專利名稱：電子裝置、功率饋送方法和功率饋送系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及可以以例如非接觸方式提供電功率的電子裝置、功率饋送方法和功率饋送系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，通過利用電磁感應(yīng)、磁共振等，用于以非接觸方式向消費(fèi)電子(CE)設(shè)備 (如移動(dòng)電話或便攜式音樂播放器)提供電功率的功率饋送裝置(諸如非接觸功率饋送裝置或無線功率饋送裝置)已經(jīng)受到關(guān)注。作為結(jié)果，不通過將電源設(shè)備的連接器(如AC(交流電)適配器)插入(連接)到裝置來開始充電，而是可以通過將裝置放置在盤型功率饋送裝置(充電盤)上來開始充電。也就是說，CE設(shè)備和功率饋送裝置之間的端子連接變得不必需。在功率饋送裝置中，由于如上所述通過將CE設(shè)備放置在充電盤上開始充電，所以可能減輕強(qiáng)加于用戶的負(fù)擔(dān)。然而，另一方面，功率饋送裝置涉及一種缺點(diǎn)，即除了作為充電對象的設(shè)備外的物體(例如，諸如十元硬幣(異物金屬)的異物)很容易放置在充電盤上。當(dāng)這樣的異物金屬放置在充電盤上時(shí)，存在異物金屬被加熱的可能性。特別地，當(dāng)異物金屬楔入充電盤和CE設(shè)備之間時(shí)，該情況下的溫度變得高于僅放置異物金屬情況下的溫度。隨后，直到此時(shí)，為了采取措施使得當(dāng)存在這樣的異物金屬時(shí)停止充電的目的等， 已經(jīng)提出各種用于檢測充電盤上的異物金屬的技術(shù)。例如，已經(jīng)提出一種技術(shù)，其用于檢測放置在充電盤的上的物體的溫度，并且當(dāng)確定異常的溫度上升時(shí)判斷該物體是異物。該技術(shù)例如描述在日本專利公開No. 2008-172874(以下稱為專利文獻(xiàn)1)中。此外，還已經(jīng)提出一種技術(shù)，其用于充電負(fù)載以便遵照預(yù)定的方式，由此檢測過載。該技術(shù)例如描述在日本專利公開No. 2002-34169(以下稱為專利文獻(xiàn)2)中。

發(fā)明內(nèi)容
然而，采用專利文獻(xiàn)1中描述的技術(shù)，基于異常的溫度上升判斷放置在充電盤上的物體是異物。因此，其不可以防止異物的溫度上升，由此該技術(shù)不成為最終的解決方案。 此外，采用專利文獻(xiàn)2中描述的技術(shù)，難以精確地判斷負(fù)載中的變化是由于CE設(shè)備還是由于異物金屬的影響。盡管到目前為止已經(jīng)提出各種技術(shù)作為用于以這樣的方式檢測異物的技術(shù)，但是希望實(shí)現(xiàn)完全不同于任何現(xiàn)有技術(shù)的新的異物檢測設(shè)備。為了解決上述問題已經(jīng)描述了本公開，并且因此期望提供可以精確檢測異物的電子裝置、功率饋送方法和功率饋送系統(tǒng)，由此防止當(dāng)通過使用磁場執(zhí)行功率饋送時(shí)反常的異物的加熱。為了達(dá)到上述希望，根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括電功率接收部分，通過使用磁場接收來自功率饋送裝置的電功率；以及檢測部分，檢測所述功率饋送裝置和所述檢測部分之間的異物的存在或不存在。
應(yīng)當(dāng)注意，在本公開和該說明書中，術(shù)語“異物”的含義是不同于功率饋送裝置和電子裝置的每個(gè)的物體，如金屬的物體。根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供一種功率饋送方法，包括當(dāng)從功率饋送裝置向電子裝置傳輸電功率時(shí)，在所述電子裝置中檢測所述功率饋送裝置和所述電子裝置之間的異物的存在或不存在。根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供一種功率饋送系統(tǒng)，包括電子裝置；以及功率饋送裝置，向所述電子裝置饋送電功率。所述電子裝置包括電功率接收部分，通過使用磁場接收來自所述功率饋送裝置的電功率；以及檢測部分，檢測所述功率饋送裝置和所述檢測部分之間的異物的存在或不存在。在本公開的實(shí)施例中，在電子裝置中檢測功率饋送裝置和電子裝置之間的異物的存在或不存在，這導(dǎo)致當(dāng)異物存在時(shí)，例如可能采取措施停止或減少對電子裝置的電功率的饋送。如上文所述，根據(jù)本公開的實(shí)施例，當(dāng)通過使用磁場從功率饋送裝置饋送電功率時(shí)，在電子裝置中檢測功率饋送裝置和電子裝置之間是否存在異物。作為結(jié)果，當(dāng)存在異物時(shí)，例如可能采取措施停止或減少對電子裝置的電功率的饋送。因此，當(dāng)通過使用磁場執(zhí)行功率饋送時(shí)，可以精確地檢測異物，因此可以防止異物的反常加熱。


圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的功率饋送系統(tǒng)中充電盤和移動(dòng)電話的示意架構(gòu)的透視圖；圖2是圖1所示移動(dòng)電話的俯視平面圖；圖3是圖1所示移動(dòng)電話的橫截面圖；圖4是圖1所示充電盤和移動(dòng)電話二者的功能框圖；圖5A和5B分別是說明用于在充電盤的上表面上部署物體的狀態(tài)下檢測異物金屬的操作的原理圖，以及說明用于根據(jù)參數(shù)的變化量和閾值之間的關(guān)系檢測異物金屬的操作的原理圖；圖6是比較示例的電極模式的俯視平面圖；圖7A和7B分別是說明用于在充電盤的上表面上部署物體的狀態(tài)下檢測修改示例 1的異物金屬的操作的原理圖，以及說明用于根據(jù)參數(shù)的變化量和閾值之間的關(guān)系檢測修改示例1的異物金屬操作的原理圖，并且包括在盤的上表面上(電極上)形成薄膜的情況；圖8A和8B分別是修改示例2的檢測電路的電路圖以及代替使用圖8A所示的檢測電路使用的振蕩電路的電路圖；圖9A和9B分別是表示AC電源的頻率和阻抗之間的關(guān)系的示例的特性圖、以及表示AC電源的頻率和來自振蕩電路的輸出電壓之間的關(guān)系(振蕩特性)的示例的特性圖；圖10是示出修改示例3的電極模式的示例的俯視平面圖；圖11是示出修改示例3的電極模式的另一示例的俯視平面圖；圖12是示出修改示例4的電極模式的俯視平面圖；圖13是示出修改示例5的電極模式的示例的俯視平面圖；圖14是示出修改示例6的電極模式的示例的俯視平面圖。
