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寬頻補(bǔ)償裝置的制作方法

文檔序號(hào):7318961閱讀:138來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):寬頻補(bǔ)償裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電力、煤炭、鋼鐵、水泥、化工和電氣化鐵路等行業(yè)的6KV、 10KV、27. 5KV和35KV電壓等級(jí)的變配電所應(yīng)用的接地補(bǔ)償保護(hù)裝置,尤其是一種寬頻補(bǔ)償
直ο
背景技術(shù)
目前現(xiàn)有電力系統(tǒng)接地保護(hù)技術(shù)有消弧柜,自動(dòng)調(diào)節(jié)消弧線圈裝置兩種?,F(xiàn)有的 消弧柜存在以下弊端系統(tǒng)弧光接地后,消弧柜動(dòng)作,當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)正常后,消弧柜不能恢復(fù) 正常,繼續(xù)在系統(tǒng)某一相上對(duì)地短接始終造成整個(gè)系統(tǒng)處在故障狀態(tài)。自動(dòng)調(diào)節(jié)消弧線圈 裝置在系統(tǒng)剛弧光接地時(shí),弧道中高頻分量比較大,由于設(shè)計(jì)是按工頻設(shè)計(jì)的,所以也起不 到很好的補(bǔ)償作用。因此,設(shè)計(jì)一種能夠克服上述缺點(diǎn)的寬頻補(bǔ)償裝置,是目前需要解決的 技術(shù)問(wèn)題。安裝使用本實(shí)用新型,當(dāng)系統(tǒng)接地后,裝置動(dòng)作對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)償使系統(tǒng)的不產(chǎn)生 弧光過(guò)電壓,并且可在很寬的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)償,當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)正常后,消弧柜恢復(fù)正常。 系統(tǒng)繼續(xù)正常運(yùn)行。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種寬頻補(bǔ)償裝置。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是寬頻補(bǔ)償裝置,寬頻補(bǔ)償裝置由MCU、鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路、接口電路 和通訊、報(bào)警與回讀裝置構(gòu)成,鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路和接口電路與MCU信號(hào)連 接,通訊、報(bào)警與回讀裝置與接口電路信號(hào)連接,采樣電路包括電壓互感器PT和電流互感 器LH,電壓互感器采集Ua、Ub、Uc和Uo四個(gè)電壓信號(hào),電流互感器采集Id、lor、IocjP Ioc2 四個(gè)電流信號(hào),當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生弧光接地時(shí),電壓互感器和電流互感器采集的電壓和電流異常 信號(hào)經(jīng)MCU計(jì)算后判別接地相,輸出電路控制信號(hào)KA、KB、KC、KF,控制信號(hào)發(fā)過(guò)來(lái)再控制電 壓互感器和電流互感器,讓連接在發(fā)生接地相線上的電壓互感器的電壓箝位到O伏從而消 除弧光。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案還可以是本實(shí)用新型的電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線 上,電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng)極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別 通過(guò)真空接觸器KM1、KM2、KM3和熔斷器FU1、FU2和FU3與被測(cè)三相電路的三根相線連接。本實(shí)用新型的電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線 上,電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng)極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別 接可控硅D1、D2、D3的陰極,可控硅D1、D2、D3的陽(yáng)極分別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被 測(cè)三相電路的三根相線連接。本實(shí)用新型的電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線 上,電流互感器LH引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別接可控硅Dl、D2、D3的陰極,可控硅D1、D2、D3的陽(yáng)極分別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被測(cè)三相電路的三根相線連接。本實(shí)用新型所述的可控硅均為雙向可控硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1)。即補(bǔ)償系統(tǒng)對(duì)地電容電流,有補(bǔ)償故障點(diǎn)有功電流,減少故障點(diǎn)破損率。2)即補(bǔ)償燃弧點(diǎn)的工頻電流,有補(bǔ)償弧道中的高頻電流。3)兩端式微機(jī)過(guò)流保護(hù)克服了單一熔斷器動(dòng)作的不可靠,動(dòng)作后的更換繁瑣的弊端。4)能夠識(shí)別站內(nèi),站外接地。5)系統(tǒng)正常時(shí)不存在中性點(diǎn)位移電壓放大現(xiàn)象。

