具有改進(jìn)的電涌抑制的電路斷續(xù)器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供具有抑制和保護(hù)電路和電路斷續(xù)器電路的電路斷續(xù)器，諸如GFCI或AFCI產(chǎn)品。在一個(gè)配置中，為了處理瞬時(shí)電涌和過(guò)電壓條件，半導(dǎo)體器件和電壓鉗位器件或電涌保護(hù)器，諸如金屬氧化物變阻器（MOV），被用于電路斷續(xù)器中。半導(dǎo)體器件，諸如SIDCA和TVS二極管，與電路斷續(xù)器電路的螺線管線圈或解扣線圈連接以限制通過(guò)半導(dǎo)體器件的電流量。MOV位于電路斷續(xù)器電路的相位和中性導(dǎo)體之間。
【專利說(shuō)明】具有改進(jìn)的電涌抑制的電路斷續(xù)器
[0001](對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用)
[0002]本申請(qǐng)與在2005年3月14日提交的發(fā)明名稱是“Circuit Interrupter withImproved Surge Suppression”的共同所有的申請(qǐng)系列N0.11/079557 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.7082021)有關(guān)，該申請(qǐng)系列N0.11/079557是在2001年4月9日提交的申請(qǐng)系列N0.09/829339 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6900972)的部分繼續(xù)，在這里加入兩者的全部?jī)?nèi)容作為參考。本申請(qǐng)還與與美國(guó)專利N0.7082021有關(guān)并且在其中識(shí)別的專利申請(qǐng)有關(guān)。這些申請(qǐng)如下:
[0003]本申請(qǐng)與在2001年3月20日提交的發(fā)明名稱是“Circuit Interrupting Devicewith Reset Lockout and Reverse Wiring Protection and Method of Manufacture，，的共同所有的申請(qǐng)系列N0.09/812288 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.7049910)有關(guān)，該申請(qǐng)系列N0.09/812288是在1999年8月20日提交的申請(qǐng)系列N0.09/379138 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6246558)的部分繼續(xù)，該申請(qǐng)系列N0.09/379138是在1999年8月6日提交的申請(qǐng)系列N0.09/369759 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6282070)的部分繼續(xù)，該申請(qǐng)系列N0.09/369759是在1998年8月24日提交的申請(qǐng)系列N0.09/138955 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6040967)的部分繼續(xù)，在這里加入它們的全部?jī)?nèi)容作為參考。
[0004]本申請(qǐng)與在2001年3月20日提交的發(fā)明名稱是“Reset Lockoutfor SlidingLatch GFCI”的共同所有的申請(qǐng)系列N0.09/812875 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.7031125)有關(guān)，該申請(qǐng)系列N0.09/812875是在2000年10月16日提交的申請(qǐng)系列N0.09/688481 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6437700)的部分繼續(xù)，在這里加入兩者的全部?jī)?nèi)容作為參考。
