專利名稱：電容脈沖放電裝置、電容投切開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明電容脈沖放電裝置、電容投切開關(guān)屬于電開關(guān)領(lǐng)域，特別是一種能對電力電容快速放電的裝置和一種能進行二次快速投入的電容投切開關(guān)。
背景技術(shù)：
目前在電力動態(tài)無功補償系統(tǒng)中，廣泛使用可控硅這種電容投切開關(guān)對電容進行投切控制，但由于三相電的相位差為120度，且可控硅本身具有電流過零分?jǐn)嗟奶攸c，在開關(guān)分?jǐn)嗪?，三角形接法的電容會出現(xiàn)電容端電壓疊加現(xiàn)象，其中一相電容殘壓將會遠高于線電壓的峰值，在短時間內(nèi)無法具備等電位二次快速投入的條件；當(dāng)在電壓波動較大的場合，即使電容投切開關(guān)對單相電容分?jǐn)?，由于可控硅本身具有電流過零分?jǐn)嗟奶攸c，此時負(fù)載電容的殘壓為可控硅分?jǐn)鄷r交流電壓的峰值，如二次投入時電網(wǎng)電壓變低，則在短時間內(nèi)也同樣無法具備等電位二次快速投入的條件，為此一般在電柜設(shè)計中，為達的較快速二次投入的目的，在電容投切開關(guān)輸出端或電容輸入端，連接有放電電阻或放電燈，為兼顧到能耗，一般RC時間常數(shù)很大，放電速度慢，這造成放電電路能耗大、放電效果不佳、電容投切開關(guān)二次投入速度慢，動態(tài)補償效果差的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有電容放電和電容投切開關(guān)的不足之處而提供一種具有大電流瞬間脈沖放電功能的電容脈沖放電裝置及對電力電容快速二次投入的帶有電容脈沖放電裝置的電容投切開關(guān)。實現(xiàn)本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來達到的，一種電容脈沖放電裝置，其包括放電電阻、半導(dǎo)體開關(guān)、控制電路，放電電阻與半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成電容放電回路，控制電路連接有供電電源，控制電路與半導(dǎo)體開關(guān)的控制端連接，由控制電路提供脈沖信號控制半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通，電容殘壓通過放電電阻、半導(dǎo)體開關(guān)進行大電流快速脈沖放電，使電容殘壓能在極短的時間內(nèi)放電至具備等電位二次投入的條件。一種電容脈沖放電裝置，半導(dǎo)體開關(guān)包括至少一半導(dǎo)體開關(guān)管，半導(dǎo)體開關(guān)管為可控關(guān)斷元件。一種電容脈沖放電裝置，電容放電回路串聯(lián)有晶閘管?！N電容脈沖放電裝置，晶閘管的陽極與控制極連接有壓敏元件。一種電容脈沖放電裝置，電容放電回路內(nèi)置有整流電路?！N電容脈沖放電裝置,控制電路內(nèi)置有微控制器。一種電容脈沖放電裝置，控制電路連接有電壓過零信號輸入端口。一種電容脈沖放電裝置，控制電路的供電電源輸入端與電容放電回路兩端相連接。一種電容脈沖放電裝置，控制電路內(nèi)置有失電檢測電路。一種電容脈沖放電裝置，失電檢測電路的輸入端連接至控制電路電源濾波電容的前級，失電檢測電路與控制電路電源濾波電容之間至少有一單向整流元件隔離。一種帶有本發(fā)明電容脈沖放電裝置的電容投切開關(guān)，至少一可控硅連接電容放電回路和控制電路，控制電路連接有投入控制端口。一種電容投切開關(guān)，電容投切開關(guān)內(nèi)置有采用了互感器的電壓過零檢測電路。