本發(fā)明涉及發(fā)電技術領域，特別是涉及一種自然熱能轉換存儲裝置。

背景技術：
隨著科學技術的不斷發(fā)展，各行各業(yè)對能源的需求日益迫切。目前，大部分的發(fā)電系統(tǒng)還停留在利用煤炭等相對傳統(tǒng)的方式進行發(fā)電，一方面煤炭資源有限，滿足不了大功率的發(fā)電需求，另一方便，利用煤炭發(fā)電加重了對自然環(huán)境的污染和破壞，不利于環(huán)保。近幾年來，利用風能、水力、核能等發(fā)電技術逐步發(fā)展開來，但這些發(fā)電技術能耗大，耗資巨大且非常容易受到自然外界環(huán)境的影響，導致其發(fā)電量受到一定的限制，滿足不了今后各行各業(yè)對電能的需求。

技術實現(xiàn)要素：
(一)要解決的技術問題本發(fā)明要解決的技術問題是解決現(xiàn)有的發(fā)電裝置耗能大、成本昂貴、不利于環(huán)保且發(fā)電量有限等缺陷。(二)技術方案為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種自然熱能轉換存儲裝置，包括：熱能傳輸系統(tǒng)、能量轉換裝置、能量儲存裝置；所述熱能傳輸系統(tǒng)，用于將熱能通過能量吸收擴展裝置進行大范圍的收集，然后傳遞到熱管或超導熱管的受熱端；在通過熱管或超導熱管將熱能傳遞到能量轉換裝置上，將熱能轉換為電能；所述能量轉換裝置，用于將熱能傳輸系統(tǒng)采集到的熱能轉換成電能，然后將產(chǎn)生的電能存儲到能量儲存裝置中，所述能量轉換裝置于真空箱體中，由正電極，半導體材料、負電極、負電極與半導體材料構成的鑲嵌結構及附屬結構構成的利用自然熱能轉換為電能的裝置；所述的能量轉換裝置的模塊數(shù)量至少為一個；所述能量儲存裝置，用于存儲能量轉換裝置轉換的電能。進一步地，所述熱能傳輸系統(tǒng)包括能量吸收擴展裝置、熱管或超導熱管及附屬支撐結構構成，熱管或超導熱管的一端與能量吸收擴展裝置相連，能量吸收擴展裝置與外界環(huán)境熱源相連，另一端與能量轉換裝置相連接，將外界的熱能通過超導熱管傳輸?shù)接烧姌O、半導體材料、負電極、負電極與半導體材料構成的鑲嵌結構構成的能量轉換裝置中。進一步地，所述能量轉換裝置由真空箱體、真空環(huán)境、正電極，半導體材料、負電極、負電極與半導體材料構成的鑲嵌結構及附屬結構構成的能量轉換裝置模塊組成；其中，真空箱體位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的裝置，為內部的真空環(huán)境提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境，其中，正電極的一側與半導體材料緊密細致無縫的結合在一體，另一側通過輸電線路與能量存儲裝置相連接，正電極由高導電率的導體材料構成，其形狀為片狀、層狀或不規(guī)則形狀、不定型形狀，其形態(tài)為固態(tài)、液態(tài)或等離子態(tài)，正電極與半導體材料和負極組成的鑲嵌結構不連通，同時正電極與半導體材料接觸部分的表面積要小于或遠遠小于負電極與半導體材料接觸部分的表面積；正電極與半導體材料接觸部分指正電極與半導體材料緊密細致無縫結合的部分；所述負電極與半導體材料接觸部分指負電極與半導體材料緊密細致無縫結合的部分；其中，半導體材料一側與正電極緊密細致無縫的結合在一體，另一側與負電極緊密細致無縫的結合在一體，同時半導體材料與負電極之間以鑲嵌的結構結合在一體，半導體材料其形狀為片狀、層狀、不規(guī)則形狀或不定型形狀，其形態(tài)為固態(tài)、液態(tài)或等離子態(tài)；其中，負電極一側與半導體材料緊密細致無縫的結合在一體，同時半導體材料與負電極之間以鑲嵌的結構結合在一體，另一側通過輸電線路與能量存儲裝置相連接，負電極由導電率高的導體材料構成，其形狀為片狀，層狀，不規(guī)則形狀或不定型形狀，其形態(tài)為固態(tài)、液態(tài)、等離子態(tài)，負電極與半導體材料和負極組成的鑲嵌結構是連通的，可將半導體材料受熱激發(fā)后產(chǎn)生的電子迅速的導走，形成電流；其中負極與半導體材料構成的鑲嵌結構是一種超微結構，所述超微結構包括納米級的超微結構1nm-100nm和微米級的超微結構0.1μm-10μm，所述鑲嵌是互相的，包括負極鑲嵌到半導體材料中或半導體鑲嵌到負極材料中。進一步地，所述鑲嵌結構包括規(guī)則整齊方式，所述規(guī)則整齊方式分別為縱向或橫向的寬度為超微級，高度也為超微級，間距為超微級的凸體鑲嵌到半導體材料中；或者，布滿直徑為超微級，高度為超微級，距離為超微級的柱狀結構鑲嵌到半導體材料中；或者，布滿直徑為超微級，深度為超微級，距離為超微級的腔體結構鑲嵌到半導體材料中；或者，以超微級寬乘以超微級長，深度為超微級，距離為超微級立方體結構的腔體結構鑲嵌到半導體材料中；以超微級長乘以超微級寬，凸出高度為超微級，距離為超微級立方體結構的腔體結構鑲嵌到半導體材料中；鑲嵌結構包括類(類似于)生物體小腸絨毛膜結構，即負極如同小腸絨毛膜鑲嵌到半導體材料如同食糜中的結構；鑲嵌結構包括不規(guī)則方式，分別為負極浸入到半導體材料中，或負極溶解到半導體材料中，負電極同時也通過輸電線路與能量存儲裝置的負極相連接。