專利名稱：功率因素校正電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電源技術領域，尤其涉及一種功率因素校正電路。
背景技術：
現(xiàn)有技術的功率因素校正電路，如圖I所示，包括AC/DC轉(zhuǎn)換電路I'、升壓電感L1、ニ極管 D' >PFC (Power Factor Correction,功率因數(shù)校正)芯片 2'、第一電阻 Rl'、第二電阻R2'及一用于穩(wěn)定電路輸出端電壓的電解電容CE'。其中，升壓電感L'包括第ー電感線圈LI'和第二電感線圈L2'。AC/DC轉(zhuǎn)換電路I'輸出端的正極經(jīng)升壓電感L'的第一電感線圈LI'與ニ極管D'的陽極連接，而ニ極管D'的陰極經(jīng)第一電阻Rl'與PFC芯片2,的FB引腳(反饋引腳)連接，AC/DC轉(zhuǎn)換電路I'輸出端的負極經(jīng)升壓電感L'的 第二電感線圈L2'及第ニ電阻R2'與PFC芯片的Z⑶引腳(過零檢測引腳)連接，電解電容CE'連接于ニ極管D'的陰極與地之間。PFC芯片2'的COMP引腳經(jīng)由ー第一電容(未標號)接地，也依序經(jīng)由ー電阻(未標號)和一第二電容(未標號)接地。PFC芯片2'的CS引腳經(jīng)由ー第三電容(未標號)接地。PFC芯片2'的GATE引腳連接ー MOS管(未標號)。當故障情況下PFC芯片2'的FB引腳與ZCD引腳短路時，連接于該電路輸出端的電解電容CE'將會受到損壞，甚至發(fā)生電解電容CE'炸裂的現(xiàn)象。因此，現(xiàn)有技術的功率因素校正電路存在可靠性較低的技術問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的是提供一種功率因素校正電路，旨在避免故障情況下PFC芯片的FB引腳與ZCD引腳短路時損壞該電路中的電解電容。為了達到上述目的，本實用新型提出一種功率因素校正電路，包括AC/DC轉(zhuǎn)換電路、升壓電感、ニ極管、PFC芯片、第一電阻、第二電阻及電解電容，所述升壓電感包括第一電感線圈和第二電感線圈，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的正極經(jīng)所述第一電感線圈與所述ニ極管的陽極連接，所述ニ極管的陰極經(jīng)所述第一電阻與所述PFC芯片的FB引腳連接，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的負極經(jīng)所述第二電感線圈及所述第二電阻與所述PFC芯片的ZCD引腳連接，所述電解電容連接于所述ニ極管的陰極與地之間，該功率因素校正電路還包括電解電容保護電路，所述電解電容保護電路連接于PFC芯片的FB引腳及COMP引腳之間。優(yōu)選地，所述電解電容保護電路包括分壓電路和MOS管，所述分壓電路連接于PFC芯片的FB引腳和地之間，MOS管的柵極連接分壓電路，漏極與PFC芯片的COMP引腳連接，源極接地。優(yōu)選地，所述分壓電路包括第三電阻和第四電阻，上述MOS管的柵極經(jīng)由第三電阻連接到PFC芯片的FB引腳，也經(jīng)由第四電阻接地。優(yōu)選地，所述MOS管為N溝道MOS管。優(yōu)選地，所述分壓電路進一歩包括一串聯(lián)在第三電阻與第四電阻之間的第五電阻，MOS管的柵極依序經(jīng)由第五電阻與第三電阻連接PFC芯片的FB引腳。[0009]優(yōu)選地，所述分壓電路進一歩包括一與第三電阻并聯(lián)的第六電阻。優(yōu)選地，所述PFC的型號為FAN7930。相較于現(xiàn)有技術，本實用新型提出的功率因素校正電路進一歩包括了電解電容保護電路，可避免故障情況下PFC芯片的FB引腳與ZCD引腳短路時損壞的電解電容，保證了電路中電解電容的安全使用。因此，本實用新型的功率因素校正電路的可靠性較高。

圖I是現(xiàn)有技術中功率因素校正電路的電路圖；圖2是本實用新型功率因素校正電路第一實施例的電路圖；圖3是本實用新型功率因素校正電路第二實施例的電路圖；圖4是本實用新型功率因素校正電路第三實施例的電路圖。本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進ー步說明。
具體實施方式
