專利名稱：一種直流電源熱插拔緩啟動控制電路及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子設(shè)備供電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是通信系統(tǒng)設(shè)備上功率較大的直流電源熱插拔緩啟動控制電路及控制方法。
背景技術(shù)：
隨著通訊電子技術(shù)的發(fā)展，客戶對通信設(shè)備的可靠性要求越來越高，通信網(wǎng)絡(luò)ー 旦中斷會造成大面積投訴與經(jīng)濟損失，因此越來越多的通信設(shè)備要求在整機不斷電的情況下，可實現(xiàn)對故障單板熱插拔更換。單板在進行熱插拔操作時，單板上直流電源輸入端 ロ處的電容在上電瞬間處于短路狀態(tài)，產(chǎn)生較大的沖擊電流，造成連接器打火氧化或永久性損壞、或引起系統(tǒng)母線電壓發(fā)生振鈴現(xiàn)象、或造成其他單板上直流電源因輸入短暫過欠壓而復(fù)位。對于直流電源的輸入端ロ則也需選取I2T值(標(biāo)稱熔斷值)較大的器件，以防止被沖擊電流損壞，如保險絲、MOSFET (Metallic Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOS管)等，由此可見單板熱插拔時，緩啟動電路的作用尤為重要。目前現(xiàn)有的直流電源緩啟動電路主要有兩種類型一種采用分立元件搭接，如圖 1所示分立元件包括電阻R1、R2，穩(wěn)壓ニ極管VD1、電容C1、M1(M0SFET)等，當(dāng)端口上電時， 輸入電壓Vin經(jīng)Rl、R2分壓后開始對Cl充電，Cl上逐漸建立的電壓，達到Ml開啟電壓以后，Ml緩慢導(dǎo)通，可近似認(rèn)為工作在線性區(qū)，通過較大的導(dǎo)通電阻來抑制沖擊電流，Cl充電完畢后，Ml完全導(dǎo)通，完成緩啟過程。這種緩啟方式的瞬間沖擊能量完全消耗在Ml上，常用的通信電源緩啟MOSFET能承受的瞬間功耗為300W，當(dāng)直流電源輸入端ロ電容容值較大時，產(chǎn)生的瞬間沖擊能量則很容易造成Ml的雪崩擊穿。如圖2所示，當(dāng)直流電源端ロ電容 C3容值為IOOOuF吋，Vin輸入為60V吋，Ml承受的瞬間沖擊功耗超過300W，很容易被擊穿； 另ー種類型采用專用熱插拔集成控制芯片實現(xiàn)，可以解決分立模擬元件參數(shù)漂移的缺點， 但其實現(xiàn)成本較高?，F(xiàn)有的專利文獻包括專利申請?zhí)枮镃N200810006443. 6的中國專利“ー種直流電源緩啟動控制電路”和專利號為CN200610057942.9的中國專利“ー種直流電源緩啟動電路”。第CN200810006443. 6號中國專利存在以下不足一、當(dāng)緩啟動之后的電容值較大，特別是在高壓輸入?yún)迹瑳_擊電流較大，瞬時沖擊能量全損耗在緩啟MOSFET上，經(jīng)試驗驗證很容易造成MOSFET雪崩擊穿；ニ、上電瞬間，Ml漏源極瞬間電壓應(yīng)力較大，不便于MOSFET 的經(jīng)濟選型。第CN200610057942. 9號中國專利存在以下不足一、上電瞬間MOSFET柵源極驅(qū)動電壓Vgs存在掉電重啟現(xiàn)象，且造成Vgs平臺效應(yīng)的電容在高、低溫環(huán)境中參數(shù)離散型較大；ニ、Vgs平臺效應(yīng)持續(xù)時間較長吋，雖能很好的抑制沖擊電流，但當(dāng)后級DC/DC變換器上電較快，需抽大電流維持工作，此時MOSFET未完全開通，DS間壓降較大，易造成變換器因輸入欠壓而導(dǎo)致其輸出掉電，未能抑制DC/DC變換器建立時間過快也正是該專利的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種直流電源緩啟動控制電路和控制方法，以解決現(xiàn)有分立元件特性參數(shù)漂移、被控電路上電過快導(dǎo)致變換器輸出掉電、以及電源端口電容容值較大時導(dǎo)致MOS管雪崩擊穿的問題。