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例。注意，將根據(jù)以下順序給出描述1.實(shí)施例(其中點(diǎn)狀正和負(fù)電極交替、離散布置的充電盤的情況)2.修改示例1 (使用兩個(gè)閾值的異物檢測操作的情況)3.修改示例2(使用振蕩電路的異物檢測操作的情況)4.修改示例3 (線狀正和負(fù)電極交替、離散布置的情況)5.修改示例4 (格狀正和負(fù)電極交替、離散布置的情況)6.修改示例5 (布置梳齒狀正和負(fù)電極以便相互嚙合的情況)7.修改示例6 (環(huán)形正和負(fù)電極交替、同心布置的情況)<實(shí)施例>[整體架構(gòu)]圖1示出根據(jù)本公開實(shí)施例的功率饋送系統(tǒng)的示意架構(gòu)。功率饋送系統(tǒng)包括充電盤1 (功率饋送裝置)和移動(dòng)電話2 (電子裝置)。功率饋送系統(tǒng)是所謂非接觸型功率饋送系統(tǒng)，其中移動(dòng)電話2放置在(或接近)充電盤1的上表面，從而用電力為移動(dòng)電話2充電。 注意，由于本公開中的功率饋送方法通過充電盤1和移動(dòng)電話2中的功率饋送操作具體化， 所以這里省略描述。充電盤1包括初級線圈10和電路部分11。在該情況下，通過使用磁場通過初級線圈10饋送電功率。并且，電路部分11控制初級線圈10的驅(qū)動(dòng)。例如，充電盤1提供有通過其充電盤1連接到AC電源的電源插頭13。初級線圈10可以提供在充電盤1的底盤內(nèi)部，或可以布置在要用樹脂涂覆的充電盤1的表面上。例如，通過電路部分11和電源插頭13 二者從AC電源向初級線圈10的兩端提供給電壓。作為結(jié)果，在充電盤1的表面的附近，在充電盤1的表面內(nèi)向中心輻射電磁波(產(chǎn)生磁場)。移動(dòng)電話2包括底座22內(nèi)的次級線圈20和電路部分21。在該情況下，次級線圈 20與充電盤1中的初級線圈10配對。并且，電路部分21控制次級線圈20的驅(qū)動(dòng)，并包括將隨后描述的檢測電路21A。例如，移動(dòng)電話2提供有警報(bào)燈(未示出)。通過點(diǎn)亮警報(bào)燈， 可能對用戶做出(提供)充電盤1和移動(dòng)電話2之間楔入異物的通知。通過初級線圈10 和次級線圈20中的電磁感應(yīng)(或磁共振)從充電盤1側(cè)向移動(dòng)電話2側(cè)提供電功率。這樣的移動(dòng)電話2提供有用于檢測異物的電極模式(以下將詳細(xì)描述)。(移動(dòng)電話2的詳細(xì)結(jié)構(gòu))圖2示出移動(dòng)電話2的平面結(jié)構(gòu)，以及圖3是在圖2的線I-I取得的橫截面圖。 例如，移動(dòng)電話2以這樣的方式構(gòu)造，使得磁材料層16和天線模式層15以這樣的方式按順序?qū)盈B在電路基板17上。天線模式層15、磁材料層16和電路基板17對應(yīng)于本公開中“功率接收部分”的具體示例。天線模式層15優(yōu)選布置在靠近移動(dòng)電話2的表面的一側(cè)，并且包括次級線圈20。次級線圈20按預(yù)定的匝數(shù)的繞制。在該情況下，次級線圈20沿移動(dòng)電話20的一個(gè)表面成型成螺旋形，并且埋入天線模式層15中的樹脂層15a (包入樹脂層15a 中)。次級線圈20的表面可以從樹脂層1 暴露，或者可以用樹脂層1 覆蓋。此外，次級線圈20還可以提供在基板(未示出)上。僅必需使用不在磁力線上施加影響的材料作為基板中使用的材料或樹脂層15a。此外，盡管未圖示，但是充電盤1例如具有這樣的架構(gòu)，其中磁材料層和樹脂層二者提供在電路基板上，并且初級線圈10埋入樹脂層。磁材料層16具有確保天線模式層15和電路基板17之間的磁隔離的功能。例如， 磁材料層16由諸如鐵(Fe)系金屬或鐵氧體的具有高相對磁導(dǎo)率的材料制成。特別地，磁材料層16優(yōu)選由非磁飽和(難以磁飽和)材料制成。例如，電路基板17是集成電路(IC)基板，并具有包括檢測電路21A的電路部分 21。電路部分21和充電盤1中的電路部分11的詳細(xì)配置將隨后描述。用于檢測異物金屬X的存在或不存在的電極模式如上所述形成在移動(dòng)電話2中。 具體地，在實(shí)施例中，多個(gè)正電極14A和多個(gè)負(fù)電極14B(多組正電極14A和負(fù)電極14B)沿行方向和列方向規(guī)律地離散布置。多個(gè)正電極14A和多個(gè)負(fù)電極14B交替布置(以便在行方向和列方向不彼此相鄰)。當(dāng)從與移動(dòng)電話2的表面平行的表面(底盤22的表面)觀察時(shí)，正電極14A和負(fù)電極14B的每個(gè)具有點(diǎn)狀形狀。并且，以預(yù)定間距P提供正電極14A和負(fù)電極14B。例如， 預(yù)定間距P在約5到約20mm的范圍內(nèi)。另一方面，當(dāng)從垂直于移動(dòng)電話2的上表面的橫截面觀察時(shí)，例如，提供正電極 14A和負(fù)電極14B，以便穿透至少部分天線模式層15和要暴露于天線模式層15的表面?zhèn)鹊拇挪牧蠈?6。也就是說，正電極14A和負(fù)電極14B的每個(gè)的外部形狀是具有預(yù)定高度H的棒狀形狀(針狀形狀)。此外，正電極14A和負(fù)電極14B優(yōu)選也從移動(dòng)電話2的表面(底盤 22的表面)暴露。從預(yù)定電壓提供部分130(如將隨后描述的電池215)向正電極14A和負(fù)電極14B的每個(gè)提供電壓。