其工作原理在電容投切開關(guān)對負(fù)載電容分?jǐn)嗪?，利用電容殘壓高時放電速度快的特點，在極短的時間內(nèi)控制電路提供一脈沖信號控制半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通，由放電電阻和半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成的電容放電回路對電容快速大電流放電，使電容殘壓降到具備等電位投入的條件即可。本發(fā)明電容脈沖放電裝置設(shè)計合理，在電容分?jǐn)嗪罄秒娙輾垑焊邥r放電速度快的特點，只要控制電路提供適合寬度的脈沖信號給半導(dǎo)體開關(guān)對負(fù)載電容殘壓進行脈沖快速放電，使電容殘壓降到與供電電壓峰值約為相等即可，放電時間幾十毫秒內(nèi)即可完成，可以大大加快了放電時間、極大的減小了放電電阻能耗和溫升、提高電容投切開關(guān)的二次投入速度；本發(fā)明的電容投切開關(guān)其包括前面所述的電容脈沖放電裝置，在電容脈沖放電裝置基礎(chǔ)上連接了可控硅，由本發(fā)明的電容投切開關(guān)作為對電力電容的動態(tài)投切，具有脈沖放電能耗低、發(fā)熱量極小、二次投入快、無需多組電容投切開關(guān)輪流投切即可達到動態(tài)快速補償?shù)男Ч?，這對整個補償系統(tǒng)而言即大大節(jié)約了成本、減小了電柜的體積、也近一步提高了系統(tǒng)的可靠性。


附圖I是本發(fā)明電容脈沖放電裝置的實施例之一電路示意圖。附圖2是本發(fā)明電容脈沖放電裝置的實施例之二電路示意圖。附圖3是本發(fā)明電容投切開關(guān)的實施例之一電路示意圖。附圖4是本發(fā)明電容投切開關(guān)的實施例之二電路示意圖。
具體實施例方式如附圖I所示的電容脈沖放電裝置，放電電阻Rl與由整流橋BR1、半導(dǎo)體開關(guān)管 Ql組成的半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成電容放電回路(注當(dāng)開關(guān)管Ql為交流開關(guān)管時，如開關(guān)管采用IGBT交流模塊，整流電路BRl可以省略)，整流橋BRl的交流輸入端與放電電阻Rl連接，整流輸出端與開關(guān)管Ql電流輸入輸出端連接，開關(guān)管Ql的導(dǎo)通偏置信號由電阻R2與穩(wěn)壓二極管Zl串聯(lián)穩(wěn)壓經(jīng)控制電路A的光電耦合器OPTl提供，電容Cl為濾波用途，電阻 R3為下拉電阻，防止開關(guān)管Ql誤導(dǎo)通，Jl、J2為用于與電容投切開關(guān)輸出端或負(fù)載電容輸入端相連接的端點?？刂齐娐稟 以微控制器MCU (此實施例MCU型號以F300為例)為控制核心，控制電路工作電源由Jl、J2端點輸入經(jīng)電容C2降壓，經(jīng)整流電路BR2整流、經(jīng)二極管D1、再通過Z2穩(wěn)壓、電容C3和電容C4濾波給MCU供電；在濾波電容C3、C4的前級，即二極管Dl的陽極端連接有由電阻R4、三極管Q2組成的失電檢測電路(注由于失電檢測電路輸出的是全波信號，失電檢測電路能夠在電容投切開關(guān)分?jǐn)嗪蟀雮€周波時間內(nèi)，使MCU得到響應(yīng)，以最短的時間打開電容放電回路的半導(dǎo)體開關(guān)，失電檢測電路必須放在控制電路電源濾波電容的前級，可以是前一級或以上)，三極管Q2輸出端連接至微控制器MCU的PO. I 口，微控制器MCU的PO. 2 口通過限流電阻R5驅(qū)動光電耦合器OPTl，由光電耦合器OPTl輸出端連接至半導(dǎo)體開關(guān)(即開關(guān)管Ql)的控制端。