042]所述第二電容Cl、所述第四電阻R3以及所述第五二極管D5并聯(lián),所述第五二極管D5的負(fù)極與所述第一可控硅D6的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管D5的正極同時(shí)與所述第三電阻R2的一端以及所述第一電容C2與所述第二電阻R5間的公共端耦接,所述第三電阻R2的另一端與所述第一可控硅D6的正極耦接。
[0043]具體地,第一可控硅D6正極的電壓經(jīng)第三電阻R2分壓后施加在第五二極管D5上,使得第五二極管D5導(dǎo)通,因?yàn)榈谖宥O管D5的正極又與第一電容C2與第二電阻R5間的公共端耦接,第五二極管D5的負(fù)極接地,使得第五二極管D5的導(dǎo)通電壓與第一電容C2上的電壓疊加后共同施加在第一可控硅D6的控制極上,相當(dāng)于增強(qiáng)了施加在第一可控硅D6的控制極上的漏電信號(hào),使其足以觸發(fā)導(dǎo)通第一可控硅D6,降低了對(duì)漏電檢測(cè)單元I輸出漏電信號(hào)能力的要求。第四電阻R3與第二電容Cl并聯(lián),既能濾波降噪,又能通過第四電阻R3給第二電容Cl放電,使得第五二極管D5兩端的電壓更加穩(wěn)定。
[0044]作為另一種優(yōu)選方式,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?也可以包括第三電阻R2、第二電容Cl、第四電阻R3、第五二極管D5以及第二穩(wěn)壓管Zl ;
[0045]所述第四電阻R3與所述第五二極管D5串聯(lián)后與所述第二穩(wěn)壓管Zl并聯(lián),所述第二穩(wěn)壓管Zl的正極與所述第五二極管D5的負(fù)極以及所述第一可控硅D6的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管D5的正極與所述第一電容C2同所述第二電阻R5間的公共端耦接,所述第二穩(wěn)壓管Zl的陰極與所述第三電阻R2的一端耦接,所述第三電阻R2的另一端同時(shí)與所述第一可控硅D6的正極以及所述第二電容Cl的一端耦接,所述第二電容Cl的另一端接地。
[0046]具體地,通過在第四電阻R3與第五二極管D5串聯(lián)后的電路上并聯(lián)第二穩(wěn)壓管Zl,可以使第五二極管D5上的電壓更為穩(wěn)定,第一可控硅D6正極的電壓經(jīng)第三電阻R2、第四電阻R3分壓后施加在第五二極管D5上,使得第五二極管D5導(dǎo)通,因?yàn)榈谖宥O管D5的正極又與第一電容C2與第二電阻R5間的公共端耦接,第五二極管D5的負(fù)極接地,使得第五二極管D5的導(dǎo)通電壓與第一電容C2上的電壓疊加后共同施加在第一可控硅D6的控制極上,相當(dāng)于增強(qiáng)了施加在第一可控硅D6的控制極上的漏電信號(hào),使其足以觸發(fā)導(dǎo)通第一可控硅D6,降低了對(duì)漏電檢測(cè)單元I輸出漏電信號(hào)能力的要求。
[0047]本實(shí)施例所述漏電保護(hù)電路,通過基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?提高了施加在第一可控硅D6的控制極上的觸發(fā)電壓,降低了對(duì)互感器二次側(cè)線圈的輸出信號(hào)能力要求,整個(gè)漏電保護(hù)電路元器件少,成本低,提供了一種不僅對(duì)互感器二次側(cè)線圈的輸出信號(hào)能力要求低,結(jié)構(gòu)還簡(jiǎn)單的漏電保護(hù)電路。
[0048]顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種漏電保護(hù)電路,其特征在于,包括: 漏電檢測(cè)單元(I),用于檢測(cè)電路中是否發(fā)生漏電,并在發(fā)生漏電時(shí)輸出漏電信號(hào); 第一回路(2),被所述漏電信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通后會(huì)切斷故障處的電源; 基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?3),用于增強(qiáng)所述漏電信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漏電保護(hù)電路,其特征在于,所述漏電檢測(cè)單元⑴包括互感器(11)、第一穩(wěn)壓管(D7)、第一電容(C2)、第一電阻(R4)以及第二電阻(R5); 