本發(fā)明提供一種直流電源熱插拔緩啟動控制電路，包括，分立元件緩啟動電路、功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路，其中所述功率電阻電路，并聯(lián)于所述分立元件緩啟動電路的MOS管源極、漏極之間；所述MOS管漏源極檢測電路與所述功率電阻電路、分立元件緩啟動電路相連，用于檢測所述功率電阻電路的電壓值，當(dāng)所述電壓值在設(shè)定值范圍內(nèi)時，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍時，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管截止。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路還包括使能控制電路，所述使能控制電路與所述MOS管柵極連接，用于在所述分立元件緩啟動電路的MOS管完成導(dǎo)通后，產(chǎn)生使能信號，啟動被控電路；否則，不啟動所述被控電路。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述使能控制電路包括，一個光耦和電阻 (R6)，所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)電阻(R6)，陰極與所述MOS管源極連接。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述使能控制電路包括光耦、第二穩(wěn)壓二極管、電阻(R6)，所述第二穩(wěn)壓二極管與電阻(R6)串聯(lián)在所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS 管柵極之間，所述光耦一次側(cè)陰極與MOS管源極相連。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述使能控制電路包括，一個三極管和電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS管柵極之間串有電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS 管柵極相連，發(fā)射極與所述MOS管漏極連接。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述使能控制電路包括三極管、第二穩(wěn)壓二極管、電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)有第二穩(wěn)壓二極管與電阻 (R6)，發(fā)射極與所述MOS管漏極連接。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述MOS管漏源極檢測電路包括分壓單元、電阻(R7)和第一三極管，其中所述分壓單元包括第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述第一分壓模塊包括一個或多個串聯(lián)電阻，所述第二分壓模塊包括一個或多個串聯(lián)電阻；所述第一分壓模塊和第二分壓模塊串聯(lián)后并聯(lián)在所述MOS管源極和漏極之間；所述第一三極管基極與所述第一分壓模塊和第二分壓模塊的連接點相連，發(fā)射極與所述MOS管的源極相連，集電極通過電阻(R7)與所述MOS管的柵極相連。進一步的，上述電路還可具有以下特點，所述MOS管漏源極檢測電路還包括電容 (C2)，與所述第二分壓模塊并聯(lián)。本發(fā)明還提供一種直流電源熱插拔緩啟動控制方法，包括監(jiān)測功率電阻電路電壓，當(dāng)所述功率電阻電壓低于設(shè)定安全值時，使分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍時，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管截止。進ー步的，上述方法還可具有以下特點，所述緩啟動電路啟動前，使能控制電路不啟動被控電路，所述緩啟動電路啟動后，所述使能控制電路發(fā)出使能信號，啟動所述被控電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明引入的直流電源緩啟動控制電路、實現(xiàn)成本較低、電路簡潔、功能全面不必受模擬分立元件在高、低溫環(huán)境中特性參數(shù)漂移的影響，電源端ロ電容容值較大時產(chǎn)生的大沖擊能量只有小部分消耗在MOS上，可有效避免MOS被雪崩擊穿，同時能有效降低MOS漏源極電壓應(yīng)力，便于其經(jīng)濟選型，另外還可解決因緩啟動時間較長造成被控電路輸出掉電重啟現(xiàn)象。


