電流控制電路與電流控制方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電流控制電路與電流控制方法。電流控制電路根據(jù)一導(dǎo)通控制訊號(hào)以控制對(duì)外耦接的一受供電元件的一供電流，該電流控制電路包含：一導(dǎo)通控制開關(guān)，耦接于該受供電元件并根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)以決定是否導(dǎo)通該供電流；以及多個(gè)電流控制開關(guān)，串聯(lián)設(shè)置且與該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接，以控制該供電流的電流量。
【專利說明】電流控制電路與電流控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電流控制電路，特別是利用多個(gè)電流控制開關(guān)以降低電容耦合效應(yīng)的一種電流控制電路，以及相關(guān)的電流控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電流控制電路常用于驅(qū)動(dòng)如發(fā)光二極管等需要以電流進(jìn)行控制的元件。圖1A顯示一種現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路10，其中包含兩開關(guān):導(dǎo)通控制開關(guān)Mll與電流控制開關(guān)M12。導(dǎo)通控制開關(guān)Mll接受外來導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc而決定導(dǎo)通或切斷供應(yīng)給發(fā)光二極管的電流，而電流控制開關(guān)M12則控制電流的大小。導(dǎo)通控制開關(guān)Mll為一 NMOS晶體管，其源極耦接至差分放大器Opa，通過閉回路設(shè)計(jì)使其源極電壓可準(zhǔn)確控制，故其電流控制的準(zhǔn)確性高，但其缺點(diǎn)是差分放大器Opa的操作使電路反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)(超過75ns)。
[0003]圖1B中所示為另一種現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路20，在此種現(xiàn)有技術(shù)中，導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc直接通過驅(qū)動(dòng)閘21而控制導(dǎo)通控制開關(guān)M21。若與圖1A相較，由于無(wú)差分放大器Opa，故其反應(yīng)時(shí)間較短(約30ns)。然而此種現(xiàn)有技術(shù)具有以下缺點(diǎn):因電容耦合效應(yīng)的關(guān)系，當(dāng)導(dǎo)通控制開關(guān)M21剛導(dǎo)通的瞬間，節(jié)點(diǎn)A處的電荷會(huì)使電流控制開關(guān)M22的柵極G22感應(yīng)產(chǎn)生電荷,導(dǎo)致電流控制開關(guān)M22的柵極電壓暫時(shí)過沖失準(zhǔn)(overshoot)，因此電流也失準(zhǔn)，須等待一段時(shí)間電荷平衡后才能正常運(yùn)作，故電流控制電路20的精確度控制較差。
[0004]由上可知，無(wú)論電流控制電路10或20，皆無(wú)法兼具準(zhǔn)確性高與反應(yīng)時(shí)間短的電流控制需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種電流控制電路與電流控制方法，以達(dá)到兼具準(zhǔn)確性高與反應(yīng)時(shí)間短的電流控制需求。
[0006]為達(dá)上述目的，就其中一個(gè)觀點(diǎn)，本發(fā)明提供一種電流控制電路，根據(jù)一導(dǎo)通控制訊號(hào)以控制對(duì)外耦接的一受供電元件的一供電流，該電流控制電路包含:一導(dǎo)通控制開關(guān)，耦接于該受供電元件并根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)以決定是否導(dǎo)通該供電流；多個(gè)電流控制開關(guān)，串聯(lián)設(shè)置且與該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接；以及多個(gè)操作開關(guān)，各操作開關(guān)的一端分別接收一對(duì)應(yīng)的電流控制訊號(hào)，各操作開關(guān)的另一端控制該多個(gè)電流控制開關(guān)中對(duì)應(yīng)的一個(gè)電流控制開關(guān)，其中該多個(gè)電流控制訊號(hào)通過控制該多個(gè)電流控制該開關(guān)的導(dǎo)通狀況，而控制該供電流的電流量。
[0007]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接于該受供電元件與該多個(gè)電流控制開關(guān)之間，或該多個(gè)電流控制開關(guān)耦接于該受供電元件與該導(dǎo)通控制開關(guān)之間。
