專(zhuān)利名稱(chēng)：通過(guò)por來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在電壓調(diào)整電路中，用PMOS做驅(qū)動(dòng)管可以明顯抑制輸出對(duì)輸入的干擾波動(dòng)，而用NMOS做驅(qū)動(dòng)管可以明顯抑制輸入對(duì)輸出的干擾波動(dòng)，因此，根據(jù)使用場(chǎng)合需要，兩種電路都廣泛應(yīng)用。但是PMOS做驅(qū)動(dòng)管的電路中，在上電過(guò)沖中很容易在輸出端產(chǎn)生過(guò)沖。因此我們需要一個(gè)抑制過(guò)沖的電路。傳統(tǒng)的抑制過(guò)沖電路在上電過(guò)程中，特別是快上電過(guò)程中，仍然過(guò)沖過(guò)大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)，它可以解決抑制過(guò)沖電路在上電過(guò)程中，特別是快上電過(guò)程中，仍然過(guò)沖過(guò)大的問(wèn)題。為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)；包括上電復(fù)位電路POR的輸出連接2選I電路MUX的選擇輸入端；電壓調(diào)整電路的電阻串R2上產(chǎn)生兩個(gè)報(bào)警電壓refdl和refdh分別接2選I電路MUX的兩個(gè)輸入；比較器CMP的輸入端分別是2選I電路的輸出和基本電壓vref ；比較器CMP的輸出連上拉管Mpullup的柵極；上拉管Mpullup的源端和漏端分別連接電源和電壓調(diào)整電路的驅(qū)動(dòng)管Mdrive的柵極。本發(fā)明的有益效果在于在上電過(guò)程中，特別是快上電過(guò)程中，過(guò)沖較小。當(dāng)外部電源Vext快上電時(shí)，POR先輸出復(fù)位信號(hào)低電平，選擇較低的報(bào)警電壓，電壓調(diào)整電路完成上電過(guò)程，然后POR輸出高電平，選擇較高的報(bào)警電壓，電路進(jìn)入正常工作模式。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖1是針對(duì)PMOS驅(qū)動(dòng)管電壓調(diào)整電路的常用的抑制上電過(guò)沖的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2針對(duì)PMOS驅(qū)動(dòng)管電壓調(diào)整電路的改進(jìn)的抑制上電過(guò)沖的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式一種通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)，包括0P、Mdrive、Rl和R2構(gòu)成傳統(tǒng)的電壓調(diào)整電路REG，上電復(fù)位電路POR的輸出連接2選I電路MUX的選擇輸入端，電壓調(diào)整電路的電阻串R2上產(chǎn)生兩個(gè)報(bào)警電壓refdl和refdh分別接2選I電路MUX的兩個(gè)輸入，比較器CMP的輸入端分別是2選I電路的輸出和基本電壓vref，比較器CMP的輸出連上拉管Mpullup的柵極，上拉管Mpullup的源端和漏端分別連接電源和電壓調(diào)整電路的驅(qū)動(dòng)管Mdrive的柵極。如圖1所示，對(duì)于PMOS驅(qū)動(dòng)管的電壓調(diào)整電路。當(dāng)外部電源Vext快速上電時(shí)，由于節(jié)點(diǎn)pgate不能快速響應(yīng),導(dǎo)致輸出Vdd會(huì)有明顯的過(guò)沖，并且vext上電時(shí)間越短，Vdd過(guò)沖越大。傳統(tǒng)的過(guò)沖抑制電路是通過(guò)對(duì)Vdd輸出電壓值的檢測(cè)來(lái)控制Mpullup，當(dāng)Vdd電壓過(guò)高時(shí)，打開(kāi)Mpullup即可關(guān)斷驅(qū)動(dòng)管Mdrive,起到保護(hù)的作用，此時(shí)Vdd的電壓為報(bào)警電壓。但是，由于比較器的帶寬不可能做到無(wú)限大，總是有一個(gè)延時(shí)，所以在快上電時(shí)，當(dāng)電壓Vdd過(guò)高時(shí)，Mdrive來(lái)不及關(guān)斷，過(guò)沖會(huì)尤為厲害。降低報(bào)警電壓可以有效抑制過(guò)沖，但是在正常工作時(shí)，由于電壓調(diào)整電路負(fù)載變化的原因，會(huì)產(chǎn)生正常Vdd的電壓波動(dòng)，而這個(gè)時(shí)候，我們不希望抑制過(guò)沖電路啟動(dòng)。