本實用新型的主要解決方案是通過在現(xiàn)有功率因素校正電路中的PFC芯片的FB引腳及COMP引腳之間連接一電解電容保護電路，以避免故障情況下PFC芯片F(xiàn)B引腳與Z⑶弓I腳短路時損壞該電路中的電解電容。參照圖2，圖2是本實用新型功率因素校正電路第一實施例的電路圖。所述功率因素校正電路包括AC/DC轉(zhuǎn)換電路I、升壓電感L、ニ極管D、PFC芯片2、第一電阻R1、第二電阻R2、電解電容CE及電解電容保護電路3。其中，升壓電感L用于對AC/DC轉(zhuǎn)換電路I的輸出電壓進行升壓，電解電容CE用于對該電路的輸出電壓進行濾波。PFC芯片2的型號可以為FAN7930。PFC芯片2的COMP引腳經(jīng)由ー第一電容(未標號)接地，也依序經(jīng)由ー電阻(未標號)和一第二電容(未標號)接地。PFC芯片2的CS引腳經(jīng)由ー第三電容(未標號)接地。PFC芯片2的GATE引腳連接ー MOS管(未標號)。升壓電感L包括第一電感線圈LI和第二電感線圈L2，電解電容保護電路3連接于PFC芯片2的FB引腳及COMP引腳(補償引腳)之間，該電解電容保護電路3用于避免故障情況下PFC芯片2的FB引腳與ZCD引腳短路時損壞電路中的電解電容CE。電解電容保護電路3包括分壓電路(未標號)及N溝道MOS管Q。上述分壓電路連接于PFC芯片2的FB引腳與地之間。上述分壓電路包括第三電阻R3和第四電阻R4。具體的，AC/DC轉(zhuǎn)換電路I輸出端的正極經(jīng)升壓電感L的第一電感線圈LI與ニ極管D的陽極連接，ニ極管D的陰極經(jīng)第一電阻Rl與PFC芯片2的FB引腳連接，AC/DC轉(zhuǎn)換電路I輸出端的負極經(jīng)升壓電感L的第二電感線圈L2及第ニ電阻R2與PFC芯片2的ZCD引腳連接，電解電容CE連接于ニ極管D的陰極與地之間。ニ極管D的陰極和地之間連接有負載(圖未示)。電解電容保護電路3中MOS管Q的柵極經(jīng)由第三電阻R3連接到PFC芯片2的FB引腳，也經(jīng)由第四電阻R4接地，MOS管Q的漏極與PFC芯片2的COMP引腳連接，MOS管Q的源極與地連接。若第三電阻R3和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓為V2，PFC芯片2的FB引腳處的電壓為VI，則第三電阻R3和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓V2的計算公式為V2 = R4/(R3+R4)*V1。當?shù)谌娮鑂3和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓V2 >Vgs(th)時，N溝道MOS管Q才會導通。通過選擇第三電阻R3及第四電阻R4合適的阻值，可以使得電路正常工作吋，第三電阻R3和第四電阻R4的節(jié)點電壓V2 < Vgs (th)，整個功率因素校正電路處于正常的工作狀態(tài)^PFC芯片2的FB引腳與Z⑶引腳短路時，由于PFC芯片2的Z⑶引腳的電壓為PWM波，其正電壓較高，使得第三電阻R3和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓為V2 > Vgs (th)，N溝道MOS管Q導通，而N溝道MOS管Q的導通將使PFC芯片2的COMP引腳的電壓被拉低，使得PFC芯片停止工作，從而使得電解電容CE上的電壓降低至其額定電壓以下，從而避免了電解電容CE的損壞。考慮到本實用新型功率因素校正電路在實際的應用中，有可能找不到阻值非常合適的第三電阻R3和第四電阻R4，因此本實用新型功率因素校正電路亦可以采用圖3或圖4所示的電路。參照圖3，圖3是本實用新型功率因素校正電路第二實施例的電路圖，第二實施例 的功率因素校正電路與第一實施例的功率因素校正電路的區(qū)別之處在于第二實施例的電解電容保護電路3的分壓電路進ー步包括一串聯(lián)在第三電阻R3與第四電阻R4之間的第五電阻R5。即本實施例中的電解電容保護電路3包括第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5及N溝道MOS管Q，N溝道MOS管Q的柵極依序經(jīng)由第五電阻R5與第三電阻R3連接PFC芯片2的FB引腳，也經(jīng)由第四電阻R4接地，N溝道MOS管Q的漏極與PFC芯片2的COMP引腳連接，N溝道MOS管Q的源極與地連接。若第五電阻R5和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓為V2' ,PFC芯片2的FB引腳處的電壓為VI，則V2'的計算公式為V2' = RV(R3+R5+R4)*V1。本實施例的工作原理同于第一實施例的工作原理，此處不再累贅。