半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件，包括：外部電壓檢測單元，適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；參考電壓發(fā)生單元，適用于基于外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；內(nèi)部電壓發(fā)生單元，響應(yīng)于外部電壓檢測信號而被使能，適用于選擇性地產(chǎn)生與參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及內(nèi)部電壓控制單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而選擇性地提供具有與內(nèi)部電壓相對應(yīng)的目標(biāo)電平的電壓作為內(nèi)部電壓。
【專利說明】半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年6月21日提交的申請?zhí)枮?0-2013-0071567的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件。

【背景技術(shù)】
[0004]通常，半導(dǎo)體器件中設(shè)置有用于防止過度電性應(yīng)力(electrical over-stress,EOS)的保護(hù)電路。EOS是一種電擊，諸如由于利用供電電壓工廠的泄漏電流和電壓而引起的異常過電流或過電壓，并且會持續(xù)納秒到毫秒發(fā)生。當(dāng)EOS發(fā)生時(shí)，內(nèi)部電路中包括的晶體管的柵氧化物層會被損壞。因而，從根本上保護(hù)電路被提供用以保護(hù)內(nèi)部電路免受E0S。
[0005]圖1是說明傳統(tǒng)的保護(hù)電路的框圖。圖2是說明圖1中所示的過電壓放電單元的詳細(xì)電路圖。
[0006]參見圖1，保護(hù)電路10包括外部電壓檢測單元11和過電壓放電單元13。外部電壓檢測單元11檢測從外部供應(yīng)的電源電壓VDD的電壓電平，以輸出外部電壓檢測信號HVDD。過電壓放電單元13響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD，而將處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD放電。
[0007]這里，外部電壓檢測單元11連續(xù)地檢測電源電壓VDD的電壓電平，并且在電源電壓VDD超出范圍而處于過電壓狀態(tài)時(shí)激活外部電壓檢測信號HVDD。當(dāng)外部電壓檢測信號HVDD被激活時(shí)，過電壓放電單元13通過放電操作使電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)返回至正常電壓狀態(tài)。
[0008]如圖2中所示，過電壓放電單元13包括:第一反相器INV1、第二反相器INV2以及NMOS晶體管NI。第一反相器INVl將外部電壓檢測信號HVDD反相。第二反相器INV2將第一反相器INVl的輸出反相。NMOS晶體管NI具有在電源電壓(VDD)端子和接地電壓(VSS)端子之間的漏極-源極路徑、和與接地電壓(VSS)端子耦接的柵極，并且接收第二反相器INV2的輸出信號作為體偏置。因此，當(dāng)電源電壓VDD由于EOS而處于過電壓狀態(tài)時(shí)，過電壓放電單元13可以響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而通過形成從被包括在第二反相器INV2中的PMOS晶體管Pl至NMOS晶體管NI的源極端子的放電路徑D來執(zhí)行放電操作。
[0009]此外，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)內(nèi)部電壓發(fā)生電路，用于基于從外部供應(yīng)的電源電壓VDD來產(chǎn)生用于內(nèi)部操作所需的各種內(nèi)部電壓。內(nèi)部電壓發(fā)生電路可以被分成泵型和常規(guī)型。在泵型的情況下，內(nèi)部電壓發(fā)生電路經(jīng)由電荷泵浦方法來產(chǎn)生電平高于電源電壓VDD的電壓(例如，升壓電壓VPP)電平低于接地電壓的電壓(例如，反相偏置電壓VBB)。在常規(guī)型的情況下，內(nèi)部電壓發(fā)生電路經(jīng)由壓降轉(zhuǎn)換方法來形成用于半導(dǎo)體器件并且具有低于電源電壓VDD的電平的正電壓，例如核心電壓VCORE或位線預(yù)充電電壓VBLP等。
[0010]圖3是說明傳統(tǒng)的內(nèi)部電壓發(fā)生電路的框圖。圖4是說明圖3中所示的傳統(tǒng)的內(nèi)部電壓發(fā)生電路的詳細(xì)電路圖。
[0011]參見圖3，內(nèi)部電壓發(fā)生電路20包括參考電壓發(fā)生單元21和內(nèi)部電壓發(fā)生單元23。參考電壓發(fā)生單元21基于電源電壓VDD來產(chǎn)生參考電壓VREF。內(nèi)部電壓發(fā)生單元23是泵型，以產(chǎn)生與參考電壓VREF相對應(yīng)的升壓電壓VPP。
[0012]這里，參考電壓發(fā)生單元21利用電源電壓VDD來產(chǎn)生與升壓電壓VPP的目標(biāo)電平相對應(yīng)的參考電壓VREF。