進一步地，所述能量轉換裝置由真空箱體、真空環(huán)境、導體材料、半導體材料、吸熱熱管或超導熱管、散熱熱管或超導熱管構成；其中，真空箱體位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的能量轉換裝置、固定高溫端的吸取熱能的熱管或超導熱管、低溫端的散熱的熱管或超導熱管，為內部的真空環(huán)境提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境，由導體材料和鑲嵌或摻雜在導體材料中的半導體材料組成本發(fā)明的能量轉換裝置，吸取熱能的熱管或超導熱管的吸熱端與熱源相連，吸取熱能的熱管或超導熱管的散熱端與能連轉換裝置的高溫端相連接，高溫端與能量轉換裝置的一個側面相連接從而將熱源的熱能通過熱管或超導熱管傳送到能量轉裝置中、低溫端與能量轉換裝置的一個側面相連接，散熱的熱管或超導熱管的吸熱端與低溫端相連接，散熱端與低溫熱源相連，將能量轉換裝置高溫端傳遞過來的熱能傳送到低溫熱源，從而保持高溫端與低溫端保持一個相應的溫度差，與高溫端相連接的導體材料與輸電線路接通，為本發(fā)明裝置的正極，與低溫端相連接的導體材料與輸電線路接通，為本發(fā)明裝置的負極，通過輸電線路將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能傳送到能量存儲裝置中；其中，將半導體材料鑲嵌或摻雜到導體中，可以將半導體材料的原子彼此間隔的鑲嵌或摻雜到導體中，也可以將半導體材料的原子彼此連接在一起的鑲嵌到導體中，半導體受熱激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對，而將分離的自由電子則直接通過靜電場的作用下定向的進入負極，這樣電子空穴對的分離則不再受半導體中載流子密度的影響；其中負極與導體材料連接在一體，正極與半導體材料連接在一體，但與導體材料不接觸聯(lián)通。進一步地，所述能量轉換裝置包括由真空箱體、真空環(huán)境、輸電線路、能量存儲裝置、高溫端、低溫端、半導體材料或半導體原子、摻雜材料或摻雜原子、導體材料或導體原子、電極。其中，其中真空箱體位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的能量轉換裝置和固定高溫端的吸取熱能的熱管或超導熱管、固定低溫端的散熱的熱管或超導熱管，為內部的真空環(huán)境提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境，由半導體材料或半導體原子、摻雜材料或摻雜原子、導體材料或導體原子、電極組成的本發(fā)明的能量轉換裝置，吸取熱能的熱管或超導熱管的吸熱端與熱源相連，吸取熱能的熱管或超導熱管的散熱端與能連轉換裝置的高溫端相連接，高溫端與能量轉換裝置的一個側面相連接從而將熱源的熱能通過熱管或超導熱管傳送到能量轉裝置中、低溫端與能量轉換裝置的一個側面相連接，散熱的熱管或超導熱管的吸熱端與低溫端相連接將，散熱端與低溫熱源相連，將能量轉換裝置高溫端傳遞過來的熱能傳送到低溫熱源，從而保持高溫端與低溫端保持一個相應的溫度差，與高溫端相連接的電極與輸電線路接通，為本發(fā)明裝置的正極，與低溫端相連接的導體材料與輸電線路接通，為本發(fā)明裝置的負極，通過輸電線路將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能傳送到能量存儲裝置中。能量轉換裝置的結構為：半導體材料作為整個能量轉換裝置的框架平臺，在其中滲入適當摻雜材料或摻雜原子，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低，使之具有摻雜半導體的功能；在該結構的基礎上，再在其中摻雜入導體材料或導體原子，導體材料或導體原子為彼此間隔的摻雜到摻雜半導體結構中或由導體材料原子組成的各種不同結構鑲嵌到摻雜半導體結構中，組成能量轉換裝置；其中，對于能量轉換裝置的正負電極的區(qū)分一般為高溫端為正極，低溫端為負極，正電極、負電極都是與半導體材料連接在一起，但正電極與負電極不直接接觸，但負極可以與摻雜到半導體中的導體相接通；正電極與負電極不同時與摻雜到半導體中的導體相接通。進一步地，所述導體材料為固體、液體、氣體或等離子體；所述半導體材料為固體、液體、氣體或等離子體。進一步地，所述能量儲存裝置由輸電線路、能量存儲裝置、電容器或超級電容器、飛輪儲能電池、其他儲能電池等構成。