專利名稱：一種用于電容器的放電電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及電路，并且更具體但是并非排它地涉及用于EMI濾波電容器的放電電路。
背景技術(shù)：
在一些交流(AC)到直流(DC)電源應(yīng)用中，將相對大的電容器作為噪聲濾波器耦接于AC輸入端以降低可能由AC-DC電源生成的電磁干擾(EMI)。通過AC信號將這個被稱為“EMI濾波電容器”的電容器充電到高電壓，因此如果AC插頭被從壁式插座斷開并且被人接觸則可能造成安全風(fēng)險(xiǎn)。為了最小化安全風(fēng)險(xiǎn)，通常與EMI濾波電容器并聯(lián)地放置電阻器，使得該電阻器可在相當(dāng)短時(shí)間中對電容器進(jìn)行放電(例如，在少于1秒鐘內(nèi)將電壓降低至少60% )。這個并聯(lián)的電阻器具有當(dāng)AC電源被連接時(shí)引起恒定功率損耗的劣勢。圖1示出常規(guī)EMI濾波電路的示意圖。在圖1的示例中，電容器104與AC電源 102、放電電阻器106以及AC-DC電源108的輸入并聯(lián)地連接。圖2示出了作為時(shí)間的函數(shù)的跨電阻器106的電壓和通過電阻器106的電流?？珉娮杵?06的電壓就是AC電源102 的正弦AC電壓(波形202)，并且任何時(shí)間點(diǎn)處的電流是電壓除以電阻器106的電阻(波形 204)。電阻器106中的功率損耗是瞬態(tài)功率損耗(電壓乘以電流)的積分除以周期。在能量效率高的應(yīng)用中，這個恒定的功率損耗可能是不可接受的。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，在一個方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于電容器的放電電路，所述放電電路包括第一常開啟型晶體管；以及第二常開啟型晶體管，所述第一常開啟型晶體管的源極耦合到所述第二常開啟型晶體管的源極，所述第一常開啟型晶體管的柵極耦合到所述第二常開啟型晶體管的柵極，所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開施加于所述放電電路的AC電源時(shí)，允許電流流過所述第一常開啟型晶體管的漏極和所述第二常開啟型晶體管的漏極，所述電流允許對AC-DC 電源的所述電容器進(jìn)行放電。在另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于對電容器進(jìn)行放電的方法，所述方法包括當(dāng)斷開跨放電電路耦合的AC電源時(shí)，使第一常開啟型晶體管以及第二常開啟型晶體管開啟，以允許電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管；以及當(dāng)響應(yīng)于從所述放電電路斷開所述AC電源所述電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管時(shí)，對電容器進(jìn)行放電。在還有一個方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于電容器的放電電路，所述放電電路包括第一電容器；第一常開啟型晶體管；以及第二常開啟型晶體管，所述第一常開啟型晶體管的源極耦合到所述第二常開啟型晶體管的漏極，所述第一常開啟型晶體管的柵極耦合到所述第二常開啟型晶體管的柵極，所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)AC電源耦合于所述放電電路時(shí)，通過所述第一電容器上的電荷使所述第二常開啟型晶體管截止，所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開所述 AC電源時(shí)允許電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管，所述電流允許對所述電容器進(jìn)行放電。在一個實(shí)施方式中，用于EMI濾波電容器的放電電路包括常開啟型晶體管。當(dāng)將 AC電源跨放電電路耦合時(shí)，可以控制常開啟型晶體管以限制通過所述常開啟型晶體管的電流。當(dāng)從放電電路斷開AC電源時(shí)，常開啟型晶體管開啟，以允許電流流過所述常開啟型晶體管。電流允許通過放電電阻器對EMI濾波電容器進(jìn)行放電。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可以極大的減小功率損耗。在閱讀包括附隨附圖和權(quán)利要求的本公開的整體時(shí)，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，本發(fā)明的這些和其他特征將容易變得明顯。


