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一種電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):7470483閱讀:332來源:國知局
專利名稱:一種電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電機(jī)絕緣結(jié)構(gòu),特別涉及一種電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
高效節(jié)能緊湊型電機(jī)將是電機(jī)產(chǎn)品的未來發(fā)展趨勢(shì)。電機(jī)線圈是電機(jī)的心臟,其技術(shù)水平直接影響到電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)和運(yùn)行可靠性。只有提高線圈絕緣技術(shù)水平,才能在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中立于不敗之地。隨著絕緣材料的發(fā)展及VPI少膠工藝的完善,現(xiàn)已具備電機(jī)線圈絕緣厚度減薄的條件。
在現(xiàn)有技術(shù)中,采用VPI少膠工藝,電機(jī)定子線圈主絕緣單邊厚度為較厚,與國外先進(jìn)水平相比有較大差距。絕緣厚度過大就會(huì)降低槽利用率,令電機(jī)體積龐大且笨重,導(dǎo)致電機(jī)功率低且低效耗能。同時(shí),一般絕緣結(jié)構(gòu)無法長期承受鹽霧、潮濕、晝夜溫差大等環(huán)境因素的影響,以及,控制變頻器所產(chǎn)生的高頻脈沖對(duì)絕緣系統(tǒng)尤其是匝間絕緣的影響。發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種可減小電機(jī)體積,提高了槽利用率的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是包括匝間絕緣、對(duì)地絕緣及防暈層或保護(hù)層,匝間絕緣包裹在銅扁線上;對(duì)地絕緣包裹在所有的銅扁線的匝間絕緣的外側(cè),防暈層或保護(hù)層包裹在對(duì)地絕緣的外側(cè)。
上述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)中,所述的匝間絕緣包括耐電暈聚酰亞胺膜層和單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層或自粘性雙玻璃帶層,耐電暈聚酰亞胺膜層燒結(jié)或包繞在銅扁線上,單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層或自粘性雙玻璃帶層包繞在耐電暈聚酰亞胺膜外側(cè)。
上述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)中,所述對(duì)地絕緣的材料為少膠粉云母帶,少膠粉云母帶的補(bǔ)強(qiáng)材料是玻璃絲、玻璃布或聚酯薄膜。
上述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)中,所述定子線圈有防暈要求的需包扎防暈層, 所述的定子線圈的防暈層由高阻帶和低阻帶搭接而成,所述低阻帶包扎起止點(diǎn)位置為鐵芯兩側(cè)40mm處,高阻帶與低阻帶搭接起點(diǎn)距離低阻帶近端18mm,終點(diǎn)為過圓弧過渡處50 80mm,高、低阻帶均采用半迭包,包扎的端面不留尖角,并在高阻帶外側(cè)設(shè)有保護(hù)層。
上述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)中,所述的保護(hù)層由定子線圈直線部分平包的一次滌綸交織帶、非引線端端部半疊包的一次滌綸交織帶及引線端端部半疊包的一次無堿玻璃絲帶組成;或由熱收縮帶層和氟硅膠層組成,氟硅膠層包在熱收縮帶層外側(cè)。
上述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu)中,所述的定子線圈匝間絕緣為非自粘性的,直線部分排間設(shè)有熱熔膠帶。
本發(fā)明的技術(shù)效果是I、本發(fā)明減小了定子線圈主絕緣單邊厚度,進(jìn)而減小了電機(jī)的尺寸,縮小電機(jī)尺寸,節(jié)省材料;2、本發(fā)明提聞了槽利用率,提聞了電機(jī)的功率;3、本發(fā)明在定子線圈端部耐候性保護(hù)層,提高了發(fā)電機(jī)的耐候性;4、本發(fā)明提高電機(jī)的絕緣性能和技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例
圖2是本發(fā)明實(shí)施例
圖3是本發(fā)明實(shí)施例
圖4是本發(fā)明實(shí)施例
圖5是本發(fā)明實(shí)施例的定子線圈直線絕緣部分的截面圖。 的定子線圈端部絕緣部分的截面圖。 的防暈層示意圖。的定子線圈直線絕緣部分的截面圖。 的定子線圈端部絕緣部分的截面圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
