專(zhuān)利名稱(chēng)：無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電力配電領(lǐng)域，具體為無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置。
背景技術(shù)：
隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的快速增長(zhǎng)，各產(chǎn)業(yè)及民用負(fù)荷大幅度增加，電力負(fù)荷缺口日益嚴(yán) 重。電力系統(tǒng)電壓無(wú)功管理是保證電力系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行的重要手段，加強(qiáng)電力系統(tǒng)無(wú)功管理 可以穩(wěn)定系統(tǒng)電壓、提高功率因數(shù)、降低線(xiàn)損。合理的無(wú)功補(bǔ)償方式的選擇應(yīng)該遵循以下 幾個(gè)原則1、減少無(wú)功功率的流動(dòng)，就地補(bǔ)償?shù)脑瓌t；2、分級(jí)補(bǔ)償原則，集中裝設(shè)與分散裝 設(shè)相結(jié)合，以分散補(bǔ)償為主全面規(guī)劃；3、防止在低負(fù)荷情況下過(guò)補(bǔ)償，即向電網(wǎng)倒送無(wú)功功 率。而我國(guó)目前配電網(wǎng)多數(shù)采用變電站固定電容器組無(wú)功補(bǔ)償方式，由于缺少無(wú)功調(diào)節(jié)手 段，在供電峰谷期間功率因數(shù)波動(dòng)較大，出現(xiàn)過(guò)補(bǔ)和欠補(bǔ)問(wèn)題，對(duì)電能質(zhì)量造成了危害?，F(xiàn) 在市場(chǎng)上有級(jí)補(bǔ)償裝置能對(duì)電能質(zhì)量做一定的監(jiān)測(cè)，但是仍然不能實(shí)現(xiàn)平滑補(bǔ)償?shù)皆O(shè)定目 標(biāo)功率因素。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型正是針對(duì)以上問(wèn)題，提供一種6-35KV系統(tǒng)，在大容量無(wú)功功率沖擊、 變化頻繁快速、電壓波動(dòng)和閃變的場(chǎng)合，能在20ms以?xún)?nèi)對(duì)安裝容量?jī)?nèi)任意容量實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)補(bǔ) 償?shù)臒o(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置。本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案如下無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置，包括固定電容器支路和MCR磁控電抗支路，固定電容器支路 通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)與進(jìn)線(xiàn)相連，隔離開(kāi)關(guān)與操作機(jī)構(gòu)連接，出線(xiàn)與電容器、噴逐式熔斷器、串聯(lián) 電抗器串聯(lián)連接，放電線(xiàn)圈并聯(lián)在電容器和噴逐式熔斷器的兩端，MCR磁控電抗支路通過(guò)隔 離開(kāi)關(guān)與進(jìn)線(xiàn)相連后與磁控電抗器的三相抽頭相連。本實(shí)用新型的技術(shù)效果表現(xiàn)在能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電能質(zhì)量，高速計(jì)算，快速響應(yīng)。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖其中，1—隔離開(kāi)關(guān)、2——操作機(jī)構(gòu)、3——電容器、4——噴逐式熔斷器、5—— 放電線(xiàn)圈、6——串聯(lián)電抗器、7——磁控電抗器
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式
和說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明實(shí)施例無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置，包括固定電容器支路和MCR磁控電抗支路，固定電容器支路 通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)與進(jìn)線(xiàn)相連，隔離開(kāi)關(guān)與操作機(jī)構(gòu)連接，出線(xiàn)與電容器、噴逐式熔斷器、串聯(lián) 電抗器串聯(lián)連接，放電線(xiàn)圈并聯(lián)在電容器和噴逐式熔斷器的兩端，MCR磁控電抗支路通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)與進(jìn)線(xiàn)相連后與磁控電抗器的三相抽頭相連，在固定電容器支路和MCR磁控電抗支 路的兩側(cè)均設(shè)置避雷器，控制器與可控硅觸發(fā)模塊連接。 