[0008]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，各電流控制開關(guān)為MOS晶體管。
[0009]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)電流控制開關(guān)暫不導(dǎo)通以平衡該些寄生耦合電容的電荷，之后導(dǎo)通該些電流控制開關(guān)。[0010]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始不導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)電流控制開關(guān)暫導(dǎo)通以平衡該些寄生耦合電容的電荷，之后該些電流控制開關(guān)不導(dǎo)通。
[0011]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，且該電流控制電路又包含:一啟動(dòng)電路，分別耦接于該多個(gè)電流控制開關(guān)，以于該電流控制電路啟動(dòng)時(shí)、或該導(dǎo)通控制訊號(hào)停留于不導(dǎo)通狀態(tài)超過一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，提供電荷給該些寄生耦合電容。
[0012]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)操作開關(guān)暫不導(dǎo)通而使該多個(gè)電流控制開關(guān)暫不導(dǎo)通，之后導(dǎo)通該多個(gè)操作開關(guān)。
[0013]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始不導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)操作開關(guān)不導(dǎo)通，但該多個(gè)電流控制開關(guān)仍暫導(dǎo)通，之后不導(dǎo)通。
[0014]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，該啟動(dòng)電路包含多個(gè)偏壓電路，分別與各電流控制開關(guān)的柵極耦接。
[0015]為達(dá)上述目的，就另一個(gè)觀點(diǎn)，本發(fā)明也提供一種電流控制方法，適用于一電流控制電路，該電流控制電路包含一導(dǎo)通控制開關(guān)，耦接于一受供電元件，該導(dǎo)通控制開關(guān)用以接收一導(dǎo)通控制訊號(hào)、并根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)以決定是否使一供電流通過該受供電元件，以及多個(gè)電流控制開關(guān)，串聯(lián)設(shè)置且與該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接，以控制該供電流的電流量，其中各電流控制開關(guān)為MOS晶體管，且在各MOS晶體管的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，所述電流控制方法包含:根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)而使該導(dǎo)通控制開關(guān)導(dǎo)通；在導(dǎo)通各電流控制開關(guān)之前，使該些寄生耦合電容的電荷平衡；以及之后導(dǎo)通各電流控制開關(guān)。
[0016]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，該電流控制方法又包含:于該電流控制電路啟動(dòng)時(shí)、或該導(dǎo)通控制訊號(hào)停留于不導(dǎo)通狀態(tài)超過一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，提供電荷給該些寄生耦合電容。
[0017]在一種較佳實(shí)施型態(tài)中，該電流控制方法又包含:根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)而使該導(dǎo)通控制開關(guān)不導(dǎo)通；以及不導(dǎo)通各電流控制開關(guān)，以使該些寄生耦合電容的電荷平衡。
[0018]下面通過具體實(shí)施例詳加說明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1A、1B顯示兩現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路的示意圖；
[0020]圖2A顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電流控制電路的示意圖；
[0021]圖2B-2D顯示本發(fā)明的操作方式并說明如何降低電容耦合效應(yīng)影響；
[0022]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電流控制電路的示意圖；
[0023]圖4顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的啟動(dòng)電路的示意圖；
