專利名稱：用于射頻發(fā)射機(jī)的靜電放電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及電路，具體地，涉及靜電放電保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
連接至天線的射頻(RF)發(fā)射機(jī)易于被從其操作環(huán)境中接收的靜電放電(ESD)脈沖損壞。由于包括RF發(fā)射機(jī)的集成電路在物理尺寸上較小，所以集成電路由于其較小的制造幾何結(jié)構(gòu)而變得更加易受ESD的影響。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種射頻(RF)發(fā)射機(jī)，包括功率放大器，具有接收RF信號(hào)的輸入端和將放大的RF信號(hào)發(fā)射至天線的輸出端；以及靜電放電(ESD)保護(hù)電路，電耦合至功率放大器的輸出端，其中，ESD保護(hù)電路包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至功率放大器的輸出端，ESD保護(hù)電路響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR ；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線。其中，SCR包括第一N型半導(dǎo)體材料、第一P型半導(dǎo)體材料、第二P型半導(dǎo)體材料、 第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料的交替配置，其中，淺溝槽隔離件(STI)位于交替配置的端部以及第一 P型半導(dǎo)體材料和第二 P型半導(dǎo)體材料之間，其中，功率放大器的輸出端、ESD檢測(cè)電路和第二電壓線分別電耦合至第一 P型半導(dǎo)體材料、第二 P型半導(dǎo)體材料以及第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料。其中，第一 P型半導(dǎo)體材料和第一 N型半導(dǎo)體材料被注入到N阱中，第二 P型半導(dǎo)體材料、第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料被注入到P阱中，其中，N阱和P阱形成在P襯底中。其中，ESD總線耦合在SCR和ESD檢測(cè)電路之間。其中，ESD總線電耦合在SCR的第一 N型半導(dǎo)體材料和ESD檢測(cè)電路之間。該發(fā)射機(jī)還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在功率放大器的輸出端和ESD總線之間，該發(fā)射機(jī)還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在ESD總線和第一電壓線之間。該發(fā)射機(jī)還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在SCR和第二電壓線之間，其中，第一電壓線的電壓值高于第二電壓線的電壓值。該發(fā)射機(jī)還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在功率放大器的輸出端和SCR之間。其中，ESD檢測(cè)電路包括串聯(lián)耦合在ESD總線和第二電壓線之間的穩(wěn)壓二極管和電阻器，其中，ESD總線的電壓值高于第二電壓線的電壓值，其中，響應(yīng)于在ESD總線或第二電壓線上檢測(cè)到靜電放電，根據(jù)穩(wěn)壓二極管和電阻器之間的節(jié)點(diǎn)處的信號(hào)來(lái)觸發(fā)SCR。此外還提供了一種靜電放電(ESD)保護(hù)電路，包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至功率放大器的輸出端；ESD檢測(cè)電路，響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR ； 以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線。