[0013]參見圖4，內(nèi)部電壓發(fā)生單元23包括:內(nèi)部電壓檢測器23A、振蕩器23B以及泵23C。內(nèi)部電壓檢測器23A將升壓電壓VPP與參考電壓VREF進(jìn)行比較，以產(chǎn)生泵浦使能信號EN。振蕩器23B響應(yīng)于泵浦使能信號EN而輸出振蕩信號0SC。泵23C響應(yīng)于振蕩信號OSC而產(chǎn)生升壓電壓VPP。這里，內(nèi)部電壓檢測器23A在升壓電壓VPP低于參考電壓VREF時(shí)激活泵浦使能信號EN，而在升壓電壓VPP高于或等于參考電壓VREF時(shí)去激活泵浦使能信號EN。泵23C響應(yīng)于振蕩信號OSC而通過升高電源電壓VDD來產(chǎn)生升壓電壓VPP。
[0014]然而，以上半導(dǎo)體器件會具有以下的問題。
[0015]圖5是說明傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的異常操作的曲線圖。
[0016]在下文中，將參照圖1至圖5來詳細(xì)地描述該半導(dǎo)體器件的操作。
[0017]在電源電壓VDD受EOS的影響而處于過電壓狀態(tài)時(shí)，圖1中的保護(hù)電路10被使能以將電源電壓VDD降低成正常電壓狀態(tài)。此時(shí)，在從過電壓狀態(tài)至正常電壓狀態(tài)的時(shí)段期間，圖3中的內(nèi)部電壓發(fā)生電路20因電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)而發(fā)生故障。
[0018]例如，如果參考電壓VREF因電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)而增大，則內(nèi)部電壓發(fā)生單元23會執(zhí)行異常泵浦操作，且因而內(nèi)部電壓發(fā)生單元23增大升壓電壓VPP直到對應(yīng)于處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD的目標(biāo)電平。
[0019]如圖5中所示，在受EOS的影響電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)(參見實(shí)線)時(shí)，升壓電壓VPP變成異常狀態(tài)(參見實(shí)線)。然后，在電源電壓VDD通過保護(hù)電路返回至正常電壓狀態(tài)(參見虛線)時(shí)，升壓電壓VPP也變成正常狀態(tài)(參見虛線)。此時(shí)，即使電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)返回至正常電壓狀態(tài)，參考電壓VREF也不可以在期望的時(shí)間內(nèi)返回至正常狀態(tài)，而是保持在異常狀態(tài)。即，為了返回至正常狀態(tài)電源電壓VDD和參考電壓VREF之間會存在時(shí)間差，并且該時(shí)間差由參考電壓發(fā)生單元21的性能確定。
[0020]因此，由于內(nèi)部電壓發(fā)生單元23的異常泵浦操作，所以電源電壓VDD被過度地?fù)p耗。因此，內(nèi)部電壓發(fā)生單元23附近的電力線，即，用于供應(yīng)電源電壓VDD的電力線會被破壞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0021]本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件防止由于過度電性應(yīng)力(EOS)而引起的內(nèi)部電壓發(fā)生電路的異常操作。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括:外部電壓檢測單元，適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；參考電壓發(fā)生單元，適用于基于外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；內(nèi)部電壓發(fā)生單元，響應(yīng)于外部電壓檢測信號而被使能，適用于選擇性地產(chǎn)生與參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及內(nèi)部電壓控制單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而選擇性地提供具有與內(nèi)部電壓相對應(yīng)的目標(biāo)電平的電壓作為內(nèi)部電壓。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括:外部電壓檢測單元，適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；參考電壓發(fā)生單元，適用于基于外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；內(nèi)部電壓發(fā)生單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而選擇性地產(chǎn)生與參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及驅(qū)動單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而將內(nèi)部電壓端子選擇性地驅(qū)動至外部電壓。