專利名稱：芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路和終端設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及電氣技術(shù)，尤其涉及一種芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路和終端設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著系統(tǒng)級(jí)芯片(System On Chip,簡稱S0C)的集成度和速度的不斷提高,芯片的內(nèi)核(core)電源電流越來越大，芯片功耗占據(jù)了芯片所在系統(tǒng)整機(jī)功耗的大部分比例。因此，如果能降低芯片內(nèi)核電源的功耗，會(huì)對(duì)整機(jī)功耗降低有很大的收益。降低芯片內(nèi)核功耗的途徑之一就是為芯片提供匹配的電源電壓，避免過高電壓導(dǎo)致的功耗。目前，芯片的工藝偏差會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)核電壓的需求不同，如，根據(jù)芯片中半導(dǎo)體材質(zhì)的生長速度的差異，芯片分為SS、TT和FF等不同類型，不同工藝類型的芯片所需的內(nèi)核電壓不同。制造者為了盡量減少芯片良率的損失，一般發(fā)布的芯片內(nèi)核電壓會(huì)偏高以滿足最低芯片內(nèi)核電壓的工作條件，如內(nèi)核電壓滿足SS芯片的工作條件時(shí)需要偏高。這個(gè)電壓對(duì)TT和FF芯片來說是過要求的，導(dǎo)致它們的功耗增加。所以，采用固定芯片內(nèi)核電壓的產(chǎn)品就存在一定的功耗浪費(fèi)。為了降低芯片內(nèi)核功耗，現(xiàn)有技術(shù)提出了動(dòng)態(tài)調(diào)整供給給芯片的電源電壓的技術(shù)?，F(xiàn)有技術(shù)采用供電管理單元(Power Management Unit,簡稱PMU)為SOC芯片供電,可利用PMU與SOC芯片之間的I2C總線或SPI總線，以SOC芯片中的CPU產(chǎn)生數(shù)字控制信號(hào)，反饋至PMU的數(shù)字控制接口，以調(diào)整PMU的輸出電壓來實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)壓。但是，此方案的成本高，由于需要在PMU中增設(shè)數(shù)字信號(hào)處理的邏輯電路，所以具備動(dòng)態(tài)調(diào)壓功能的PMU的成本一般比同規(guī)格的DC/DC轉(zhuǎn)換器成本至少高出30%。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路和終端設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的電源電壓進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整來降低芯片內(nèi)核功耗，且降低產(chǎn)品成本。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，包括參數(shù)檢測模塊，用于檢測芯片的屬性參數(shù)；PWM信號(hào)生成模塊，用于根據(jù)檢測到的屬性參數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的PWM數(shù)字信號(hào)，且通過低通濾波器將所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬信號(hào)；供電模塊，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器，所述DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器包括誤差放大器，所述誤差放大器的反饋輸入端分別連接至PWM信號(hào)生成模塊的信號(hào)輸出端和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端，用于根據(jù)反饋的所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端的反饋信號(hào)調(diào)整輸出電壓。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種終端設(shè)備，包括芯片，還包括本發(fā)明任意實(shí)施例所提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路。本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，能夠利用包括誤差放大器的已有供電電路結(jié)構(gòu)，基于芯片屬性參數(shù)的變化，以PWM數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)精確調(diào)整輸出電壓的大小，從而能夠以較低的成本實(shí)現(xiàn)芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓，避免功耗浪費(fèi)。