專利名稱：一種過流保護(hù)電路及燈具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于保護(hù)電路領(lǐng)域，尤其涉及一種過流保護(hù)電路及燈具。
背景技術(shù)：
電能與我們的生活息息相關(guān)，電子設(shè)備、電子儀器等各種電子產(chǎn)品的正常運(yùn)行均離不開電能，但是每種電子產(chǎn)品都有額定的工作電流，如果工作電流過大，那么就處于非正常的工作狀態(tài)，需要電路進(jìn)行保護(hù)，否則會損壞設(shè)備、儀器等電子產(chǎn)品。目前的過流保護(hù)電路普遍采用單片機(jī)采樣電流并輸出控制，盡管采用單片機(jī)控制具有效率高、運(yùn)用靈活等優(yōu)點(diǎn)，但是單片機(jī)需要配合基準(zhǔn)源、采樣電路等多種器件才能工作，因此具有占用空間大、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本聞昂等諸多缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種過流保護(hù)電路，旨在解決現(xiàn)在的過流保護(hù)電路存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高昂的問題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種過流保護(hù)電路，連接在電源和用電負(fù)載之間，所述過流保護(hù)電路包括穩(wěn)壓管D1、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、分壓電阻R5、米樣電阻R6、P型MOS管Q2、第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述P型MOS管Q2的源極為過流保護(hù)電路的輸入端接所述電源正極，所述P型MOS管Q2的漏極為過流保護(hù)電路的輸出端接用電負(fù)載，所述分壓電阻Rl的第一端接電源正極，所述分壓電阻Rl的第二端通過分壓電阻R2接地，所述第一開關(guān)管的控制端接分壓電阻Rl和分壓電阻R2的公共連接端，所述第一開關(guān)管的低電位端接地，所述第一開關(guān)管的高電位端接P型MOS管Q2的柵極，所述分壓電阻R3連接在電源正極與第一開關(guān)管的高電位端之間，所述采樣電阻R6的第一端接用電負(fù)載，所述采樣電阻R6的第二端接地，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接采樣電阻R6的第一端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽極接分壓電阻R5的第一端，所述分壓電阻R5的第二端通過分壓電阻R4接地，所述第二開關(guān)管的控制端接分壓電阻R4和分壓電阻R5的公共連接端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的高電位端接第一開關(guān)管的控制端。本發(fā)明的另一目的在于提供一種燈具，包括連接在電源和燈具電路之間的過流保護(hù)電路，所述過流保護(hù)電路包括穩(wěn)壓管D1、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、分壓電阻R5、米樣電阻R6、P型MOS管Q2、第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述P型MOS管Q2的源極為過流保護(hù)電路的輸入端接所述電源正極，所述P型MOS管Q2的漏極為過流保護(hù)電路的輸出端接用電負(fù)載，所述分壓電阻Rl的第一端接電源正極，所述分壓電阻Rl的第二端通過分壓電阻R2接地，所述第一開關(guān)管的控制端接分壓電阻Rl和分壓電阻R2的公共連接端，所述第一開關(guān)管的低電位端接地，所述第一開關(guān)管的高電位端接P型MOS管Q2的柵極，所述分壓電阻R3連接在電源正極與第一開關(guān)管的高電位端之間，所述采樣電阻R6的第一端接用電負(fù)載，所述采樣電阻R6的第二端接地，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接采樣電阻R6的第一端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽極接分壓電阻R5的第一端，所述分壓電阻R5的第二端通過分壓電阻R4接地，所述第二開關(guān)管的控制端接分壓電阻R4和分壓電阻R5的公共連接端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的高電位端接第一開關(guān)管的控制端。在本發(fā)明中，本過流保護(hù)電路采用分立元件構(gòu)成，當(dāng)負(fù)載電流大于設(shè)計(jì)的過流保護(hù)電流值時(shí)，能夠迅速切斷負(fù)載供電回路，達(dá)到負(fù)載過流保護(hù)的目的，且該過過流保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉。


圖I是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。過流保護(hù)電路，連接在電源和用電負(fù)載之間，過流保護(hù)電路包括穩(wěn)壓管D1、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、分壓電阻R5、米樣電阻R6、P型MOS管Q2、第一開關(guān)管101和第二開關(guān)管102 ；P型MOS管Q2的源極為過流保護(hù)電路的輸入端接所述電源正極，P型MOS管Q2的漏極為過流保護(hù)電路的輸出端接用電負(fù)載，分壓電阻Rl的第一端接電源正極，分壓電阻Rl的第二端通過分壓電阻R2接地，第一開關(guān)管101的控制端接分壓電阻Rl和分壓電阻R2的公共連接端，第一開關(guān)管101的低電位端接地，第一開關(guān)管101的高電位端接P型MOS管Q2的柵極，分壓電阻R3連接在電源正極與第一開關(guān)管101的高電位端之間，采樣電阻R6的第一端接用電負(fù)載，采樣電阻R6的第二端接地，穩(wěn)壓管Dl的陰極接采樣電阻R6的第一端，穩(wěn)壓管Dl的陽極接分壓電阻R5的第一端，分壓電阻R5的第二端通過分壓電阻R4接地，第二開關(guān)管102的控制端接分壓電阻R4和分壓電阻R5的公共連接端，第二開關(guān)管102的低電位端接地，第二開關(guān)管102的高電位端接第一開關(guān)管101的控制端。