專利名稱：雙層疊片式貼片型整流全橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種整流橋，特別是一種用雙層KFC料片交叉疊放固定晶粒形成 的雙層疊片式貼片型整流全橋。
背景技術(shù)：
整流橋模塊是分立式整流管、可控硅元件組成的橋式整流電路的替代產(chǎn)品，是將 整流管、可控硅組成的整流電路封裝在同一個(gè)外殼內(nèi)，并且電路與外殼絕緣的新一代電力 電子器件產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用在電力電子控制設(shè)備中，如逆變電源、電動(dòng)機(jī)、調(diào)速裝置、電梯控 制等領(lǐng)域。橋式模塊與分立器件組成的整流橋電路相比，具有體積小，安裝方便，可靠性高 等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)有整流橋的引腳和引線架均采用KFC銅材制成，由于銅材價(jià)格的不斷上漲，使 整流橋的生產(chǎn)成本不斷增加，以往粗放式的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝再也不能夠適合當(dāng)今半導(dǎo) 體封裝行業(yè)的發(fā)展，之前貼片型整流全橋采用的是五層引線框架結(jié)構(gòu)裝架的，是將五層疊 片疊放，然后將晶粒設(shè)置于這五層疊片之間形成的整流電路，這種設(shè)計(jì)耗銅材量大，裝架 慢，晶粒定位差。這樣的工藝使得焊接模壓后在切筋工序時(shí)就會(huì)將多余的銅材白白的切掉， 浪費(fèi)了原材料，以至于生產(chǎn)成本很高。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)背景技術(shù)中所述的現(xiàn)有的整流全橋存在的浪費(fèi)材料 以及成本高的問題，提供一種雙層料片整流全橋。實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種雙層疊片式貼片型整流全橋，其包括第一料片、第二料片以及第一晶粒、第二 晶粒、第三晶粒和第四晶粒，第一料片和第二料片的正面為光面，背面為毛面，第一料片上 設(shè)置有若干個(gè)第一工位，第二料片上與第一料片相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有與第一工位相對(duì)應(yīng)的 第二工位，第一料片的每個(gè)工位上設(shè)置有第一引腳和第二引腳，第一引腳連接第一平臺(tái)面 和第二平臺(tái)面，第二引腳連接第一凸起面和第二凸起面，第二料片上設(shè)置有第三引腳和第 四引腳，第三引腳連接第三平臺(tái)面和第三凸起面，第四引腳連接第四平臺(tái)面和第四凸起面， 各個(gè)引腳與平臺(tái)面或者凸起面之間的連接處設(shè)置有相對(duì)于料片的光面向下的折彎部，所述 的第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒分別設(shè)置于第一平臺(tái)面、第二平臺(tái)面、第三平 臺(tái)面和第四平臺(tái)面上，各個(gè)晶粒的N極與相應(yīng)的平臺(tái)面連接，第一晶粒的P極與第四凸起面 連接，第二晶粒的P極與第三凸起面連接，第三晶粒的P極與第一凸起面連接，第四晶粒的 P極與第二凸起面連接。為了便于整流電路的裝接，所述的第一料片上設(shè)置有用于裝晶粒時(shí)對(duì)第一料片進(jìn) 行定位的第一定位孔，所述的第二料片上設(shè)置有用于裝晶粒時(shí)對(duì)第二料片進(jìn)行定位的第二 定位孔。為了便于操作人員識(shí)別第一料片和第二料片，所述的第二定位孔與第一定位孔的間距或者是數(shù)量不同。為了便于晶粒的裝配，所述的折彎部的高度為0. 2mm 0. 3mm。所述的各個(gè)晶粒與平臺(tái)面以及凸起面均是通過焊錫膏連接。本實(shí)用新型的雙層疊片整流全橋與現(xiàn)有的五層疊片結(jié)構(gòu)的整流全橋相比極大的 節(jié)約原材料，只需要用兩層疊片即可使晶粒進(jìn)行連接，組成整流電路，各個(gè)晶粒的N極連接 平臺(tái)面，P極連接凸起面，通過焊錫膏使晶粒與平臺(tái)面以及凸起面連接在一起，晶粒定位準(zhǔn) 確，使整流電路穩(wěn)定性增強(qiáng)。

圖1為本實(shí)用新型的示意圖；圖2為本實(shí)用新型的第一料片和第二料片的對(duì)接示意圖；圖3為本實(shí)用新型的電路原理圖；圖4為雙層疊片式貼片型整流全橋的一個(gè)工位的外形圖；圖中，1為第一料片，2為第二料片，3為第一晶粒，4為第二晶粒，5為第三晶粒，6 為第四晶粒，7為第一引腳，8為第二引腳，9為第三引腳，10為第四引腳，11為第一平臺(tái)面， 12為第二平臺(tái)面，13為第三平臺(tái)面，14為第四平臺(tái)面，15為第一凸起面，16為第二凸起面， 17為第三凸起面，18為第四凸起面，19為折彎部，20為第一定位孔，21為第二定位孔。