圖1是常用的分立元件緩啟動電路圖；圖2是采用圖1所示的電路，電源端ロ電容容值為1000uF，60V輸入電壓下，測出的Ml漏源極電壓CHl、沖擊電流和瞬時功耗的波形圖Rn ；圖3是本發(fā)明實施例1電路圖；圖4是本發(fā)明實施例2電路圖；圖5是本發(fā)明實施例3電路圖；圖6是本發(fā)明控制方法的流程圖；圖7是采用圖4所示的電路，電源端ロ電容容值為1000uF，60V輸入電壓下，測出的Ml漏源極電壓、沖擊電流和瞬時功耗的波形圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的直流電源緩啟動控制電路實施方案進行說明。本發(fā)明提供ー種直流電源熱插拔緩啟動控制電路，包括，分立元件緩啟動電路，功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路，其中所述功率電阻電路，并聯(lián)于所述分立元件緩啟動電路的MOS管源極、漏極之間；所述MOS管漏源極檢測電路與所述功率電阻電路、分立元件緩啟動電路相連，用于檢測所述功率電阻電路的電壓值，當(dāng)所述電壓值在設(shè)定值范圍內(nèi)吋，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍吋，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管截止。所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路還包括使能控制電路，所述使能控制電路與所述MOS管柵極連接，用于在所述分立元件緩啟動電路的MOS管完成導(dǎo)通后，產(chǎn)生使能信號，啟動被控電路；否則，不啟動所述被控電路。具體電路結(jié)構(gòu)參見實施例1、2、3。實施例1如圖3所示，本發(fā)明所述直流電源緩啟動控制電路包括分立元件緩啟動電路、功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路。其中所述分立元件緩啟動電路包括MOS管Ml，電阻R1、R2，電容Cl，穩(wěn)壓ニ極管VDl ；其中，R1、R2構(gòu)成分壓電路，串聯(lián)在電源正負(fù)輸入端之間，VDl和Cl并聯(lián)在Rl和R2的連接點與電源負(fù)輸入端之間，MOS管Ml的柵極與電阻Rl和R2的連接點相連，源極與電源負(fù)輸入端相連。所述功率電阻電路包括電阻R3，所述電阻R3連接在所述MOS管Ml的源極和漏極之間；也可包括多個電阻，電阻值等效為R3。所述MOS管漏源極檢測電路包括電阻R4、R5、R7，三極管VT1、電容C2，所述電阻 R4、R5串聯(lián)后與R3并聯(lián)，構(gòu)成分壓電路，所述三極管VTl基極連接于R4、R5之間的連接點， 發(fā)射極連接于R5的另一端，集電極與電阻R7相連，電阻R7的另一端與Rl、R2的連接點相連。所述C2與電阻R5并聯(lián)。在直流電源端口上電時，此時VK3 = Vin-Vc3-Vr, Vc3是電解電容C3電壓，Vr是輸入端口處線路阻抗電壓，上電瞬間，dt — 0，Vc3 0，Vr非常小，Ve3近似為最大值Vin。Ve3 經(jīng)過電阻R4、R5分壓后驅(qū)動VTl三極管導(dǎo)通，隨著電解電容C3緩慢充電，Vc3電壓增大，Ve3 逐漸降低，經(jīng)R4、R5分壓后的電壓小于三極管VTl驅(qū)動電壓門檻值時，三極管VTl截止。在VTl導(dǎo)通時，VTl導(dǎo)通后將Ml的柵極、源極間電壓Vgs拉至低電平，禁止上電瞬間Ml導(dǎo)通，分立元件緩啟動電路被短路；在VTl截止后，直流電源端口通過Rl對Cl充電， Cl上建立的電壓Vcl近似于線性上升，驅(qū)動Ml緩慢導(dǎo)通，逐漸完成緩啟動過程。優(yōu)選地，通過R4、R5參數(shù)優(yōu)化，使得Vk3降至10% Vin時，VTl截止。10%僅為示例，可以根據(jù)需要設(shè)置。當(dāng)端口輸入電壓過大時，穩(wěn)壓二極管VDl將MOS管Ml的柵極、源極間電壓Vgs穩(wěn)定在Ml能夠接受的電壓范圍內(nèi)。由于Ml緩啟動過程中只承擔(dān)了 10% Vin電壓產(chǎn)生的沖擊電流，能量非常小，所以不會引起Ml雪崩擊穿。