注在此實施例中控制電路供電電源輸入端和由放電電阻、半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成的電容放電回路連接在一起，需外接連接導(dǎo)線少，控制電路A采用電容降壓供電，工作能耗低，在現(xiàn)實應(yīng)用中極為方便。工作過程在電容投切開關(guān)接通電容后，作為與電容投切開關(guān)輸出端或負(fù)載電容端相連接的電容脈沖放電裝置，得到交流電源，控制電路A上電后，微控制器MCU得電工作， 微控制器MCU的PO. I端口不斷檢測J1、J2輸入端輸入的交流電信號，當(dāng)電容投切開關(guān)斷開后，此時由電容C4儲能來提供MCU工作能量，微控制器MCU的PO. I端口檢測到Jl、J2輸入端無交流電信號，MCU的PO. 2端口輸出低電平脈沖信號控制OPTl導(dǎo)通，半導(dǎo)體開關(guān)管Ql 得到偏置電壓導(dǎo)通，在脈沖輸出期間負(fù)載電容殘壓快速通過放電電阻Rl和半導(dǎo)體開關(guān)放電(注脈沖寬度可根據(jù)負(fù)載電容容量和放電電阻的阻值來確定其參數(shù)，脈沖寬度只要保證半導(dǎo)體放電電路把電容殘壓放到與電網(wǎng)電壓峰值接近即可，如在放電期間微控制器MCU 的PO. I端口檢測到Jl、J2輸入端有交流電信號輸入，則立即關(guān)閉放電脈沖)，放電過后控制電路進入下次工作循環(huán)。如附圖2所示的電容脈沖放電裝置，整流橋BRl輸出端與由放電電阻R1、晶閘管 SCRa和半導(dǎo)體開關(guān)管Ql組成的串聯(lián)回路相連接(整流橋BRl與半導(dǎo)體開關(guān)管Ql在這里共同組成交流半導(dǎo)體開關(guān)，放電電阻Rl與其串聯(lián)組成電容放電回路，晶閘管SCRa是為提高整個放電回路耐壓而增加的，當(dāng)開關(guān)管Ql為交流開關(guān)管時，如開關(guān)管采用IGBT交流模塊， 整流電路BRl可以省略)，晶閘管SCRa的陰極連接開關(guān)管Ql的電流輸入端，晶閘管SCRa的陽極與晶閘管SCRa的控制極連接壓敏元件RV1、晶閘管SCRa的控制極與開關(guān)管Ql電流輸出端連接壓敏元件RV2(注壓敏元件RVl的穩(wěn)壓值應(yīng)選擇比電容工作的電網(wǎng)電壓的峰值略小，保證開關(guān)管Ql打開時，能可靠觸發(fā)晶閘管SCRa導(dǎo)通，壓敏元件RV2的穩(wěn)壓值應(yīng)選擇小于開關(guān)管Ql耐壓值)，開關(guān)管Ql的導(dǎo)通偏置信號由電阻R2與穩(wěn)壓二極管Zl串聯(lián)穩(wěn)壓經(jīng)控制電路A的光電耦合器OPTl提供，電容Cl為濾波用途，電阻R3為下拉電阻，防止開關(guān)管Ql 誤導(dǎo)通。J1、J2為電容脈沖放電裝置與電容投切開關(guān)輸出端或負(fù)載電容輸入端相連接的端點，J3、J4為控制電路A電源輸入端口，J5、J6為用于與電容投切開關(guān)觸點兩端相連接的電壓過零信號輸入端口?？刂齐娐稟 以微控制器MCU (此實施例MCU型號以F300為例)為控制核心，控制電路工作電源由J3、J4端點輸入電源經(jīng)電容C2降壓，經(jīng)整流電路BR2整流，再通過Z2穩(wěn)壓、電容C3和C4濾波給MCU供電；J5、J6為用于與電容投切開關(guān)輸入輸出端相連接的電壓過零信號輸入端口(注此實施例控制電路增加電壓過零信號輸入端口目的在于，控制電路可以根據(jù)此端口輸入的信號，及時控制電容放電回路半導(dǎo)體開關(guān)打開，進行放電，在放電期間，并根據(jù)此端口輸入的信號，可以實時得知電容殘壓是否降至具備等電位投入條件，達到在最短時間放電)，輸入信號通過內(nèi)置的由限流電阻R8、光電耦合器0PT2組成的電壓過零檢測電路連接至微控制器MCU的PO. 