(電路配置)圖4是充電盤1和移動(dòng)電話2的主要組成元件的功能框圖。充電盤1的電路部分 11包括控制電路110、解調(diào)/調(diào)制電路112、放大電路113和振蕩器(OSC) 114?？刂齐娐?10控制上述解調(diào)/調(diào)制電路112、放大電路113、OSC 114和報(bào)警燈12 的驅(qū)動(dòng)，并且例如由微計(jì)算機(jī)組成。控制電路Iio還提供從AC電源130提供到初級線圈10 的AC電功率。這樣的控制電路110例如執(zhí)行控制開始(繼續(xù))充電；以及在充電期間停止充電或減少提供的電功率(功率)。注意，控制電路110和隨后將描述的移動(dòng)電話2側(cè)的控制電路210可以保持其中用于當(dāng)初級線圈10和次級線圈20相互靠近時(shí)，認(rèn)證(識別) 初級線圈10和次級線圈20的識別(ID)信息。另一方面，移動(dòng)電話2的電路部分21包括控制電路210、檢測電路21A、解調(diào)/調(diào)制電路211、整流電路212和調(diào)節(jié)器電路213。整流電路212將從充電盤1側(cè)接收的AC電功率轉(zhuǎn)換為DC(直流)電功率。調(diào)整器電路213將從整流電路212對其輸出的DC電功率轉(zhuǎn)換為作為預(yù)定電壓的DC電壓，從而防止對電池215過充電。例如，從電路部分21取得的電功率通過充電電路214提供給作為次級電池的電池215?？刂齐娐?10控制檢測電路21A、解調(diào)/調(diào)制電路211、整流電路212和調(diào)節(jié)器電路213的驅(qū)動(dòng)，并且例如由微計(jì)算機(jī)組成?？刂齐娐?10還根據(jù)通過檢測電路21A獲得的檢測結(jié)果執(zhí)行預(yù)定控制。具體地，當(dāng)檢測結(jié)果表明“存在異物金屬”時(shí)，控制電路210通過使用某種警報(bào)部分(例如，通過點(diǎn)亮上述警報(bào)燈)，執(zhí)行用于向用戶提供警報(bào)的控制。注意，當(dāng)檢測結(jié)果表明“存在異物金屬”時(shí)，控制部分210可以以這樣的方式執(zhí)行控制，使得不僅如上所述在移動(dòng)電話2向用戶提供警報(bào)，而且(通過利用某種信息發(fā)送部分)自動(dòng)停止在充電盤1中執(zhí)行的電功率的提供，或者自動(dòng)減少提供的電功率。此外，充電盤1還可以提供有用于如上所述警報(bào)提供的燈。檢測電路21A是用于檢測移動(dòng)電話2和充電盤1之間楔入異物金屬的存在或不存在的電路。檢測電路21A根據(jù)跨越正電極14A和負(fù)電極14B形成的阻抗、電流和電壓中的至少一個(gè)參數(shù)(電特性)檢測是否存在異物金屬，這些參數(shù)通過跨越電極對14 (electric pair，正電極14A和負(fù)電極14B)施加電壓獲得。具體地，盡管隨后將描述細(xì)節(jié)，但是檢測電路21在其中保持關(guān)于上述三個(gè)參數(shù)中的至少一個(gè)的變化量的閾值，并且通過比較基于上述施加的電壓獲得的參數(shù)的變化量與閾值(即，根據(jù)量值關(guān)系)，檢測他們之間異物的存在或不存在。注意，檢測電路21A對應(yīng)于本公開中“檢測部分”的具體示例。[操作](非接觸功率饋送操作)在實(shí)施例中，在充電盤1中，例如控制電路110通過電路部分11 (包括控制電路 110、解調(diào)/調(diào)制電路112、放大電路113和OSC 114)向初級線圈10施加AC電壓。作為結(jié)果，從初級線圈10向充電盤1的上側(cè)輻射電磁波(產(chǎn)生磁場)。此時(shí)，當(dāng)作為功率饋送對象的移動(dòng)電話2放置在(或接近)充電盤1的上表面，充電盤1中的提供的初級線圈10和移動(dòng)電話2中提供的次級線圈20在充電盤1的上表面的附近相互靠近。注意，在該情況下的電磁波輻射可以在穩(wěn)定的基礎(chǔ)上執(zhí)行，或者可以沿時(shí)間軸間歇地(斷續(xù)地)執(zhí)行。當(dāng)次級線圈20靠近初級線圈10布置時(shí)，初級線圈10中正在以這樣的方式產(chǎn)生磁場，在次級線圈20中產(chǎn)生電動(dòng)勢，以便通過正在初級線圈10中產(chǎn)生的磁通量被感應(yīng)。換句話說，產(chǎn)生磁力線，以便通過電磁感應(yīng)(或者磁共振，根據(jù)情況)與初級線圈10和次級線圈 20 二者相互連結(jié)。作為結(jié)果，電功率從初級線圈10側(cè)饋送到次級線圈20側(cè)。在移動(dòng)電話 2中，由次級線圈20接收的AC電功率通過電路部分21 (包括控制電路210、解調(diào)/調(diào)制電路211、整流電路212和調(diào)整器電路213)轉(zhuǎn)換為預(yù)定DC電功率。得到的DC電功率從充電電路214提供到電池215。移動(dòng)電話2以這樣的方式用電力充電。也就是說，在實(shí)施例中，在移動(dòng)電話2的充電期間，例如，不需要將端子連接到AC 適配器等。因此，通過將移動(dòng)電話2放置在充電盤1的上表面上(通過使移動(dòng)電話2靠近充電盤1的上表面)，可能容易地開始充電(執(zhí)行非接觸功率饋送)。這導(dǎo)致減輕由用戶強(qiáng)加在充電工作上的負(fù)擔(dān)。此外，盡管在此未圖示，多個(gè)如同移動(dòng)電話2的CE設(shè)備(電子裝置)可以放置在充電盤1的上表面上。作為結(jié)果，多個(gè)CE設(shè)備可以集體地用電力充電。換句話說，功率饋送系統(tǒng)還可以由充電盤1和多個(gè)電子裝置組成。注意，在充電盤1的控制電路110和移動(dòng)電話2的控制電路210其中保持各自條的識別(ID)信息的情況下，該信息用于當(dāng)初級線圈10和次級線圈20相互靠近時(shí)認(rèn)證(識別)初級線圈10和次級線圈20，兩條ID信息可以相互交換。