實施例2如圖4所示，本發(fā)明所述直流電源緩啟動控制電路包括分立元件緩啟動電路、功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路。所述分立元件緩啟動電路由MOS管Ml，電阻R1、R2，電容Cl，穩(wěn)壓二極管VDl組成； 所述功率電阻電路由電阻R3構(gòu)成；所述MOS管漏源極檢測電路由電阻R4、R5、R7，三極管 VT1、電容C2構(gòu)成，所述電阻R4、R5串聯(lián)與R3并聯(lián)，構(gòu)成分壓電路，所述三極管VTl基極連接于R4、R5之間的連接點，發(fā)射極連接于R5的另一端，集電極與電阻R7相連，電阻R7的另一端與R1、R2的連接點相連。本實施例中，所述直流電源緩啟動控制電路還包括一個使能控制電路。所述使能控制電路的一種實現(xiàn)方式為所述使能控制電路包括，一個光耦和電阻 R6，所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)電阻R6，陰極與所述MOS管源極連接。 光耦輸出端與被控電路相連。所述使能控制電路的另一種實現(xiàn)方式為所述使能控制電路包括光耦、穩(wěn)壓二極管、電阻R6，所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS管Ml柵極之間串聯(lián)有穩(wěn)壓二極管與電阻R6， 所述光耦一次側(cè)陰極與MOS管源極相連。光耦輸出端與被控電路相連。所述使能控制電路與所述MOS管Ml柵極連接，用于接收所述分立元件緩啟動電路的緩啟動結(jié)束信號，控制使能端。在直流電源端口上電時，VK3 = Vin-V。3-Vr，V。3是電解電容C3電壓，Vr是輸入端口處線路阻抗電壓，上電瞬間，dt — 0，Vc 0，Vr非常小，Ve3近似為最大值Vin。VE3經(jīng)過電
6阻R4、R5分壓后驅(qū)動VTl三極管導(dǎo)通，VTl導(dǎo)通后將Ml的Vgs拉至低電平，禁止上電瞬間 Ml導(dǎo)通。隨著電解電容在緩慢充電時，Ve3電壓増大，Vk3逐漸降低，經(jīng)R4、R5分壓后的電壓小于三極管VTl驅(qū)動電壓門檻值時，三極管VTl截止。在VTl導(dǎo)通吋，分立元件緩啟動電路被短路；在VTl截止后，直流電源端ロ通過Rl對Cl充電，Cl上建立的電壓Vca近似于線性上升，驅(qū)動Ml緩慢導(dǎo)通，逐漸完成緩啟動過程。當(dāng)Ml緩慢導(dǎo)通，Vgs超過穩(wěn)壓ニ極管VD2門檻值后，逐漸驅(qū)動光耦一次側(cè)導(dǎo)通，產(chǎn)生啟動使能信號SS_ok，避免在緩啟動完成之前，被控電路因輸入欠壓而掉電。實施例3如圖5所示，本發(fā)明所述直流電源緩啟動控制電路包括分立元件緩啟動電路、功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路。所述分立元件緩啟動電路由MOS管Ml，電阻R1、R2，電容Cl，穩(wěn)壓ニ極管VDl組成； 所述功率電阻電路由電阻R3構(gòu)成；所述MOS管漏源極檢測電路由電阻R4、R5、R7，三極管 VT1、電容C2構(gòu)成，所述電阻R4、R5串聯(lián)構(gòu)成分壓電路，所述三極管VTl與R5并聯(lián)，其基極連接于R4、R5之間的連接點，發(fā)射極連接于R5的另一端。本實施例中，所述直流電源緩啟動控制電路還包括ー個使能控制電路。所述使能控制電路的ー種實現(xiàn)方式為所述使能控制電路包括三極管VT2和電阻 R6，所述三極管VT2基極與所述MOS管柵極之間串有電阻R6，發(fā)射極與所述MOS管漏極相連，集電極與被控電路相連。所述使能控制電路的另一種實現(xiàn)方式為所述使能控制電路包括三極管VT2，穩(wěn)壓ニ極管VD2和電阻R6，其中，所述三極管VT2基極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)有穩(wěn)壓ニ極管VD2與電阻R6，發(fā)射極與所述MOS管漏極相連，集電極與被控電路相連。在直流電源端口上電時，此時VK3 = Vin-Vc3-Vr, Vc3是電解電容C3電壓，Vr是輸入端ロ處線路阻抗電壓，上電瞬間，dt — 0，Vc3 0，Vr非常小，Ve3近似為最大值Vin。