一種阻容降壓電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種阻容降壓電路，其包括電阻R1、電容C1、電阻R2、橋堆D、穩(wěn)壓管ZD、電容C2、發(fā)熱絲W、電阻R3、可控硅T、電阻R4和光電耦合器MOC。本實(shí)施例只使用0.47μF電容和47R電阻組合的阻容降壓電路，就能滿足現(xiàn)有技術(shù)的1μF電容和47R電阻組合的電路所提供的電流，并且完全符合歐規(guī)新法的小于0.5W的待機(jī)功耗。
【專利說明】—種阻容降壓電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及阻容降壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]歐盟自2010年對進(jìn)口電器提出了能耗要求，及ERP指令(《確立能源相關(guān)產(chǎn)品生態(tài)涉及要求的框架》)。其中要求電器待機(jī)功耗要低于0.5W。而目前IuF阻容降壓電路并不符合ERP要求，其用半波整流電路提供的電流時30mA左右，能滿足小家電行業(yè)的大部分工作控制需求，但I(xiàn)uF阻容降壓電路，無法通過歐規(guī)的待機(jī)小于0.5W的要求，大家常用的替換方法是開關(guān)電源，但開關(guān)電源的體積，對于手持式的小家電過大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提出一種阻容降壓電路，其能替代IuF阻容降壓電路不符合ERP要求的問題。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下:
[0005]一種阻容降壓電路，其包括電阻R1、電容Cl、電阻R2、橋堆D、穩(wěn)壓管ZD、電容C2、發(fā)熱絲W、電阻R3、可控硅T、電阻R4和光電耦合器M0C，電容Cl與電阻R2并聯(lián)連接，電阻Rl的一端與市電的火線端連接，電阻Rl的另一端通過電容Cl與橋堆D的第一交流輸入端連接，橋堆D的第二交流輸入端與市電的零線端連接,發(fā)熱絲W的一端與市電的火線端連接，發(fā)熱絲W的另一端通過可控硅T與市電的零線端連接，電阻R3的一端連接在發(fā)熱絲W與可控娃T之間，電阻R3的另一端與光電稱合器MOC的雙向二極管輸入端連接,光電I禹合器MOC的雙向二極管輸出端與可控娃T的控制端連接,光電I禹合器MOC的發(fā)光二極管輸入端通過電阻R4與橋堆D的第一直流輸出端連接,光電I禹合器MOC的發(fā)光二極管輸出端與一芯片IC的電源端連接，芯片IC的接地端與橋堆D的第二直流輸出端連接，橋堆D的第二直流輸出端接地，所述穩(wěn)壓管ZD連接在橋堆D的第一直流輸出端與第二直流輸出端之間，穩(wěn)壓管ZD與電容C2并聯(lián)連接。
[0006]優(yōu)選的，電容Cl的電容為0.47uF。
[0007]優(yōu)選的，所述電容C2為電解電容。
[0008]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0009]在不增加體積的情況下，減小降壓電容的體積和容量，方便裝配和通過ERP法規(guī)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的阻容降壓電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面，結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。