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括:外部電壓檢測單元，適用于檢測處于過電壓狀態(tài)的外部電壓，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；參考電壓發(fā)生單元，適用于基于外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；內(nèi)部電壓檢測單元，適用于比較內(nèi)部電壓與參考電壓以產(chǎn)生泵浦使能信號；振蕩單元，適用于響應(yīng)于泵浦使能信號而輸出振蕩信號；振蕩信號阻擋單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而選擇性地阻擋振蕩信號的傳送，以輸出內(nèi)部振蕩信號；泵浦單元，適用于響應(yīng)于從振蕩信號阻擋單元輸出的內(nèi)部振蕩信號而選擇性地產(chǎn)生內(nèi)部電壓；以及驅(qū)動單元，適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號而將內(nèi)部電壓端子選擇性地驅(qū)動至外部電壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是說明傳統(tǒng)的保護(hù)電路的框圖。
[0026]圖2是說明圖1中所示的過電壓放電單元的詳細(xì)電路圖。
[0027]圖3是傳統(tǒng)的內(nèi)部電壓發(fā)生單元的框圖。
[0028]圖4是說明圖3中所示的傳統(tǒng)的內(nèi)部電壓發(fā)生單元的詳細(xì)電路圖。
[0029]圖5是說明傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的異常操作的曲線圖。
[0030]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
[0031]圖7是圖6中所示的過電壓放電單元、內(nèi)部電壓發(fā)生單元以及內(nèi)部電壓保持單元的詳細(xì)電路圖。
[0032]圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的操作的曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為局限于本文所列的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本公開充分與完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本公開中，相同的附圖標(biāo)記直接對應(yīng)于在本發(fā)明的不同附圖和實(shí)施例中相同編號的部分。也應(yīng)當(dāng)注意的是，在本說明書中，“連接/耦接”不僅表示一個(gè)部件與另一個(gè)部件直接耦接，還表示一個(gè)部件經(jīng)由中間部件與另一個(gè)部件間接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0034]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
[0035]參見圖6，半導(dǎo)體器件100包括:外部電壓檢測單元110、過電壓放電單元120、參考電壓發(fā)生單元130、內(nèi)部電壓發(fā)生單元140以及內(nèi)部電壓保持單元150。外部電壓檢測單元110檢測從外部供應(yīng)的電源電壓VDD的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號HVDD。過電壓放電單元120響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而將處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD放電。參考電壓發(fā)生單元130基于電源電壓VDD來產(chǎn)生參考電壓VREF。內(nèi)部電壓發(fā)生單元140在響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而被使能的同時(shí)產(chǎn)生與參考電壓VREF相對應(yīng)的升壓電壓VPP。內(nèi)部電壓保持單元150在與內(nèi)部電壓發(fā)生單元140相反響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而被使能的同時(shí)將升壓電壓(VPP)端子保持在與升壓電壓VPP相對應(yīng)的目標(biāo)電平。
[0036]這里，外部電壓檢測單元110檢測電源電壓VDD的電壓電平，并且在電源電壓VDD超出范圍而處于過電壓狀態(tài)時(shí)激活外部電壓檢測信號HVDD。電源電壓VDD會由于過度電性應(yīng)力(EOS)而處于過電壓狀態(tài)。供作參考，EOS是一種電擊,諸如由于利用電源電壓的器件的泄漏電流和電壓而引起的異常過電流或過電壓，并且會持續(xù)納秒到毫秒發(fā)生。
[0037]過電壓放電單元120用作用于保護(hù)內(nèi)部電路免受EOS的保護(hù)電路，并且用于在外部電壓檢測信號HVDD被激活時(shí)通過放電操作來使電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)返回至正常電壓狀態(tài)。
[0038]參考電壓發(fā)生單元130產(chǎn)生與升壓電壓VPP的目標(biāo)電平相對應(yīng)的參考電壓VREF。此時(shí)，由于電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)，所以參考電壓發(fā)生單元130可以通過利用電源電壓VDD作為源電壓來產(chǎn)生具有異常狀態(tài)的參考電壓VREF。