[0024]圖5顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電流控制電路的示意圖。
[0025] 圖中符號(hào)說明
[0026]10、20、30、40、50電流控制電路
[0027]21驅(qū)動(dòng)閘
[0028]41啟動(dòng)電路[0029]411、412偏壓電路
[0030]100受供電元件
[0031]A、B、C、D節(jié)點(diǎn)
[0032]G22柵極
[0033]I供電流
[0034]M11、M21、M31、M51導(dǎo)通控制開關(guān)
[0035]M12、M22、M320、M321、M520、M521 電流控制開關(guān)
[0036]Opa差分放大器
[0037]Sc導(dǎo)通控制訊號(hào)
[0038]SW1、SW2、SW3、SW4操作開關(guān)
[0039]VbU Vb2電流控制訊號(hào)
[0040]Vbl_ref、Vb2_ref、Vrl、Vr2參考訊號(hào)
[0041]Vgl、Vg2柵極
【具體實(shí)施方式】
[0042]有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的一較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語(yǔ)，例如:上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加圖式的方向。本發(fā)明中的圖式均屬示意，主要意在表示各裝置以及各元件之間的功能作用關(guān)系，至于形狀、厚度與寬度則并未依照比例繪制。 [0043]參照?qǐng)D2A，其中顯示根據(jù)一觀點(diǎn)，本發(fā)明所提供的一種電流控制電路30，根據(jù)一導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc以控制對(duì)外耦接的一受供電元件100 (圖式中以發(fā)光二極管為例，但不限于此)的一供電流I，電流控制電路30包含:一導(dǎo)通控制開關(guān)M31，耦接于受供電元件100并根據(jù)導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc以切換供電流I的導(dǎo)通狀態(tài)；多個(gè)電流控制開關(guān)M320、M321，串聯(lián)設(shè)置并耦接于受供電元件100，以控制供電流I的電流量，且各電流控制開關(guān)M320、M321分別經(jīng)由操作開關(guān)SW1、SW2而受控于電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2。其中，電流控制開關(guān)M320、M321可為MOS晶體管(圖式中以NMOS晶體管為例，但不限于此)。此外，電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2系通過控制電流控制開關(guān)M320、M321的導(dǎo)通狀況，以控制供電流I的電流量。
[0044]相較于圖1B中的現(xiàn)有技術(shù)，電流控制電路30中設(shè)置多個(gè)電流控制開關(guān)M320、M321，目的在于降低電流控制開關(guān)柵極控制電壓過高(overshoot)造成的不準(zhǔn)確，此電壓過高是因電容耦合效應(yīng)之故。參照?qǐng)D2B-2D，說明本發(fā)明如何降低電容耦合效應(yīng)影響而使供電流I準(zhǔn)確。首先請(qǐng)參閱圖2B，當(dāng)導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc為低位準(zhǔn)且電流控制開關(guān)M320、M321皆不導(dǎo)通時(shí)，節(jié)點(diǎn)B的電壓處于高位準(zhǔn)(以電壓VB表示)，電流控制開關(guān)M320、M321的漏極電壓為0V，而柵極電壓為前一次關(guān)掉時(shí)，電荷平衡的電壓，亦即由于操作開關(guān)SW1、SW2不導(dǎo)通，因此電流控制開關(guān)M320、M321的柵極存留了電荷，為便利說明起見，將此時(shí)電流控制開關(guān)M320、M321的柵極電壓表示為(VglON-AV)和(Vg20N_ Λ V)，亦即電流控制開關(guān)M320、Μ321的柵極電荷將電流控制開關(guān)Μ320、Μ321的柵極電壓預(yù)先耦合或耦合放電到和導(dǎo)通電壓(VglON)和(Vg20N)差距M的電位。