[0005]本申請(qǐng)與在2001年3月21日提交的發(fā)明名稱是“IDCI With Reset Lockout andIndependent Trip”的共同所有的申請(qǐng)系列N0.09/813683 (現(xiàn)在為美國(guó)專利N0.6693779)有關(guān)，在這里加入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
[0006]本申請(qǐng)與在2001年3月20日提交的發(fā)明名稱是“Neutral Switch TestMechanism for a Circuit Interrupter” 的共同所有的申請(qǐng)系列 N0.09/812601 (現(xiàn)在放棄)有關(guān)，在這里加入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0007]本發(fā)明涉及電涌抑制，特別是涉及電路斷續(xù)器，諸如接地故障電路斷續(xù)器(GFCI)、電弧故障電路斷續(xù)器(AFCI)和具有更高的瞬時(shí)抑制和保護(hù)特性的相關(guān)產(chǎn)品。
【背景技術(shù)】
[0008]諸如GFCI和AFCI的電路斷續(xù)器是與電力線連接的電子裝置。它們需要針對(duì)已知在電力線中“行進(jìn)”的電涌提供保護(hù)。用于GFCI的UL943標(biāo)準(zhǔn)和用于AFCI的UL1699要求這些裝置在2kV (lkA)、4kV (2kA)和6kV (3kA)的水平上通過(guò)不希望的針對(duì)組合波形的跳閘試驗(yàn)和電涌抗擾試驗(yàn)。
[0009]為了針對(duì)電力線電涌保護(hù)電路斷續(xù)電子裝置，已知一般使用MOV(金屬氧化物變阻器)器件。MOV器件能夠?qū)㈦妷恒Q位于預(yù)定的水平并且將電涌能量耗散到另一預(yù)定的水平。
[0010]已知的電路斷續(xù)產(chǎn)品一般包含位于電路斷續(xù)產(chǎn)品的電力線兩端的M0V，使得MOV通過(guò)將瞬時(shí)電壓鉗位于可接受的水平向電路斷續(xù)產(chǎn)品電路提供一些電涌保護(hù)。
[0011]MOV 一般是在低于其閾值電壓時(shí)具有非常高的電阻的非線性電阻,并且一般被模型化為開(kāi)路。在高于閾值電壓的電壓上，電阻一般幾乎為零，并且高于閾值的電壓被耗散。MOV耗散的能量的量一般與器件的尺寸有關(guān)，該尺寸一般為盤或9、10、14、20或40mm等。較大的MOV—般耗散更多的能量，但占據(jù)更大的空間，可能具有更高的成本并且可需要器件周圍的更多的開(kāi)放空間。
[0012]鉗位的性質(zhì)和可耗散的能量的量由盤的尺寸和與盤型MOV相關(guān)的額定電壓確定。迄今為止，GFCI/AFCI和其它的電路斷續(xù)產(chǎn)品一般限于在3000A下處理6kV的瞬時(shí)電壓。
[0013]當(dāng)出現(xiàn)過(guò)電壓條件時(shí)，諸如典型的GFCI和AFCI中的MOV的保護(hù)部件如果被選擇為僅在120V條件下操作則不能幸存。例如，典型GFCI中的MOV當(dāng)操作超出其在過(guò)電壓上的額定值時(shí)可能破裂，因此，這些條件也會(huì)破壞GFCI產(chǎn)品中的其余電子器件并且可能導(dǎo)致火災(zāi)。并且，MOV可能由于破裂、爆炸或點(diǎn)燃而失效。這種失效條件可能是十分危險(xiǎn)的。
[0014]由于要求電路保護(hù)產(chǎn)品耐受異常的過(guò)電壓條件，因此，120V器件不能使用額定值低于230V?240V的MOV。在電涌脈沖的情況下，這些器件不能足夠快地鉗位電壓，因此電涌中的峰值電壓可達(dá)到可導(dǎo)致裝置的電子部件出故障或者裝置可跳閘的600V?800V，這是不希望的。出于這種原因，需要附加的保護(hù)以更好地保護(hù)GFCI/AFCI和其它電路斷續(xù)裝置并滿足UL標(biāo)準(zhǔn)要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]因此，鑒于以上的討論，需要允許諸如電涌保護(hù)器或電壓鉗位器件的部件幸存于超過(guò)額定電壓和電流的條件并由此使得諸如接地故障電路斷續(xù)器(GFCI)或電弧故障電路斷續(xù)器(AFCI)產(chǎn)品的電路斷續(xù)器產(chǎn)品幸存于過(guò)電壓條件的電涌保護(hù)電路。