磁控式電抗器的主鐵心分為兩半，面積各為Ab，長(zhǎng)度為1，并且每一半鐵芯都具有 一長(zhǎng)度很小的小截面段，其面積為Abl (Abl < Ab)。兩個(gè)半鐵芯柱上分別對(duì)稱(chēng)地繞有兩個(gè)匝 數(shù)為N/2的繞組(半鐵芯柱上的線(xiàn)圈總匝數(shù)為N)；每一半鐵芯柱的上下兩繞組各有一抽頭 比為δ = Ν2/Ν(Ν = Ν1+Ν2)的抽頭，它們之間接有可控硅ΚΙ、Κ2 ；不同鐵芯的上下兩個(gè)繞 組交叉連接后，并聯(lián)至電網(wǎng)電源，續(xù)流二極管D橫跨在交叉端點(diǎn)上；若ΚΙ、Κ2都不導(dǎo)通，由 于結(jié)構(gòu)的對(duì)稱(chēng)性，電抗器與空載變壓器沒(méi)有差異；假設(shè)電源電壓處于正半周，可控硅Kl承 受正向電壓，而Κ2承受反向電壓；若Kl被觸發(fā)導(dǎo)通(a和b兩點(diǎn)等電位)，電源電壓經(jīng)變比 為δ的線(xiàn)圈自耦變壓后，由匝數(shù)為Ν2線(xiàn)圈向電路提供直流控制電流，；若電源電壓處于負(fù) 半周，當(dāng)Κ2導(dǎo)通時(shí)，同樣在回路中產(chǎn)生直流控制電流，且所產(chǎn)生的控制電流的方向與Kl導(dǎo) 通時(shí)一樣，即在電源的一個(gè)工頻周期內(nèi)，兩個(gè)可控硅的輪流導(dǎo)通起到了全波整流的作用，而 續(xù)流二極管D起著續(xù)流的作用，利于可控硅的關(guān)斷。通過(guò)改變可控硅的觸發(fā)角就可以改變 控制電流的大小，從而改變電抗器鐵心的磁飽和程度，平滑調(diào)節(jié)可控電抗器的電感量，就可 以改變電抗器無(wú)功功率QL的值，以補(bǔ)償負(fù)載無(wú)功功率的沖擊，如當(dāng)負(fù)載無(wú)功功率QF突然增 大時(shí)，磁控式動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償控制裝置對(duì)可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通角減小，使控制回路的電流增大， 輸出的無(wú)功功率減小，這樣負(fù)載的無(wú)功功率的恒定部分由補(bǔ)償支路補(bǔ)償，而變動(dòng)部分由磁 控式電抗器調(diào)節(jié)，以保證母線(xiàn)輸入的無(wú)功功率QS = QF+(QL-QC)保持恒定(設(shè)置為零或者 一個(gè)較小值)，從而，穩(wěn)定了系統(tǒng)電壓，減少了功率損耗，提高了功率因數(shù)，達(dá)到了動(dòng)態(tài)無(wú)功 補(bǔ)償?shù)哪康摹?br> 權(quán)利要求無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置，包括固定電容器支路和MCR磁控電抗支路，其特征在于固定電容器支路通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)(1)與進(jìn)線(xiàn)相連，隔離開(kāi)關(guān)(1)與操作機(jī)構(gòu)(2)連接，出線(xiàn)與電容器(3)、噴逐式熔斷器(4)、串聯(lián)電抗器(6)串聯(lián)連接，放電線(xiàn)圈(5)并聯(lián)在電容器(3)和噴逐式熔斷器(4)的兩端，MCR磁控電抗支路通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)(1)與進(jìn)線(xiàn)相連后與磁控電抗器(7)的三相抽頭相連。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及電力配電領(lǐng)域，具體為無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置。無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置，包括固定電容器支路和MCR磁控電抗支路，其特征在于固定電容器支路通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)(1)與進(jìn)線(xiàn)相連，隔離開(kāi)關(guān)(1)與操作機(jī)構(gòu)(2)連接，出線(xiàn)與電容器(3)、噴逐式熔斷器(4)、串聯(lián)電抗器(6)串聯(lián)連接，放電線(xiàn)圈(5)并聯(lián)在電容器(3)和噴逐式熔斷器(4)的兩端，MCR磁控電抗支路通過(guò)隔離開(kāi)關(guān)(1)與進(jìn)線(xiàn)相連后與磁控電抗器(7)的三相抽頭相連。無(wú)級(jí)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電能質(zhì)量，高速計(jì)算電能，快速響應(yīng)電能。
文檔編號(hào)H02J3/18GK201663449SQ20102014164
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者王超, 董宇, 陳新 申請(qǐng)人:成都瑞杰科能電氣有限公司