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所不為t旲擬電平與PWM數(shù)字"[目號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系不意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的一芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路實(shí)例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明提供的另一芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路實(shí)例的結(jié)構(gòu)不意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖，該電路適用于為 設(shè)有S0C芯片的系統(tǒng)進(jìn)行供電，且具備動(dòng)態(tài)調(diào)壓能力。該電路具體包括參數(shù)檢測模塊10、 PWM (脈沖寬度調(diào)制，Pulse-Width Modulation)信號(hào)生成模塊和供電模塊30。其中，參數(shù) 檢測模塊10用于檢測芯片100的屬性參數(shù)，可設(shè)置在芯片100中，也可以獨(dú)立于芯片100 設(shè)置，只要能完成參數(shù)檢測功能即可；PWM信號(hào)生成模塊用于根據(jù)檢測到的屬性參數(shù)產(chǎn)生 對(duì)應(yīng)的PWM數(shù)字信號(hào)，且通過低通濾波器將所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模 擬信號(hào)；供電模塊30,包括DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器(Low DropOut regulator,簡 稱LD0)，所述DC-DC轉(zhuǎn)換器或LD0包括誤差放大器31，誤差放大器31的反饋輸入端分別連 接至PWM信號(hào)生成模塊的信號(hào)輸出端和調(diào)壓電路的電壓輸出端，用于根據(jù)反饋的PWM數(shù)字 信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端的反饋信號(hào)調(diào)整輸出電壓Vout。本實(shí)施例的供電電路，可以直接采用DC-DC轉(zhuǎn)換器或LD0轉(zhuǎn)換器，此類供電電路的 主要結(jié)構(gòu)包括誤差放大器31和電壓輸出電路32。誤差放大器31的同相輸入端連接基準(zhǔn)電壓源Vref，誤差放大器31的反相輸入端 作為反饋輸入端，與PWM信號(hào)生成模塊相連以接收PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)，誤差 放大器31用于輸出反饋輸入端所輸入電壓與基準(zhǔn)電壓源之間的電壓差值，即模擬信號(hào)和 輸出電壓，與基準(zhǔn)電壓源之間的電壓差值；電壓輸出電路40的輸入端與誤差放大器31的輸 出端相連以獲取所述電壓差值，并根據(jù)所述電壓差值對(duì)輸入電壓Vin進(jìn)行調(diào)整后作為輸出 電壓提供至所述芯片100，且所述輸出電壓反饋至所述誤差放大器31的反相輸入端，作為 反饋電壓Vfb。本發(fā)明實(shí)施例中，所檢測的芯片屬性參數(shù)，是能夠影響芯片內(nèi)核電壓需求的參數(shù)， 例如芯片的工藝參數(shù)、芯片所運(yùn)行的場景情況等。根據(jù)芯片的屬性參數(shù)可以獲取對(duì)應(yīng)的輸 出電壓。屬性參數(shù)與輸出電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以為設(shè)定映射關(guān)系，通過設(shè)計(jì)人員的經(jīng)驗(yàn)和試 驗(yàn)，預(yù)先測定不同的芯片屬性參數(shù)對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)所需供給電壓。而后將確定的電壓值以具有 設(shè)定占空比的PWM數(shù)字信號(hào)形式來標(biāo)識(shí)，再將PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬 信號(hào)。即PWM信號(hào)生成模塊優(yōu)選是包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換單元21、PWM信號(hào)生成器22和低 通濾波器(Low-Pass Filter，簡稱LPF) 23，如圖1所示，還根據(jù)需要包括分壓電阻R3。數(shù) 字模擬轉(zhuǎn)換單元21用于基于設(shè)定的映射關(guān)系，將檢測到的屬性參數(shù)轉(zhuǎn)換成為對(duì)應(yīng)的電壓；PWM信號(hào)生成器22用于根據(jù)電壓生成具有對(duì)應(yīng)占空比的PWM數(shù)字信號(hào)；LPF 23用于將PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬信號(hào)。LPF 23可以選擇多種形式，典型地是采用RC構(gòu)成低通濾波器，如圖I所示。眾所周知，PWM是一種對(duì)模擬信號(hào)電平進(jìn)行數(shù)字編碼的方法。通過高分辨率計(jì)數(shù)器的使用，方波的占空比被調(diào)制用來對(duì)一個(gè)具體模擬信號(hào)的電平進(jìn)行編碼。