[0045]再參閱圖2C，當(dāng)導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc使導(dǎo)通控制開關(guān)M31開始導(dǎo)通時(shí)，節(jié)點(diǎn)B與節(jié)點(diǎn)C之間導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)C的電壓上升到VB-1.Ron，其中Ron為導(dǎo)通控制開關(guān)M31的導(dǎo)通電阻，I.Ron為導(dǎo)通控制開關(guān)M31的壓降。電流控制開關(guān)M320、M321在此瞬間尚未導(dǎo)通(操作開關(guān)SW1、SW2暫時(shí)尚未導(dǎo)通)，節(jié)點(diǎn)C的電壓因電容耦合效應(yīng)而傳遞至電流控制開關(guān)M320、M321的柵極Vgl、Vg2，產(chǎn)生柵極感應(yīng)電壓。但整體平衡時(shí)間很短，原因是前一次導(dǎo)通控制開關(guān)M31不導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)過預(yù)先耦合或耦合放電，平衡結(jié)果使電流控制開關(guān)M320、M321的柵極電壓和導(dǎo)通電壓的差距是-Λ V，而目前導(dǎo)通控制開關(guān)M31導(dǎo)通時(shí)，所產(chǎn)生的電荷耦合電壓差是AV，前后耦合效應(yīng)AV幾乎一樣，因此電流幾乎不需要反應(yīng)時(shí)間。
[0046]之后，導(dǎo)通電流控制開關(guān)M320、M321 (操作開關(guān)SW1、SW2導(dǎo)通)，因電荷已經(jīng)耦合平衡，故柵極Vgl、Vg2的電壓不會(huì)有很大的過沖失準(zhǔn)(overshoot)。此外，因電流控制開關(guān)M320、M321的迭置結(jié)構(gòu)(cascade structure)增加了等效小訊號(hào)輸出電阻，因此節(jié)點(diǎn)B的變化對(duì)電流影響較小，對(duì)于供電流I的控制可更準(zhǔn)確。節(jié)點(diǎn)C與柵極Vgl、Vg2的電壓位準(zhǔn)變化，請(qǐng)參閱圖2C的左上方。
[0047]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2D，當(dāng)導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc使導(dǎo)通控制開關(guān)M31不導(dǎo)通時(shí)，電流控制開關(guān)M320、M321也隨之不導(dǎo)通，與圖2B相似地，六個(gè)寄生耦合電容上的電荷將會(huì)呈平衡狀態(tài)。節(jié)點(diǎn)C與柵極Vgl、Vg2的電壓位準(zhǔn)變化，請(qǐng)參閱圖2D的左上方。詳言之，操作開關(guān)SW1、SW2剛斷開時(shí)，由于柵極Vgl、Vg2的電壓暫時(shí)仍存在，因此電流控制開關(guān)M320、M321在此瞬間還是導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc使導(dǎo)通控制開關(guān)M31不導(dǎo)通時(shí)，電荷將耦合而達(dá)到平衡，電流控制開關(guān)M320、M321的漏極電壓為0V，電流控制開關(guān)M320、M321不導(dǎo)通，且電流控制開關(guān)M320、M321的柵極電壓分別維持在(VglON-AV)和(Vg20N_AV)。
[0048]簡(jiǎn)言之，由于電流控制開關(guān)M320、M321的柵極電壓的變動(dòng)差距僅有AV，因此電路反應(yīng)十分迅速。
[0049]本發(fā)明中電流控制開關(guān)的數(shù)量不受限于圖式中所顯示，兩個(gè)電流控制開關(guān)M320、M321僅為說明舉例的目的；電流控制開關(guān)的數(shù)目可增加。
[0050]又，在圖2A-2D實(shí)施例中，導(dǎo)通控制開關(guān)M31耦接于受供電元件100與多個(gè)電流控制開關(guān)M320、M321之間，此耦接關(guān)系僅為舉例。另一實(shí)施例中，可將電流控制開關(guān)M320、M321耦接于受供電元件100與導(dǎo)通控制開關(guān)M31之間。故其設(shè)計(jì)端視需要而定。
[0051]此外，由前述圖2B的說明可知，在電路剛啟動(dòng)時(shí)，六個(gè)寄生耦合電容中尚未儲(chǔ)存電荷，則當(dāng)節(jié)點(diǎn)B的電壓升高時(shí)，寄生耦合電容內(nèi)的電荷要到達(dá)平衡點(diǎn)，需要一段時(shí)間。如欲縮短此時(shí)間，以使電路在啟動(dòng)時(shí)反應(yīng)可更迅速，則根據(jù)本發(fā)明，可提供一個(gè)啟動(dòng)電路。
[0052]請(qǐng)參照?qǐng)D3，顯示根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的電流控制電路40，其中電流控制電路40又包含:一啟動(dòng)電路41，分別耦接于多個(gè)電流控制開關(guān)M320、M321的柵極。當(dāng)電路剛啟動(dòng)而寄生耦合電容上尚未儲(chǔ)存電荷、或?qū)刂朴嵦?hào)Sc長(zhǎng)時(shí)間(超過某一預(yù)設(shè)時(shí)間)停留于低位準(zhǔn)(以低位準(zhǔn)表示不導(dǎo)通為例)以致寄生耦合電容上的電荷流失時(shí)，啟動(dòng)電路41可提供電荷給電流控制開關(guān)M320、M321的柵極或?qū)㈦娏骺刂崎_關(guān)M320、M321的柵極先拉高至預(yù)定的位準(zhǔn)，以使寄生耦合電容上的電荷可平衡在比零為高的位準(zhǔn)。當(dāng)電路啟動(dòng)完畢、或?qū)刂朴嵦?hào)Sc轉(zhuǎn)為高位準(zhǔn)時(shí)，因寄生耦合電容的電荷已提前平衡，故可使電路反應(yīng)時(shí)間縮短。此啟動(dòng)電路41的設(shè)置并非必須，如不在意電路啟動(dòng)時(shí)的反應(yīng)速度，則可省略。