并且，當(dāng)通過兩條ID信息的交換可以適當(dāng)?shù)卣J(rèn)證初級線圈10和次級線圈20時(shí)，控制電路110可以開始(繼續(xù))用電力為移動(dòng)電話2充電。(異物金屬的檢測)現(xiàn)在，在如上所述用于通過利用電磁感應(yīng)(即通過使用磁場)饋送電功率的功率饋送系統(tǒng)中，當(dāng)諸如硬幣的異物(異物金屬)放置在充電盤1(初級線圈10)中正在產(chǎn)生的磁場內(nèi)時(shí)，存在產(chǎn)生渦流電流的可能性，由此加熱異物金屬。特別地，當(dāng)這樣的異物金屬楔入充電盤1和移動(dòng)電話2之間時(shí)，異物金屬容易進(jìn)一步加熱。隨后，在實(shí)施例中，在移動(dòng)電話2中，電路部分21 (具體地，控制電路210和檢測電路21A)檢測這樣的異物金屬的存在或不存在，并且根據(jù)檢測結(jié)果執(zhí)行如上所述諸如警報(bào)、 充電停止和減少提供的電功率的處理操作。具體地，檢測電路21A跨越正電極14A和負(fù)電極14B施加電壓，根據(jù)控制電路210進(jìn)行的控制在移動(dòng)電話2中形成正電極14A和負(fù)電極 14B的模式，并且測量正電極14A和負(fù)電極14B之間的預(yù)定參數(shù)。關(guān)于參數(shù)，如上所述，可以使用阻抗、電流和電壓中的至少一個(gè)。并且，檢測電路21A根據(jù)參數(shù)的變化量執(zhí)行上述檢測。例如，檢測電路21A具有例如用于關(guān)于上述參數(shù)的變化量檢測異物金屬的預(yù)定閾值A(chǔ)l (第一閾值)，并且通過使用閾值A(chǔ)l檢測異物金屬的存在或不存在。具體地，檢測電路 21A根據(jù)參數(shù)的變化量和閾值A(chǔ)l之間的量值關(guān)系，檢測異物金屬的存在或不存在。這里，參考圖5A和5B描述用于檢測異物的操作的示例。注意，在該情況下充電盤 1的上表面設(shè)置為表面S，并且充電盤1的表面S上沒有放置物體的狀態(tài)設(shè)置為開路狀態(tài)。 此外，以開路狀態(tài)作為基準(zhǔn)執(zhí)行關(guān)于上述參數(shù)變化量的測量和閾值A(chǔ)l的設(shè)置。盡管通過舉例說明阻抗、電流和電壓描述參數(shù)，但是這也應(yīng)用于使用電壓或電流的情況。此外，還可以通過多重使用這些參數(shù)執(zhí)行判斷。僅通過使用各種測量儀器執(zhí)行關(guān)于這些參數(shù)的測量是必需的，測量儀器諸如在正電極14A和負(fù)電極14B之間連接的配線電路中提供的電流計(jì)和電壓計(jì)二者，并且從各種測量儀器獲得的測量結(jié)果輸出到檢測電路21A。并且，僅檢測電路 21A基于測量數(shù)據(jù)計(jì)算預(yù)定參數(shù)的變化量，并且比較由此計(jì)算的變化量和之前設(shè)置的閾值 Al (進(jìn)行關(guān)于量值關(guān)系的比較)是必需的。如圖5A所示，在開路狀態(tài)下，阻抗Z近似等于⑴(無窮)(在該情況下設(shè)置Z = Z0)，并且電容C(阻抗Z的電容量分量的值)近似等于0 (零)(非常小的值)。然而，當(dāng)異物金屬X放置在表面S上(楔入表面S和移動(dòng)電話2之間)時(shí)，布置異物金屬X以便在該情況下跨越某一正電極14A和某一負(fù)電極14B。由于該原因，在每個(gè)面向異物金屬X的正電極14A和負(fù)電極14B之間產(chǎn)生電短路(短路)(在跨越正電極14A和負(fù)電極14B施加的電壓是DC電壓的情況下)，或者電容性耦合(在施加的電壓是AC電壓的情況下)。作為結(jié)果，正電極14A和負(fù)電極14B之間的阻擋Z下降到Zl (電容量C增加到Cl)。因此，檢測電路21A比較此時(shí)阻抗Z的變化量Bl和上述閾值A(chǔ)l，并且當(dāng)阻抗Z的變化量Bl等于或大于閾值A(chǔ)l時(shí)，判斷“出現(xiàn)異物金屬”。另一方面，另外在移動(dòng)電話2放置在充電盤1的表面S上的情況下(另外在充電盤1的表面S和移動(dòng)電話2之間不存在異物金屬的情況下)，由于包括線圈和電路基板二者的金屬層2A(金屬構(gòu)件)存在于移動(dòng)電話2中，所以類似于上述異物金屬X的情況，在阻抗 Z或電容量C中產(chǎn)生某一變化。然而，如圖5A和5B所示，該情況的變化量(阻抗Z或電容量C的變化量B2)變得遠(yuǎn)小于異物金屬X中的變化量Bl (Z0 > Z2 > > Zl)。其原因是因?yàn)榻饘賹?A提供在諸如移動(dòng)電話2的CE設(shè)備中的由樹脂等制成的底盤22的內(nèi)部，因此至少離表面S底盤22的厚度dl布置CE設(shè)備。因此，容易設(shè)置用于區(qū)分當(dāng)充電盤1和移動(dòng)電話2之間存在異物金屬X時(shí)的變化量Bi，以及當(dāng)充電盤1和移動(dòng)電話2相互之間不存在異物金屬X時(shí)的變化量B2的閾值A(chǔ)l。因此，通過使用閾值A(chǔ)l，可以精確地挑選出異物金屬X 和作為功率饋送對象的移動(dòng)電話2(難以引起誤判斷)。