PWM信號(hào)仍然是數(shù)字的，因?yàn)樵诮o定的任何時(shí)刻，滿幅值的直流供電要么完全有(0N)，要么完全無(OFF)。電壓或電流源是以一種通(ON)或斷(OFF)的重復(fù)脈沖序列被加到模擬負(fù)載上去的。通的時(shí)候即是直流供電被加到負(fù)載上的時(shí)候，斷的時(shí)候即是供電被斷開的時(shí)候。只要帶寬足夠，任何模擬值都可以使用PWM進(jìn)行編碼，通過PWM數(shù)字信號(hào)高電平的占空比來對(duì)應(yīng)不同的模擬值，如圖2所示為模擬電平與PWM數(shù)字信號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系示意圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案，能夠利用誤差放大器和電壓輸出電路等已有芯片供電電路，增設(shè)PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)作為反饋控制信號(hào)來動(dòng)態(tài)調(diào)整供給給芯片所在系統(tǒng)的電壓，從而避免過電壓的功耗浪費(fèi)。在已有的芯片供電電路中，通常會(huì)設(shè)置DC-DC轉(zhuǎn)換器或LDO轉(zhuǎn)換器，根據(jù)需求將輸入電壓進(jìn)行升壓或降壓操作，且同時(shí)對(duì)輸入電壓進(jìn)行穩(wěn)壓操作。此類轉(zhuǎn)換器均包括誤差放大器，誤差放大器的同相輸入端連接一基準(zhǔn)電壓源Vref，反向輸入端連接反饋電壓Vfb，即從輸出電壓處反饋回來的電壓。可進(jìn)一步通過一輸出電壓采樣電路來獲得反饋電壓，輸出電壓采樣電路用于將輸出電壓進(jìn)行分壓后反饋至所述誤差放大器的反相輸入端。如圖I所示，輸出電壓采樣電路典型地是包括兩個(gè)分壓電阻Rl和R2。則經(jīng)過電壓輸出電路40的轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓處理后，輸出電壓Vout會(huì)基于下述公式進(jìn)行微調(diào)，得到一穩(wěn)定的電壓輸出Vout=Vref · (1+R1/R2)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，利用了誤差放大器和電壓輸出電路的電路結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步設(shè)置了 PWM信號(hào)生成模塊，PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)Vpwm是按照一定占空比變化的直流電壓信號(hào)，也相當(dāng)于輸出電壓的反饋值，能夠通過誤差放大器和電壓輸出電路對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)整。則本發(fā)明實(shí)施例的輸出電壓Vout按照如下公式確定Vout=Vref · (1+R1/R2) + (Vref-Vpwm)(Rl/(R3+R4))=Vout base+(Vref-Vpwm)(Rl/(R3+R4))此情況下，可能輸出電壓本身并未波動(dòng)變化，而是由于芯片工藝等屬性參數(shù)的變化導(dǎo)致芯片內(nèi)核電壓需求的變化，而控制調(diào)整輸出電壓的變化。通過上述公式可以看出，Vref, RU R2、R3和R4均為常量，所以輸出電壓Vout由PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)Vpwm進(jìn)行控制。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的動(dòng)態(tài)調(diào)壓，且成本較低，既無需增加供電電路的成本，在芯片側(cè)的改進(jìn)也可以通過軟件來實(shí)現(xiàn)。PWM信號(hào)生成器可以增設(shè)，或利用芯片所在系統(tǒng)中的已有的PWM信號(hào)生成器即可。實(shí)施例二圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中的參數(shù)檢測模塊包括芯片工藝監(jiān)測器(PVT MonitoiOll，用于檢測芯片100的工藝屬性參數(shù)。芯片工藝監(jiān)測器11可利用已有技術(shù)對(duì)芯片工藝進(jìn)行檢測，主要是檢測芯片100的工藝值，例如，F(xiàn)F、TT或SS型的芯片具有不同的工藝值，按照一定的數(shù)值范圍劃分。
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PWM信號(hào)生成模塊中，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換單元用于基于設(shè)定的映射關(guān)系，將檢測到的屬性參數(shù)轉(zhuǎn)換成為對(duì)應(yīng)的電壓，此功能可以通過芯片中已有的CPU來以軟件形式實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可知常規(guī)PWM信號(hào)生成器的結(jié)構(gòu)，此處不再贅述。本實(shí)施例中具體采用DC-DC轉(zhuǎn)換器或LDO轉(zhuǎn)換器，再配合外圍電路來實(shí)現(xiàn)誤差放大器31和電壓輸出電路。在轉(zhuǎn)換器中可以根據(jù)需求設(shè)置其他的控制電路50來實(shí)現(xiàn)其他功能,本實(shí)施例并不對(duì) 此進(jìn)行限定。