圖1示出了常規(guī)EMI濾波電路的示意圖。圖2示出了跨圖1的EMI濾波電路的放電電阻器的電壓的波形和通過該放電電阻器的電流的波形。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的改進(jìn)的EMI濾波電路。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的放電電路的示意圖。圖5示出了跨圖4的放電電路的電壓的波形和通過該放電電路的電流的波形。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的放電電路的示意圖。圖7示出了跨圖6的放電電路的電壓的波形和通過該放電電路的電流的波形。圖8示出了在具有和不具有改進(jìn)的放電電路的情況下EMI濾波電容器上的電壓的波形。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的改進(jìn)的EMI濾波電路。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的放電電路的示意圖。在不同的附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)識相同或者相似的組件。
具體實(shí)施例方式在本公開中提供了大量特定細(xì)節(jié)(例如電路、組件以及方法的示例)以提供對本發(fā)明的實(shí)施方式的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會認(rèn)識到，可以在沒有一個或者多個特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明。在其他情況中，為了避免模糊本發(fā)明的方面，并未示出或者描述公知細(xì)節(jié)。在下文所述的特定實(shí)施例代表本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且本質(zhì)上僅為示例說明而非限制。在說明書中，提及“一個實(shí)施例”或者“實(shí)施例”意味著結(jié)合該實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。術(shù)語“在一個實(shí)施例中”在說明書中各個位置出現(xiàn)并不全部涉及相同的實(shí)施例，也不是相互排除其他實(shí)施例或者可變實(shí)施例。本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合?，F(xiàn)在參照圖3，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的改進(jìn)的EMI濾波電路300。在圖3的示例中，EMI濾波電容器304與AC電源302和AC-DC電源308的輸入并聯(lián)地耦合。 電源308的電插頭插入到AC電源302的插座中。由放電電阻器306(即306-1,306-2)和放電電路310的串聯(lián)組合對電容器304進(jìn)行充電。在一個實(shí)施方式中，放電電路310是具有用于接收來自AC電源302的AC輸入的端子312(即312-1，312-2)的集成電路(IC)的形式。放電電阻器306在放電電路310的集成電路封裝的外部。在圖3中，放電電阻器306被描繪成兩個單獨(dú)的電阻器，但是其也可以是如圖1中的單個電阻器。優(yōu)選地將放電電阻器劃分成兩個電阻器，每個放電電阻器耦合到放電電路 310的相對端子(如在圖3中)，從而在一個電阻器被短路的情況下提供額外的故障保護(hù)。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的放電電路310A的示意圖。放電電路310A 是圖3的放電電路310的特定實(shí)施方式。在圖4的示例中，端子312-1和端子312-2(也參見圖幻通過晶體管402和晶體管404串聯(lián)組合耦合。晶體管402和晶體404是常開啟型的器件，即當(dāng)它的柵極端子(G)耦合到它的源極端子(S)時(shí)，每個器件將支持從它的漏極端子 ⑶到它的源極端子⑶的電流。晶體管402和晶體管404還具有飽和電流-電壓特性，即在一定的漏極-源極電壓水平(夾斷電壓，VP)以下，漏極電流與漏極-源極電壓成比例， 而對于夾斷電壓以上的漏極-源極電壓漏極電流基本上恒定。在一個實(shí)施方式中，晶體管 402和晶體管404為結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)。在另一實(shí)施方式中，晶體管402和晶體管 404是耗盡型M0SFT。如圖4中所示，晶體管402和晶體管404被配置成使得它們的源極端子和柵極端子耦合到一起。圖5示出了作為時(shí)間的函數(shù)的跨放電電路310A的電壓(波形502)和通過放電電路310A的電流(波形504)。電壓簡單地是來自AC電源302的正弦AC輸入電壓?？紤]正弦波的前一半，在此期間端子312-1處的電壓比端子312-2處的電壓高。當(dāng)端子312-1和端子312-2之間的電壓差小于晶體管402的夾斷電壓時(shí)，通過放電電路310A的電流隨著輸入電壓的增大而增大。當(dāng)端子312-1和端子312-2之間的電壓差超過晶體管402的夾斷電壓時(shí)，通過放電電路310A的電流由于受晶體管402的飽和特性限制而基本上恒定。因此， 放電電路3IOA中的功率損耗基本上由晶體管402的飽和電流決定，并且這個功率損耗可以比常規(guī)設(shè)計(jì)(例如圖1)的放電電阻器中的功率損耗低得多。然而，飽和電流必須足夠高以當(dāng)從放電電路斷開AC電源時(shí)提供快速放電需求，因此在放電速率和開啟狀態(tài)的功耗之間存在折衷。