能量轉換裝置的正電極、負電極通過輸電線路與能量儲存裝置連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置中，輸電線路的一端與正、負電極相連接，另一端與電容器或超級電容器相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器或超級電容器中，然后將電容器或超級電容器中的電能通過放電再存儲到儲能電池中。進一步地，所述電容器與能量轉換裝置的之間設有保護電路。進一步地，在超級電容與儲能電池之間設有保護電路。進一步地，熱源包括太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠或其他自然界的熱能，也包括工、農(nóng)業(yè)及其他各個行業(yè)生產(chǎn)產(chǎn)生的熱能，余熱，廢熱，也包括人類生活產(chǎn)生的熱能，余熱，廢熱。(三)有益效果上述技術方案具有如下優(yōu)點：本發(fā)明提供的自然熱能轉換存儲裝置，通過收集該裝置附近的熱能并且結合改變半導體的內部形態(tài)的配合，將熱能高效地轉換成電能，操作方便、發(fā)電量大且非常環(huán)保。附圖說明圖1是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖；圖2是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖；圖3是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能發(fā)電裝置的示意圖；圖4是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖；圖5是本發(fā)明實施例提供的符合雙板型自然熱能發(fā)電裝置的示意圖圖6是本發(fā)明實施例提供的符合雙板型自然熱能超導熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖7是本發(fā)明實施例提供的符合雙板型自然熱能熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖8是本發(fā)明實施例提供的符合鑲嵌結構的示意圖；圖9是本發(fā)明實施例提供的符合多板型自然熱能發(fā)電裝置的示意圖；圖10是本發(fā)明實施例提供的符合多板型自然熱能熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖11是本發(fā)明實施例提供的符合多板型自然熱能超導熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖12是本發(fā)明實施例提供的符合多板型自然熱能超導熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖13是本發(fā)明實施例提供的符合多板型自然熱能超導熱管發(fā)電裝置的示意圖；圖14是本發(fā)明實施例提供的符合半導體中電子-空穴對產(chǎn)生模式圖的示意圖；圖15是本發(fā)明實施例提供的符合正負極的各種鑲嵌結構-1的示意圖；圖16是本發(fā)明實施例提供的符合正負極的各種鑲嵌結構-2的示意圖；圖17是本發(fā)明實施例提供的符合正負極的各種鑲嵌結構-3的示意圖；圖18是本發(fā)明實施例提供的符合正負極的各種鑲嵌結構-4的示意圖；圖19是本發(fā)明實施例提供的符合能量存儲裝置的示意圖(圖19A、B)；圖20是本發(fā)明實施例提供的符合各種鑲嵌結構-1的示意圖(圖20A、B、C、D)；圖21是本發(fā)明實施例提供的符合各種鑲嵌結構-2的示意圖(圖21A、B、C、D、E、F)；圖22是本發(fā)明實施例提供的符合各種鑲嵌結構-3的示意圖(圖22A、B、C、D、E、F)；圖23是本發(fā)明實施例提供的符合各種鑲嵌結構-4的示意圖(圖23A、B、C、D)；圖24是本發(fā)明實施例提供的符合各種鑲嵌結構-5的示意圖(圖24A、B、C、D)；圖25是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電-能量轉換裝置的摻雜結構的示意圖(圖25A、B)；圖26是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電-太陽能熱發(fā)電1的示意圖；圖27是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電-太陽能熱發(fā)電2的示意圖；圖28是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