專利名稱：用于無極燈的高頻逆變脈沖電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電源領(lǐng)域，特別是涉及一種用于無極燈的高頻逆變脈沖電源。
背景技術(shù)：
高頻逆變脈沖電源是無極燈的核心部分，現(xiàn)有的高頻逆變脈沖電源穩(wěn)定性不高，在無極燈應(yīng)用上常常出現(xiàn)高頻脈沖發(fā)生器的輸出波形與逆變器使用的功率器件需要的波形不一致的情況，效果不好且易導(dǎo)致功率器件的損毀，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)下高頻脈沖發(fā)生器和逆變器單純的結(jié)合波紋過高、精度不高。因此本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于開發(fā)一種波紋低、穩(wěn)定性更高的用于無極燈的高頻逆變脈沖電源?！?br/>實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種波紋低、穩(wěn)定性更高的用于無極燈的高頻逆變脈沖電源。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種用于無極燈的高頻逆變脈沖電源，包括高頻脈沖發(fā)生器和逆變器；所述高頻脈沖發(fā)生器的輸出端連接所述逆變器的第一輸入端；所述高頻脈沖發(fā)生器輸出信號(hào)給逆變器。所述高頻脈沖發(fā)生器包括第一控制芯片；所述第一控制芯片的RT端通過串聯(lián)的第一電阻和第一電容接地，所述第一控制芯片的RT端通過第二電阻接地；所述第一控制芯片的VCC端通過并聯(lián)的第二電容和第三電容接地；所述第一控制芯片的DGND端、LC端、PGND端均接地。所述逆變器包括第二控制芯片；所述第二控制芯片IC2的VlA端和VlB端分別與所述第一控制芯片的NDRV2端和NDRVl端連接；所述第二控制芯片的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片的VDDB端與所述第一控制芯片的VCC端連接；所述第二控制芯片的VDDB端通過第一二極管與所述第二控制芯片的VADJ端連接；所述第二控制芯片的VDDB端連接第一二極管的正極；所述第一二極管的負(fù)極連接所述第二控制芯片的VADJ端；所述第一二極管的負(fù)極通過第四電容連接所述第二控制芯片的GNDA端；所述第二控制芯片的VOA端通過第三電阻連接第一 N型MOS管的柵極；所述第三電阻兩端并聯(lián)有第二二極管；所述第二控制芯片IC2的VOB端通過第四電阻連接第二 N型MOS管的柵極；所述第四電阻兩端并聯(lián)有第三二極管；所述第一 N型MOS管的漏極連接第四二極管的負(fù)極，所述第一 N型MOS管的源極連接第四二極管的正極；所述第二 N型MOS管的漏極連接第五二極管的負(fù)極，所述第二 N型MOS管的源極連接所述第五二極管的正極；所述第一 N型MOS管的源極連接所述第二 N型MOS管的漏極；所述第一 N型MOS管的源極連接所述第二控制芯片的GNDA端。所述逆變器的第二輸入端連接有源功率因數(shù)校正電路的輸出端；所述有源功率因數(shù)校正電路輸出直流電源給所述逆變器。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型能夠提供不同無極燈需求的使用頻率，由于高頻脈沖發(fā)生器發(fā)出的波形滿足逆變器使用的功率器件的需要，使得本實(shí)用新型穩(wěn)定性更高、波紋更低。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例一的電路圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二的電路原理示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明實(shí)施例一如圖I所示，本實(shí)用新型由高頻脈沖發(fā)生器I和逆變器2組成；所述高頻脈沖發(fā)生器I的輸出端連接所述逆變器2的第一輸入端；所述高頻脈沖發(fā)生器I輸出信號(hào)給逆變器2。所述高頻脈沖發(fā)生器I包括第一控制芯片ICl ;所述第一控制芯片ICl的RT端通過串聯(lián)的第一電阻Rl和第一電容Cl接地，所述第一控制芯片ICl的RT端通過第二電阻R2接地；所述第一控制芯片ICl的VCC端通過并聯(lián)的第二電容C2和第三電容C3接地；所述第一控制芯片ICl的DGND端、LC端、PGND端均接地。所述逆變器2包括第二控制芯片IC2 ;所述第二控制芯片IC2的VlA端和VlB端分別與所述第一控制芯片ICl的NDRV2端和NDRVl端連接；所述第二控制芯片IC2的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片IC2的VDDB端與所述第一控制芯片ICl的VCC端連接；所述第二控制芯片IC2的VDDB端通過第一二極管Dl與所述第二控制芯片IC2的VADJ端連接；所述第二控制芯片IC2的VDDB端連接第一二極管Dl的正極；所述第一二極管Dl的負(fù)極連接所述第二控制芯片IC2的VADJ端；所述第一二極管Dl的負(fù)極通過第四電容C4連接所述第二控制芯片IC2的GNDA端；所述第二控制芯片IC2的VOA端通過第三電阻R3連接第一 N型MOS管Ql的柵極；所述第三電阻R3兩端并聯(lián)有第二二極管D2 ;所述第二控制芯片IC2的VOB端通過第四電阻R4連接第二 N型MOS管Q2的柵極；所述第四電阻R4兩端并聯(lián)有第三二極管D3 ;所述第一 N型MOS管Ql的漏極連接第四二極管D4的負(fù)極，所述第一 N型MOS管Ql的源極連接第四二極管D4的正極；所述第二 N型MOS管Q2的漏極連接第五二極管D5的負(fù)極，所述第二 N型MOS管Q2的源極連接所述第五二極管D5的正極；所述第一 N型MOS管Ql的源極連接所述第二 N型MOS管Ql的漏極；所述第一 N型MOS管Ql的源極連接所述第二控制芯片IC2的GNDA端；所述第二控制芯片IC2的GNDA端向阻抗匹配電路供電。