其中，SCR包括第一N型半導(dǎo)體材料、第一P型半導(dǎo)體材料、第二P型半導(dǎo)體材料、 第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料的交替配置，其中，淺溝槽隔離件(STI)位于交替配置的端部以及第一 P型半導(dǎo)體材料和第二 P型半導(dǎo)體材料之間，其中，功率放大器的輸出端、ESD檢測(cè)電路和第二電壓線分別電耦合至第一 P型半導(dǎo)體材料、第二 P型半導(dǎo)體材料以及第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料。其中，第一 P型半導(dǎo)體材料和第二 P型半導(dǎo)體材料被注入到N阱中，第二 P型半導(dǎo)體材料、第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料被注入到P阱中，其中，N阱和P阱形成在P襯底中。其中，ESD總線耦合在SCR和ESD檢測(cè)電路之間。該電路還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在功率放大器的輸出端和第二電壓線之間。該電路還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在ESD總線的輸出端和第一電壓線之間。該電路還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在SCR和第二電壓線之間，其中，第一電壓線的電壓值高于第二電壓線的電壓值。該電路還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在功率放大器的輸出端和SCR之間。其中，ESD檢測(cè)電路包括串聯(lián)耦合在ESD總線和第二電壓線之間的穩(wěn)壓二極管和電阻器，其中，ESD總線的電壓值高于第二電壓線的電壓值，其中，響應(yīng)于在ESD總線或第二電壓線上檢測(cè)到靜電放電，根據(jù)穩(wěn)壓二極管和電阻器之間的節(jié)點(diǎn)處的信號(hào)來(lái)觸發(fā)SCR。此外，還提供了一種電子設(shè)備，包括功率放大器，具有接收并放大RF信號(hào)的輸入端和發(fā)射放大的RF信號(hào)的輸出端；靜電放電(ESD)保護(hù)電路，電耦合至功率放大器的輸出端，其中，ESD保護(hù)電路包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至功率放大器的輸出端，ESD檢測(cè)電路，響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR ；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線；以及天線，用于發(fā)射來(lái)自功率放大器的RF信號(hào)。其中，SCR包括第一N型半導(dǎo)體材料、第一P型半導(dǎo)體材料、第二P型半導(dǎo)體材料、 第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料的交替配置，其中，淺溝槽隔離件(STI)位于交替配置的端部以及第一 P型半導(dǎo)體材料和第二 P型半導(dǎo)體材料之間，其中，功率放大器的輸出端、ESD檢測(cè)電路和第二電壓線分別電耦合至第一 P型半導(dǎo)體材料、第二 P型半導(dǎo)體材料以及第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料。其中，第一 P型半導(dǎo)體材料和第一 N型半導(dǎo)體材料被注入到N阱中，第二 P型半導(dǎo)體材料、第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料被注入到P阱中，其中，N阱和P阱形成在P襯底中。其中，ESD總線耦合在SCR和ESD檢測(cè)電路之間。


附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例以及與本公開(kāi)相關(guān)的其他信息，其中圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的具有靜電放電保護(hù)電路的射頻發(fā)射機(jī)的框圖；圖2是示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路的框圖；圖3示出了耦合至諸如圖2所示ESD檢測(cè)電路的可控硅整流器的結(jié)構(gòu)實(shí)例；圖4是示出根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路的框圖5示出了耦合至諸如圖4所示ESD檢測(cè)電路的可控硅整流器；圖6是示出了根據(jù)本公開(kāi)又一實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路的框圖；圖7是示出了根據(jù)本公開(kāi)再一實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路的框圖；圖8是示出了根據(jù)本公開(kāi)再一實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路的框圖。