[0016]結(jié)合諸如GFCI或AFCI產(chǎn)品中的電路的電路斷續(xù)器電路使用抑制和保護(hù)電路。在這里描述的實(shí)施例中，為了處理瞬時(shí)電涌和過(guò)電壓條件，電涌保護(hù)器或電壓鉗位器件，諸如金屬氧化物變阻器(MOV)被用于電路斷續(xù)器產(chǎn)品中。在這里描述的實(shí)施例中，除了 MOV以夕卜，電路斷續(xù)器產(chǎn)品還包含半導(dǎo)體保護(hù)器件的用途。
[0017]在這里描述的實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件優(yōu)選是例如以名稱SIDACtor、Transil或TSPD銷售的TVS 二極管或SIDAC(交流用硅二極管)。為了適當(dāng)?shù)毓ぷ鳎@些半導(dǎo)體器件(與MOV不同)需要與限流部件串聯(lián)以限制通過(guò)它們的可能的電流。本公開(kāi)提供TVS或SIDAC與作為限流部件的GFCI的螺線管或解扣線圈一起使用的實(shí)施例。
[0018]TVS和SIDAC的標(biāo)稱電壓必須被選擇為高于在異常的過(guò)電壓中施加到電路斷續(xù)器的峰值電壓(或接近其最大值)。因此，優(yōu)選具有350V/400V的標(biāo)稱電壓的TVS或SIDAC器件。另外，由于TVS和SIDAC器件的比MOV快地鉗位電壓的性質(zhì)并且由于GFCI的解扣線圈限制通過(guò)這些器件的電流，因此施加到器件電子的最大電壓限于400V?500V(根據(jù)使用的半導(dǎo)體器件)。
[0019]用于保護(hù)諸如GFCI產(chǎn)品的電路斷續(xù)器的優(yōu)選TVS 二極管是由Littelfuse, Inc., Chicago, Illinois制造的SMBJ350CA。用于保護(hù)電路斷續(xù)器的優(yōu)選SIDAC 是同樣由 Littelfuse, Inc.制造的 SIDACtorP350SCMCLRP。
[0020]特別地，在根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種電路斷續(xù)器，該電路斷續(xù)器包括:外殼；至少部分地設(shè)置在外殼內(nèi)并能夠與電源電連接的至少一個(gè)輸入導(dǎo)體；設(shè)置在外殼內(nèi)并能夠在與至少一個(gè)輸入導(dǎo)體電連接時(shí)向負(fù)載傳導(dǎo)電流的至少一個(gè)輸出導(dǎo)體；和設(shè)置在外殼內(nèi)并被配置為響應(yīng)出現(xiàn)故障或試驗(yàn)循環(huán)而中斷輸入和輸出導(dǎo)體之間的電連接的電路斷續(xù)器電路。電路斷續(xù)器電路包含螺線管線圈。電路斷續(xù)器還具有用于減少向電路斷續(xù)器電路施加的電涌電壓的半導(dǎo)體器件的電涌保護(hù)電路。螺線管線圈限制通過(guò)半導(dǎo)體器件的電流。
[0021]在替代性實(shí)施例中，電路斷續(xù)器包含被設(shè)置和配置為在復(fù)位機(jī)構(gòu)被激活時(shí)將輸入和輸出導(dǎo)體之間的電連接復(fù)位的復(fù)位機(jī)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的具有抑制和保護(hù)電路和TVS 二極管的GFCI電路的不意圖；
[0023]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的具有抑制和保護(hù)電路和SIDAC的GFCI電路的不意圖；
[0024]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的具有抑制和保護(hù)電路和TVS 二極管的GFCI電路的不意圖；