在正弦波的后一半，晶體管404以與晶體管402同樣的方式進(jìn)行操作。當(dāng)移除AC電源302時(shí)，在正常開啟狀態(tài)的晶體管402和晶體管404允許電流流過該兩個晶體管以及放電電阻器306，從而對EMI濾波電容器304進(jìn)行放電。電流以及因此 EMI濾波電容器304的放電速率由晶體管402和晶體管404的飽和電流決定。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的放電電路3IOB的示意圖。放電電路3IOB 是圖3的放電電路310的特定實(shí)施方式。通過有源(actively)控制常開啟型晶體管的柵極使得當(dāng)存在AC電源時(shí)它們傳導(dǎo)較少電流以降低功耗，并且當(dāng)AC電源被移除時(shí)傳導(dǎo)更多電流以用于更快速放電，放電電路310B改進(jìn)了之前提到的折衷。在放電電路310B中，端子312-1和端子312-2(也參見圖3)通過晶體管602、晶體管603、晶體管604和晶體管605耦合。晶體管602、晶體管603、晶體管604和晶體管605 為如先前關(guān)于圖4描述的具有飽和特性的常開啟型器件。在一個實(shí)施方式中，晶體管602 可以承受高輸入電壓(例如600-1200V)并且具有相對高的夾斷電壓(例如40-80V)，而晶體管603僅需要承受晶體管602的夾斷電壓并且具有較低的夾斷電壓(例如2-20V)。在另一實(shí)施方式中，晶體管602和晶體管603可以被組合成可以承受高電壓(例如600-1200V) 并且具有低夾斷電壓(例如2-20V)的一個晶體管。使用分開的晶體管的一個目的是能夠?qū)⑵渌M件耦合到中間節(jié)點(diǎn)(晶體管602的源極)使得可以保護(hù)它們不受高輸入電壓的損害。在圖6的示例中，電容器606可以有利地采用具有較低額定電壓的電容，這是因?yàn)榫w管602保護(hù)其不受端子312-1上的高輸入電壓的傷害。在正常操作中，來自AC電源的正弦AC輸入電壓施加于端子312-1和端子312-2之間。在AC輸入電壓的正弦波形的前一半，端子312-1上的電壓比端子312-2上的電壓高。 在這個操作區(qū)域中，電容器606與二極管608和二極管610 —起工作以提供在公共節(jié)點(diǎn)630 處的電壓，這個電壓比端子312-1上的電壓更負(fù)。這個負(fù)電壓暫時(shí)地由電容器擬6存儲，并且該負(fù)電壓施加于晶體管603的柵極端子和源極端子之間。當(dāng)這個電壓的幅度足夠高時(shí)， 使常開啟型晶體管603截止，阻止(blocking)從端子312-1和到端子312-2的電流。在AC 輸入電壓的正弦波形的后一半期間，電容器616、二極管618以及二極管620的等同動作使晶體管605截止，阻止端子312-2到端子312-1的電流。因此，當(dāng)存在AC電源時(shí)，放電電路 310B阻止電流，從而很大地降低了放電電路310B中的功率損耗。圖7示出了作為時(shí)間的函數(shù)的跨放電電路310B的電壓(波形702)和通過放電電路310B的電流(波形704)。電壓就是來自AC電源302(參見圖3)的正弦AC輸入電壓。 電流水平非常低，因?yàn)樵谥芷诘那耙话肫陂g，晶體管603阻止電流，并且在周期的后一半期間，晶體管605阻止電流。因此，放電電路310B中的功率損耗比常規(guī)設(shè)計(jì)(例如圖1)的放電電阻器中的功率損耗以及圖4的放電電路310A中的功率損耗低得多。當(dāng)移除AC電源時(shí)，電容器6 通過電阻器6 進(jìn)行放電。當(dāng)晶體管603以及晶體管605的柵極-源極電壓的幅度足夠低時(shí)，晶體管恢復(fù)它們的常開啟型傳導(dǎo)。這提供了從端子312-1流動到端子312-2的電流路徑。該電流路徑允許EMI濾波電容器304通過放電電阻器306進(jìn)行放電。圖8示出了對于圖1的常規(guī)EMI濾波電路，作為時(shí)間的函數(shù)的圖3的EMI濾波電容器304上的電壓(波形802)，以及對于具有圖6的放電電路3IOB的圖3的EMI濾波電路 300，作為時(shí)間的函數(shù)的圖3的EMI濾波電容器304上的電壓(波形804)。在t0時(shí)刻移除 AC電源之后，波形802示出簡單電阻器-電容器(RC)放電特性。安全規(guī)格可能通常要求電壓在給定時(shí)間段tl內(nèi)從其初始幅度VO降低到某個可接受水平VI。在波形804中，電壓保持接近VO —段延遲時(shí)間，該延遲時(shí)間由電容器6 上的初始電壓、電容器6 通過電阻器628的放電以及晶體管603和晶體管605的夾斷電壓決定。在晶體管603和晶體管605 兩者都傳導(dǎo)電流之后，由于EMI濾波電容器304通過晶體管602、晶體管603、晶體管604和晶體管605的串聯(lián)組合放電，電壓快速下降。放電速率可能由這些晶體管的電流能力(例如飽和電流)和/或放電電阻器306的值所限制。優(yōu)選地將這些組件選擇成確保在定量的 tl時(shí)間內(nèi)降低到Vl以下。相對大的放電電阻器可以衰減AC輸入電壓，使得放電電路310B可能具有困難的啟動。解決這種情況的一種方式是提供附加的輸入端子以直接將AC輸入電壓耦合到放電電路?