[0039]內(nèi)部電壓發(fā)生單元140包括具有泵型的內(nèi)部電壓發(fā)生電路，以通過泵浦電源電壓VDD來產(chǎn)生升壓電壓VPP。響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD，內(nèi)部電壓發(fā)生單元140在電源電壓VDD處于正常電壓狀態(tài)時(shí)被使能，而在電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)時(shí)被禁止。
[0040]當(dāng)內(nèi)部電壓發(fā)生單元140響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而被禁止時(shí)，內(nèi)部電壓保持單元150被使能以將升壓電壓(VPP)端子保持在與升壓電壓VPP相對應(yīng)的目標(biāo)電平。相反，當(dāng)內(nèi)部電壓發(fā)生單元140響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而被使能時(shí)，內(nèi)部電壓保持單元150被禁止。
[0041]圖7是圖6中所示的過電壓放電單元120、內(nèi)部電壓發(fā)生單元140以及內(nèi)部電壓保持單元150的詳細(xì)電路圖。
[0042]參見圖7，過電壓放電單元120包括:第一反相器INV3、第二反相器INV4以及第一NMOS晶體管N2。第一反相器INV3將外部電壓檢測信號HVDD反相。第二反相器INV4將第一反相器INV3的輸出信號反相并輸出。第一 NMOS晶體管N2具有在電源電壓(VDD)端子和接地電壓(VSS)端子之間的漏極-源極路徑、和與接地電壓(VSS)端子耦接的柵極，并且接收第二反相器INV4的輸出信號作為體偏置。因此，在電源電壓VDD由于EOS變成處于過電壓狀態(tài)時(shí)，過電壓放電單元120可以響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而通過形成從被包括在第二反相器INV4中的PMOS晶體管P2至第一 NMOS晶體管N2的源極端子的放電路徑D，來執(zhí)行放電操作。
[0043]內(nèi)部電壓發(fā)生單元140包括:內(nèi)部電壓檢測部141、振蕩部143、振蕩信號阻擋部145以及泵浦部147。內(nèi)部電壓檢測部141將升壓電壓VPP與參考電壓VREF進(jìn)行比較，以產(chǎn)生泵浦使能信號EN。振蕩部143響應(yīng)于泵浦使能信號EN而輸出振蕩信號0SC。振蕩信號阻擋部145響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而選擇性地阻擋振蕩信號OSC的傳送。泵浦部47響應(yīng)于從振蕩信號阻擋部145中輸出的內(nèi)部振蕩信號OSCI而產(chǎn)生升壓電壓VPP。
[0044]這里，內(nèi)部電壓檢測部141在升壓電壓VPP低于參考電壓VREF時(shí)激活泵浦使能信號EN，而當(dāng)升壓電壓VPP高于或等于參考電壓VREF時(shí)去激活泵浦使能信號ΕΝ。振蕩部143在泵浦使能信號EN被激活的同時(shí)輸出振蕩信號OSC。
[0045]振蕩信號阻擋部145在外部電壓檢測信號HVDD被激活時(shí)阻擋振蕩信號OSC的傳送，而在外部電壓檢測信號HVDD被去激活時(shí)將振蕩信號OSC傳送至泵浦部147。在這個(gè)實(shí)施例中，振蕩信號阻擋部145包括第三反相器INV5以及或非(NOR)門NORl。第三反相器INV5將振蕩信號OSC反相。或非門NORl對外部電壓檢測信號HVDD和第三反相器INV5的輸出執(zhí)行或非運(yùn)算，以輸出內(nèi)部振蕩信號OSCI。
[0046]泵浦部147響應(yīng)于內(nèi)部振蕩信號OSCI而通過升高電源電壓VDD來產(chǎn)生升壓電壓VPP0在電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)時(shí)，泵浦部147響應(yīng)于被振蕩信號阻擋部145阻擋的內(nèi)部振蕩信號OSCI而不執(zhí)行升壓操作。
[0047]此外，內(nèi)部電壓保持單元150包括驅(qū)動單元，其適用于響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD而用電源電壓VDD來驅(qū)動升壓電壓(VPP)端子。例如，驅(qū)動單元可以包括第二 NMOS晶體管Ν3，第二 NMOS晶體管Ν3具有在電源電壓(VDD)端子和升壓電壓(VPP)端子之間的漏極-源極路徑、和接收外部電壓檢測信號HVDD的柵極。因此，當(dāng)內(nèi)部電壓保持單元150被使能時(shí)，升壓電壓(VPP)端子保持在通過將電源電壓VDD減去第二 NMOS晶體管Ν3的閾值電壓Vth而獲得的電壓電平(VDD-Vth )。
[0048]圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的操作的曲線圖。
[0049]在下文中，參見圖6至圖8，詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的操作。
[0050]在解釋圖8之前，當(dāng)電源電壓VDD處于正常電壓狀態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體器件100的操作如下。首先，外部電壓檢測單元110檢測處于正常電壓狀態(tài)的電源電壓VDD的電壓電平，并且將外部電壓檢測信號HVDD去激活。因而，過電壓放電單元120和內(nèi)部電壓保持單元150被禁止，而內(nèi)部電壓發(fā)生單元140被使能，以通過泵浦電源電壓VDD來產(chǎn)生并保持與參考電壓VREF相對應(yīng)的升壓電壓VPP。