本實(shí)施例中，電壓輸出電路優(yōu)選是包括LC電路和開關(guān)晶體管42。其中，LC電路的電容C用于為所述芯片100提供所述輸出電壓，LC電路構(gòu)成常規(guī)的低通濾波器，能夠以相當(dāng)小的波紋輸出電壓；開關(guān)晶體管42的控制端與誤差放大器31的輸出端相連，在所述電壓差值的控制下導(dǎo)通或斷開所述LC電路。如圖3所示，LC電路由NMOS(N-Mental-Oxide-Semiconductor, N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管控制。PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)的占空比將影響誤差放大器輸出的電壓差值，電壓差值可控制NMOS晶體管的通斷，從而利用LC電路調(diào)整輸出電壓。由PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)作為反饋信號(hào)，能夠迅速地控制開關(guān)晶體管的通斷，使得輸出電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)壓響應(yīng)更快。本實(shí)施例中，芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路的工作過程如下當(dāng)PVT Monitor上電后檢測到SOC芯片的工藝屬性參數(shù)，將值反饋給CPU ；CPU根據(jù)反饋值確定電壓，通過設(shè)定PWM數(shù)字信號(hào)的占空比對(duì)電壓進(jìn)行數(shù)字編碼；PWM數(shù)字信號(hào)由PWM生成器產(chǎn)生后，通過低通濾波器后，輸出直流電壓形式的模擬信號(hào)到DC-DC轉(zhuǎn)換器或LDO轉(zhuǎn)換器的反饋引腳，即連接至誤差放大器的反向輸入端；通過分壓電阻Rl和R2，以及模擬信號(hào)傳輸電路中連接的電阻R3、R4，基準(zhǔn)電壓源Vref, LPF的參數(shù)及模擬信號(hào)的占空比共同決定輸出電壓的大小，其中，Rl、R2、R3、R4、Vref和LPF的參數(shù)一般是常量，所以輸出電壓的動(dòng)態(tài)變化由模擬信號(hào)的占空比來控制。本實(shí)施例的技術(shù)方案相對(duì)于已有技術(shù)未增加成本，或僅增加了 RC濾波電路的成本，所以實(shí)現(xiàn)成本非常低。本發(fā)明實(shí)施例中的參數(shù)檢測模塊并不限于采用PVT monitor，參數(shù)檢測模塊還可以包括場景監(jiān)測器(SCENE monitor)12，如圖4所示，用于檢測芯片所在設(shè)備的場景狀態(tài)屬性參數(shù)?；蛘咄瑫r(shí)包括芯片工藝監(jiān)測器和場景監(jiān)測器(SCENE+PVT monitor) 13，如圖5所示。所謂場景狀態(tài)屬性參數(shù)，是芯片所在系統(tǒng)的狀態(tài)參數(shù)，例如，設(shè)置有芯片的手機(jī)，其可以工作在多種場景下，如視頻播放、音頻播放、待機(jī)、文檔閱覽等，系統(tǒng)在同一時(shí)間處理的業(yè)務(wù)量的差異也屬于場景狀態(tài)屬性參數(shù)。在不同的場景狀態(tài)下芯片內(nèi)核電壓需求也不相同，系統(tǒng)的供電需求不同，可以據(jù)此控制輸出電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)整。所以，可以根據(jù)實(shí)際需求確定會(huì)影響芯片內(nèi)核電壓的各類狀態(tài)參數(shù)作為場景狀態(tài)屬性參數(shù)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種終端設(shè)備，其包括芯片和本發(fā)明任意實(shí)施例所提供的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路。該終端設(shè)備是包括芯片的系統(tǒng)的具體形式之一，例如手機(jī)、平板電腦等，其能夠在成本基本不增加的前提下，實(shí)現(xiàn)了 SOC內(nèi)核電壓動(dòng)態(tài)變化，有效降低產(chǎn)品整機(jī)功耗。隨著低功耗和綠色概念的發(fā)展，消費(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)功耗要求越來越高，低成本降低功耗的方案會(huì)在很多領(lǐng)域得到批量應(yīng)用。本技術(shù)方案可以應(yīng)用到任何使用了 SOC芯片，且SOC芯片內(nèi)部集成了 PVT Monitor,SCENE monitor或者類似功能，有多種工作模式，不同工作模式可對(duì)應(yīng)不同電壓的產(chǎn)品領(lǐng)域。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述各方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。 前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述各方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求