具體實(shí)施例方式與被認(rèn)為是整個(gè)說(shuō)明書(shū)一部分的附圖相關(guān)聯(lián)地讀取示例性實(shí)施例的描述。在該描述中，諸如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“之上”、“之下”、“上”、“下”、“頂部”和“底部” 的相對(duì)術(shù)語(yǔ)及其衍生術(shù)語(yǔ)(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)應(yīng)該被解釋為所描述或者在附圖中所示的定向。這些相對(duì)術(shù)語(yǔ)是為了描述的方便，并且不要求裝置在特定定向上構(gòu)造或操作。除非另有指定或者需要所描述的操作，關(guān)于電通信等的術(shù)語(yǔ)(諸如，“耦合” 和“電耦合”或“電連接”)是指節(jié)點(diǎn)通過(guò)中間結(jié)構(gòu)與另一節(jié)點(diǎn)直接或間接通信的關(guān)系。圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的具有靜電放電(ESD)保護(hù)電路120的射頻(RF)發(fā)射機(jī)100的框圖。RF發(fā)射機(jī)100可以包括RF發(fā)射機(jī)集成芯片105，其包括功率放大器115 和ESD保護(hù)電路120。功率放大器115接收諸如RF信號(hào)的輸入，并將RF信號(hào)輸出至ESD保護(hù)電路120，其將RF信號(hào)耦合至用于發(fā)射的天線110。通常，ESD保護(hù)電路120可控地將RF 發(fā)射機(jī)100所接收的靜電放電的能量轉(zhuǎn)移到遠(yuǎn)離RF發(fā)射機(jī)100的其他部件。有利地，ESD 保護(hù)電路對(duì)功率放大器115到電壓線(例如，VDD(圖2))的輸出基本上沒(méi)有信號(hào)泄露或負(fù)荷。圖2是示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路120A的框圖。 ESD保護(hù)電路120A包括電軌ESD箝位電路205、耐高壓ESD檢測(cè)電路MO、二極管210、二極管215和可控硅整流器(SCR) 225。電軌ESD箝位電路205、耐高壓ESD檢測(cè)電路M0、二極管210、二極管215和SCR 225進(jìn)一步分別耦合在Vdd 250和Vss 260之間、ESD總線230和 Vss 260之間、Vdd 250和ESD總線230之間、RF輸出220和ESD總線230之間、RF輸出220 和Vss 260之間。ESD保護(hù)電路120A檢測(cè)ESD，并將ESD能量釋放到遠(yuǎn)離例如RF發(fā)射機(jī)(圖 1)的被保護(hù)部件。二極管210沿著Vdd線串聯(lián)耦合至ESD總線230，其中，ESD總線230是 IC布線中的內(nèi)部金屬線，其可以不必連接至外部引線。二極管210可以分離Vdd250和ESD 總線230之間的電連接。在該實(shí)施例中，ESD保護(hù)電路120A包括橫跨RF輸出220 (即，功率放大器115的輸出)耦合并與二極管215串聯(lián)的可控硅整流器(SCR) 225，其中，SCR和二極管耦合至ESD 總線和Vss之間。二極管215電耦合在RF輸出220和ESD總線230之間。二極管215被偏置以將電流從RF輸出220引導(dǎo)至ESD總線230。如圖3所示SCR 225的實(shí)例包括P型和N型半導(dǎo)體材料的多層，例如，NPPNP層片狀器件(pellet)2、l、3、4、5。N+和P+半導(dǎo)體材料2、1可以被稱為SCR 225的陽(yáng)極，以及 N+和P+半導(dǎo)體材料2、1可以被稱為SCR225的陰極。通過(guò)從偏壓源向SCR 225的P+半導(dǎo)體材料3施加電流，在P+半導(dǎo)體材料1處接收的電流橫跨SCR 225引導(dǎo)至N+半導(dǎo)體材料4。這是“觸發(fā)” SCR傳導(dǎo)的機(jī)制。假設(shè)已經(jīng)觸發(fā)了 SCR 225，SCR 225縮短了正偏移期間到 Vss的ESD電流路徑，在ESD應(yīng)力期間將電壓箝位到VSS的最小值附近。此外，可以減小SCR 225的導(dǎo)通電壓，以有效地保護(hù)功率放大器115。在所有ESD應(yīng)力條件下，ESD保護(hù)電路120A提供具有良好ESD魯棒性的多個(gè)路徑。這多個(gè)路徑包括正-Vss (PQ路徑、正-Vdd(PD)路徑、負(fù)-Vss (賂)路徑和負(fù)-Vdd(ND)路徑。SCR 225由于其在ESD應(yīng)力條件下的低箝位電壓而具有非常高的ESD魯棒性。ESD檢測(cè)電路240響應(yīng)于在電壓線(Vdd或Vss)上檢測(cè)到靜電放電而觸發(fā)SCR 225。進(jìn)一步結(jié)合圖 3描述ESD保護(hù)電路120A的SCR 225。圖3示出了耦合至諸如圖2所示ESD檢測(cè)電路240的SCR 225的結(jié)構(gòu)。