[0053]參照?qǐng)D4,其中顯示根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的啟動(dòng)電路41。啟動(dòng)電路41包含兩組偏壓電路411、412以及對(duì)應(yīng)的操作開關(guān)SW3、SW4，當(dāng)需要提供偏壓給電流控制開關(guān)M320、M321的柵極時(shí)操作開關(guān)SW3、SW4通，否則操作開關(guān)SW3、SW4為斷路。偏壓電路411、412有各種方式可以實(shí)施，例如可為參考電壓產(chǎn)生器，或是可為如圖所示的單增益電路(unit gaincircuit)，將電流控制開關(guān)M320、M321的柵極Vgl、Vg2分別與參考訊號(hào)Vbl_ref、Vb2_ref比較后，產(chǎn)生比較訊號(hào)以傳送至電流控制開關(guān)M320、M321的柵極Vgl、Vg2，其中參考訊號(hào)Vbl_ref、Vb2_ref例如但不限于可對(duì)應(yīng)于電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2。圖中也可不將單增益電路的負(fù)輸入端連接于柵極Vgl、Vg2，而是連接于一訊號(hào)輸入點(diǎn)，如此則成為開回路的設(shè)計(jì)，同樣可在電路啟動(dòng)時(shí)提供電荷給寄生稱合電容。
[0054]參照?qǐng)D5，其中顯示根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的電流控制電路50。與圖2A相較，本實(shí)施例意在顯示本發(fā)明可具有以下變化:第一、在導(dǎo)通控制訊號(hào)Sc與導(dǎo)通控制開關(guān)M51之間可設(shè)置一驅(qū)動(dòng)電路，以產(chǎn)生較高位準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)來提供更佳的驅(qū)動(dòng)能力，以驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通控制開關(guān)M51。第二、電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2可通過開回路或閉回路的方式產(chǎn)生，例如圖中所示，可通過差分放大器根據(jù)參考訊號(hào)Vrl、Vr2來產(chǎn)生電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2。差分放大器的另一輸入端可為開回路的連接(例如連接于一電壓節(jié)點(diǎn)，則該電壓節(jié)點(diǎn)可接收訊號(hào)以決定電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2)，或?yàn)殚]回路的連接(例如連接于電流控制開關(guān)M520、M521的柵極，則參考訊號(hào)Vrl、Vr2會(huì)決定電流控制訊號(hào)Vbl、Vb2)。以上種種，可視需要來設(shè)計(jì)。
[0055]以上已針對(duì)較佳實(shí)施例來說明本發(fā)明，只是以上所述，僅為使本領(lǐng)域技術(shù)人員易于了解本發(fā)明的內(nèi)容，并非用來限定本發(fā)明的權(quán)利范圍。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，當(dāng)可在本發(fā)明精神內(nèi)，立即思及各種等效變化。故凡依本發(fā)明的概念與精神所為之均等變化或修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。例如，實(shí)施例圖標(biāo)直接連接的各電路或元件，其間可插置不影響主要功能的其它電路或元件。差分放大器的輸入端正負(fù)可以互換，僅需對(duì)應(yīng)更改后續(xù)電路處理訊號(hào)的方式。所示的NMOS可以改換為PM0S，等等。本發(fā)明的任一實(shí)施例或權(quán)利要求不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電流控制電路，根據(jù)一導(dǎo)通控制訊號(hào)以控制對(duì)外耦接的一受供電元件的一供電流，其特征在于，該電流控制電路包含: 一導(dǎo)通控制開關(guān)，耦接于該受供電元件并根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)以決定是否導(dǎo)通該供電流； 多個(gè)電流控制開關(guān)，串聯(lián)設(shè)置且與該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接；以及 多個(gè)操作開關(guān)，各操作開關(guān)的一端分別接收一對(duì)應(yīng)的電流控制訊號(hào)，各操作開關(guān)的另一端控制該多個(gè)電流控制開關(guān)中對(duì)應(yīng)的一個(gè)電流控制開關(guān)，其中該多個(gè)電流控制訊號(hào)通過控制該多個(gè)電流控制該開關(guān)的導(dǎo)通狀況，而控制該供電流的電流量。
