高壓無觸點(diǎn)開關(guān)的制作方法
【專利摘要】一種高壓無觸點(diǎn)開關(guān)，在所述散熱器的一面上分別安裝設(shè)有串聯(lián)的所述32只可控硅組件，每只所述可控硅組件是由一只所述可控硅模塊并聯(lián)所述均壓電阻和可控硅模塊的所述阻容吸收裝置緩沖吸收電路組成，所述可控硅組件一側(cè)安裝供控制回路取能量的所述電流互感器。本實(shí)用新型采用過零觸發(fā)的方式觸發(fā)可控硅閥組，避免了電容器組投入時(shí)產(chǎn)生的涌流和切除時(shí)產(chǎn)生的電容器過電壓?？裳娱L(zhǎng)電容器的使用壽命，提高設(shè)備的可靠性。采用高壓無觸點(diǎn)開關(guān)投切電容器組，工作時(shí)不產(chǎn)生諧波、不引起電壓波形畸變、不產(chǎn)生投切振蕩或投切涌流，不污染電網(wǎng)。
【專利說明】高壓無觸點(diǎn)開關(guān)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種投切高壓電容器，特別是一種用于無功動(dòng)態(tài)補(bǔ)償投切電容器組的高壓無觸點(diǎn)開關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]我國現(xiàn)有的高壓無功補(bǔ)償裝置多采用真空接觸器(或真空斷路器)分組投切電容器，真空接觸器(或真空斷路器)分組投切電容器在電容器接通時(shí)，電容器產(chǎn)生瞬態(tài)充電過程，電容器相當(dāng)于短路，出現(xiàn)很大的合閘涌流，涌流的倍數(shù)與感性負(fù)荷的大小、阻抗、電容器的容量及串聯(lián)的電抗器有關(guān)；同時(shí)伴有很高的電流頻率振蕩，此頻率由電網(wǎng)電壓、電容器的容量和電路中的電抗決定的(即與饋電的變壓器及連接導(dǎo)線有關(guān))。電容器合閘瞬間產(chǎn)生的合閘涌流，其持續(xù)時(shí)間短，約在幾毫秒內(nèi)就可降低到無害程度。一般電容器產(chǎn)生的合閘涌流都小于現(xiàn)代開關(guān)設(shè)備允許的最大合閘涌流。雖然合閘涌流衰減快，但對(duì)某些開關(guān)特性差，合閘速度慢，在合閘過程中，當(dāng)觸頭尚未閉合就產(chǎn)生擊穿電弧，使合閘電流急劇上升，嚴(yán)重時(shí)將產(chǎn)生很大電流,再加之振蕩頻率很高,使開關(guān)內(nèi)部產(chǎn)生很大機(jī)械應(yīng)力和震動(dòng),使開關(guān)損壞。真空接觸器(或真空斷路器)在分組投切電容器，在電容器切除時(shí)，易產(chǎn)生過電壓。此夕卜，采用真空接觸器(或真空斷路器)投切電容器組，由于為機(jī)械觸點(diǎn)，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度慢，對(duì)于負(fù)荷波動(dòng)快的場(chǎng)所，補(bǔ)償往往達(dá)不到預(yù)期的效果。機(jī)械觸點(diǎn)的開關(guān)受機(jī)械壽命的限制，不可頻繁操作，只適合穩(wěn)定負(fù)荷的無功功率補(bǔ)償。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓無觸點(diǎn)開關(guān)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是按如下方式實(shí)現(xiàn)的:一種高壓無觸點(diǎn)開關(guān)，包括阻容吸收裝置、可控硅模塊、均壓電阻、電流互感器、一組熱管散熱器和32只可控硅組件；在所述散熱器的一面上分別安裝設(shè)有串聯(lián)的所述32只可控硅組件，每只所述可控硅組件是由一只所述可控硅模塊并聯(lián)所述均壓電阻和可控硅模塊的所述阻容吸收裝置緩沖吸收電路組成，所述可控硅組件一側(cè)安裝供控制回路取能量的所述電流互感器。
[0005]本實(shí)用新型的積極效果是:本實(shí)用新型解決了采用真空接觸器(或真空斷路器)投切電容器組，投切開關(guān)壽合短的問題；解決了采用真空接觸器(或真空斷路器)投切電容器組，由于是機(jī)械觸點(diǎn)響應(yīng)速度慢的問題；采用過零觸發(fā)的方式觸發(fā)可控硅閥組，避免了電容器組投入時(shí)產(chǎn)生的涌流和切除時(shí)產(chǎn)生的電容器過電壓?？裳娱L(zhǎng)電容器的使用壽命，提高設(shè)備的可靠性。采用高壓無觸點(diǎn)開關(guān)投切電容器組，工作時(shí)不產(chǎn)生諧波、不引起電壓波形畸變、不產(chǎn)生投切振蕩或投切涌流，不污染電網(wǎng)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是本實(shí)用新型一種實(shí)例的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0007]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0008]如圖1所示，本實(shí)用新型所述的高壓無觸點(diǎn)開關(guān)，包括阻容吸收裝置1、可控硅模塊2、均壓電阻3、電流互感器4、一組熱管散熱器5和32只可控硅組件。在散熱器5的一面上分別安裝有串聯(lián)的32只可控硅組件，每只可控硅組件是由一只可控硅模塊2 (即兩只反并聯(lián)的晶閘管封裝組成)并聯(lián)均壓電阻3和可控硅模塊的阻容吸收裝置I緩沖吸收電路組成，可控硅組件一側(cè)安裝供控制回路取能量的電流互感器4。