電-沙漠太陽能蓄熱發(fā)電的示意圖；圖29是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電-地熱發(fā)電的示意圖；圖30是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電2-能量轉換裝置的摻雜結構的示意圖；圖31是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電2-太陽能熱發(fā)電1的示意圖；圖32是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電2-太陽能熱發(fā)電2的示意圖；圖33是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電2-沙漠太陽能蓄熱發(fā)電的示意圖；圖34是本發(fā)明實施例提供的符合溫差發(fā)電2-地熱發(fā)電的示意圖；圖35是溫差發(fā)電原理示意。具體實施方式下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。本實施例中的熱源包括太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠或其他自然界的熱能，也包括工、農(nóng)業(yè)及其他各個行業(yè)生產(chǎn)產(chǎn)生的熱能，余熱，廢熱，也包括人類生活產(chǎn)生的熱能，余熱，廢熱。圖1是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖，其中包括真空箱體1、真空環(huán)境2、正電極3、半導體材料4、負電極5、超導熱管6、半導體鑲嵌結構7、輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器或超級電容器22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中，真空箱體1位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的裝置，為內部的真空環(huán)境2提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境2，正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇：1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字?；?、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置，能量轉換裝置固定在真空箱體內，能量轉換裝置與真空箱體之間的空間為真空環(huán)境2。超導熱管6的一端與外界環(huán)境相連，另一端與能量轉換裝置相連接，將外界的熱能通過超導熱管6傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過超導熱管6將熱能傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，如需要接肖特基二極管。當超級電容器22的電壓較低時，為了防止飛輪儲能電池24或其他儲能電池25對超級電容器22產(chǎn)生影響，可以在超級電容器22與飛輪儲能電池24或其他儲能電池25之間也接一個保護電路23，如二極管等。而作為傳統(tǒng)的半導體溫差發(fā)電技術原理為：圖35是溫差發(fā)電原理示意，該裝置可利用溫差直接產(chǎn)生電能。在P型(N型)半導體中，由于熱激發(fā)作用較強，高溫端的空穴(電子)濃度比低溫端大，在這種濃度梯度的驅動下，空穴(電子)由于熱擴散作用，會從高溫端向低溫端擴散，從而形成一種電勢差，這就是溫差發(fā)電的原理。要滿足這種發(fā)電技術的要求，必須要有P型(N型)半導體結構，必須要有固定的高溫端和低溫端(也就是高溫到低溫的溫度梯度)，等等限制，并且目前溫差發(fā)電技術的研究基本都是利用地熱、太陽能、海洋能等高于環(huán)境溫度的低品位熱能方面。因此對于上述的這種溫度梯度(自然界的溫度梯度)是無法進行吸收傳導轉化的。