1.一種芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，包括 參數(shù)檢測模塊，用于檢測芯片的屬性參數(shù)； 脈沖寬度調(diào)制PWM信號(hào)生成模塊，用于根據(jù)檢測到的屬性參數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的PWM數(shù)字信號(hào)，且通過低通濾波器將所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬信號(hào)； 供電模塊，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器，所述DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器包括誤差放大器，所述誤差放大器的反饋輸入端分別連接至PWM信號(hào)生成模塊的信號(hào)輸出端和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端，用于根據(jù)所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端的反饋信號(hào)調(diào)整輸出電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，所述參數(shù)檢測模塊包括 芯片工藝監(jiān)測器，用于檢測所述芯片的工藝屬性參數(shù)；和/或 場景監(jiān)測器，用于檢測芯片所在設(shè)備的場景狀態(tài)屬性參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，所述PWM信號(hào)生成模塊包括 數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換單元，用于基于設(shè)定的映射關(guān)系，將檢測到的屬性參數(shù)轉(zhuǎn)換成為對(duì)應(yīng)的電壓； PWM信號(hào)生成器，用于根據(jù)所述電壓生成具有對(duì)應(yīng)占空比的PWM數(shù)字信號(hào)； 低通濾波器，用于將所述PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，所述DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器包括 所述誤差放大器，所述誤差放大器的同相輸入端連接基準(zhǔn)電壓源，所述誤差放大器的反相輸入端作為所述反饋輸入端，所述誤差放大器用于輸出電壓差值，所述電壓差值為所述反饋輸入端所輸入電壓與基準(zhǔn)電壓源之間的電壓差值； 電壓輸出電路，所述電壓輸出電路的輸入端與誤差放大器的輸出端相連以獲取所述電壓差值，并根據(jù)所述電壓差值對(duì)輸入電壓進(jìn)行調(diào)整后作為輸出電壓提供至所述芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，還包括 輸出電壓采樣電路，用于將所述輸出電壓進(jìn)行分壓后反饋至所述誤差放大器的反相輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路，其特征在于，所述電壓輸出電路包括 LC電路，所述LC電路的電容用于為所述芯片提供所述輸出電壓； 開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管的控制端與所述誤差放大器的輸出端相連，在所述電壓差值的控制下導(dǎo)通或斷開所述LC電路。
7.一種終端設(shè)備，包括芯片，還包括權(quán)利要求1-6任一所述的芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓電路和終端設(shè)備。該調(diào)壓電路包括參數(shù)檢測模塊，用于檢測芯片的屬性參數(shù)；PWM信號(hào)生成模塊，用于根據(jù)屬性參數(shù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的PWM數(shù)字信號(hào)，且通過低通濾波器將PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為具有直流電壓的模擬信號(hào)；供電模塊，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器或低壓差線性穩(wěn)壓器，其中的誤差放大器的反饋輸入端分別連接至PWM信號(hào)生成模塊的信號(hào)輸出端和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端，用于根據(jù)反饋的所述模擬信號(hào)和所述調(diào)壓電路的電壓輸出端的反饋信號(hào)調(diào)整輸出電壓。本發(fā)明能夠利用已有的供電電路結(jié)構(gòu)，基于芯片屬性參數(shù)的變化，以PWM數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換而成的模擬信號(hào)精確調(diào)整輸出電壓的大小，從而能夠以較低的成本實(shí)現(xiàn)芯片動(dòng)態(tài)調(diào)壓，避免功耗浪費(fèi)。
文檔編號(hào)H02M3/157GK102931842SQ20121038713
公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者陳玉柱, 黃濤 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司