5 口，微控制器MCU的PO. 2 口通過限流電阻R5驅(qū)動光電耦合器0PT1，由光電耦合器OPTl輸出端連接至半導(dǎo)體開關(guān)(即開關(guān)管Ql)的控制端。工作過程控制電路A上電后，微控制器MCU得電工作，微控制器MCU的PO. 5端口不斷檢測J5、J6輸入端輸入的電信號(注在電容投切開關(guān)觸點閉合的情況下為高電平)，當(dāng)電容投切開關(guān)斷開后，微控制器MCU的PO. 5端口檢測到有低電平時，由微控制器MCU的 PO. 2端口輸出低電平脈沖信號控制OPTl導(dǎo)通，半導(dǎo)體開關(guān)管Ql得到偏置電壓導(dǎo)通，晶閘管SCRa由RVl觸發(fā)導(dǎo)通，在脈沖輸出期間對負(fù)載電容快速通過半導(dǎo)體開關(guān)、放電電阻Rl放電，放電期間當(dāng)微控制器MCU的PO. 5端口檢測到有高電平時，PO. 2端口輸出高電平，放電停止，放電過后控制電路進入下次工作循環(huán)。如附圖3所示的電容投切開關(guān)，Jl、J2、J3為電容投切開關(guān)三相電輸入端，J4、J5、 J6為電容投切開關(guān)輸出端，整流橋BRl輸出端與由放電電阻Rl、晶閘管SCRa和半導(dǎo)體開關(guān)管Ql組成的串聯(lián)回路相連接(整流橋BRl與半導(dǎo)體開關(guān)管Ql在這里共同組成交流半導(dǎo)體開關(guān)，放電電阻Rl與其串聯(lián)組成電容放電回路，晶閘管SCRa是為提高整個放電回路耐壓而增加的，當(dāng)開關(guān)管Ql為交流開關(guān)管時，如開關(guān)管采用IGBT交流模塊，整流電路BRl可以省略)，整流橋BRl交流輸入端連接至可控硅SCRl輸出端、可控硅SCR2輸出端，半導(dǎo)體開關(guān)的控制端(即開關(guān)管Ql的導(dǎo)通偏置端)、可控硅SCRl控制端和可控硅SCR2控制端連接至控制電路A，控制電路A的電壓過零輸入端分別連接至SCRl的輸入輸出兩端和SCR2的輸入輸出兩端，J7、J8為控制電路A的電源輸入端點，J9、JlO為控制電路的投入控制信號輸入端控制電路A :其以微控制器MCU (此實施例MCU型號以F300為例)為控制核心，控制電路工作電源由J7、J8端點輸入經(jīng)變壓器Tl降壓，經(jīng)整流電路BR2整流、二極管D1、電容 Cl和C2濾波后，一路通過Ul穩(wěn)壓、電容C3和C4濾波給微控制器MCU供電；另一路給觸發(fā)變壓器T2、T3輸入端驅(qū)動供電，T2輸出端與T3輸出端分別連接至可控硅SCR1、SCR2的控制端；在濾波電容C1、C2的前級，即二極管Dl的陽極端連接有由電阻R18和三極管Q6組成的失電檢測電路(注由于失電檢測電路輸出的是全波信號，失電檢測電路能夠在電網(wǎng)失電半個周波時間內(nèi)，使MCU得到響應(yīng)，以最短的時間關(guān)閉主回路可控硅SCR1、SCR2，防止電網(wǎng)短時間重復(fù)上電損壞可控硅，失電檢測電路必須放在控制電路電源濾波電容的前級,可以是前一級或以上)，三極管Q6輸出端連接至微控制器MCU的PO. I 口，控制電路內(nèi)置兩個分別由互感器T4與限流電阻R9串聯(lián)、互感器T5與限流電阻R13串聯(lián)組成的電壓過零檢測電路(注為提高電容投切開關(guān)電壓過零投入的精準(zhǔn)度、減小頻繁投切帶來電壓過零檢測電路限流電阻能耗大的問題，是本實施例采用靈敏度高的互感器作為電壓過零檢測元件的原因)，互感器T4輸入端通過限流電阻R9連接至可控硅SCRl的輸入輸出兩端，互感器T4 輸出端通過BR3整流，再經(jīng)三極管Q4電平變換，到微控制器MCU的PO. 