實(shí)施例I如圖1、2、3所示,本發(fā)明包括匝間絕緣2、對(duì)地絕緣3、防暈層4和保護(hù)層5,所述的匝間絕緣2包括耐電暈聚酰亞胺膜層21和單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層22,耐電暈聚酰亞胺膜層21燒結(jié)或包繞在銅扁線I上,單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層22包繞在耐電暈聚酰亞胺膜層21外側(cè)。對(duì)地絕緣3包裹在所有的銅扁線I的匝間絕緣2的外側(cè);所述的對(duì)地絕緣 3由玻璃布補(bǔ)強(qiáng)少膠粉云母帶層和聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)少膠云母粉帶層組成。所述防暈層4包繞在對(duì)地絕緣3的外側(cè),所述防暈層4由高阻帶42和低阻帶41搭接而成,所述低阻帶41包扎起止點(diǎn)位置為鐵芯8兩側(cè)40mm處,高阻帶42與低阻帶41搭接起點(diǎn)距離低阻帶41近端 18mm,終點(diǎn)為過圓弧過渡處9 50 80mm。高阻帶42低阻帶41均采用半疊包,包扎的端面不留尖角。所述定子線圈的端部外側(cè)設(shè)有耐候性保護(hù)層5,所述的耐候性保護(hù)層5由熱收縮帶層51和氟硅膠層52組成,氟硅膠層52包在熱收縮帶層51外側(cè)。所述定子線圈匝間絕緣2為非自粘性的,其直線部分排間設(shè)有熱熔膠帶6。
實(shí)施例2如圖4、5所示,本發(fā)明包括阻間絕緣2、對(duì)地絕緣3和保護(hù)層5,所述的阻間絕緣2包繞在銅扁線I上。對(duì)地絕緣3由多層玻璃絲補(bǔ)強(qiáng)少膠粉云母帶層組成,包繞在所有銅扁線I 的匝間絕緣2的外側(cè);保護(hù)層5包裹在對(duì)地絕緣3的外側(cè)。所述的保護(hù)層5,在銅扁線I的直線部分平包一次滌綸交織帶,定子線圈的非引線端端部半疊包一次滌綸交織帶,定子線圈的引線端端部半疊包一次無堿玻璃絲帶。
權(quán)利要求
1.一種電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是包括匝間絕緣、對(duì)地絕緣及防暈層或保護(hù)層,匝間絕緣包裹在銅扁線上;對(duì)地絕緣包裹在所有的銅扁線的匝間絕緣的外側(cè),防暈層或保護(hù)層包裹在對(duì)地絕緣的外側(cè)。
2.如權(quán)利要求I所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述的匝間絕緣包括耐電暈聚酰亞胺膜層和單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層或自粘性雙玻璃帶層,耐電暈聚酰亞胺膜層燒結(jié)或包繞在銅扁線上,單面聚酯薄膜補(bǔ)強(qiáng)云母帶層或自粘性雙玻璃帶層包繞在耐電暈聚酰亞胺膜外側(cè)。
3.如權(quán)利要求I所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述對(duì)地絕緣由多層少膠粉云母帶組成,少膠粉云母帶的補(bǔ)強(qiáng)材料是玻璃絲、玻璃布或聚酯薄膜。
4.如權(quán)利要求I所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述設(shè)有防暈層的定子線圈,定子線圈端部的防暈層外側(cè)設(shè)有保護(hù)層。
5.如權(quán)利要求I所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述的保護(hù)層由定子線圈直線部分平包的一次滌綸交織帶、非引線端端部半疊包的一次滌綸交織帶及引線端端部半疊包的一次無堿玻璃絲帶組成;或由熱收縮帶層和氟硅膠層組成,氟硅膠層包在熱收縮帶層外側(cè)。
6.如權(quán)利要求I所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述的防暈層由高阻帶和低阻帶搭接而成,所述高阻帶包扎起止點(diǎn)位置為鐵芯兩側(cè)40_處,低阻帶與高阻帶搭接起點(diǎn)距離高阻帶近端18mm,終點(diǎn)為過圓弧過渡處50 80mm,高、低阻帶均采用半迭包。
7.如權(quán)利要求2所述的電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),其特征是所述的定子線圈匝間絕緣為非自粘性的,直線部分排間設(shè)有熱熔膠帶。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電機(jī)定子線圈的絕緣結(jié)構(gòu),包括匝間絕緣、對(duì)地絕緣及防暈層或保護(hù)層,匝間絕緣包裹在銅扁線上;對(duì)地絕緣包裹在所有的銅扁線的匝間絕緣的外側(cè),防暈層或保護(hù)層包裹在對(duì)地絕緣的外側(cè)。本發(fā)明減小了定子線圈主絕緣單邊厚度,進(jìn)而減小了電機(jī)的尺寸,縮小電機(jī)尺寸,節(jié)省材料;提高了槽利用率及電機(jī)的功率;且本發(fā)明顯著提高了電機(jī)的絕緣性能和技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)。
文檔編號(hào)H02K3/34GK102983655SQ201210589368
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者王放文, 王健, 陳堂則, 朱勇穗, 于英雙, 楊松, 宋大成, 張敬龍, 單偉東 申請(qǐng)人:湘潭電機(jī)股份有限公司
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