有了溫度梯度以后，如何才能更高效率的進行溫差發(fā)電(熱電轉換)，而在這一方面目前的溫差發(fā)電裝置根本做不到，由于目前所用的材料多為摻雜半導體材料即P型(N型)半導體，半導體通過摻雜技術的處理后，會提高其內部的載流子數(shù)量，同時會降低其電阻率，但這種改變是有限的，其內部載流子的數(shù)量最多為導體中的20％，這種結構只能將熱激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對中不到20％的分離，因此其熱電轉化只能達到5-10％，還需要將半導體受熱激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對分離，而本發(fā)明技術在這一方面找到了突破口，即只利用半導體材料4受熱激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對，而將分離的自由電子則直接通過靜電場的作用下定向的進入本發(fā)明裝置的負極材料5中，這樣電子空穴對的分離則不再受半導體材料4中載流子密度的影響，包括極低的溫度、極小的溫差、方向變化的溫差等的影響，只要稍有溫差就可以高效、迅速的大量的捕獲、吸取、轉換為電能。因此利用本發(fā)明技術可使熱電轉化達到50％以上，電流密度可達到900A/cm2以上。隨著技術的進一步發(fā)展，可以將熱電轉化達到90％以上。電流密度可達到1000A/cm2以上。對于有半導體材料4與負電極5之間的鑲嵌結構見各種鑲嵌結構圖1、各種鑲嵌結構圖2、各種鑲嵌結構圖3、各種鑲嵌結構圖4、各種鑲嵌結構圖5。圖2是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖，其中包括真空箱體1、真空環(huán)境2、正電極3、半導體材料4、負電極5、超導熱管6、半導體鑲嵌結構7、能量吸收擴展裝置9、輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器(超級電容器)22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中真空箱體1位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的裝置，為內部的真空環(huán)境2提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境2，正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇，1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字。或2、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置，能量轉換裝置固定在真空箱體內，能量轉換裝置與真空箱體之間的空間為真空環(huán)境2。超導熱管6的一端與能量吸收擴展裝置9相連，能量吸收擴展裝置9與外界環(huán)境相連，另一端與能量轉換裝置相連接，將外界的熱能通過超導熱管6傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中。其中能量吸收擴展裝置9，該裝置將發(fā)電裝置周圍的熱能通過其放射性的特點，將發(fā)電裝置周圍(太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠等)的熱能通過能量吸收擴展裝置9的進行大范圍的收集，然后傳遞到熱管或超導熱管6的受(加)熱端。從而將熱能通傳遞到能量轉換裝置，將熱能轉換為電能。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過能量吸收擴展裝置9將發(fā)電裝置周圍(太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠等)的熱能通過大范圍快速的收集，然后傳遞到與能量吸收擴展裝置9相連接的超導熱管6將熱能傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，如需要接肖特基二極管。當超級電容器22的電壓較低時，為了防止飛輪儲能電池24或其他儲能電池25對超級電容器22產(chǎn)生影響，可以在超級電容器22與飛輪儲能電池24或其他儲能電池25之間也接一個保護電路23，如二極管等。圖3是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能發(fā)電裝置的示意圖其中包括正電極3、半導體材料4、負電極5、半導體鑲嵌結構7輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器(超級電容器)22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇，1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字?；?、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置，能量轉換裝置暴露在外界環(huán)境中。