6 口，互感器T5輸入端通過限流電阻R13連接至可控硅SCR2的輸入輸出兩端，互感器T5輸出端通過BR4整流， 再經(jīng)三極管Q5電平變換，到微控制器MCU的PO. 4 口，微控制器MCU的PO. 7 口輸出脈沖信號通過限流電阻R8給三極管Q2，由Q2驅(qū)動觸發(fā)變壓器T2，T2輸出端輸出脈沖信號驅(qū)動可控硅SCRl導(dǎo)通，微控制器MCU的PO. 5 口輸出脈沖信號通過限流電阻Rl2控制三極管Q3，由 Q3驅(qū)動觸發(fā)變壓器Τ3，Τ3輸出端輸出脈沖信號驅(qū)動可控硅SCR2導(dǎo)通，J9、JlO輸入端的投入控制信號經(jīng)光電耦合器OPTl光電隔離輸入到微控制器MCU的PO. O 口，微控制器MCU的 PO. 2 口通過限流電阻R7驅(qū)動光電耦合器0ΡΤ2，由光電耦合器0ΡΤ2輸出端連接至電容放電回路的半導(dǎo)體開關(guān)(即開關(guān)管Ql)的控制端。工作過程在控制電路A上電后，微控制器MCU得電工作，微控制器MCU先根據(jù) PO. 6端口、PO. 4端口輸入的電壓過零檢測信號，得到可控硅SCR1、SCR2所控制相之間的電壓相位差，當(dāng)微控制器MCU的PO. O端口檢測到J9、JlO輸入端的投入控制信號，微控制器 MCU再根據(jù)PO. 6端口、P0. 4端口輸入的電壓過零檢測信號，微控制器MCU的PO. 7端口、PO. 5 端口分別輸出脈沖串信號給Q2、Q3，再由T2、T3輸出端輸出觸發(fā)可控硅SCRl、SCR2電壓過零導(dǎo)通(在可控硅SCR1、SCR2導(dǎo)通期間，微控制器MCU不斷檢測PO. I端口，如有失電，馬上關(guān)閉給可控硅SCR1、SCR2的觸發(fā)信號，防止短期重復(fù)上電，造成可控硅SCR1、SCR2損壞)，當(dāng)微控制器MCU檢測到J9、J10輸入端無投入控制信號時，根據(jù)可控硅SCRl與可控硅SCR2所控制相的相位差控制可控硅SCRl與可控硅SCR2電流過零關(guān)斷的時間間隔，保證電容投切開關(guān)每次分?jǐn)嚯娙輹r可控娃SCRl與SCR2輸出端之間的負(fù)載電容殘壓為最大值,如可控娃 SCRl比SCR2所控制的電壓相位超前120度時，PO. 5端口滯后電網(wǎng)交流電半個周波時間，關(guān)閉脈沖信號，如可控硅SCRl比SCR2所控制的電壓相位滯后120度時，PO. 7端口滯后電網(wǎng)交流電半個周波時間，關(guān)閉脈沖信號，可控硅SCR1、SCR2電流過零截止，微控制器MCU的PO. 2 端口輸出脈沖低電平信號控制0PT2導(dǎo)通，半導(dǎo)體開關(guān)管Ql控制端得到偏置電壓導(dǎo)通，晶閘管SCRa由RVl觸發(fā)導(dǎo)通，在脈沖輸出期間由負(fù)載電容快速通過放電電阻R1、半導(dǎo)體開關(guān)放電，在脈沖輸出期間同時微控制器MCU要通過PO. 6端口、PO. 4端口對可控硅SCR1、SCR2電壓過零信號進行檢測，如都存在電壓過零信號(注要有交變電平信號)，輸出到半導(dǎo)體開關(guān)管Ql的控制脈沖信號關(guān)閉，放電過后控制電路進入下次工作循環(huán)。