所述互感器(11)包括磁環(huán)和纏繞在所述磁環(huán)上的繞組,火線和零線從所述磁環(huán)穿出,所述繞組的一端與所述第一穩(wěn)壓管(D7)的陰極耦接,所述繞組的另一端與所述第一穩(wěn)壓管(D7)的陽極耦接,所述第一電容(C2)的一端經(jīng)所述第一電阻(R4)后與所述第一穩(wěn)壓管(D7)的陰極耦接,所述第一電容(C2)的另一端經(jīng)所述第二電阻(R5)后與所述第一穩(wěn)壓管(D7)的陽極耦接,所述第一電容(C2)與所述第一電阻(R4)耦接的一端即為所述漏電檢測(cè)單元⑴的漏電信號(hào)輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的漏電保護(hù)電路,其特征在于,所述第一回路(2)包括第一可控硅(D6)、由第一二極管(Dl)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)以及第四二極管(D4)組成的橋式電路、第一壓敏電阻(MYRl)以及第一脫扣線圈(Coil); 所述第一二極管(Dl)的正極和所述第三二極管(D3)的負(fù)極連接作為橋式電路的第一端,所述第二二極管(D2)的正極和所述第四二極管(D4)的負(fù)極連接作為橋式電路的第二端,所述第一二極管(Dl)的負(fù)極和所述第二二極管(D2)的負(fù)極連接作為橋式電路的第三端,所述第三二極管(D3)的正極和所述第四二極管(D4)的正極連接作為橋式電路的第四端; 所述第一可控硅(D6)的控制極與所述漏電檢測(cè)單元(I)的漏電信號(hào)輸出端耦接,所述第一可控硅(D6)的正極與所述橋式電路的第三端耦接,所述第一可控硅(D6)的負(fù)極與所述橋式電路的第四端耦接,所述第一脫扣線圈(Coil)的一端與所述火線耦接,所述第一脫扣線圈(Coil)的另一端經(jīng)所述第一壓敏電阻(MYRl)后與所述零線耦接,所述第一壓敏電阻(MYRl)的兩端分別與所述橋式電路的第一端和第二端耦接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的漏電保護(hù)電路,其特征在于,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?3)包括第三電阻(R2)、第二電容(Cl)、第四電阻(R3)以及第五二極管(D5); 所述第二電容(Cl)、所述第四電阻(R3)以及所述第五二極管(D5)并聯(lián),所述第五二極管(D5)的負(fù)極與所述第一可控硅(D6)的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管(D5)的正極同時(shí)與所述第三電阻(R2)的一端以及所述第一電容(C2)與所述第二電阻(R5)間的公共端耦接,所述第三電阻(R2)的另一端與所述第一可控硅(D6)的正極耦接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的漏電保護(hù)電路,其特征在于,所述基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?3)包括第三電阻(R2)、第二電容(Cl)、第四電阻(R3)、第五二極管(D5)以及第二穩(wěn)壓管(Zl); 所述第四電阻(R3)與所述第五二極管(D5)串聯(lián)后與所述第二穩(wěn)壓管(Zl)并聯(lián),所述第二穩(wěn)壓管(Zl)的正極與所述第五二極管(D5)的負(fù)極以及所述第一可控硅(D6)的負(fù)極相連后接地,所述第五二極管(D5)的正極與所述第一電容(C2)同所述第二電阻(R5)間的公共端耦接,所述第二穩(wěn)壓管(Zl)的陰極與所述第三電阻(R2)的一端耦接,所述第三電阻(R2)的另一端同時(shí)與所述第一可控硅(D6)的正極以及所述第二電容(Cl)的一端耦接,所述第二電容(Cl)的另一端接地。
【文檔編號(hào)】H02H3/32GK204205559SQ201420712765
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月24日
【發(fā)明者】朱海民, 王春成, 呂花, 李建樺 申請(qǐng)人:德力西電氣有限公司
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