[0025]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的具有抑制和保護(hù)電路和SIDAC的GFCI電路的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]描述具有改進(jìn)的瞬時(shí)和過(guò)電壓抑制的電路斷續(xù)器。以上提到的共同所有的美國(guó)專利描述電路斷續(xù)裝置，并且在這里加入它們的全部?jī)?nèi)容作為參考。例如，美國(guó)專利N0.7049910描述了具有復(fù)位機(jī)構(gòu)的電路斷續(xù)裝置,該復(fù)位機(jī)構(gòu)具有復(fù)位閉鎖部分。復(fù)位閉鎖部分防止在電路斷續(xù)部分不操作、存在開(kāi)放中性條件或者裝置被反接線的情況下在開(kāi)放導(dǎo)電路徑中重新建立電連接。雖然本公開(kāi)主要提到GFCI產(chǎn)品，但電路斷續(xù)器可以是GFCI和/或具有電路斷續(xù)器的其它有關(guān)產(chǎn)品，諸如AFCI和熔絲。
[0027]根據(jù)本公開(kāi)的GFCI和/或有關(guān)產(chǎn)品，諸如AFCI，包含連接于功率輸入和與負(fù)載連接的接地故障電路斷續(xù)器(GFCI)電路之間的抑制和保護(hù)電路。GFCI和/或有關(guān)產(chǎn)品還可包含具有復(fù)位閉鎖部分的復(fù)位機(jī)構(gòu)。在電路斷續(xù)器操作的同時(shí)，抑制和保護(hù)電路提供更強(qiáng)的針對(duì)電路斷續(xù)器的瞬時(shí)電涌的抑制以及針對(duì)過(guò)電壓條件的保護(hù)。抑制和保護(hù)電路10包含過(guò)電壓防止電路，該過(guò)電壓防止電路具有電涌保護(hù)器或電壓鉗位器件，諸如金屬氧化物變阻器(M0V)，和半導(dǎo)體保護(hù)器件，諸如，例如，以名稱SIDACtor、Transil或TSTO銷售的TVS二極管或SIDAC (交流用硅二極管)。參照?qǐng)D1?4所示的實(shí)施例更詳細(xì)地描述抑制和保護(hù)電路。
[0028]圖1示出形成GFCI產(chǎn)品100的抑制和保護(hù)電路10和斷續(xù)器或GFCI電路14的一個(gè)不例性實(shí)施例。電路10包含位于作為電力輸入12的輸入電力線之間的M0V22,這些輸入電力線例如為具有相位線24和中性線26的交流(AC)線連接。線24、26與GFCI100的相位線和中性線導(dǎo)體21、23連接。
[0029]線24、26還通過(guò)M0V22并通過(guò)接地中性變壓器28和差動(dòng)或感測(cè)變壓器30與負(fù)載16連接，該負(fù)載16可包含兩個(gè)相位負(fù)載連接32'和32''和兩個(gè)中性負(fù)載連接34'和34''。還可按本領(lǐng)域已知的方式設(shè)置試驗(yàn)線36，該試驗(yàn)線36包含例如試驗(yàn)開(kāi)關(guān)38和具有15千歐姆電阻的電阻器R4。任選地，如這里進(jìn)一步描述的那樣，可以設(shè)置在本領(lǐng)域中已知的連接差動(dòng)變壓器30與負(fù)載線32'、32' '、34'和34''的繼電器40和/或斷路器。
[0030]例如，通過(guò)使用電容器C3和C6?C9、電阻器R4和二極管Z1、Z2，GFCI電路14的處理器Π以本領(lǐng)域已知的方式通過(guò)多個(gè)針或連接器與變壓器28、30連接。在圖1所示的示例性實(shí)施例中，電阻器R3具有100歐姆電阻，電容器C3和C6?C9分別具有0.01 μ F、100pF、0.0033 μ F、10 μ F和IOOpF的電容，除了電容器C8具有6.3V的額定電壓以外，分別具有50V的額定電壓。
[0031]處理器Ul可例如是可從“NATIONAL SEMICONDUCTOR”購(gòu)買的能夠在消費(fèi)者和工業(yè)環(huán)境中針對(duì)AC電力出口提供接地故障保護(hù)的型號(hào)LM1851接地故障斷續(xù)器控制器。例如，如圖1所示，通過(guò)使用在50V分別具有0.01 μ F、1 μ F和0.018yF的電容的電容器C10、C4和C5、在500V上具有680pF電容的電容器C2、分別具有15千歐姆和2兆歐姆電阻的電阻器Rl和R2、二極管D1、諸如硅控制整流器(SCR)的整流器SCl和形成橋二極管電路或配置42的一組二極管D2?D5，處理器Ul還以本領(lǐng)域已知的方式通過(guò)其針/連接器與M0V22連接。
[0032]電路10還包含與橋二極管電路42并與中性線26連接的諸如圖1所示的SIDACD7的半導(dǎo)體保護(hù)器件50。任選的緩沖器電路(Cl、R10) 52可與半導(dǎo)體保護(hù)器件50并聯(lián)連接?？稍诔枋龅谋Ｗo(hù)器件50以外使用緩沖器電路52以通過(guò)消除噪聲改善噪聲免疫性。