以這樣的方式，在實(shí)施例中，檢測電路21A跨越形成為預(yù)定模式的正電極14A和負(fù)電極14B施加電壓。并且，檢測電路21A根據(jù)通過電壓的施加引起的諸如阻抗、電流或電壓的參數(shù)的變化量，檢測異物金屬X的存在或不存在。并且，當(dāng)檢測到存在異物時(shí)，控制電路 210通過使用某種警報(bào)部分(例如，通過點(diǎn)亮上述警報(bào)燈)，立刻執(zhí)行用于向用戶提供警報(bào)的控制。作為結(jié)果，例如已經(jīng)收到警報(bào)的用戶可以采取某種措施將移動(dòng)電話2從充電盤1 的表面S取走，由此停止充電；并且移除異物金屬X。注意，當(dāng)存在異物金屬X時(shí)，可以以這樣的方式執(zhí)行控制，使得不僅如上所述從移動(dòng)電話2向用戶提供警報(bào)，而且(通過利用某種命令發(fā)送部分)對充電盤1中的初級線圈10的電功率的饋送自動(dòng)停止，或者提供的電功率自動(dòng)減少。此外，充電盤1可以提供有用于提供如上所述警報(bào)的燈。(通過電極模式的操作)現(xiàn)在，在實(shí)施例中，通過利用如上所述移動(dòng)電話2中形成的(正電極14A和負(fù)電極 14B之間的)電模式中電短路或電容性耦合(以下為了簡短稱為“電短路等”)的產(chǎn)生，檢測異物金屬X。這里，以下將描述基于電極模式的形狀的具體操作。圖6示意地示出根據(jù)針對實(shí)施例的比較示例的電極模式的平面形狀。在比較示例中，多個(gè)正電極100A和多個(gè)負(fù)電極100B按照電極模式相互分隔地交替布置。在該情況下，每個(gè)正電極100A和負(fù)電極100B 形成為所謂具有平面形狀的立體電極。布置這樣的多組正電極100A和負(fù)電極100B，這導(dǎo)致如上所述通過利用由于異物金屬X的存在產(chǎn)生的電短路等的異物檢測變得可能。另一方面，在實(shí)施例中，如上所述，正電極14A和負(fù)電極14B每個(gè)在與移動(dòng)電話2 的表面平行的平面內(nèi)具有點(diǎn)狀形狀，并且相互離散地布置。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例中比上述比較示例更難以產(chǎn)生渦流電流。因此，天線模式層15中產(chǎn)生的磁力線(磁通量) 可以在與初級線圈10和次級線圈20相互連結(jié)的方向形成。此外，正電極14A和負(fù)電極14B每個(gè)具有在平面方面的點(diǎn)狀形狀，但是正電極14A 和負(fù)電極14B每個(gè)當(dāng)在橫截面方面觀察時(shí)具有針狀形狀。也就是說，正電極14A和負(fù)電極 14B穿透天線模式層15和磁材料層16 二者。磁材料層16的提供使得可能防止天線模式層 15的次級線圈20中產(chǎn)生的磁力線傳輸?shù)诫娐坊?7的較低表面?zhèn)龋纱朔乐闺娐坊?7 變熱。如上所述，在實(shí)施例中，移動(dòng)電話2提供有用于檢測異物金屬X的檢測電路21A， 這導(dǎo)致當(dāng)檢測到存在異物時(shí)，可能采取措施警告檢測到存在異物的效果；并且停止或減少電子裝置的充電。例如，正電極14A和負(fù)電極14B在移動(dòng)電話2表面?zhèn)壬喜贾脼轭A(yù)定模式，并且跨越正電極14A和負(fù)電極14B施加電壓。作為結(jié)果，當(dāng)在橫跨正電極14A和負(fù)電極 14B的區(qū)域中存在異物金屬X時(shí)，在這些電極14A和14B之間產(chǎn)生電短路等，由此諸如阻抗的參數(shù)變化。因此，檢測電路21A可以通過比較這樣的參數(shù)的變化量與用于檢測異物金屬的預(yù)定閾值A(chǔ)l，檢測異物金屬的存在或不存在(在充電盤1和移動(dòng)電話2之間是否楔入異物金屬X)。此外，參數(shù)的變化量充分地大于當(dāng)沒有異物金屬X楔入充電盤1和移動(dòng)電話2 之間時(shí)的變化量。因此，通過使用閾值A(chǔ)l可以容易地挑選出異物金屬X和移動(dòng)電話2。并且，檢測到異物金屬X時(shí)，立刻采取諸如警告的措施，由此使得執(zhí)行針對用戶的注意喚起成為可能，這導(dǎo)致防止異物金屬X的加熱。因此，當(dāng)通過使用磁場執(zhí)行功率饋送時(shí)，可以精確地檢測異物(異物金屬X)，由此防止異常加熱。以下，將描述上述實(shí)施例的修改示例(修改示例1到6)。注意，與上述實(shí)施例相同的組成元件分別由相同的參考標(biāo)號或符號指定，并且為了簡單在此適當(dāng)?shù)厥÷云涿枋觥?lt;修改示例1>圖7A和7B分別是說明根據(jù)修改示例1的異物金屬檢測操作的示意圖。修改示例 1的異物金屬檢測操作是這樣的以使得類似于上述實(shí)施例的異物金屬檢測操作，通過比較預(yù)定參數(shù)的變化量與預(yù)定閾值(通過執(zhí)行關(guān)于量值關(guān)系的比較)，來檢測異物金屬的存在或不存在。然而，在修改示例1中，即使當(dāng)異物金屬X的表面被氧化時(shí)，或者即使當(dāng)對異物金屬χ的表面執(zhí)行電鍍處理時(shí)，也可以精確地執(zhí)行檢測。具體地，在修改示例1中，除了閾值A(chǔ)l之外，檢測電路21A還具有不同于閾值A(chǔ)l 的閾值A(chǔ)2(第二閾值)(在該情況下小于閾值A(chǔ)l)。閾值A(chǔ)2用于檢測其表面上具有形成的氧化物或電鍍薄膜(指定為薄膜Y)的異物金屬X。因此，考慮到離移動(dòng)電話2的表面薄膜 Y的厚度d2布置異物金屬X，設(shè)置閾值A(chǔ)2。當(dāng)異物金屬X其上具有薄膜Y時(shí)阻抗ΖΓ的變化量ΒΓ如圖7A和7B所示，變得小于當(dāng)異物金屬X不具有薄膜Y時(shí)阻抗的變化量Bl，但是類似于上述(Zl < Zl’<< Ζ2)的情況變得充分大于由于存在移動(dòng)電話2的阻抗的變化量 Β20因此，檢測電路21Α通過使用除了閾值A(chǔ)l之外的、考慮薄膜Y的厚度d2設(shè)置的閾值A(chǔ)2 (Al > A2)，檢測異物金屬X的存在或不存在，換句話說，還考慮參數(shù)的變化量和閾值 A2之間的量值關(guān)系檢測異物金屬X的存在或不存在，由此獲得以下效果。也就是說，獲得與上述實(shí)施例相同的效果，并且即使當(dāng)在異物金屬X的表面上形成諸如氧化物膜或電鍍膜的薄膜時(shí)，精確檢測也變得可能。此外，AC電壓用作施加電壓，這導(dǎo)致可以精確地執(zhí)行具有其中形成這樣的薄膜Y的異物金屬X的檢測。作為結(jié)果，還可以滿意地檢測諸如容易氧化的不銹鋼的金屬。<修改示例2>圖8A是示出根據(jù)上述實(shí)施例的修改示例2的檢測電路(檢測電路21B)的電路圖。 