SCR 225 包括P和N型半導(dǎo)體材料的多層，例如分別具有參考標(biāo)號(hào)2、1、3、4、5的NPPPN層片狀器件。 在該實(shí)例中，SCR 225包括P襯底330，其具有形成在P襯底330中的N阱和P阱區(qū)域320、 325。N阱和P阱區(qū)域320、325具有注入的P+和N+區(qū)域2、1、3、4、5以及分離N阱和P阱區(qū)域320、325中的半導(dǎo)體材料2、1、3、4、5的淺溝槽隔離(STI) 305、310、315。RF輸出220電耦合至N+和P+半導(dǎo)體材料2、1。Vss電耦合至N+和P+半導(dǎo)體材料4、5。SCR 225響應(yīng)于在RF輸出220處檢測(cè)到靜電放電，通過(guò)用于正-Vss (PS)和正-Vdd (PD)的SCR路徑將電流從 RF輸出220引導(dǎo)至Vss。SCR 225可以被設(shè)計(jì)為通過(guò)響應(yīng)于被觸發(fā)的SCR 225將電流從RF 輸出220引導(dǎo)至Vss來(lái)將靜電放電轉(zhuǎn)移為遠(yuǎn)離其他電部件?？赏ㄟ^(guò)達(dá)到特定電平的靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR 225。如果檢測(cè)到負(fù)靜電放電，則SCR 225通過(guò)負(fù)-Vss(NS)和負(fù)_VDD(ND)的二極管路徑將電流從Vss引導(dǎo)到RF輸出。換句話說(shuō)，如果負(fù)電壓被施加給SCR 225 JUSCR 225中的寄生二極管可以被正向偏壓以將負(fù)電壓箝位到低電壓電平。圖4是示出根據(jù)本公開(kāi)另一實(shí)施例的用于射頻電路的ESD保護(hù)電路120B的框圖。 ESD保護(hù)電路120B的架構(gòu)類似于圖2中ESD保護(hù)電路120A的架構(gòu)。因此，類似的特征用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示，諸如功率放大器115、ESD箝位電路205、RF輸出220、SCR 225、ESD 總線230、ESD檢測(cè)電路MO、Vss和VDD。然而，ESD保護(hù)電路120B還包括將N+半導(dǎo)體材料 2連接至ESD總線230的額外線以及在RF輸出220和Vss之間與SCR 225并聯(lián)耦合的二極管405。通過(guò)將來(lái)自偏壓源的電流施加到SCR 225的P+半導(dǎo)體材料3，在P+半導(dǎo)體材料1 處接收的電流橫跨SCR 225被引導(dǎo)至N+半導(dǎo)體材料4。ESD保護(hù)電路120B可以提供與ESD 保護(hù)電路120A類似的ESD保護(hù)路徑，包括正-Vss (PS)路徑、正-Vdd (PD)路徑、負(fù)-Vss (NS)路徑和負(fù)-Vdd(ND)路徑。進(jìn)一步結(jié)合圖5描述ESD保護(hù)電路120B的SCR 225。圖5示出了耦合至如圖4所示ESD檢測(cè)電路MO的SCR 225的結(jié)構(gòu)。ESD保護(hù)電路120B的SCR 225的結(jié)構(gòu)類似于ESD保護(hù)電路120A的SCR225的結(jié)構(gòu)。因此，類似的特征用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示，諸如ESD箝位電路205、RF輸出220、ESD總線230、ESD檢測(cè)電路 240、Vss, VDD, NPPPN 層片狀器件 2、1、3、4、5、淺溝槽隔離(STI) 305、310、315、N 阱和 P 阱區(qū)域320、325以及P襯底330。然而，ESD保護(hù)電路120B還包括耦合在RF輸出220和Vss 之間的二極管405。SCR 225響應(yīng)于在RF輸出220處檢測(cè)到靜電放電通過(guò)正-Vss(PS)和正-Vdd(PD)的SCR路徑將電流從RF輸出220引導(dǎo)至Vss。SCR 225可以被設(shè)計(jì)為使得處于特定電平的靜電放電可以觸發(fā)SCR225，使得電流從RF輸出220引導(dǎo)至P+半導(dǎo)體材料1、N+半導(dǎo)體材料4和Vss，轉(zhuǎn)移靜電放電遠(yuǎn)離其他電部件。如果檢測(cè)到負(fù)靜電放電，則二極管405將電流從Vss引導(dǎo)到RF輸出220，該二極管405在充足電壓(例如，+0. 7V)穿過(guò)RF輸出220施加到P+半導(dǎo)體材料1、N+半導(dǎo)體材料2，并經(jīng)由二極管路徑施加到ESD總線230時(shí)被觸發(fā)。ESD檢測(cè)電路240基于檢測(cè)到的正靜電放電觸發(fā)SCR 225。響應(yīng)于接收到來(lái)自ESD檢測(cè)電路MO的觸發(fā)信號(hào)，SCR 225通過(guò)正-Vss (PS) 和正-Vdd(PD)路徑的SCR路徑將電流從RF輸出220引導(dǎo)至P+半導(dǎo)體材料1、N+半導(dǎo)體材料4和Vss。