2.如權(quán)利要求1所述的電流控制電路，其中，該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接于該受供電元件與該多個(gè)電流控制開關(guān)之間，或該多個(gè)電流控制開關(guān)系耦接于該受供電元件與該導(dǎo)通控制開關(guān)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的電流控制電路，其中，各電流控制開關(guān)為MOS晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的電流控制電路，其中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)電流控制開關(guān)暫不導(dǎo)通以平衡該些寄生耦合電容的電荷，之后導(dǎo)通該些電流控制開關(guān)。
5.如權(quán)利要求3所述的電流控制電路，其中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始不導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)電流控制開關(guān)暫導(dǎo)通以平衡該些寄生耦合電容的電荷，之后該多個(gè)電流控制開關(guān)不導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求3所述的電流控制電路，其中，在各電流控制開關(guān)的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，且該電流控制電路又包含:一啟動(dòng)電路，分別耦接于該多個(gè)電流控制開關(guān)，以于該電流控制電路啟動(dòng)時(shí)、或該導(dǎo)通控制訊號(hào)停留于不導(dǎo)通狀態(tài)超過一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，提供電荷給該些寄生耦合電容。`
7.如權(quán)利要求6所述的電流控制電路，其中，該啟動(dòng)電路包含多個(gè)偏壓電路，分別與各電流控制開關(guān)的柵極耦接。
8.如權(quán)利要求1所述的電流控制電路，其中，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)操作開關(guān)暫不導(dǎo)通而使該多個(gè)電流控制開關(guān)暫不導(dǎo)通，之后導(dǎo)通該多個(gè)操作開關(guān)。
9.如權(quán)利要求1所述的電流控制電路，其中，當(dāng)該導(dǎo)通控制開關(guān)開始不導(dǎo)通該供電流時(shí)，該多個(gè)操作開關(guān)不導(dǎo)通，但該多個(gè)電流控制開關(guān)仍暫導(dǎo)通，之后不導(dǎo)通。
10.一種電流控制方法，適用于一電流控制電路，該電流控制電路包含一導(dǎo)通控制開關(guān)，耦接于一受供電元件，該導(dǎo)通控制開關(guān)用以接收一導(dǎo)通控制訊號(hào)、并根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)以決定是否使一供電流通過該受供電元件，以及多個(gè)電流控制開關(guān)，串聯(lián)設(shè)置且與該導(dǎo)通控制開關(guān)耦接，以控制該供電流的電流量，其中各電流控制開關(guān)為MOS晶體管，且在各MOS晶體管的漏極與柵極間、以及在柵極與源極間具有寄生耦合電容，其特征在于，所述電流控制方法包含: 根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)而使該導(dǎo)通控制開關(guān)導(dǎo)通； 在導(dǎo)通各電流控制開關(guān)之前，使該些寄生耦合電容的電荷平衡；以及 之后導(dǎo)通各電流控制開關(guān)。
11.如權(quán)利要求10所述的電流控制方法，其中，又包含:于該電流控制電路啟動(dòng)時(shí)、或該導(dǎo)通控制訊號(hào)停留于不導(dǎo)通狀態(tài)超過一預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，提供電荷給該些寄生耦合電容。
12.如權(quán)利要求10所述的電流控制方法，其中，又包含:根據(jù)該導(dǎo)通控制訊號(hào)而使該導(dǎo)通控制開關(guān)不導(dǎo)通；暫導(dǎo)通各電流控制開關(guān)，以使該些寄生耦合電容的電荷平衡；以及之后使該些電流控制開關(guān)`不導(dǎo)通。
【文檔編號(hào)】H02M3/156GK103872910SQ201310425127
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月18日
【發(fā)明者】楊?yuàn)J箴, 林水木, 楊世杰, 劉玓玓, 莊詠竣 申請(qǐng)人:立锜科技股份有限公司