圖1是本實(shí)用新型的系統(tǒng)構(gòu)成方塊圖。圖2是本實(shí)用新型與被測(cè)電路連接的第一實(shí)施例示意圖。圖3是本實(shí)用新型與被測(cè)電路連接的第二實(shí)施例示意圖。圖4是本實(shí)用新型與被測(cè)電路連接的第三實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示,寬頻補(bǔ)償裝置,寬頻補(bǔ)償裝置由MCU、鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電 路、接口電路和通訊、報(bào)警與回讀裝置構(gòu)成,鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路和接口電路 與MCU信號(hào)連接,通訊、報(bào)警與回讀裝置與接口電路信號(hào)連接,采樣電路包括電壓互感器PT 和電流互感器LH,電壓互感器采集Ua、Ub、Uc和Uo四個(gè)電壓信號(hào),電流互感器采集Id、lor、 Ioc1和Ioc2四個(gè)電流信號(hào),當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生弧光接地時(shí),電壓互感器和電流互感器采集的電壓 和電流異常信號(hào)經(jīng)MCU計(jì)算后判別接地相,輸出電路控制信號(hào)KA、KB、KC、KF,控制信號(hào)發(fā)過(guò) 來(lái)再控制電壓互感器和電流互感器,讓連接在發(fā)生接地相線上的電壓互感器的電壓箝位到 O伏從而消除弧光。如圖2所示,電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線上, 電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng)極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別通 過(guò)真空接觸器KM1、KM2、KM3和熔斷器FU1、FU2和FU3與被測(cè)三相電路的三根相線連接。如圖3所示,電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線上, 電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng)極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別接 可控硅D1、D2、D3的陰極,可控硅D1、D2、D3的陽(yáng)極分別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被測(cè) 三相電路的三根相線連接。如圖4所示,電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn)并接在被測(cè)三相電路的三根相線上, 電流互感器LH引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別接可控硅Dl、D2、D3的陰極,可控硅Dl、D2、 D3的陽(yáng)極分別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被測(cè)三相電路的三根相線連接。所述的可控硅均為雙向可控硅。
權(quán)利要求寬頻補(bǔ)償裝置,其特征在于寬頻補(bǔ)償裝置由MCU、鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路、接口電路和通訊、報(bào)警與回讀裝置構(gòu)成,鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路和接口電路與MCU信號(hào)連接,通訊、報(bào)警與回讀裝置與接口電路信號(hào)連接,采樣電路包括電壓互感器PT和電流互感器LH,電壓互感器采集Ua、Ub、Uc和Uo四個(gè)電壓信號(hào),電流互感器采集Id、Ior、Ioc1和Ioc2四個(gè)電流信號(hào),當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生弧光接地時(shí),電壓互感器和電流互感器采集的電壓和電流異常信號(hào)經(jīng)MCU計(jì)算后判別接地相,輸出電路控制信號(hào)KA、KB、KC、KF,控制信號(hào)發(fā)過(guò)來(lái)再控制電壓互感器和電流互感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬頻補(bǔ)償裝置,其特征在于電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn) 并接在被測(cè)三相電路的三根相線上,電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng) 極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別通過(guò)真空接觸器KM1、KM2、KM3和熔斷器FU1、FU2和FU3 與被測(cè)三相電路的三根相線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬頻補(bǔ)償裝置,其特征在于電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn) 并接在被測(cè)三相電路的三根相線上,電流互感器LH接可控硅D4的陰極,從可控硅D4的陽(yáng) 極引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別接可控硅Dl、D2、D3的陰極,可控硅Dl、D2、D3的陽(yáng)極分 別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被測(cè)三相電路的三根相線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬頻補(bǔ)償裝置,其特征在于電壓互感器PT的三個(gè)外接線點(diǎn) 并接在被測(cè)三相電路的三根相線上,電流互感器LH引出三根導(dǎo)線,該三根導(dǎo)線分別接可控 硅D1、D2、D3的陰極,可控硅D1、D2、D3的陽(yáng)極分別接熔斷器FU1、FU2和FU3后與被測(cè)三相 電路的三根相線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3、或4所述的寬頻補(bǔ)償裝置,其特征在于所述的可控硅均為雙向 可控硅。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種寬頻補(bǔ)償裝置,寬頻補(bǔ)償裝置由MCU、鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路、接口電路和通訊、報(bào)警與回讀裝置構(gòu)成,鍵盤(pán)、顯示器、采樣電路、輸出電路和接口電路與MCU信號(hào)連接,通訊、報(bào)警與回讀裝置與接口電路信號(hào)連接,采樣電路包括電壓互感器PT和電流互感器LH,電壓互感器采集Ua、Ub、Uc和Uo四個(gè)電壓信號(hào),電流互感器采集Id、Ior、Ioc1和Ioc2四個(gè)電流信號(hào),當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生弧光接地時(shí),電壓互感器和電流互感器采集的電壓和電流異常信號(hào)經(jīng)MCU計(jì)算后判別接地相,輸出電路控制信號(hào)KA、KB、KC、KF,控制信號(hào)發(fā)過(guò)來(lái)再控制電壓互感器和電流互感器。
文檔編號(hào)H02H9/08GK201726131SQ20102027092
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者單福友, 張志林, 李宏斌, 王世兵, 章承民 申請(qǐng)人:邯鄲市凱立科技有限公司
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