一種漏電保護帶過壓保護電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種漏電保護帶過壓保護電路。本實用新型采用如下技術(shù)：一種漏電保護帶過壓保護電路，其特征在于：所述電源電路單元D1是半波整流電路，電源電路單元D1的輸出端與可控硅D3的陽極相連，所述壓敏電阻MYR1設(shè)置在脫扣線圈Trip的前端，壓敏電阻MYR1一端連接在電源電路單元D1與脫扣線圈Trip連線之間，壓敏電阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的陽極與陰極之間通過設(shè)置C5作為吸收電路單元。通過采用上述方案，本實用新型克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種電源部分采用半波整流的方式，具有提高開關(guān)元件反向耐壓的功能，提高了電路的抗干擾能力的新型的漏電保護帶過壓保護電路。
【專利說明】一種漏電保護帶過壓保護電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種漏電保護帶過壓保護電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有與此本專利相似的漏電保護電路，如圖1所示，電源部分D1~D4采用全波整 流；線圈TriP置于壓敏電阻MYR1后端，壓敏電阻在長時間工作后容易損壞。造成產(chǎn)品可靠 性降低，在傳統(tǒng)電路中，阻容吸收電路為R1+C5。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實用新型克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種電源部分采用半波整流的方式， 具有提高開關(guān)元件反向耐壓的功能，提高了電路的抗干擾能力的新型的漏電保護帶過壓保 護電路。
[0004] 實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)：一種漏電保護帶過壓保護電路，包括有 零序互感器ZCT、可控硅D3、降壓控制電路單元、電源電路單元D1、壓敏電阻MYR1、脫扣線圈 Trip、雙向觸發(fā)二極管D4、電阻R9、電阻R8、電容C9和C5,其中零序互感器ZCT的兩根線連 接到降壓控制電路單元后與可控硅D3的門極連接，電阻R9與電阻R8相連接組成分壓電路 單元，電容C9與電阻R9共同組成阻容延時電路單元，雙向觸發(fā)二極管D4 -端連接在電阻 R9與電阻R8之間，另一端連接在可控硅D3的門極上，其特征在于：所述電源電路單元D1是 半波整流電路，電源電路單元D1的輸出端與可控硅D3的陽極相連，所述壓敏電阻MYR1設(shè) 置在脫扣線圈Trip的前端，壓敏電阻MYR1 -端連接在電源電路單元D1與脫扣線圈Trip 連線之間，壓敏電阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的陽極與陰極之間通過設(shè)置C5作 為吸收電路單元。
[0005] 通過采用上述方案，本發(fā)明在電源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高 開關(guān)元件反向耐壓的功能；其次脫扣線圈Trip放置于壓敏電阻MYR1前面，保護了壓敏電 阻MYR1與可控硅D3,提高了電路的抗干擾能力。最后吸收電路只選用C5,而因為脫扣線圈 Trip內(nèi)部阻抗的存在，電容C5并不需要電阻保護，簡化了電路
[0006] 本實用新型的進一步設(shè)置是：所述降壓控制電路單元由電阻R2和電容C4組成，其 中電阻R2和電容C4共同的端點連接到可控硅D3的門極上，R2的另一端連接在零序互感 器ZCT的一根導(dǎo)線上，電容C4的另一端連接在零序互感器ZCT的另一根接地的導(dǎo)線上。
[0007] 通過采用上述方案，使上述電路整體使用效果更好，運行更加合理。
[0008] 下面結(jié)合附圖和實施方式對本實用新型做進一步描述。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為【背景技術(shù)】的電路圖；
[0010] 圖2為本實用新型實施例的電路圖。 具體實施例
[0011] 如圖2所示，一種漏電保護帶過壓保護電路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D3、降 壓控制電路單元6、電源電路單元D1、壓敏電阻MYR1、脫扣線圈Trip、雙向觸發(fā)二極管D4、電 阻R9、電阻R8、電容C9和C5,其中零序互感器ZCT的兩根線連接到降壓控制電路單元6后 與可控硅D3的門極連接，電阻R9與電阻R8相連接組成分壓電路單元，電容C9與電阻R9 共同組成阻容延時電路單元，雙向觸發(fā)二極管D4 -端連接在電阻R9與電阻R8之間，另一 端連接在可控硅D3的門極上，在本實施例中，所述電源電路單元D1是半波整流電路，電源 電路單元D1的輸出端與可控硅D3的陽極相連，所述壓敏電阻MYR1設(shè)置在脫扣線圈Trip 的前端，壓敏電阻MYR1 -端連接在電源電路單元D1與脫扣線圈Trip連線之間，壓敏電阻 MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的陽極與陰極之間通過設(shè)置C5作為吸收電路單元。通 過采用上述方案，本發(fā)明在電源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高開關(guān)元件反向 耐壓的功能；其次脫扣線圈Trip放置于壓敏電阻MYR1前面，保護了壓敏電阻MYR1與可控 硅D3,提高了電路的抗干擾能力。最后吸收電路只選用C5,而因為脫扣線圈Trip內(nèi)部阻抗 的存在，電容C5并不需要電阻保護，簡化了電路
[0012] 在本實用新型實施例中，所述降壓控制電路單元6由電阻R2和電容C4組成，其中 電阻R2和電容C4共同的端點連接到可控硅D3的門極上，R2的另一端連接在零序互感器 ZCT的一根導(dǎo)線上，電容C4的另一端連接在零序互感器ZCT的另一根接地的導(dǎo)線上，在本實 施例中的降壓控制電路單元6可以采用其他方案，在現(xiàn)有技術(shù)中達到降壓和控制功能的電 路單元6很多，在這里我們也可以采用。
[0013] 本實用新型所揭示，乃較佳實施例的一種，舉凡局部的變更或是修飾而源于本實 用新型的技術(shù)思想而為熟習該技術(shù)的人所易于推知者，俱不脫本實用新型的專利范疇。
【權(quán)利要求】
1. 一種漏電保護帶過壓保護電路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D3、降壓控制電路單 元、電源電路單元D1、壓敏電阻MYR1、脫扣線圈Trip、雙向觸發(fā)二極管D4、電阻R9、電阻R8、 電容C9和C5,其中零序互感器ZCT的兩根線連接到降壓控制電路單元后與可控硅D3的門 極連接，電阻R9與電阻R8相連接組成分壓電路單元，電容C9與電阻R9共同組成阻容延時 電路單元，雙向觸發(fā)二極管D4 -端連接在電阻R9與電阻R8之間，另一端連接在可控硅D3 的門極上，其特征在于：所述電源電路單元D1是半波整流電路，電源電路單元D1的輸出端 與可控硅D3的陽極相連，所述壓敏電阻MYR1設(shè)置在脫扣線圈Trip的前端，壓敏電阻MYR1 一端連接在電源電路單元D1與脫扣線圈Trip連線之間，壓敏電阻MYR1的另一端接地，所 述可控硅D3的陽極與陰極之間通過設(shè)置C5作為吸收電路單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的漏電保護帶過壓保護電路，其特征在于：所述降壓控制電路 單元由電阻R2和電容C4組成，其中電阻R2和電容C4共同的端點連接到可控硅D3的門極 上，R2的另一端連接在零序互感器ZCT的一根導(dǎo)線上，電容C4的另一端連接在零序互感器 ZCT的另一根接地的導(dǎo)線上。
【文檔編號】H02H3/32GK203911454SQ201420312351
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】王春成, 朱海民, 呂花, 李建樺 申請人:德力西電氣有限公司