[0033]在圖1所示的示例性實(shí)施例中，M0V22和半導(dǎo)體保護(hù)器件50與感應(yīng)器44連接。感應(yīng)器44可以是螺線管線圈或用作解扣線圈的線軸，使得感應(yīng)器44還用作致動(dòng)器以釋放負(fù)載側(cè)的繼電器機(jī)構(gòu)40。具體而言，M0V22針對(duì)電力線上的過(guò)電壓條件提供一次保護(hù)，并且半導(dǎo)體保護(hù)器件50提供二次和更快速的保護(hù)。感應(yīng)器44或解扣線圈被用作半導(dǎo)體保護(hù)器件50的操作所需要的電壓降部件或電阻部件。
[0034]在圖1所示的實(shí)施例中，M0V22使暴露于電容器Cl的電壓鉗位于電容器Cl的額定電壓內(nèi)，例如，鉗位于400V。如現(xiàn)有技術(shù)那樣，GFCI產(chǎn)品中的M0V22自身能夠處理例如在3kA電涌上小于2?6kV的瞬時(shí)電涌和過(guò)電壓條件。通過(guò)使用公開(kāi)的抑制和保護(hù)電路10中的半導(dǎo)體保護(hù)器件50，例如在3kA上超過(guò)2kV甚至在3kA上超過(guò)6kV的瞬時(shí)電壓得到抑制。因此，如這里描述的那樣，GFCI產(chǎn)品中的M0V22能夠處理超過(guò)M0V22的均方根(RMS)額定電壓的電壓，從而允許M0V22幸存并提供針對(duì)其它瞬時(shí)、電涌和過(guò)電壓條件的一次保護(hù)。
[0035]在操作中，M0V22通過(guò)其端子執(zhí)行鉗位和通過(guò)電涌電流的功能，由此保護(hù)電路斷續(xù)器電路的其余部分。但是，與半導(dǎo)體保護(hù)器件50相比，M0V22對(duì)過(guò)電壓條件反應(yīng)太慢。因此，在電涌脈沖的開(kāi)始，向電路斷續(xù)器電路施加的電壓可達(dá)到800V或更大，從而導(dǎo)致在不使用器件50的情況下破壞GFCI產(chǎn)品。半導(dǎo)體保護(hù)器件50提供二次保護(hù)以防止GFCI產(chǎn)品的破壞。與M0V22相比，器件50執(zhí)行更快地鉗位過(guò)量電壓的功能，使得GFCI產(chǎn)品得到低于400?500V的暴露電壓降。感應(yīng)器44或解扣線圈被用作電阻部件，以執(zhí)行降低過(guò)量電壓并限制通過(guò)半導(dǎo)體保護(hù)器件50的電流的功能。以這種方式，包含電路10和GFCI產(chǎn)品14的GFCI產(chǎn)品的電涌抑制和過(guò)電壓保護(hù)明顯得到改善。
[0036]參照?qǐng)D2~4，描述根據(jù)本公開(kāi)的其它GFCI產(chǎn)品的其它樣品實(shí)施例。M0V22 '、22''和22'''的操作和功能和半導(dǎo)體保護(hù)器件50' ,50''和50'''的操作和功能即使不分別與M0V22和半導(dǎo)體保護(hù)器件50的操作和功能相同也與其類似。在圖2中，除了包含TVS OT作為半導(dǎo)體保護(hù)器件50'以外，GFCI產(chǎn)品100'與GFCI產(chǎn)品100類似。M0V22'是可在電壓改變時(shí)具有效果的可變電阻。
[0037]在圖3中，與圖1所示的第一實(shí)施例相同，GFCI產(chǎn)品100- '包含作為SIDACOT '的半導(dǎo)體保護(hù)器件50''。器件50''與橋二極管電路42并與接地點(diǎn)連接。M0V22''是可在電壓改變時(shí)具有效果的可變電阻。
[0038]在圖4中，與圖2所示的第二實(shí)施例相同，半導(dǎo)體保護(hù)器件50- ,'是TVSOT ''。器件50',,與橋二極管電路42并與接地點(diǎn)連接。M0V22',,是可在電壓改變時(shí)具有效果的可變電阻。
[0039]在小的SMT封裝(SMA (400W)和SMB (600W))中制造TVS 二極管和SIDAC。這允許MOV小型化，以在能夠配入標(biāo)準(zhǔn)壁盒的小的外殼中制造半導(dǎo)體保護(hù)器件。
[0040]電壓鉗位器件包含但不限于硒光電管、齊納二極管、碳化硅變阻器和金屬氧化物變阻器(MOV)。