檢測電路2IB包括AC信號源111-1，反相器電路(邏輯非電路)111-2，振蕩電路111-3，電阻R1、R2、R3和R4，以及比較器111-4。AC信號源111-1是用于輸出具有預(yù)定頻率(隨后將描述的諧振頻率fO)的AC信號的信號源(振蕩源)。反相器電路111-2是用于輸出從AC信號源111-1輸入到其的AC 信號的邏輯非信號的電路。諧振電路111-3由電感IllL (電感分量)和電容器元件111C(電容分量)組成。 具體地，諧振電路111-3是其中電感IllL和電容器元件IllC相互串聯(lián)的串聯(lián)諧振電路(LC 串聯(lián)諧振電路)。換句話說，電感IllL的一端連接到反相器電路111-2的輸出端，其另一端連接到電容器元件IllC的一端。這里，電容器元件IllC是在充電盤1中的正電極(如上述正電極14A)和負(fù)電極(如上述負(fù)電極14B)之間形成的(可變)電容器元件。注意，在檢測電路21B中，可以使用以下將描述的另一諧振電路代替使用諧振電路111-3作為這樣的串聯(lián)諧振電路。具體地，例如可以使用如圖8B所示的例如諧振電路 111-5作為并聯(lián)諧振電路(LC并聯(lián)諧振電路)。這樣的諧振電路111-5也由上述電感IllL 和電容器元件IllC組成。在這樣的諧振電路111-3或111-5中，使電感11IL和電容器元件IllC以隨后將描述的方式在由表達(dá)式(1)調(diào)整的諧振頻率fo相互諧振。作為結(jié)果，基于圖8A所示輸入Vin產(chǎn)生輸出電壓Vout，并隨后輸出。f0 = 1/2 Π V LC …(1)電阻Rl (具有阻抗值rLx)的一端連接到電容器元件IllC的另一端和電阻R2的一端中的每個(gè)，電阻Rl的另一端接地。電阻R2的另一端連接到比較器111-4的正輸入端。電阻R3的一端連接到預(yù)定電源Vcc，并且其另一端連接到電阻R4的一端和比較器111-4的負(fù)輸入端中的每個(gè)。電阻R4的另一端接地。比較器111-4是一種電路，其用于比較輸入到正輸入端的電壓(對應(yīng)于上述輸出電壓Vout的電壓)與輸入到負(fù)輸入端的預(yù)定恒定電壓(閾值電壓)，以檢測這些電壓之間的量值關(guān)系，并且用于從輸出端輸出比較結(jié)果(對應(yīng)于異物金屬X的檢測結(jié)果)。這里，在檢測電路21B中，通過利用上述諧振電路111-3(或者諧振電路111_5，根據(jù)情況)，增大阻抗的變化。具體地，諧振電路111-3具有如圖9A和9B所述其特有的諧振頻率f0。在該情況下，諧振電路111-3的阻抗Z的值和來自諧振電路111-3的輸出電壓Vout 的值在諧振頻率fO附近的頻率和除了諧振頻率fO的頻率帶寬之間極大地不同。例如，關(guān)于阻抗Z的值的差Δ Z出現(xiàn)在諧振頻率fO和以頻率寬度Af不同于諧振頻率fO的頻率Π 之間。由于該原因，在非諧振階段(例如，在上述頻率fl)輸出電壓Vout獲得由表達(dá)式O) 表達(dá)的值，而在諧振階段(在頻率fO)獲得由表達(dá)式C3)表達(dá)的值Vout = Zr/(Z+Zr) XVin(在非諧振階段)· · · (2)Vout = Vin(在諧振階段)...(3)以這樣的方式，檢測電路21B通過利用諧振電路111-3，基于圖9A和9B所示的參數(shù)的大變化量(變化量對應(yīng)于阻抗Z中的寬度ΔΖ，或者變化量對應(yīng)于上述表達(dá)式(2)和 (3)表達(dá)的輸出電壓Vout中的差別)檢測異物。具體地，首先，從AC信號源111-1輸出的 AC信號的頻率之前設(shè)置為諧振頻率fO，由此引起諧振。并且，通過利用對應(yīng)于異物金屬X的存在或不存在的電容器元件11IC的電容值(上述電容值C)的變化(即，阻抗Z的變化)，停止諧振，由此獲得參數(shù)(阻抗Z或輸出電壓Vout)的大的值。作為結(jié)果，當(dāng)在比較器111-4 中判斷異物金屬X的存在或不存在時(shí)，可能提高檢測的靈敏度。因此，在修改示例2中，例如，即使當(dāng)電容器元件IllC中對應(yīng)于異物金屬X的存在或不存在的電容量的變化量是微小的時(shí)(例如，約幾皮法)，這樣的參數(shù)的變化量也可通過利用諧振極大地增大。因此，與上述實(shí)施例的情況下相比，可以提高異物金屬X的檢測的靈敏度(可以減少誤檢測)。注意，當(dāng)通過使用具有如同修改示例2的預(yù)定頻率的AC信號，檢測異物金屬X的存在或不存在時(shí)，優(yōu)選地，檢測電路21B使用具有不同于電功率傳輸(功率饋送)期間的頻率的頻率(在該情況下諧振頻率fO)的信號。其原因是因?yàn)檫@樣的情況導(dǎo)致可能降低由于電功率傳輸期間的頻率的噪聲(可能提高信噪比)。<修改示例3>圖10示出根據(jù)實(shí)施例的修改示例3的電極模式的平面結(jié)構(gòu)的示例。在上述實(shí)施例中，正電極14A和負(fù)電極14B每個(gè)在平面視圖方面具有點(diǎn)狀形狀(作為整體的針狀形狀) 的情況舉例說明為用于檢測異物金屬X的電極模式。然而，本公開絕不限于這樣的點(diǎn)狀形狀，因此電極模式可以采用線狀形狀。在該情況下，必需的僅是多個(gè)正電極18A1和多個(gè)負(fù)電極18B1 (多組正電極18A1和負(fù)電極18B1)相互遠(yuǎn)離交替布置，以便在平面視圖方面沿垂直于延伸方向的方向延伸。然而，類似于上述實(shí)施例的情況，優(yōu)選地，提供每個(gè)正電極18A1 和負(fù)電極18B1，以便在橫截面的方面完全地穿透天線模式層15和磁材料層16 二者。也就是說，每個(gè)正電極18A1和負(fù)電極18B1的整體形狀(外部形狀)是薄片狀形狀，并且在這樣的方向布置每個(gè)正電極18A1和負(fù)電極18B1，使得薄片狀形狀的寬度方向垂直于充電盤1 的上表面。即使在這樣的結(jié)構(gòu)中，類似于上述實(shí)施例的情況，可以通過使用在電極18A1和 18B1之間產(chǎn)生的電短路等狀況，檢測異物金屬X的存在或不存在。