[0009]由于切除的電容器上一般都有剩余電壓，而電容器兩端的電壓不能突變，因此當(dāng)系統(tǒng)電壓和電容器的殘壓值較大時(shí)，觸發(fā)可控娃會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流，使可控娃的損壞機(jī)率過大，高壓無觸點(diǎn)開關(guān)采用過零觸發(fā)技術(shù)，高壓無觸點(diǎn)開關(guān)的過零觸發(fā)控制器具有過零檢測(cè)功能，當(dāng)可控硅兩端電壓為零時(shí)，控制器輸出觸發(fā)脈沖，32只可控硅模塊同時(shí)導(dǎo)通，投入電容器。
[0010]散熱器5 —方面用于安裝可控硅組件和電流互感器；散熱器5另一個(gè)更重要的作用是用于將可控硅組件產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)出去，保證可控硅組件運(yùn)行在其允許的溫度范圍內(nèi)。
[0011]32只可控硅組件是新型投切電容器高壓無觸點(diǎn)開關(guān)的重要組成部分，經(jīng)控制器檢測(cè)可控硅兩端電壓，當(dāng)可控硅兩端電壓為零時(shí)，同步過零觸發(fā)32只可控硅，通過32只可控硅的通斷投入或切除電容器組。
[0012]并聯(lián)的均壓電阻和阻容吸收裝置使可控硅電路工作更可靠。
[0013]工作原理:使用高壓無觸點(diǎn)開關(guān)投切電容器組的工作原理是通過無功補(bǔ)償控制器自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)的電壓電流，自動(dòng)計(jì)算系統(tǒng)的無功功率，當(dāng)系統(tǒng)的無功功率大于無功功率設(shè)置的上限值時(shí)，控制器檢測(cè)可控硅兩端電壓為零時(shí)，觸發(fā)可控硅，投入電容器組。當(dāng)系統(tǒng)容性無功功率大于感性無功功率時(shí)，觸發(fā)信號(hào)斷開，電容器電流過零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。
[0014]采用本實(shí)用新型與現(xiàn)有投切電容器開關(guān)相比可獲得以下效果:
[0015](I)解決了采用真空接觸器(或真空斷路器)投切電容器組，投切開關(guān)壽合短的問題；
[0016](2)解決了采用真空接觸器(或真空斷路器)投切電容器組，由于是機(jī)械觸點(diǎn)響應(yīng)速度慢的問題；
[0017](3)采用過零觸發(fā)的方式觸發(fā)可控硅閥組，避免了電容器組投入時(shí)產(chǎn)生的涌流和切除時(shí)產(chǎn)生的電容器過電壓。可延長(zhǎng)電容器的使用壽命，提高設(shè)備的可靠性。
[0018](4)采用高壓無觸點(diǎn)開關(guān)投切電容器組，工作時(shí)不產(chǎn)生諧波、不引起電壓波形畸變、不產(chǎn)生投切振蕩或投切涌流，不污染電網(wǎng)；
[0019](5)電容器無需放即可再次投入，多級(jí)補(bǔ)償可一次到位；
[0020](6)采用高壓無觸點(diǎn)開關(guān)投切電容器組，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，特別適合沖擊性負(fù)荷的無功功率補(bǔ)償。
[0021](7)可抑制負(fù)荷變化造成的電壓波動(dòng)和閃變；
[0022](8)快速補(bǔ)償系統(tǒng)所需的無功功率，提高功率因數(shù)；
[0023](9)高壓無觸點(diǎn)開關(guān)每個(gè)可控硅組件加裝阻容吸收和均壓電阻等保護(hù)措施，使高壓無觸點(diǎn)開關(guān)的可靠性更高。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓無觸點(diǎn)開關(guān)，其特征在于，包括阻容吸收裝置、可控硅模塊、均壓電阻、電流互感器、一組熱管散熱器和32只可控硅組件；在所述散熱器的一面上分別安裝設(shè)有串聯(lián)的所述32只可控硅組件，每只所述可控硅組件是由一只所述可控硅模塊并聯(lián)所述均壓電阻和可控硅模塊的所述阻容吸收裝置緩沖吸收電路組成，所述可控硅組件一側(cè)安裝供控制回路取能量的所述電流互感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓無觸點(diǎn)開關(guān)，其特征在于，所述可控硅模塊是由兩只反并聯(lián)的晶閘管封裝組成。
【文檔編號(hào)】H02J3/18GK203522195SQ201320414123
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】平孝香 申請(qǐng)人:沈陽匯豐電力自動(dòng)化有限公司