[0051]在圖8中，描述了在電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)時(shí)的半導(dǎo)體器件100的操作。
[0052]如圖8中所示，當(dāng)發(fā)生EOS時(shí)，電源電壓VDD將處于正常狀態(tài)。S卩，電源電壓VDD超出范圍而處于過電壓狀態(tài)(參見實(shí)線)。
[0053]此時(shí)，外部電壓檢測單元100檢測處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來激活外部電壓檢測信號HVDD。例如，外部電壓檢測信號HVDD從邏輯低電平轉(zhuǎn)變成邏輯高電平。
[0054]隨后，內(nèi)部電壓發(fā)生單元140被禁止，而過電壓放電單元120和內(nèi)部電壓保持單元150被使能。
[0055]具體地，過電壓放電單元120在電源電壓(VDD)端子和接地電壓(VSS)端子之間形成放電路徑，以將電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)放電至正常電壓狀態(tài)。因而，電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)返回至正常電壓狀態(tài)。
[0056]此時(shí)，內(nèi)部電壓保持單元150箝位處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD，以將箝位電源電壓VDDC供應(yīng)至升壓電壓(VPP)端子。S卩，內(nèi)部電壓保持單元150將升壓電壓(VPP)端子驅(qū)動至處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD，并且升壓電壓(VPP)端子被保持在一電壓電平(VDD-Vth),即通過將電源電壓VDD減去第二 NMOS晶體管Ν3的閾值電壓Vth來獲得的箝位電源電壓VDDC。
[0057]此后，如果電源電壓VDD從過電壓狀態(tài)(參見實(shí)線)返回至正常電壓狀態(tài)(參見虛線)，則外部電壓檢測單元I1檢測處于正常電壓狀態(tài)的電源電壓VDD的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來去激活外部電壓檢測信號HVDD。例如，外部電壓檢測信號HVDD從邏輯高電平轉(zhuǎn)變成邏輯低電平。因此，內(nèi)部電壓發(fā)生單元140被使能，而過電壓放電單元120和內(nèi)部電壓保持單元150被禁止。
[0058]此外，在電源電壓VDD處于過電壓狀態(tài)時(shí)，內(nèi)部電壓發(fā)生單元140中的振蕩信號阻擋部145響應(yīng)于外部電壓檢測信號HVDD的激活而阻擋從振蕩部143輸出的振蕩信號OSC傳送至泵浦部147。因此，即使參考電壓VREF因處于過電壓狀態(tài)的電源電壓VDD而增大、并且振蕩信號OSC根據(jù)增大的參考電壓VREF而從振蕩部143連續(xù)地輸出，泵浦部147的異常泵浦操作也可以由于振蕩信號阻擋部145阻擋振蕩信號OSC的傳送而被防止。
[0059]結(jié)果，在電源電壓由于EOS而處于過電壓狀態(tài)(B卩，異常狀態(tài))的情況下，過電壓放電單元120執(zhí)行放電操作，并且此時(shí)，內(nèi)部電壓發(fā)生單元140停止泵浦操作，由此將升壓電壓(VPP)端子保持在電壓電平(VDD-Vth )，即箝位電源電壓VDDC。
[0060]如上所述，根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以阻擋由過度電性應(yīng)力(EOS)引起的異常泵浦操作，以減小/最小化根據(jù)異常泵浦操作的電力線的電流損耗和惡化。
[0061]換言之，在發(fā)生EOS時(shí)，可以首先通過放電操作來保護(hù)半導(dǎo)體器件免受E0S，并且其次可以保護(hù)半導(dǎo)體器件免受由EOS引起的內(nèi)部電壓發(fā)生電路的異常操作。
[0062]盡管已經(jīng)參照具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。
[0063]例如盡管已經(jīng)對產(chǎn)生升壓電壓VPP的半導(dǎo)體器件進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明不限制于這種結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以應(yīng)用通過泵浦操作產(chǎn)生反相偏置電壓VBB的半導(dǎo)體器件。
[0064]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0065]技術(shù)方案1.一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0066]外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；
[0067]參考電壓發(fā)生單元，所述參考電壓發(fā)生單元適用于基于所述外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；
[0068]內(nèi)部電壓發(fā)生單元，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而被使能，適用于選擇性地產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及