注意，當(dāng)每個(gè)正電極18A1和負(fù)電極18B1具有例如如圖11所示的線狀形狀時(shí)，每個(gè)正電極18A1和負(fù)電極18B1可以具有波狀(波浪線)形狀。作為結(jié)果，異物金屬X變得容易布置，以便橫跨正和負(fù)電極18A1和18B1，并且與圖10所示直線形狀的情況相比，異物金屬X容易檢測。<修改示例4>或者，例如如圖12所示，多個(gè)正電極18A1和多個(gè)負(fù)電極18B1還可以作為整體按格狀模式布置。然而，在該情況下，形成格點(diǎn)(格狀交叉)，使得正電極18A1本身和負(fù)電極 18B1本身相互電絕緣?！葱薷氖纠?>圖13示出根據(jù)實(shí)施例的修改示例5的電極模式的平面結(jié)構(gòu)。關(guān)于用于檢測異物金屬X的電極模式，除了如上所述的點(diǎn)狀(針狀)模式、線狀(薄片狀)模式和格狀模式， 還可以采用如同修改示例5的梳齒狀電極。在該情況下，例如，布置每個(gè)具有梳齒狀形狀的正電極18A2和負(fù)電極18B2(—組正電極18A2和負(fù)電極18B2)，以便在平面視圖方面不相互接觸地相互嚙合。然而，類似于上述實(shí)施例，提供每個(gè)正電極18A2和負(fù)電極18B2，以便在橫截面方面穿透天線模式層15和磁材料層16 二者。并且，正電極18A2和負(fù)電極18B2具有這樣的結(jié)構(gòu)，以便具有在垂直于充電盤1的上表面的方向的厚度。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，類似于上述實(shí)施例的情況，可以通過使用在電極18A2和18B2之間產(chǎn)生的電短路等狀況，檢測異物金屬X的存在或不存在。此外，因?yàn)橹灰?qū)動(dòng)一對正電極18A2和負(fù)電極18B2，所以可能簡化電路基板17中的配線布局等。注意，由正電極18A2和負(fù)電極18B2組成的電極對絕不限制為一對，而是也可以提供多對。例如，還可以沿行方向和列方向提供多對正電極18A2和負(fù)電極18B2。作為結(jié)果， 可能抑制電極之間的寄生電容量分量?！葱薷氖纠?>圖14示出根據(jù)實(shí)施例的修改示例6的電極模式的平面結(jié)構(gòu)。關(guān)于用于檢測異物金屬X的電極形狀，除了到目前為止已經(jīng)描述的電極形狀，還可以采用如同修改示例6的具有切口(縫隙18C)的近似環(huán)形電極。具體地，在修改示例6中，交替地、同心地并且相互離開地布置每個(gè)的部分具有縫隙18C的正電極18A3和負(fù)電極18B3。即使在這樣的結(jié)構(gòu)中， 類似于上述實(shí)施例的情況，可以通過使用在電極之間產(chǎn)生的電短路等狀況，檢測異物金屬X 的存在或不存在。注意，還可以采用一種結(jié)構(gòu)，使得多組正電極18A3和負(fù)電極18B3用作一個(gè)單元， 并且多個(gè)單元也二維地布置。
盡管到目前為止已經(jīng)通過舉例說明實(shí)施例和其修改示例1到6描述了本公開，但是本公開絕不限制于此，因此可以做出各種變化。例如，上述實(shí)施例中的各層的材料、厚度等絕不受限制，因此也可以采用任何其他合適的材料和厚度用于上述各層。此外，在上述實(shí)施例等中，用于諸如移動(dòng)電話2的小CE設(shè)備的充電盤1舉例說明為本公開中的功率饋送裝置。然而，本公開的功率饋送裝置絕不限制于家用的充電盤1，因此可以應(yīng)用為用于各種電子裝置的充電器。此外，功率饋送裝置不需要以盤的形式構(gòu)造。例如，功率饋送裝置還可以以諸如所謂支架的用于電子裝置的架子的形式構(gòu)造。此外，在上述實(shí)施例等中，舉例說明跨越正電極和負(fù)電極施加AC電壓的情況。然而，跨越正電極和負(fù)電極施加的電壓絕不限制于AC電壓。然而，當(dāng)想要檢測由氧化物膜或電鍍膜形成的表面上的異物金屬時(shí)，優(yōu)選地，如上所述，AC電壓用作施加電壓。除此之外，用于基于參數(shù)的變化量和閾值之間的量值關(guān)系檢測異物的操作絕不限制于上述實(shí)施例等中描述的技術(shù)。例如，當(dāng)參數(shù)的變化量小于閾值時(shí)，可以依據(jù)參數(shù)判斷存在異物。此外，此時(shí)的閾值可以不是預(yù)定的固定值，而是例如可以是根據(jù)對應(yīng)于用戶進(jìn)行的操作或使用狀況的自動(dòng)控制變化的可變值。此外，在上述實(shí)施例等中，充電盤1通過使用電源插頭連接到外部AC電源。然而， 除此以外，充電盤1可以例如通過利用通用串行總線(USB)電源或AC適配器，接收來自外部的電功率提供。此外，在上述實(shí)施例等中，當(dāng)檢測到存在異物金屬X時(shí)，通過點(diǎn)亮移動(dòng)電話2中的警報(bào)燈向用戶提供警報(bào)。然而除此之外，在顯示屏幕上進(jìn)行的圖像顯示、警報(bào)聲音等也可以用作警報(bào)提供部分。除此之外，盡管在上述實(shí)施例等中，沿移動(dòng)電話2的一個(gè)表面形成的螺旋形次級線圈20舉例說明為本公開中的功率接收部分，但是線圈形狀絕不限制于此。例如，線圈也可以按螺旋方式模制，因此可以具有在垂直于移動(dòng)電話2的上表面的方向的預(yù)定厚度。此外，盡管通過具體地給出移動(dòng)電話2的組成元件描述上述實(shí)施例等，但是移動(dòng)電話2不需要包括所有的組成元件，并且還可以進(jìn)一步包括任何其他合適的組成元件。此外，盡管通過舉例說明布置一對電極的情況描述上述實(shí)施例等，并且通過跨越成對電極施加電壓檢測異物，但是本公開絕不限制于利用這樣的電極的檢測技術(shù)。例如，還可能使用利用溫度傳感器、壓力傳感器、永磁體等的檢測技術(shù)。例如，當(dāng)利用溫度傳感器時(shí)， 溫度傳感器提供在諸如移動(dòng)電話的電子裝置表面或內(nèi)部，并且通過使用溫度傳感器檢測電子裝置周圍的溫度。這里，當(dāng)在充電盤和溫度傳感器之間存在異物時(shí)，預(yù)期出現(xiàn)熱產(chǎn)生，因此電子裝置周圍的溫度變成高的溫度。