專利名稱：一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等效電路，尤其涉及一種氧化鋅避雷器(MOA)中ZnO(氧化鋅)閥片的等效電路。
背景技術：
目前采用的氧化鋅避雷器一般都為不含間隙式，全由ZnO閥片串聯(lián)而成。所以MOA的性能，主要取決于其關鍵元件一ZnO閥片的特性。ZnO閥片主要成分是由ZnO組成，摻有少量的Co0、Mn0等其他金屬氧化物以改善閥片的性能。在電子顯微鏡下觀察ZnO閥片可以看到在直徑十微米的ZnO顆粒的周圍包以由摻雜物所形成的氧化膜，這層極薄的晶界層的電阻率是變化的，在低電壓下很在，而在高電壓下將會突然降至約I Q/cm。這全使得閥片具有極好的非線性保護特性，同時此晶界層的相對介電常數(shù)可達500-2000，因此ZnO閥片具有相當大的電容量，在運行電壓下經(jīng)過閥片的電流將主要是容性電流。為了研究ZnO閥片，從而進一步研究氧化鋅避雷器，需要ZnO閥片的等效電路。然而，目前現(xiàn)有的一些等效電路并不能滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺陷而提供一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，它與ZnO閥片等效，從而簡單、準確且實用地對ZnO閥片進行模擬。實現(xiàn)上述目的的技術方案是一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，包括串聯(lián)的電感和線性電阻，以及相互并聯(lián)并且與所述線性電阻分別串聯(lián)的四條支路，其中第一支路為串聯(lián)的第一電容和第一電阻；第二支路為串聯(lián)的第二電容和第二電阻；第三支路為第三電容；第四支路為第三電阻。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明較全面地與ZnO閥片等效，簡單、準確且實用地對ZnO閥片進行模擬，方便并滿足了對ZnO閥片研究的要求。


圖I是本發(fā)明的氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路電路圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。請參閱圖1，本發(fā)明的氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，包括串聯(lián)的電感L和線性電阻R，以及相互并聯(lián)并且與線性電阻R分別串聯(lián)的四條支路，線性電阻R的一端連接電感L，另一端分別連接所述四條支路，其中
第一支路為串聯(lián)的第一電容Cl和第一電阻Rl ；第二支路為串聯(lián)的第二電容C2和第二電阻R2 ；第三支路為第三電容C3 ；第四支路為第三電阻R3。 本發(fā)明中，第一支路和第二支路表示分別描述兩個有損極化過程的吸收支路；線性電阻R表示ZnO晶粒所貢獻的線性電阻；第三電阻R3表示ZnO閥片的泄漏電阻；第三電容C3表示ZnO閥片的電荷電容及位移極化電容之和；電感L表示ZnO閥片的本體電感。在正常的運行電壓下，ZnO閥片只流過含有工頻基波分量及諧波分量的泄漏電流，處于小電流工作區(qū)，電感L的作用可以忽略掉，第二支路只有在高頻時作用才明顯，低頻時的作用也可以忽略掉。綜上，本發(fā)明提供的ZnO閥片的等效電路滿足了對ZnO閥片研究的要求。以上實施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術方案也應該屬于本發(fā)明的范疇，應由各權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，其特征在于，包括串聯(lián)的電感和線性電阻，以及相互并聯(lián)并且與所述線性電阻分別串聯(lián)的四條支路，其中 第一支路為串聯(lián)的第一電容和第一電阻； 第二支路為串聯(lián)的第二電容和第二電阻； 第三支路為第三電容； 第四支路為第三電阻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，包括串聯(lián)的電感和線性電阻，以及相互并聯(lián)并且與所述線性電阻分別串聯(lián)的四條支路，其中第一支路為串聯(lián)的第一電容和第一電阻；第二支路為串聯(lián)的第二電容和第二電阻；第三支路為第三電容；第四支路為第三電阻。本發(fā)明與ZnO閥片等效，方便了對ZnO閥片的研究。
文檔編號H02H9/04GK102623983SQ20121007956
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月22日
發(fā)明者姚建歆, 張弛, 張鵬, 徐劍, 章健, 胡水蓮, 解蕾, 計杰, 金琪 申請人:上海市電力公司