[0069]內(nèi)部電壓控制單元，所述內(nèi)部電壓控制單元適用于:響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號，選擇性地提供具有與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的目標(biāo)電平的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
[0070]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的所述目標(biāo)電平包括處于過電壓狀態(tài)的所述外部電壓被箝位的電壓。
[0071]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元包括泵型的電路。
[0072]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，還包括:
[0073]過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而將處于過電壓狀態(tài)的所述外部電壓放電。
[0074]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時(shí)被使能，并且產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
[0075]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓控制單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于所述過電壓狀態(tài)的值時(shí)而被使能，并且提供具有與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的所述目標(biāo)電平的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
[0076]技術(shù)方案7.—種半導(dǎo)體器件,包括:
[0077]外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；
[0078]參考電壓發(fā)生單元，所述參考電壓發(fā)生單元適用于基于所述外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；
[0079]內(nèi)部電壓發(fā)生單元，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而選擇性地產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及
[0080]驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而將內(nèi)部電壓端子選擇性地驅(qū)動至所述外部電壓。
[0081]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元包括泵型的電路。
[0082]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案7所述的半導(dǎo)體器件，還包括:
[0083]過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于基于所述外部電壓檢測單元的檢測結(jié)果來使處于所述過電壓狀態(tài)的所述外部電壓放電。
[0084]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時(shí)而被使能，并且產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
[0085]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述驅(qū)動單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于所述過電壓狀態(tài)的值時(shí)而被使能，并且將所述內(nèi)部電壓端子驅(qū)動至所述外部電壓。
[0086]技術(shù)方案12.—種半導(dǎo)體器件,包括:
[0087]外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測處于過電壓狀態(tài)的外部電壓，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號；
[0088]參考電壓發(fā)生單元，所述參考電壓發(fā)生單元適用于基于所述外部電壓來產(chǎn)生參考電壓；
[0089]內(nèi)部電壓檢測單元，所述內(nèi)部電壓檢測單元適用于將內(nèi)部電壓與所述參考電壓進(jìn)行比較以產(chǎn)生泵浦使能信號；
[0090]振蕩單元，所述振蕩單元適用于響應(yīng)于所述泵浦使能信號而輸出振蕩信號；
[0091]振蕩信號阻擋單元，所述振蕩信號阻擋單元適用于:響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而選擇性地阻擋所述振蕩信號的傳送，以輸出內(nèi)部振蕩信號；
[0092]泵浦單元，所述泵浦單元適用于響應(yīng)于從所述振蕩信號阻擋單元輸出的所述內(nèi)部振蕩信號而選擇性地產(chǎn)生所述內(nèi)部電壓；以及
[0093]驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而將內(nèi)部電壓端子選擇性地驅(qū)動至所述外部電壓。