作為本發(fā)明一實(shí)施例，第一開關(guān)管101采用三極管Q1，三極管Ql的基極為第一開關(guān)管101的控制端，三極管Ql的集電極為第一開關(guān)管101的高電位端，三極管Ql的發(fā)射極為第一開關(guān)管101的低電位端。作為本發(fā)明一實(shí)施例，第二開關(guān)管102采用三極管Q3，三極管Q3的基極為第二開關(guān)管102的控制端，三極管Q3的集電極為第二開關(guān)管102的高電位端，三極管Q3的發(fā)射極為第二開關(guān)管102的低電位端。圖2示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。作為本發(fā)明一實(shí)施例，第一開關(guān)管101采用N型MOS管Q4，N型MOS管Q4的柵極為第一開關(guān)管101的控制端，N型MOS管Q4的漏極為第一開關(guān)管101的高電位端，N型MOS管Q4的源極為第一開關(guān)管101的低電位端。作為本發(fā)明一實(shí)施例，第二開關(guān)管102采用N型MOS管Q5，N型MOS管Q5的柵極為第二開關(guān)管102的控制端，N型MOS管Q5的漏極為第二開關(guān)管102的高電位端，N型MOS管Q5的源極為第二開關(guān)管102的低電位端。下面以第一開關(guān)管101采用三極管Ql，第二開關(guān)管102采用三極管Q3為例，對過流保護(hù)電路的工作原理進(jìn)行說明當(dāng)接通電源且用電負(fù)載工作電流正常時(shí)，電源通過分壓電阻Rl和分壓電阻R2分壓，三極管Ql基極電壓為高電平且進(jìn)入開通狀態(tài)，那么P型MOS管Q2的柵極通過三極管Ql集電極和發(fā)射極連接到地，P型MOS管Q2柵極電壓為低電平，P型MOS管Q2進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)， 那么P型MOS管Q2的源極和漏極直通，電源給用電負(fù)載供電，此時(shí)用電負(fù)載工作電流正常，穩(wěn)壓管Dl截止，三極管Q3基極為低電平，處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)用電負(fù)載工作電流大于設(shè)計(jì)的過流保護(hù)電流值時(shí)，采樣電阻R6上的電壓升高，穩(wěn)壓管Dl被擊穿而進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，三極管Q3基極電平由低變成高且進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，那么三極管Ql基極電平由高變成低且進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，那么P型MOS管Q2柵極電平由低變成高，P型MOS管Q2進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，那么P型MOS管Q2的源極和漏極斷開，電源不再給用電負(fù)載供電。如果用電負(fù)載工作電流恢復(fù)正常，此時(shí)穩(wěn)壓管Dl由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為不導(dǎo)通狀態(tài)，三極管Q3基極電平由高變成低，三極管Q3進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，三極管Ql基極電平由低變成高，三極管Ql進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，那么P型MOS管Q2柵極電平則由高變成低，P型MOS管Q2進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，那么P型MOS管Q2的源極和漏極導(dǎo)通，電源恢復(fù)給用電負(fù)載供電。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種燈具，包括連接在電源和燈具電路之間的過流保護(hù)電路，過流保護(hù)電路結(jié)構(gòu)如上所述，這里不再贅述。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例提供的過流保護(hù)電路采用分立元件構(gòu)成，當(dāng)負(fù)載電流大于設(shè)計(jì)的過流保護(hù)電流值時(shí)，能夠迅速切斷負(fù)載供電回路，達(dá)到負(fù)載過流保護(hù)的目的，且該過流保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種過流保護(hù)電路，連接在電源和用電負(fù)載之間，其特征在于，所述過流保護(hù)電路包括: 穩(wěn)壓管D1、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、分壓電阻R5、采樣電阻R6、P型MOS管Q2、第一開關(guān)管和第二開關(guān)管； 所述P型MOS管Q2的源極為過流保護(hù)電路的輸入端接所述電源正極，所述P型MOS管Q2的漏極為過流保護(hù)電路的輸出端接用電負(fù)載，所述分壓電阻Rl的第一端接電源正極，所述分壓電阻Rl的第二端通過分壓電阻R2接地，所述第一開關(guān)管的控制端接分壓電阻Rl和分壓電阻R2的公共連接端，所述第一開關(guān)管的低電位端接地，所述第一開關(guān)管的高電位端接P型MOS管Q2的柵極，所述分壓電阻R3連接在電源正極與第一開關(guān)管的高電位端之間，所述采樣電阻R6的第一端接用電負(fù)載，所述采樣電阻R6的第二端接地，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接采樣電阻R6的第一端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽極接分壓電阻R5的第一端，所述分壓電阻R5的第二端通過分壓電阻R4接地，所述第二開關(guān)管的控制端接分壓電阻R4和分壓電阻R5的公共連接端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的高電位端接第一開關(guān)管的控制端。