外界環(huán)境中的熱能通過自由擴散傳導到由正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過自由擴散傳導到由正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，如需要接肖特基二極管。當超級電容器22的電壓較低時，為了防止飛輪儲能電池24或其他儲能電池25對超級電容器22產(chǎn)生影響，可以在超級電容器22與飛輪儲能電池24或其他儲能電池25之間也接一個保護電路23，如二極管等。圖4是本發(fā)明實施例提供的單板型自然熱能超導發(fā)電裝置的示意圖；其中包括真空箱體1、真空環(huán)境2、正電極3、半導體材料4、負電極5、超導熱管6、半導體鑲嵌結構7、能量吸收擴展裝置9、制冷環(huán)境11、制冷裝置12、輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器(超級電容器)22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中制冷裝置12位于真空箱體1的外部，與真空箱體1之間形成制冷環(huán)境11，制冷環(huán)境11，可使溫差現(xiàn)象更加明顯持續(xù)，保持能量轉換裝置處的低溫環(huán)境，使能量轉換的條件更加明顯，溫度差的范圍增大。真空箱體1為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的裝置，為內部的真空環(huán)境2提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境2，正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇，1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字?；?、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置，能量轉換裝置固定在真空箱體內，能量轉換裝置與真空箱體之間的空間為真空環(huán)境2。超導熱管6的一端與能量吸收擴展裝置9相連，能量吸收擴展裝置9與外界環(huán)境相連，另一端與能量轉換裝置相連接，將外界的熱能通過超導熱管6傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中。其中能量吸收擴展裝置9，該裝置將發(fā)電裝置周圍的熱能通過其放射性的特點，將發(fā)電裝置周圍(太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠等)的熱能通過能量吸收擴展裝置9的進行大范圍的收集，然后傳遞到熱管或超導熱管6的受(加)熱端。從而將熱能通傳遞到能量轉換裝置，將熱能轉換為電能。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過能量吸收擴展裝置9將發(fā)電裝置周圍(太陽能、空氣、河流、海洋、地下熱源、沙漠等)的熱能通過大范圍快速的收集，然后傳遞到與能量吸收擴展裝置9相連接的超導熱管6將熱能傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，如需要接肖特基二極管。當超級電容器22的電壓較低時，為了防止飛輪儲能電池24或其他儲能電池25對超級電容器22產(chǎn)生影響，可以在超級電容器22與飛輪儲能電池24或其他儲能電池25之間也接一個保護電路23，如二極管等。圖5是本發(fā)明實施例提供的符合雙板型自然熱能發(fā)電裝置的示意圖，其中包括正電極3、半導體材料4、負電極5、半導體鑲嵌結構7輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器(超級電容器)22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇，1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字?；?、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置的單元結構，然后由兩層單元結構有序的進行排列組成能量轉換裝置，能量轉換裝置暴露在外界環(huán)境中。外界環(huán)境中的熱能通過自由擴散傳導到由正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成能量轉換裝置中。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過自由擴散傳導到由正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，如需要接肖特基二極管。