圖6和圖7是示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的附加實(shí)例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路120C、120D的框圖。ESD保護(hù)電路120C、120D的架構(gòu)類似于ESD保護(hù)電路120B的結(jié)構(gòu)。 因此，類似的特征用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示，諸如功率放大器115、ESD箝位電路205、RF輸出220、SCR 225、ESD總線230、ESD檢測(cè)電路240、Vss, Vdd和二極管405。圖6中的ESD保護(hù)電路120C進(jìn)一步包括耦合在SCR 225和Vss之間的二極管605。二極管605在一個(gè)方向上將電流從SCR 225引導(dǎo)至Vss。然而，圖7中的ESD保護(hù)電路120D進(jìn)一步包括耦合在RF 輸出220和SCR 225之間的二極管705。二極管705在一個(gè)方向上將電流從RF輸出220引導(dǎo)至 SCR 225。圖8是示出根據(jù)本公開(kāi)又一實(shí)施例的用于射頻電路的靜電放電保護(hù)電路120E的實(shí)例的框圖。ESD保護(hù)電路120E的架構(gòu)類似于圖2中的ESD保護(hù)電路120A的架構(gòu)。因此， 類似的特征用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示，諸如功率放大器115、ESD箝位電路205、RF輸出220、 SCR 225、二極管215、ESD總線230、Vss和VDD。然而，ESD保護(hù)電路120E進(jìn)一步包括串聯(lián)耦合在ESD總線230和Vss之間的穩(wěn)壓(zener) 二極管805和電阻器810。穩(wěn)壓二極管805不僅如普通二極管在向前方向上允許電流通過(guò)，而且當(dāng)反向偏壓電壓超過(guò)特定擊穿電壓時(shí)在反向方向上也允許電流通過(guò)。與穩(wěn)壓二極管805串聯(lián)的電阻器810根據(jù)歐姆定律產(chǎn)生與通過(guò)電阻器810的電流成比例的壓降。因此，當(dāng)穩(wěn)壓二極管以超過(guò)其擊穿電壓的電壓動(dòng)作時(shí)， 電阻器810兩端的電壓被施加至SCR 225的觸發(fā)器輸入。這兩種器件都可以集成在IC中。 以這種方式，穩(wěn)壓二極管805感測(cè)過(guò)電壓，并且通過(guò)穩(wěn)壓二極管805的電流提供輸入電壓以觸發(fā) SCR 225。如本文所描述的，ESD保護(hù)電路120A至120E包括SCR 225，電耦合至功率放大器 115的輸出；ESD檢測(cè)電路M0，響應(yīng)于檢測(cè)到在Vdd和/或Vss上視為電壓尖峰的靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR 225 ；以及ESD箝位電路205，耦合至Vdd和/或Vss。SCR 225用于使ESD電流路徑短路或分流，以及降低ESD應(yīng)力期間的箝位電壓。此外，可以減小SCR 225的導(dǎo)通電壓， 以通過(guò)將輸出220箝位到低于Vss的有限電壓差的SCR 225和將輸出220箝位到大于Vdd的有限電壓二極管215來(lái)有效地保護(hù)功率放大器115。具有SCR225的ESD保護(hù)電路120A至 120E提高了 RF發(fā)射機(jī)100的ESD魯棒性，并且可以容易地用于保護(hù)RF發(fā)射機(jī)110免受靜電放電脈沖的影響。為了說(shuō)明和描述的目的呈現(xiàn)了該說(shuō)明書(shū)。其并不用于將本公開(kāi)限制為所公開(kāi)的具體形式。根據(jù)上述教導(dǎo)可以進(jìn)行明顯的修改或變化。然而，選擇所討論的實(shí)施例是為了示出本公開(kāi)的原理及其實(shí)際應(yīng)用。因此，本公開(kāi)是為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在各個(gè)實(shí)施例和各個(gè)修改中使用本公開(kāi)來(lái)適合于預(yù)期的特定使用。