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具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法

文檔序號:11622410閱讀:來源:國知局
具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法

技術(shù)特征:
1.一種具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述充電系統(tǒng)具備:發(fā)電單元,其供給電力;蓄電單元,其對所述發(fā)電單元的電力進行蓄電;開關(guān)單元,其設(shè)置在用于將所述發(fā)電單元的電力充入至所述蓄電單元的充電路徑上,通過斷開該開關(guān)單元而設(shè)定為非充電狀態(tài);比較器,其由所述發(fā)電單元的電力驅(qū)動,對參照電壓與所述蓄電單元的蓄電電壓進行比較;以及電平轉(zhuǎn)換器,其設(shè)置在所述比較器與所述開關(guān)單元之間,對所述比較器的判定結(jié)果進行電壓電平轉(zhuǎn)換而從所述發(fā)電單元的發(fā)電電壓轉(zhuǎn)換到所述蓄電電壓,并傳遞給所述開關(guān)單元,所述開關(guān)單元設(shè)置在所述蓄電單元與所述比較器之間,在斷開所述開關(guān)單元而設(shè)定為非充電狀態(tài)時,所述比較器也由所述發(fā)電單元的電力驅(qū)動。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述參照電壓是所述發(fā)電單元的發(fā)電電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述參照電壓是恒壓輸出單元輸出的恒壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,在所述恒壓輸出單元中,在所述發(fā)電電壓低于過充電防止電壓時,所述恒壓是與所述發(fā)電電壓相同電平的電壓,在所述發(fā)電電壓是所述過充電防止電壓以上時,所述恒壓是與所述過充電防止電壓相同電平的電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的具備充電系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述開關(guān)單元由第一MOS晶體管和第二MOS晶體管構(gòu)成,其中,所述第一MOS晶體管的背柵端子和一個擴散端子連接到所述蓄電單元側(cè),所述第二MOS晶體管的背柵端子和一個擴散端子連接到所述發(fā)電單元側(cè),另一個擴散端子連接到所述第一MOS晶體管的另一個擴散端子,所述電平轉(zhuǎn)換器具有:第一輸出端子,其根據(jù)所述判定結(jié)果來輸出接地電壓或者所述蓄電電壓;以及第二輸出端子,其根據(jù)所述判定結(jié)果來輸出接地電壓或者所述發(fā)電電壓,所述第一輸出端子與所述第一MOS晶體管的柵極端子連接,所述第二輸出端子與所述第二MOS晶體管的柵極端子連接。
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