，F(xiàn)在從圖9開始討論這個實(shí)施方式的示例。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的改進(jìn)的EMI濾波電路900。在圖9的示例中，AC電源302、EMI濾波電容器304、放電電阻器306以及AC-DC電源308與先前關(guān)于圖 3描述的相同。EMI濾波電路900進(jìn)一步包括放電電路910。在一個實(shí)施方式中，放電電路910是具有用于接收來自AC電源302的AC輸入的端子912 (即912-1、912_2、912_3以及912-4)的集成電路(IC)的形式。端子912可能構(gòu)成集成電路封裝的管腳。端子912-1和端子912-2 通過放電電阻器306接收來自AC電源的AC輸入電壓。如下文將更明顯的，端子912-3以及912-4直接將AC輸入電壓耦合到電容器606和616 (繞開放電電阻器306)。放電電阻器 306-1的一端耦合到端子912-1，并且放電電阻器306-1的另一端通過節(jié)點(diǎn)951耦合到端子 912-3。相似地，放電電阻器306-2的一端耦合到端子912-2，并且放電電阻器306-2的另一端通過節(jié)點(diǎn)952耦合到端子912-4。AC電源302跨放電電路910，并且直接耦合到節(jié)點(diǎn)951 和節(jié)點(diǎn)952。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式的放電電路910的示意圖。除了添加用于在不通過電阻器306的情況下直接接收AC輸入的端子912-3和端子912-4之外，放電電路910與圖6的放電電路310B相同。在圖10的示例中，電容器606通過端子912-3從節(jié)點(diǎn)951接收AC輸入電壓。這允許AC輸入電壓在不被放電電阻器306-1衰減的情況下直接耦合到電容器606。相似地并且由于相同理由，電容器616通過端子912-4直接從節(jié)點(diǎn)952 接收AC輸入電壓。放電電路910在其他方面以與圖6的放電電路310B相同的方式進(jìn)行操作。在放電電路910中，電容器606直接耦合到AC電源302，并且因此要求較高額定電壓。作為折衷，放電電路910有利地允許比放電電路310B更穩(wěn)定的啟動。在放電電路910 中，不存在與晶體管602的源極和晶體管603的漏極之間的中間節(jié)點(diǎn)的連接。因此，在放電電路910中，將晶體管602和晶體管603組合成具有高阻止電壓和相對低夾斷電壓的單個常開啟型晶體管可能是有利的。相同的情況也適用于放電電路910中的晶體管604和晶體管 605。盡管已經(jīng)提供了本發(fā)明的特定實(shí)施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施方式僅為了示例的目的，并且并非限制性的。許多附加實(shí)施方式對閱讀這個公開的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會變得明顯。
權(quán)利要求
1.一種用于電容器的放電電路，所述放電電路包括第一常開啟型晶體管；以及第二常開啟型晶體管，所述第一常開啟型晶體管的源極耦合到所述第二常開啟型晶體管的源極，所述第一常開啟型晶體管的柵極耦合到所述第二常開啟型晶體管的柵極，所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開施加于所述放電電路的AC電源時(shí)，允許電流流過所述第一常開啟型晶體管的漏極和所述第二常開啟型晶體管的漏極，所述電流允許對AC-DC電源的所述電容器進(jìn)行放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電電路，進(jìn)一步包括耦合到所述第一常開啟型晶體管的所述漏極的第一放電電阻器和耦合到所述第二常開啟型晶體管的所述漏極的第二放電電阻器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放電電路，其中所述AC電源與所述第一放電電阻器、所述第二放電電阻器以及所述放電電路的串聯(lián)組合并聯(lián)地耦合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電電路，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括JFET。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電電路，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括耗盡型MOSFET。
6.一種用于對電容器進(jìn)行放電的方法，所述方法包括當(dāng)斷開跨放電電路耦合的AC電源時(shí)，使第一常開啟型晶體管以及第二常開啟型晶體管開啟，以允許電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管；以及當(dāng)響應(yīng)于從所述放電電路斷開所述AC電源所述電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管時(shí)，對電容器進(jìn)行放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中第一放電電阻器耦合在所述第一常開啟型晶體管與所述AC電源的一端之間，并且第二放電電阻器耦合在所述第二常開啟型晶體管與所述 AC電源的另一端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括JFET。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括耗盡模式MOSFET。