Ve3 經(jīng)過電阻R4、R5分壓后驅(qū)動VTl三極管導(dǎo)通，VTl導(dǎo)通后將Ml的Vgs拉至低電平，禁止上電瞬間Ml導(dǎo)通。隨著電解電容在緩慢充電時，Ve3電壓増大，Vk3逐漸降低，經(jīng)R4、R5分壓后的電壓小于三極管VTl驅(qū)動電壓門檻值時，三極管VTl截止導(dǎo)通。在VTl導(dǎo)通吋，分立元件緩啟動電路被短路；在VTl截止導(dǎo)通后，直流電源端ロ通過Rl對Cl充電，Cl上建立的電壓 Vcl近似于線性上升，驅(qū)動Ml緩慢導(dǎo)通，逐漸完成緩啟動過程。當(dāng)Ml緩慢導(dǎo)通，Vgs超過穩(wěn)壓ニ極管VD2門檻值后，逐漸三極管VT2導(dǎo)通，產(chǎn)生啟動使能信號SS_ok，避免在緩啟動完成之前，被控電路因輸入欠壓而掉電。如圖6所述，本發(fā)明還提出ー種直流電源熱插拔緩啟動控制方法，包括S601監(jiān)測功率電阻電壓，當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍吋，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管截止，當(dāng)所述功率電阻電壓低于設(shè)定安全值時，MOS管漏源極檢測電路的三極管截止，分立元件緩啟動電路啟動；S603所述分立元件緩啟動電路啟動后，驅(qū)動MOS管導(dǎo)通，MOS管導(dǎo)通后，其源柵極間電壓達到啟動使能控制電路的閥值，啟動使能控制電路；S605所述使能控制電路，發(fā)出使能信號，使被控電路啟動。其中，在所述緩啟動電路啟動前，使能控制電路不發(fā)出使能信號，不啟動被控電路。
如圖7所示，為采用圖4所示的本發(fā)明的緩啟動電路產(chǎn)生的測試波形，Vds為MOS 管Ml漏源極電壓波形，Id為直流電源端口輸入電流波形，Rii為Vds與Id積分的瞬時功率波形，整個緩啟動過程分為三個階段Tl T2階段M0S管Ml未開始工作，端口瞬時沖擊能量主要消耗在功率電阻上， 隨著電解電容C2充電電壓的建立，沖擊電流逐漸減?。籘2 T3階段M0S管Ml漏源極電壓監(jiān)測電路檢測到VR電壓降低到10% Vin電壓時，開始驅(qū)動VTl導(dǎo)通，分立元件緩啟動電路開始工作，此階段的沖擊電流尖峰為10% Vin 電壓產(chǎn)生的，能量較小，主要消耗在MOS管Ml上。T3 T4階段M0S管Ml完全導(dǎo)通時后，DC/DC變換器收到使能信號后，啟動工作階段。從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明實現(xiàn)了如下技術(shù)效果采用本發(fā)明實施例提供的電路或方法，在直流電源緩啟動控制電路中，有效解決了分立元件在高、低溫環(huán)境中特性參數(shù)漂移的影響，電源端口電容容值較大時產(chǎn)生的大沖擊能量只有小部分消耗在MOS管上的問題，可有效避免MOS管被雪崩擊穿，同時能有效降低 MOS管漏源極電壓應(yīng)力，便于其經(jīng)濟選型，另外還可解決因緩啟動時間較長造成被控電路輸出掉電重啟現(xiàn)象。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種直流電源熱插拔緩啟動控制電路，包括，分立元件緩啟動電路，其特征在于，還包括功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路，其中所述功率電阻電路，并聯(lián)于所述分立元件緩啟動電路的MOS管源極、漏極之間；所述MOS管漏源極檢測電路與所述功率電阻電路、分立元件緩啟動電路相連，用于檢測所述功率電阻電路的電壓值，當(dāng)所述電壓值在設(shè)定值范圍內(nèi)時，使所述分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍時，使所述分立元件緩啟動電路的 MOS管截止。
2.如權(quán)利要求1所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路還包括使能控制電路，所述使能控制電路與所述MOS管柵極連接，用于在所述分立元件緩啟動電路的MOS管完成導(dǎo)通后，產(chǎn)生使能信號，啟動被控電路；否則， 不啟動所述被控電路。