如附圖4所不的電容投切開關(guān)，Jl為電容投切開關(guān)輸入端，J2為電容投切開關(guān)輸出端，可控硅SCRl輸出端和輸入端連接有放電電阻Rl和半導(dǎo)體開關(guān)(這里由整流電路BRl 和開關(guān)管Ql共同組成交流半導(dǎo)體開關(guān))組成的電容放電回路，半導(dǎo)體開關(guān)的控制端(即開關(guān)管Ql的導(dǎo)通偏置端)、可控硅SCRl控制端連接至控制電路A，J3、J4為控制電路A的電源輸入端點，J5、J6為控制電路的投入控制信號輸入端?？刂齐娐稟 :其以微控制器MCU (此實施例MCU型號以F300為例)為控制核心，控制電路工作電源由J3、J4端點輸入經(jīng)變壓器Tl降壓，經(jīng)整流電路BR2整流、二極管D1、電容 Cl和C2濾波后，通過Ul穩(wěn)壓、電容C3和C4濾波給MCU供電；在濾波電容Cl、C2的前級，即二極管Dl的陽極端連接有由電阻RlO和三極管Q2組成的失電檢測電路(注由于失電檢測電路輸出的是全波信號，失電檢測電路能夠在電網(wǎng)失電半個周波時間內(nèi)，使MCU得到響應(yīng)，以最短的時間關(guān)閉可控硅SCR1，防止電網(wǎng)短時間重新上電損壞可控硅，失電檢測電路必須放在控制電路濾波電容的前級，可以是前一級或以上)，三極管Q2輸出端連接至微控制器MCU的PO. I 口，J5、J6輸入端的輸入控制信號經(jīng)光電稱合器OPTl光電隔離輸入到微控制器MCU的PO. O 口，微控制器MCU的PO. 7 口通過限流電阻R4驅(qū)動光電耦合器0PT3，光電耦合器0PT3輸出端通過限流電阻R5驅(qū)動可控硅SCRl電壓過零導(dǎo)通，微控制器MCU的PO. 2 口通過限流電阻R7驅(qū)動光電耦合器0PT2，由光電耦合器0PT2輸出端連接至電容放電回路開關(guān)管Ql的控制端。(注此實施例的光電耦合器0PT3選用M0C3081、M0C3082、M0C3083 等自帶過零觸發(fā)功能的光電耦合器)工作過程在控制電路A上電后，微控制器MCU得電工作，當(dāng)微控制器MCU的PO. O 端口檢測到J5、J6輸入端存在投入控制信號，微控制器MCU的PO. 7端口輸出低電平信號驅(qū)動光電耦合器0PT3，由光電耦合器0PT3輸出端輸出控制可控硅SCRl電壓過零導(dǎo)通，在可控硅SCRl導(dǎo)通期間，微控制器MCU不斷檢測PO. I端口，如有失電，馬上關(guān)閉可控硅SCRl的觸發(fā)信號，防止短期重復(fù)上電，造成可控硅SCRl損壞，當(dāng)微控制器MCU檢測到J5、J6輸入端無投入控制信號時，微控制器MCU的PO. 7端口輸出高電平信號，光電耦合器0PT3、可控硅 SCRl電流過零截止，微控制器MCU的PO. 2端口輸出低電平脈沖信號控制光電耦合器0PT2 導(dǎo)通，電容放電回路的開關(guān)管Ql得到偏置電壓導(dǎo)通，在脈沖輸出期間對負(fù)載電容快速通過電容放電回路的放電電阻Rl、半導(dǎo)體開關(guān)對電網(wǎng)電源回路放電，放電過后控制電路進入下次工作循環(huán)。在上述電容脈沖放電裝置實施例一、實施例二和電容投切開關(guān)實施例一、實施例二中開關(guān)管可以采用場效應(yīng)管、IGBT、三極管等可控關(guān)斷元件；電容投切開關(guān)實施例一、實施例二中可控硅實施例均采用雙向可控硅，在實際應(yīng)用中也可以采用兩只單向可控硅反向并聯(lián)，工作原理相同。
權(quán)利要求