具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1至圖4所示的一種雙層疊片式貼片型整流全橋，其包括第一料片1、第二 料片2以及第一晶粒3、第二晶粒4、第三晶粒5和第四晶粒6，第一料片1和第二料片2的 正面為光面，背面為毛面，第一料片1上設(shè)置有若干個(gè)第一工位，第二料片2上與第一料片1 相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有與第一工位相對(duì)應(yīng)的第二工位，第一料片1的每個(gè)工位上設(shè)置有第一 引腳7和第二引腳8，第一引腳7連接第一平臺(tái)面11和第二平臺(tái)面12，第二引腳8連接第 一凸起面15和第二凸起面16，第二料片2上設(shè)置有第三引腳9和第四引腳10，第三引腳9 連接第三平臺(tái)面13和第三凸起面17，第四引腳10連接第四平臺(tái)面14和第四凸起面18，各 個(gè)引腳與平臺(tái)面或者凸起面之間的連接處設(shè)置有相對(duì)于料片的光面向下的折彎部19，所述 的第一晶粒3、第二晶粒4、第三晶粒5和第四晶粒6分別設(shè)置于第一平臺(tái)面11、第二平臺(tái) 面12、第三平臺(tái)面13和第四平臺(tái)面14上，各個(gè)晶粒的N極與相應(yīng)的平臺(tái)面連接，第一晶粒 3的P極與第四凸起面18連接，第二晶粒4的P極與第三凸起面17連接，第三晶粒5的P 極與第一凸起面15連接，第四晶粒6的P極與第二凸起面16連接。為了便于整流電路的 裝接，所述的第一料片1上設(shè)置有用于裝晶粒時(shí)對(duì)第一料片1進(jìn)行定位的第一定位孔20，所 述的第二料片2上設(shè)置有用于裝晶粒時(shí)對(duì)第二料片2進(jìn)行定位的第二定位孔21。為了便于 操作人員識(shí)別第一料片1和第二料片2，所述的第二定位孔21與第一定位孔20的間距或者 是數(shù)量不同。為了便于晶粒的裝配，折彎部19的高度為0.2mm 0.3mm。各個(gè)晶粒與平臺(tái) 面以及凸起面均是通過焊錫膏連接。在裝配整流電路時(shí)，首先將第一料片1光面向上固定 在工裝板上，工裝板上設(shè)置有與第一料片1上的第一定位孔20對(duì)應(yīng)的定位柱，固定好之后， 將第一晶粒3和第二晶粒4分別用焊錫膏固定在第一平臺(tái)面11和第二平臺(tái)面12上，晶粒 的N極與平臺(tái)面連接，然后將第二料片2固定在工裝板上，固定時(shí)，第二料片2的第二定位孔21與工裝板上的定位柱對(duì)應(yīng)，將第三晶粒5和第四晶粒6固定在第三平臺(tái)面13和第四 平臺(tái)面14上，晶粒的N極與平臺(tái)面連接，然后將第二料片2翻轉(zhuǎn)過來，光面向下，毛面向上， 使第二料片2的光面與第一料片1的光面相對(duì)，使第一料片1的第一凸起面15與第三平臺(tái) 面13相對(duì)，第二凸起面16與第四平臺(tái)面14相對(duì)，第三凸起面17與第二平臺(tái)面12相對(duì)，第 四凸起面18與第一平臺(tái)面11相對(duì)，然后通過焊錫膏將各個(gè)凸起面與對(duì)應(yīng)的晶粒的P極連 接在一起，形成整流橋，最后對(duì)整流橋進(jìn)行封裝，完成雙層疊片整流橋的加工。整流橋的第 一引腳7為直流正極輸出端，第二引腳8為直流負(fù)極輸出端，第三引腳9和第四引腳10為 交流輸入端。
權(quán)利要求1.一種雙層疊片式貼片型整流全橋，其特征在于其包括第一料片、第二料片以及第 一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒，第一料片和第二料片的正面為光面，背面為毛面， 第一料片上設(shè)置有若干個(gè)第一工位，第二料片上與第一料片相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有與第一工 位相對(duì)應(yīng)的第二工位，第一料片的每個(gè)工位上設(shè)置有第一引腳和第二引腳，第一引腳連接 第一平臺(tái)面和第二平臺(tái)面，第二引腳連接第一凸起面和第二凸起面，第二料片上設(shè)置有第 三引腳和第四引腳，第三引腳連接第三平臺(tái)面和第三凸起面，第四引腳連接第四平臺(tái)面和 第四凸起面，各個(gè)引腳與平臺(tái)面或者凸起面之間的連接處設(shè)置有相對(duì)于料片的光面向下的 折彎部，所述的第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒分別設(shè)置于第一平臺(tái)面、第二平 臺(tái)面、第三平臺(tái)面和第四平臺(tái)面上，各個(gè)晶粒的N極與相應(yīng)的平臺(tái)面連接，第一晶粒的P極 與第四凸起面連接，第二晶粒的P極與第三凸起面連接，第三晶粒的P極與第一凸起面連 接，第四晶粒的P極與第二凸起面連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層疊片式貼片型整流全橋，其特征在于所述的第一料片 上設(shè)置有用于裝晶粒時(shí)對(duì)第一料片進(jìn)行定位的第一定位孔，所述的第二料片上設(shè)置有用于 裝晶粒時(shí)對(duì)第二料片進(jìn)行定位的第二定位孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙層疊片式貼片型整流全橋，其特征在于所述的第二定位 孔與第一定位孔的間距或者是數(shù)量不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層疊片式貼片型整流全橋，其特征在于所述的折彎部的 高度為0. 2mm 0. 3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層疊片式貼片型整流全橋，其特征在于所述的各個(gè)晶粒 與平臺(tái)面以及凸起面均是通過焊錫膏連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙層疊片式貼片型整流全橋，該整流全橋僅采用了兩層銅料片以及所需的晶粒完成了整流全橋的設(shè)計(jì)，與現(xiàn)有的五層料片堆疊而成的整流全橋相比，極大的節(jié)約了銅材，降低了整流全橋的成本，同時(shí)，晶粒的定位更加精確穩(wěn)定，有利于提高整流全橋的整流效果。
文檔編號(hào)H02M7/162GK201918910SQ20102068677
公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者李崇聰 申請(qǐng)人:常州星海電子有限公司