當超級電容器22的電壓較低時，為了防止飛輪儲能電池24或其他儲能電池25對超級電容器22產(chǎn)生影響，可以在超級電容器22與飛輪儲能電池24或其他儲能電池25之間也接一個保護電路23，如二極管等。圖6是本發(fā)明實施例提供的符合雙板型自然熱能超導熱管發(fā)電裝置的示意圖，本發(fā)明實施例包括真空箱體1、真空環(huán)境2、正電極3、半導體材料4、負電極5、超導熱管6、半導體鑲嵌結構7輸電線路20、能量存儲裝置21、電容器(超級電容器)22、保護電路23、飛輪儲能電池24、儲能電池25。其中真空箱體1位于整個裝置的最外層，為一個密閉的箱體，用于固定支撐內部的裝置，為內部的真空環(huán)境2提供技術支持，在真空箱體內所有的空間為真空環(huán)境2，正電極3以表面光滑平整的一側與半導體材料4緊密有機的結合在一體，也可以將正電極3通過印刷技術印刷到半導體材料4相對負電極5較為光滑平整一側，正電極3同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的正極相連接。作為負電極5的一側，負電極5的一側以各種不同結構鑲嵌到半導體材料4中，負電極5的這種鑲嵌結構7可設置為三種結構供選擇，1、規(guī)則整齊的，在這種結構的基礎平臺上又可設置五種不同的鑲嵌結構7供選擇，①是縱向或橫向的寬度為0.1μm，高度0.1μm，間距0.1μm的凸體鑲嵌到半導體材料4中，②布滿直徑為0.1μm，高度為0.1μm，距離為0.1微米的柱狀結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，③布滿直徑為0.1μm，深度為0.1μm，距離為0.1微米的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中，④以0.1μm×0.1微米，深度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。⑤以0.1μm×0.1微米，凸出高度為0.1μm，距離為0.1微米立方體結構的腔體結構鑲嵌(插入)到半導體材料4中。以上數(shù)字0.1微米為本發(fā)明所述數(shù)字范圍的一種，該數(shù)字可以是0.1nm-1微米的任一數(shù)字?；?、類生物體小腸絨毛膜結構，即小腸絨毛膜(負電極5)鑲嵌到食糜(半導體材料4)中的結構，或3、是不規(guī)則。如毛筆筆頭上的毛(負電極5)浸入到水(半導體材料4)中，或者纖維素(負電極5)溶解到水(半導體材料4)中，負電極4同時也通過輸電線路20與能量存儲裝置21的負極相連接。正電極3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成本發(fā)明裝置中的能量轉換裝置的單元結構，然后由兩層該單元結構有序的進行排列組成能量轉換裝置，能量轉換裝置固定在真空箱體內，能量轉換裝置與真空箱體之間的空間為真空環(huán)境2。超導熱管6的一端與外界環(huán)境相連，另一端與能量轉換裝置相連接，將外界的熱能通過超導熱管6傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中。本發(fā)明實施例的運行原理為外界環(huán)境中的熱能通過超導熱管6將熱能傳輸?shù)接烧姌O3、半導體材料4、負電極5通過鑲嵌結構7等結合構成的能量轉換裝置中，能量轉換裝置中的半導體材料4受熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子-空穴對。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加。因此在一定的溫度下電子-空穴對的產(chǎn)生和復合是同時存在，形成了一種動態(tài)的平衡，本發(fā)明的裝置就是打破這種平衡，電子-空穴對不再復合，而是將半導體材料4產(chǎn)生的電子-空穴對迅速的分離，電子集中在一邊，空穴集中在另一邊。被分離的電了和空穴由正電極3和負電極5收集，形成電流，從而將熱能轉換為電能，通過正電極3及輸電線路20、負電極5及輸電線路20與能量存儲裝置21的正負極相連接，將能量轉換裝置產(chǎn)生的電能存儲到能量存儲裝置21中，可以先將能量轉換裝置與電容器(超級電容器)22相連接，將能量轉換裝置中產(chǎn)生的電能存儲到電容器(超級電容器)22中，然后將電容器(超級電容器)22中的電能通過放電再存儲到本發(fā)明的飛輪儲能電池24或其他儲能電池25中。在電路中為了防止產(chǎn)生的電壓低于超級電容器22的電壓時，超級電容器22向能量轉換裝置充電，造成能量損耗及能量轉換裝置的損壞，需要在電容器22與能量轉換裝置的之間有一個保護電路23，...