[0041]另外，提供配有電涌抑制的器件仍在具有電涌抑制能力的情況下操作的視覺(jué)指示是在本領(lǐng)域中已知的。在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供視覺(jué)指示器以指示器件在具有足夠的電涌抑制能力的情況下操作。類似地，可提供諸如音頻指示器的報(bào)警，以指示器件不再以足夠的電涌抑制能力操作。
[0042]雖然表示、描述和指出了本發(fā)明的基本特征，但應(yīng)理解，在不背離本發(fā)明的精神的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可提出描述和示出的器件及其操作的形式和細(xì)節(jié)的各種省略和替代和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種電路斷續(xù)器，包括: 外殼; 至少部分地設(shè)置在所述外殼內(nèi)并能夠與電源電連接的至少一個(gè)輸入導(dǎo)體； 設(shè)置在所述外殼內(nèi)并能夠在與所述至少一個(gè)輸入導(dǎo)體電連接時(shí)向負(fù)載傳導(dǎo)電流的至少一個(gè)輸出導(dǎo)體； 設(shè)置在所述外殼內(nèi)并被配置為響應(yīng)出現(xiàn)故障或試驗(yàn)循環(huán)而中斷所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接的電路斷續(xù)器電路，所述電路斷續(xù)器電路包含螺線管線圈； 復(fù)位機(jī)構(gòu)，該復(fù)位機(jī)構(gòu)被配置為在所述復(fù)位機(jī)構(gòu)被激活時(shí)將所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接復(fù)位；和 包含用于減少向所述電路斷續(xù)器電路施加的電涌電壓的半導(dǎo)體器件的電涌保護(hù)電路，其中，所述螺線管線圈限制通過(guò)所述半導(dǎo)體器件的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器， 其中，所述電涌保護(hù)電路還包含耦合于電路斷續(xù)器的相位和中性導(dǎo)體之間的電涌保護(hù)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電路斷續(xù)器，其中，耦合于電路斷續(xù)器的相位和中性導(dǎo)體之間的電涌保護(hù)器包含用于在相位和中性導(dǎo)體之間的電壓上分路的金屬氧化物變阻器MOV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件選自包含SIDAC和TVS二極管的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件直接與螺線管線圈連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件通過(guò)橋二極管電路與螺線管線圈連接，并且，螺線管線圈是用作電壓降部件的解扣線圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件與電路斷續(xù)器的中性導(dǎo)體連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件與用于改善噪聲消除的RC電路并聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，電路斷續(xù)器選自包含GFC1、AFCI和熔絲的組。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，所述復(fù)位機(jī)構(gòu)具有響應(yīng)所述電路斷續(xù)器的激活以能在閉鎖位置和復(fù)位位置之間移動(dòng)的復(fù)位閉鎖，在閉鎖位置中，所述復(fù)位閉鎖禁止復(fù)位所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接的復(fù)位，在復(fù)位位置中，所述復(fù)位閉鎖不禁止所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接的復(fù)位，當(dāng)所述復(fù)位機(jī)構(gòu)被激活時(shí)，所述電路斷續(xù)器被激活以有利于所述復(fù)位閉鎖通過(guò)所述復(fù)位機(jī)構(gòu)從所述閉鎖位置移動(dòng)到所述復(fù)位位置并復(fù)位所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的電路斷續(xù)器，其中，故障是接地故障和電弧故障中的一種。