所述第一控制芯片ICl采用MAX5075芯片實(shí)現(xiàn)，所述第二控制芯片IC3采用ADUMl230芯片實(shí)現(xiàn)。所述高頻脈沖發(fā)生器I發(fā)送信號(hào)給所述逆變器2，使逆變器2發(fā)出信號(hào)驅(qū)動(dòng)第一 N型MOS管Ql和第二 N型MOS管Q2將直流電源轉(zhuǎn)為高頻交流電源并輸出，輸出電源波紋低，穩(wěn)定性高。實(shí)施例二 如圖2所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的是所述逆變器2的第二輸入端連接有源功率因數(shù)校正電路3的輸出端；所述有源功率因數(shù)校正電路3輸出直流電源給所述逆變器2，交流輸入電源經(jīng)整流和濾波后，非線性負(fù)載使得輸入電流波形畸變，輸入電流呈脈沖波形，含有大量的諧波分量，使得功率因數(shù)很低，因此使用有源功率因數(shù)校正電路來減小諧波分量，降低線路損耗，提高功率因數(shù)。以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思作出諸多修改和變化。 因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于無極燈的高頻逆變脈沖電源，包括高頻脈沖發(fā)生器(1)，其特征在于還包括逆變器(2);所述高頻脈沖發(fā)生器(I)的輸出端連接所述逆變器(2)的第一輸入端；所述高頻脈沖發(fā)生器(I)輸出信號(hào)給逆變器(2 )。
2.如權(quán)利要求I所述的用于無極燈的高頻逆變脈沖電源；其特征在于所述高頻脈沖發(fā)生器(I)包括第一控制芯片(ICl);所述第一控制芯片(ICl)的RT端通過串聯(lián)的第一電阻(Rl)和第一電容(Cl)接地，所述第一控制芯片(ICl)的RT端通過第二電阻(R2)接地；所述第一控制芯片(ICl)的VCC端通過并聯(lián)的第二電容(C2)和第三電容(C3)接地；所述第一控制芯片(ICl)的DGND端、LC端、PGND端均接地。
3.如權(quán)利要求I或2所述的用于無極燈的高頻逆變脈沖電源，其特征在于所述逆變器(2)包括第二控制芯片(IC2);所述第二控制芯片(IC2)的VlA端和VlB端分別與所述第一控制芯片(ICl)的NDRV2端和NDRVl端連接；所述第二控制芯片(IC2)的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端與所述第一控制芯片(ICl)的VCC端連接；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端通過第一二極管(Dl)與所述第二控制芯片(IC2)的VADJ端連接；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端連接第一二極管(Dl)的正極；所述第一二極管(Dl)的負(fù)極連接所述第二控制芯片(IC2)的VADJ端；所述第一二極管(Dl)的負(fù)極通過第四電容(C4)連接所述第二控制芯片(IC2)的GNDA端；所述第二控制芯片(IC2)的VOA端通過第三電阻(R3)連接第一 N型MOS管(Ql)的柵極；所述第三電阻(R3)兩端并聯(lián)有第二二極管(D2);所述第二控制芯片(IC2)的VOB端通過第四電阻(R4)連接第二 N型MOS管(Q2)的柵極；所述第四電阻(R4)兩端并聯(lián)有第三二極管(D3);所述第一 N型MOS管(Ql)的漏極連接第四二極管(D4)的負(fù)極，所述第一 N型MOS管(Ql)的源極連接第四二極管(D4)的正極；所述第二 N型MOS管(Q2)的漏極連接第五二極管(D5)的負(fù)極，所述第二 N型MOS管(Q2)的源極連接所述第五二極管(D5)的正極；所述第一 N型MOS管(Ql)的源極連接所述第二 N型MOS管(Ql)的漏極；所述第一 N型MOS管(Ql)的源極連接所述第二控制芯片(IC2)的GNDA端。
4.如權(quán)利要求I所述的用于無極燈的高頻逆變脈沖電源，其特征是所述逆變器(2)的第二輸入端連接有源功率因數(shù)校正電路(3)的輸出端；所述有源功率因數(shù)校正電路(3)輸出直流電源給所述逆變器(2 )。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于無極燈的高頻逆變脈沖電源，屬于電源領(lǐng)域，包括高頻脈沖發(fā)生器和逆變器，所述高頻脈沖發(fā)生器的輸出端連接所述逆變器的第一輸入端；所述高頻脈沖發(fā)生器輸出信號(hào)給逆變器，本實(shí)用新型能夠提供不同無極燈需求的使用頻率，由于高頻脈沖發(fā)生器發(fā)出的波形滿足逆變器使用的功率器件的需要，使得本實(shí)用新型穩(wěn)定性更高、波紋更低。
文檔編號(hào)H02M9/02GK202535294SQ201220097070
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
發(fā)明者文永益, 陳朝軍 申請(qǐng)人:重慶極光電器設(shè)備有限公司