2.如權(quán)利要求I所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用三極管Ql，所述三極管Ql的基極為第一開關(guān)管的控制端，所述三極管Ql的集電極為第一開關(guān)管的高電位端，所述三極管Ql的發(fā)射極為第一開關(guān)管的低電位端。
3.如權(quán)利要求I所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第一開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第一開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第一開關(guān)管的低電位端。
4.如權(quán)利要求I所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用三極管Q3，所述三極管Q3的基極為第二開關(guān)管的控制端，所述三極管Q3的集電極為第二開關(guān)管的高電位端，所述三極管Q3的發(fā)射極為第二開關(guān)管的低電位端。
5.如權(quán)利要求I所述的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的柵極為第二開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏極為第二開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q5的源極為第二開關(guān)管的低電位端。
6.一種燈具，包括連接在電源和燈具電路之間的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述過流保護(hù)電路包括 穩(wěn)壓管DI、分壓電阻Rl、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、分壓電阻R5、采樣電阻R6、P型MOS管Q2、第一開關(guān)管和第二開關(guān)管； 所述P型MOS管Q2的源極為過流保護(hù)電路的輸入端接所述電源正極，所述P型MOS管Q2的漏極為過流保護(hù)電路的輸出端接用電負(fù)載，所述分壓電阻Rl的第一端接電源正極，所述分壓電阻Rl的第二端通過分壓電阻R2接地，所述第一開關(guān)管的控制端接分壓電阻Rl和分壓電阻R2的公共連接端，所述第一開關(guān)管的低電位端接地，所述第一開關(guān)管的高電位端接P型MOS管Q2的柵極，所述分壓電阻R3連接在電源正極與第一開關(guān)管的高電位端之間，所述采樣電阻R6的第一端接用電負(fù)載，所述采樣電阻R6的第二端接地，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接采樣電阻R6的第一端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽極接分壓電阻R5的第一端，所述分壓電阻R5的第二端通過分壓電阻R4接地，所述第二開關(guān)管的控制端接分壓電阻R4和分壓電阻R5的公共連接端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的高電位端接第一開關(guān)管的控制端。
7.如權(quán)利要求6所述的燈具，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用三極管Ql，所述三極管Ql的基極為第一開關(guān)管的控制端，所述三極管Ql的集電極為第一開關(guān)管的高電位端，所述三極管Ql的發(fā)射極為第一開關(guān)管的低電位端。
8.如權(quán)利要求6所述的燈具，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的柵極為第一開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏極為第一開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q4的源極為第一開關(guān)管的低電位端。
9.如權(quán)利要求6所述的燈具，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用三極管Q3，所述三極管Q3的基極為第二開關(guān)管的控制端，所述三極管Q3的集電極為第二開關(guān)管的高電位端，所述三極管Q3的發(fā)射極為第二開關(guān)管的低電位端。
10.如權(quán)利要求6所述的燈具，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的柵極為第二開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏極為第二開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q5的源極為第二開關(guān)管的低電位端。
全文摘要
本發(fā)明適用于保護(hù)電路領(lǐng)域，尤其涉及一種過流保護(hù)電路及燈具。在本發(fā)明實(shí)施例中，本過流保護(hù)電路采用分立元件構(gòu)成，當(dāng)負(fù)載電流大于設(shè)計(jì)的過流保護(hù)電流值時(shí)，能夠迅速切斷負(fù)載供電回路，達(dá)到負(fù)載過流保護(hù)的目的，且該過流保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉。
文檔編號H02H3/08GK102780199SQ20111012424
公開日2012年11月14日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者周明杰, 孫占民 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司