參照圖4，圖4是本實用新型功率因素校正電路第三實施例的電路圖，第三實施例的功率因素校正電路與第一實施例的功率因素校正電路的區(qū)別之處在于第三實施例的電解電容保護電路3的分壓電路進ー步包括一與第三電阻R3并聯(lián)的第六電阻R6。若第三電阻R3和第四電阻R4之間的節(jié)點電壓為V2"，PFC芯片2的FB引腳處的電壓為VI，則V2"的計算公式為V2" = RV(R3*R6バR3+R6)+R4)*V1。本實施例的工作原理同于第一實施例的工作原理，此處不再累贅。相較于現(xiàn)有技術，本實用新型提出的功率因素校正電路進一歩包括了電解電容保護電路，可避免故障情況下PFC芯片的FB引腳與ZCD引腳短路時損壞的電解電容，保證了電路中電解電容的安全使用。因此，本實用新型的功率因素校正電路的可靠性較高。以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
權利要求1.一種功率因素校正電路，包括AC/DC轉(zhuǎn)換電路、升壓電感、ニ極管、PFC芯片、第一電阻、第二電阻及電解電容，所述升壓電感包括第一電感線圈和第二電感線圈，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的正極經(jīng)第一電感線圈與ニ極管的陽極連接，所述ニ極管的陰極經(jīng)第一電阻與PFC芯片的FB引腳連接，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的負極經(jīng)第二電感線圈及第ニ電阻與PFC芯片的ZCD引腳連接，所述電解電容連接于ニ極管的陰極與地之間，其特征在于該功率因素校正電路還包括電解電容保護電路，所述電解電容保護電路連接于PFC芯片的FB引腳及COMP引腳之間。
2.根據(jù)權利要求I所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述電解電容保護電路包括分壓電路和MOS管，所述分壓電路連接于PFC芯片的FB引腳和地之間，MOS管的柵極連接分壓電路，漏極與PFC芯片的COMP引腳連接，源極接地。
3.根據(jù)權利要求2所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述分壓電路包括第三電阻和第四電阻，上述MOS管的柵極經(jīng)由第三電阻連接到PFC芯片的FB引腳，也經(jīng)由第四電阻接地。
4.根據(jù)權利要求3所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述MOS管為N溝道MOS管。
5.根據(jù)權利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述分壓電路進一歩包括一串聯(lián)在第三電阻與第四電阻之間的第五電阻，MOS管的柵極依序經(jīng)由第五電阻與第三電阻連接PFC芯片的FB引腳。
6.根據(jù)權利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述分壓電路進一歩包括一與第三電阻并聯(lián)的第六電阻。
7.根據(jù)權利要求I所述的功率因素校正電路，其特征在于，所述PFC的型號為FAN7930。
專利摘要本實用新型公開一種功率因素校正電路，包括AC/DC轉(zhuǎn)換電路、升壓電感、二極管、PFC芯片、第一電阻、第二電阻、電解電容和電解電容保護電路，所述升壓電感包括第一電感線圈和第二電感線圈，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的正極經(jīng)第一電感線圈、二極管、第一電阻與PFC芯片的FB引腳連接，所述AC/DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的負極經(jīng)第二電感線圈及第二電阻與所述PFC芯片的ZCD引腳連接，所述電解電容連接于二極管與地之間。所述電解電容保護電路連接于PFC芯片的FB引腳及COMP引腳之間。本實用新型避免了故障情況下PFC芯片的FB引腳與ZCD引腳短路時損壞電路中的電解電容，保證了電路中電解電容的安全使用。
文檔編號H02M1/42GK202424505SQ20112055919
公開日2012年9月5日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權日2011年12月27日
發(fā)明者何北凱, 李錦樂, 楊勇, 江國平 申請人:Tcl王牌電器(惠州)有限公司