因此，我們的抑制過(guò)沖電路必須滿(mǎn)足兩個(gè)條件一是保證正常工作時(shí)不能開(kāi)啟，要求報(bào)警電壓相對(duì)較高；二是上電過(guò)程時(shí)過(guò)沖抑制，要求報(bào)警電壓相對(duì)較低。鑒于以上考慮，這里通過(guò)POR把上電過(guò)程和正常工作過(guò)程區(qū)別開(kāi)，并在不同的過(guò)程中，分別給予不同的報(bào)警關(guān)斷電壓，由POR輸出來(lái)選擇Mux，如圖2所示。當(dāng)外部電源Vext快上電時(shí)，POR先輸出復(fù)位信號(hào)低電平，選擇較低的報(bào)警電壓，電壓調(diào)整電路完成上電過(guò)程，然后POR輸出高電平，選擇較高的報(bào)警電壓，電路進(jìn)入正常工作模式。如圖2所示，這是一種通過(guò)POR來(lái)抑制PMOS驅(qū)動(dòng)管的電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)。其中OP、Mdrive, Rl和R2構(gòu)成傳統(tǒng)的電壓調(diào)整電路REG，上電復(fù)位電路POR的輸出連接2選I電路MUX的選擇輸入端，電壓調(diào)整電路的電阻串R2上產(chǎn)生兩個(gè)報(bào)警電壓refdl和refdh分別接2選I電路MUX的兩個(gè)輸入，比較器CMP的輸入端分別是2選I電路的輸出和基本電壓vref，比較器CMP的輸出連上拉管Mpullup的柵極，上拉管Mpullup的源端和漏端分別連接電源和電壓調(diào)整電路的驅(qū)動(dòng)管Mdrive的柵極。本發(fā)明并不限于上文討論的實(shí)施方式。以上對(duì)具體實(shí)施方式
的描述旨在于為了描述和說(shuō)明本發(fā)明涉及的技術(shù)方案。基于本發(fā)明啟示的顯而易見(jiàn)的變換或替代也應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。以上的具體實(shí)施方式
用來(lái)揭示本發(fā)明的最佳實(shí)施方法，以使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠應(yīng)用本發(fā)明的多種實(shí)施方式以及多種替代方式來(lái)達(dá)到本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)；其特征在于，包括 上電復(fù)位電路POR的輸出連接2選I電路MUX的選擇輸入端； 電壓調(diào)整電路的電阻串R2上產(chǎn)生兩個(gè)報(bào)警電壓refdl和refdh分別接2選I電路MUX的兩個(gè)輸入； 比較器CMP的輸入端分別是2選I電路的輸出和基本電壓vref ； 比較器CMP的輸出連上拉管Mpullup的柵極； 上拉管Mpullup的源端和漏端分別連接電源和電壓調(diào)整電路的驅(qū)動(dòng)管Mdrive的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)外部電源Vext快上電時(shí)，POR先輸出復(fù)位信號(hào)低電平，選擇較低的報(bào)警電壓，電壓調(diào)整電路完成上電過(guò)程，然后POR輸出高電平，選擇較高的報(bào)警電壓，電路進(jìn)入正常工作模式。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)POR來(lái)抑制電壓調(diào)整電路上電過(guò)沖的結(jié)構(gòu)；包括上電復(fù)位電路POR的輸出連接2選1電路MUX的選擇輸入端；電壓調(diào)整電路的電阻串R2上產(chǎn)生兩個(gè)報(bào)警電壓refdl和refdh分別接2選1電路MUX的兩個(gè)輸入；比較器CMP的輸入端分別是2選1電路的輸出和基本電壓vref；比較器CMP的輸出連上拉管Mpullup的柵極；上拉管Mpullup的源端和漏端分別連接電源和電壓調(diào)整電路的驅(qū)動(dòng)管Mdrive的柵極。本發(fā)明在上電過(guò)程中，特別是快上電過(guò)程中，過(guò)沖較小。
文檔編號(hào)H02M1/32GK103051165SQ20111030964
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者唐成偉 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司