12.—種電路斷續(xù)器，包括: 外殼; 至少部分地設(shè)置在所述外殼內(nèi)并能夠與電源電連接的至少一個(gè)輸入導(dǎo)體； 設(shè)置在所述外殼內(nèi)并能夠在與所述至少一個(gè)輸入導(dǎo)體電連接時(shí)向負(fù)載傳導(dǎo)電流的至少一個(gè)輸出導(dǎo)體； 設(shè)置在所述外殼內(nèi)并被配置為響應(yīng)出現(xiàn)故障或試驗(yàn)循環(huán)而中斷所述輸入和輸出導(dǎo)體之間的所述電連接的電路斷續(xù)器電路，所述電路斷續(xù)器電路包含螺線管線圈；和 包含用于減少向所述電路斷續(xù)器電路施加的電涌電壓的半導(dǎo)體器件的電涌保護(hù)電路，其中，電路斷續(xù)器電路的所述螺線管線圈限制通過(guò)所述半導(dǎo)體器件的電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，所述電涌保護(hù)電路還包含耦合于電路斷續(xù)器的相位和中性導(dǎo)體之間的電涌保護(hù)器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的電路斷續(xù)器，其中，耦合于電路斷續(xù)器的相位和中性導(dǎo)體之間的電涌保護(hù)器包含用于在相位和中性導(dǎo)體之間的電壓上分路的金屬氧化物變阻器MOV。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件選自包含SIDAC和TVS二極管的組。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件直接與螺線管線圈連接，并且，螺線管線圈是用作電壓降部件的解扣線圈。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件通過(guò)橋二極管電路與螺線管線圈連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件與電路斷續(xù)器的中性導(dǎo)體連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，半導(dǎo)體器件與用于改善噪聲消除的RC電路并聯(lián)連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的電路斷續(xù)器，其中，電路斷續(xù)器選自包含GFC1、AFCI和熔絲的組。
21.根據(jù)權(quán)利要求12的電 路斷續(xù)器，其中，故障是接地故障和電弧故障中的一種。
22.一種用于保護(hù)過(guò)電壓條件下的電路斷續(xù)器的方法，所述方法包括: 連接半導(dǎo)體器件與電路斷續(xù)器的螺線管線圈以向電路斷續(xù)器通過(guò)低頻電壓信號(hào)，同時(shí)阻止高頻信號(hào)；和 在電路斷續(xù)器的相位和中性導(dǎo)體之間耦合電涌保護(hù)器，以在相位和中性導(dǎo)體之間的電壓上分路。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中，半導(dǎo)體器件選自包含SIDAC和TVS二極管的組。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中，電涌保護(hù)器是金屬氧化物變阻器MOV。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中，電路斷續(xù)器選自包含GFC1、AFCI和熔絲的組。
【文檔編號(hào)】H02H9/02GK103718408SQ201280038024
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月29日
【發(fā)明者】A·阿羅諾夫, M·奧斯特羅福斯基, J·利波雷托 申請(qǐng)人:立維騰制造有限公司