1.一種電容脈沖放電裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體開關(guān)；放電電阻，與所述半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成電容放電回路；控制電路，連接有供電電源，與所述半導(dǎo)體開關(guān)的控制端連接，由控制電路提供脈沖信 號控制半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通，電容殘壓通過所述放電電阻、所述半導(dǎo)體開關(guān)進行大電流快速脈 沖放電，使電容殘壓在極短的時間內(nèi)放電至具備等電位二次投入的條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體開關(guān)包括至少一 半導(dǎo)體開關(guān)管，所述半導(dǎo)體開關(guān)管為可控關(guān)斷元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述電容放電回路串聯(lián)有晶 閘管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述晶閘管的陽極與控制極 連接有壓敏元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述電容放電回路內(nèi)置有整 流電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述控制電路內(nèi)置有微控制器。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述控制電路連接有電壓過零信號輸入端口。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述控制電路的供電電源輸 入端與所述電容放電回路兩端相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述控制電路內(nèi)置有失電檢 測電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容脈沖放電裝置，其特征在于所述失電檢測電路的輸入 端連接至所述控制電路電源濾波電容的前級，所述失電檢測電路與所述控制電路電源濾波 電容之間至少有一單向整流元件隔離。
11.一種帶有根據(jù)權(quán)利要求I至10中任意一項的電容脈沖放電裝置的電容投切開關(guān)， 其特征在于至少一可控硅連接電容放電回路和控制電路，控制電路連接有投入控制端口。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容投切開關(guān)，其特征在于所述電容投切開關(guān)內(nèi)置有采用 了互感器的電壓過零檢測電路。
全文摘要
本發(fā)明電容脈沖放電裝置，由放電電阻與半導(dǎo)體開關(guān)串聯(lián)組成電容放電回路，控制電路與半導(dǎo)體開關(guān)的控制端連接，由控制電路提供脈沖信號控制半導(dǎo)體開關(guān)導(dǎo)通，對電容殘壓進行大電流快速脈沖放電，使電容殘壓在極短的時間內(nèi)放電到具備等電位二次投入的條件，采用本發(fā)明對電容殘壓放電，可以大大加快放電時間、極大的減小放電電阻能耗和溫升、提高電容投切開關(guān)的二次投入速度；本發(fā)明的電容投切開關(guān)是在前面所述的電容脈沖放電裝置的基礎(chǔ)上，連接了可控硅，由本發(fā)明的電容投切開關(guān)作為對電力電容的動態(tài)投切，具有二次投入快、節(jié)能、經(jīng)濟性好、可靠性高的特點。
文檔編號H02J3/18GK102611090SQ20111002905
公開日2012年7月25日 申請日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者賴斌龍, 鄧達, 郭橋石 申請人:廣州市金矢電子有限公司