所有這些修改和變化都在通過(guò)所附權(quán)利要求確定的本公開(kāi)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種射頻(RF)發(fā)射機(jī)，包括功率放大器，具有接收RF信號(hào)的輸入端和將放大的RF信號(hào)發(fā)射至天線的輸出端；以及靜電放電(ESD)保護(hù)電路，電耦合至所述功率放大器的所述輸出端，其中，所述ESD保護(hù)電路包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至所述功率放大器的所述輸出端，所述ESD保護(hù)電路響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)所述SCR ；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF發(fā)射機(jī)，其中，所述SCR包括第一 N型半導(dǎo)體材料、第一 ρ型半導(dǎo)體材料、第二 P型半導(dǎo)體材料、第二 N型半導(dǎo)體材料和第三P型半導(dǎo)體材料的交替配置，其中，淺溝槽隔離件(STI)位于所述交替配置的端部以及所述第一 P型半導(dǎo)體材料和所述第二 P型半導(dǎo)體材料之間，其中，所述功率放大器的所述輸出端、ESD檢測(cè)電路和第二電壓線分別電耦合至所述第一 P型半導(dǎo)體材料、所述第二 P 型半導(dǎo)體材料以及所述第二 N型半導(dǎo)體材料和所述第三P型半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF發(fā)射機(jī)，其中，所述第一P型半導(dǎo)體材料和所述第一 N型半導(dǎo)體材料被注入到N阱中，所述第二 P型半導(dǎo)體材料、所述第二 N型半導(dǎo)體材料和所述第三P型半導(dǎo)體材料被注入到P阱中，其中，所述N阱和所述P阱形成在P襯底中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RF發(fā)射機(jī)，其中，所述ESD總線耦合在所述SCR和所述ESD 檢測(cè)電路之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RF發(fā)射機(jī)，其中，所述ESD總線電耦合在所述SCR的所述第一 N型半導(dǎo)體材料和所述ESD檢測(cè)電路之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RF發(fā)射機(jī)，還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在所述功率放大器的所述輸出端和所述ESD總線之間，
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RF發(fā)射機(jī)，還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在所述ESD總線和所述第一電壓線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的RF發(fā)射機(jī)，還包括至少一個(gè)ESD部件，電耦合在所述SCR和所述第二電壓線之間，其中，所述第一電壓線的電壓值高于所述第二電壓線的電壓值。
9.一種靜電放電(ESD)保護(hù)電路，包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至功率放大器的輸出端；ESD檢測(cè)電路，響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)所述SCR ；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線。
10.一種電子設(shè)備，包括功率放大器，具有接收并放大RF信號(hào)的輸入端和發(fā)射放大的RF信號(hào)的輸出端； 靜電放電(ESD)保護(hù)電路，電耦合至所述功率放大器的所述輸出端，其中，所述ESD保護(hù)電路包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至所述功率放大器的所述輸出端，ESD檢測(cè)電路，響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)所述SCR ；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線；以及天線，用于發(fā)射來(lái)自所述功率放大器的RF信號(hào)。
全文摘要
一種用于射頻發(fā)射機(jī)的靜電放電電路，包括可控硅整流器(SCR)，電耦合至功率放大器的輸出；ESD檢測(cè)電路，響應(yīng)于在ESD總線上檢測(cè)到靜電放電來(lái)觸發(fā)SCR；以及ESD箝位電路，耦合至第一電壓線。
文檔編號(hào)H02H9/04GK102545922SQ20111045709
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者宋明相, 林群佑, 柯明道, 洪彬舫, 竹立煒, 蔡銘憲 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司