[0094]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述驅(qū)動單元在所述外部電壓處于所述過電壓狀態(tài)時(shí)被使能，并且所述內(nèi)部電壓端子被保持在通過將所述外部電壓減去所述驅(qū)動單元的閾值電壓來獲得的電壓電平。
[0095]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案12所述的半導(dǎo)體器件，還包括:
[0096]過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而使處于所述過電壓狀態(tài)的所述外部電壓放電。
[0097]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述泵浦單元適用于:在所述內(nèi)部振蕩信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時(shí)，產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
[0098]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述驅(qū)動單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于所述過電壓狀態(tài)的值時(shí)被使能，并且將所述內(nèi)部電壓端子驅(qū)動至所述外部電壓。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件,包括: 外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號； 參考電壓發(fā)生單元，所述參考電壓發(fā)生單元適用于基于所述外部電壓來產(chǎn)生參考電壓； 內(nèi)部電壓發(fā)生單元，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而被使能，適用于選擇性地產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及 內(nèi)部電壓控制單元，所述內(nèi)部電壓控制單元適用于:響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號，選擇性地提供具有與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的目標(biāo)電平的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的所述目標(biāo)電平包括處于過電壓狀態(tài)的所述外部電壓被箝位的電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元包括泵型的電路。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而將處于過電壓狀態(tài)的所述外部電壓放電。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時(shí)被使能，并且產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓控制單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于所述過電壓狀態(tài)的值時(shí)而被使能，并且提供具有與所述內(nèi)部電壓相對應(yīng)的所述目標(biāo)電平的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
7.—種半導(dǎo)體器件,包括: 外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結(jié)果來輸出外部電壓檢測信號； 參考電壓發(fā)生單元，所述參考電壓發(fā)生單元適用于基于所述外部電壓來產(chǎn)生參考電壓； 內(nèi)部電壓發(fā)生單元，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而選擇性地產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為內(nèi)部電壓；以及 驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元適用于響應(yīng)于所述外部電壓檢測信號而將內(nèi)部電壓端子選擇性地驅(qū)動至所述外部電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元包括泵型的電路。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于基于所述外部電壓檢測單元的檢測結(jié)果來使處于所述過電壓狀態(tài)的所述外部電壓放電。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部電壓發(fā)生單元適用于:在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時(shí)而被使能，并且產(chǎn)生與所述參考電壓相對應(yīng)的電壓作為所述內(nèi)部電壓。
【文檔編號】H02M1/00GK104242606SQ201410008814
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】金鍾煥 申請人:愛思開海力士有限公司