[0012]如圖1所示，一種阻容降壓電路，其包括電阻R1、電容Cl、電阻R2、橋堆D、穩(wěn)壓管ZD、電容C2、發(fā)熱絲W、電阻R3、可控硅T、電阻R4和光電耦合器MOC，電容Cl與電阻R2并聯(lián)連接，電阻Rl的一端與市電的火線端ACL連接，電阻Rl的另一端通過電容Cl與橋堆D的第一交流輸入端連接，橋堆D的第二交流輸入端與市電的零線端ACN連接,發(fā)熱絲W的一端與市電的火線端ACL連接，發(fā)熱絲W的另一端通過可控硅T與市電的零線端ACN連接，電阻R3的一端連接在發(fā)熱絲W與可控硅T之間，電阻R3的另一端與光電耦合器MOC的雙向二極管輸入端連接，光電I禹合器MOC的雙向二極管輸出端與可控娃T的控制端連接,光電I禹合器MOC的發(fā)光二極管輸入端通過電阻R4與橋堆D的第一直流輸出端連接,光電稱合器MOC的發(fā)光二極管輸出端與一芯片IC的電源端連接，芯片IC的接地端與橋堆D的第二直流輸出端連接，橋堆D的第二直流輸出端接地，所述穩(wěn)壓管ZD連接在橋堆D的第一直流輸出端與第二直流輸出端之間，穩(wěn)壓管ZD與電容C2并聯(lián)連接。
[0013]電容Cl的電容為0.47uF、電阻Rl的阻值為47R、電阻R2的阻值為1ΜΩ、電阻R3的阻值為330R、電阻R4的阻值為620R、電容C2的電容為470uF。電容C2為電解電容。
[0014]市電通過電阻Rl限流，并被電容Cl降壓后，送給橋堆D來整流為直流電，直流電通過穩(wěn)壓管ZD和電容C2穩(wěn)壓濾波為所需要的恒定電壓，供給芯片IC工作。
[0015]可控硅T用于控制發(fā)熱元件W發(fā)熱。光電耦合器MOC的作用除了驅(qū)動可控硅T外，還有就是隔離可控硅T，因為可控硅T的接地使用的是市電的ACN線，芯片IC用的是橋式整流后的地，兩者不同，不可共用?，F(xiàn)有技術(shù)的IuF阻容降壓電路，是半波整流，可控硅的地和IC用的地都是市電的ACN線，所以不用隔離。
[0016]本實(shí)施例只使用0.47uF電容和47R電阻組合的阻容降壓電路，就能滿足現(xiàn)有技術(shù)的IuF電容和47R電阻組合的電路所提供的電流，并且完全符合歐規(guī)新法的小于0.5W的待機(jī)功耗，現(xiàn)有技術(shù)的IuF電容和47R電阻組合的電路的待機(jī)功耗是大于0.5W的。
[0017]現(xiàn)有技術(shù)的IuF阻容降壓電路，常用半波整流提供的電流是30mA左右，能滿意足小家電行業(yè)的大部分工作控制需求，但I(xiàn)uF阻容降壓電路，無法通過歐規(guī)的待機(jī)小于0.5W的要求，大家常用的替換方法是開關(guān)電源，但開關(guān)電源的體積，對于手持式的小家電過大，本實(shí)施例能夠替代現(xiàn)有技術(shù)的IuF阻容降壓電路，在不增加體積的情況下，減小降壓電容的體積和容量，方便裝配和通過ERP法規(guī)。
[0018]對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種阻容降壓電路，其特征在于，包括電阻R1、電容Cl、電阻R2、橋堆D、穩(wěn)壓管ZD、電容C2、發(fā)熱絲W、電阻R3、可控硅T、電阻R4和光電耦合器MOC，電容Cl與電阻R2并聯(lián)連接，電阻Rl的一端與市電的火線端連接，電阻Rl的另一端通過電容Cl與橋堆D的第一交流輸入端連接，橋堆D的第二交流輸入端與市電的零線端連接，發(fā)熱絲W的一端與市電的火線端連接，發(fā)熱絲W的另一端通過可控硅T與市電的零線端連接，電阻R3的一端連接在發(fā)熱絲W與可控娃T之間，電阻R3的另一端與光電稱合器MOC的雙向二極管輸入端連接,光電率禹合器MOC的雙向二極管輸出端與可控娃T的控制端連接,光電I禹合器MOC的發(fā)光二極管輸入端通過電阻R4與橋堆D的第一直流輸出端連接,光電I禹合器MOC的發(fā)光二極管輸出端與一芯片IC的電源端連接，芯片IC的接地端與橋堆D的第二直流輸出端連接，橋堆D的第二直流輸出端接地，所述穩(wěn)壓管ZD連接在橋堆D的第一直流輸出端與第二直流輸出端之間，穩(wěn)壓管ZD與電容C2并聯(lián)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的阻容降壓電路，其特征在于，電容Cl的電容為0.47uF。
3.如權(quán)利要求1所述的阻容降壓電路，其特征在于，所述電容C2為電解電容。
【文檔編號】H02M5/06GK203734544SQ201320863627
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】肖勇, 劉進(jìn) 申請人:深圳市奮達(dá)電器有限公司