因此，必需的僅是之前設(shè)置用于檢測異物的溫度閾值，并且當(dāng)通過使用溫度傳感器檢測的溫度變得等于或高于溫度閾值時(shí)，判斷存在異物。本公開包含涉及于2010年10月15日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請 JP 2010-232814中公開的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依賴于設(shè)計(jì)需求和其他因素可以出現(xiàn)各種修改、組合、 子組合和更改，只要它們在權(quán)利要求或其等效的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包括電功率接收部分，通過使用磁場接收來自功率饋送裝置的電功率；以及檢測部分，檢測所述功率饋送裝置和所述檢測部分之間的異物的存在或不存在。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，還包括一組第一和第二電極，其相互遠(yuǎn)離布置；以及電壓施加部分，跨越所述第一和第二電極施加電壓，其中，所述檢測部分根據(jù)通過所述電壓施加部分的電壓施加的結(jié)果，檢測異物的存在或不存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中提供多組第一和第二電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中多組第一和第二電極分別具有線狀形狀，并且所述第一和第二電極相互遠(yuǎn)離地交替布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中多組第一和第二電極分別具有點(diǎn)狀形狀，并且所述第一和第二電極交替地離散布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中所述第一和第二電極分別是梳齒電極，并且所述第一和第二電極相互嚙合，以便不相互接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述功率接收部分包括線圈；電路基板，具有所述檢測部分；以及磁材料層，提供在所述電路基板和所述線圈之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其中提供所述第一和第二電極，以便所述磁材料層的至少一部分從線圈側(cè)向電路基板側(cè)穿透。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中跨越所述第一和第二電極施加的電壓是交流電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述檢測部分根據(jù)跨越所述第一和第二電極形成的阻抗、電流和電壓的至少一個(gè)參數(shù)的變化，檢測異物的存在或不存在。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子裝置，其中所述檢測部分根據(jù)以在沒有異物放置在所述功率饋送裝置上的狀態(tài)下的至少一個(gè)參數(shù)的值作為基準(zhǔn)的、至少一個(gè)參數(shù)的變化量和預(yù)定第一閾值之間的數(shù)量關(guān)系，檢測異物的存在或不存在。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子裝置，其中跨越所述第一和第二電極施加的電壓是交流電壓，以及所述檢測部分還考慮至少一個(gè)參數(shù)的變化量和不同于預(yù)定第一閾值的預(yù)定第二閾值之間的數(shù)量關(guān)系，檢測異物的存在或不存在。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，還包括溫度傳感器，其中，所述檢測部分根據(jù)從所述溫度傳感器獲得的溫度信息，檢測異物的存在或不存在。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述檢測部分包括交流信號源、電容元件和電感器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述電容元件提供在所述第一和第二電極之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述檢測部分通過利用包括所述電容元件和所述電感器的諧振電路，檢測異物的存在或不存在。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述檢測部分通過使用頻率不同于向所述功率接收部分傳輸電功率期間的頻率的交流信號，檢測異物的存在或不存在。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中當(dāng)所述檢測部分檢測異物時(shí)，向用戶提供所述檢測部分檢測異物的效果。
19.一種功率饋送方法，包括當(dāng)通過使用磁場從功率饋送裝置向電子裝置傳輸電功率時(shí)，在所述電子裝置中檢測所述功率饋送裝置和所述電子裝置之間的異物的存在或不存在。
20.一種功率饋送系統(tǒng)，包括 電子裝置；以及功率饋送裝置，向所述電子裝置饋送電功率， 其中所述電子裝置包括電功率接收部分，通過使用磁場接收來自所述功率饋送裝置的電功率；以及檢測部分，檢測所述功率饋送裝置和所述檢測部分之間的異物的存在或不存在。
全文摘要
在此公開一種電子裝置，包括電功率接收部分，通過使用磁場接收來自功率饋送裝置的電功率；以及檢測部分，檢測所述功率饋送裝置和所述檢測部分之間的異物的存在或不存在。
文檔編號H02J17/00GK102457107SQ201110314458
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者浦本洋一, 田中正幸 申請人:索尼公司