10.一種用于電容器的放電電路，所述放電電路包括第一電容器；第一常開啟型晶體管；以及第二常開啟型晶體管，所述第一常開啟型晶體管的源極耦合到所述第二常開啟型晶體管的漏極，所述第一常開啟型晶體管的柵極耦合到所述第二常開啟型晶體管的柵極，所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)AC電源耦合于所述放電電路時(shí)，通過所述第一電容器上的電荷使所述第二常開啟型晶體管截止，所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開所述AC電源時(shí)允許電流流過所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管，所述電流允許對所述電容器進(jìn)行放電。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，進(jìn)一步包括第二電容器，被配置成當(dāng)所述放電電路耦合所述AC電源時(shí)在所述放電電路的公共節(jié)點(diǎn)上形成電壓以對所述第一電容器進(jìn)行充電。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的放電電路，其中所述第二電容器耦合到所述第一常開啟型晶體管的所述源極并且耦合到所述第二常開啟型晶體管的所述漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的放電電路，其中所述第二電容器直接耦合到所述AC電源。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的放電電路，其中所述第二電容器通過放電電阻器耦合到所述AC電源。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，進(jìn)一步包括跨所述第一電容器耦合的電阻器，所述電阻器被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開所述AC 電源時(shí)對所述第一電容器進(jìn)行放電。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，進(jìn)一步包括耦合在所述第一常開啟型晶體管的漏極和所述AC電源之間的第一放電電阻器。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的放電電路，進(jìn)一步包括第二放電電阻器，所述第一放電電阻器被耦合到所述AC電源的一端，并且所述第二放電電阻器被耦合到所述AC電源的另一端。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，進(jìn)一步包括第三常開啟型晶體管；以及第四常開啟型晶體管，所述第三常開啟型晶體管的源極耦合到所述第四常開啟型晶體管的漏極，所述第三常開啟型晶體管的柵極耦合到所述第四常開啟型晶體管的柵極，所述第四常開啟型晶體管被配置成當(dāng)AC電源耦合于所述放電電路時(shí)通過所述第一電容器上的電荷，使所述第四常開啟型晶體管截止，所述第三常開啟型晶體管和所述第四常開啟型晶體管被配置成當(dāng)從所述放電電路斷開所述AC電源時(shí)允許電流流過所述第三常開啟型晶體管和所述第四常開啟型晶體管，當(dāng)從所述放電電路斷開所述AC電源時(shí)通過所述第三常開啟型晶體管和所述第四常開啟型晶體管的所述電流允許對所述AC-DC電源的所述EMI濾波電容器進(jìn)行放電。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括JFET。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放電電路，其中所述第一常開啟型晶體管和所述第二常開啟型晶體管包括耗盡模式M0SFET。
全文摘要
在一個實(shí)施例中，本發(fā)明涉及用于EMI濾波電容器的低損耗放電電路。用于EMI濾波電容器的放電電路包括常開啟型晶體管。當(dāng)跨放電電路耦合AC電源時(shí)，可以控制常開啟型晶體管以限制通過所述常開啟型晶體管的電流。當(dāng)從放電電路斷開AC電源時(shí)，常開啟型晶體管開啟以允許電流流過常開啟型晶體管。電流允許通過放電電阻器對EMI濾波電容器進(jìn)行放電。
文檔編號H02H9/00GK102347606SQ201110176848
公開日2012年2月8日 申請日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者莫耶·C·詹姆斯, 迪斯尼·R·唐納德, 邢正人, 阮·H·詹姆斯 申請人:成都芯源系統(tǒng)有限公司