3.如權(quán)利要求2所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述使能控制電路包括，一個光耦和電阻(R6)，所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)電阻(R6)， 陰極與所述MOS管源極連接。
4.如權(quán)利要求2所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述使能控制電路包括光耦、第二穩(wěn)壓二極管、電阻(R6)，所述第二穩(wěn)壓二極管與電阻(R6)串聯(lián)在所述光耦一次側(cè)陽極與所述MOS管柵極之間，所述光耦一次側(cè)陰極與MOS管源極相連。
5.如權(quán)利要求2所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述使能控制電路包括，一個三極管和電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS管柵極之間串有電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS管柵極相連，發(fā)射極與所述MOS管漏極連接。
6.如權(quán)利要求2所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述使能控制電路包括三極管、第二穩(wěn)壓二極管、電阻(R6)，所述三極管基極與所述MOS管柵極之間串聯(lián)有第二穩(wěn)壓二極管與電阻(R6)，發(fā)射極與所述MOS管漏極連接。
7.如權(quán)利要求1至6任一所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述MOS 管漏源極檢測電路包括分壓單元、電阻(R7)和第一三極管，其中所述分壓單元包括第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述第一分壓模塊包括一個或多個串聯(lián)電阻，所述第二分壓模塊包括一個或多個串聯(lián)電阻；所述第一分壓模塊和第二分壓模塊串聯(lián)后并聯(lián)在所述MOS管源極和漏極之間；所述第一三極管基極與所述第一分壓模塊和第二分壓模塊的連接點相連，發(fā)射極與所述MOS管的源極相連，集電極通過電阻(R7)與所述MOS管的柵極相連。
8.如權(quán)利要求7所述直流電源熱插拔緩啟動控制電路，其特征在于，所述MOS管漏源極檢測電路還包括電容(C2)，與所述第二分壓模塊并聯(lián)。
9.一種直流電源熱插拔緩啟動控制方法，其特征在于監(jiān)測功率電阻電路電壓，當(dāng)所述功率電阻電壓低于設(shè)定安全值時，使分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍時，使所述分立元件緩啟動電路的 MOS管截止。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括所述緩啟動電路啟動前，使能控制電路不啟動被控電路，所述緩啟動電路啟動后，所述使能控制電路發(fā)出使能信號，啟動所述被控電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種直流電源熱插拔緩啟動控制電路，包括，分立元件緩啟動電路、功率電阻電路、MOS管漏源極檢測電路，功率電阻電路并聯(lián)于所述分立元件緩啟動電路的MOS管源極、漏極之間；MOS管漏源極檢測電路與功率電阻電路、分立元件緩啟動電路相連，用于檢測所述功率電阻電路的電壓值，當(dāng)所述電壓值在設(shè)定值范圍內(nèi)時，使分立元件緩啟動電路的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)所述電壓值超出所述設(shè)定值范圍時，使分立元件緩啟動電路的MOS管截止。本發(fā)明提供一種直流電源熱插拔緩啟動控制方法。本發(fā)明可以有效避免MOS被雪崩擊穿，同時能有效降低MOS漏源極電壓應(yīng)力，便于其經(jīng)濟選型。
文檔編號H02M1/36GK102570785SQ20101061633
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者常月娥, 胡海林, 蔣思東, 鐘名華 申請人:中興通訊股份有限公司