專利名稱：低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱電轉(zhuǎn)化裝置，特別是低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置。
背景技術(shù)：
世界能源消費以不可再生的化石資源為主，而化石資源的開發(fā)和利用，不但造成資源枯萎，而且對人類賴以生存的自然環(huán)境造成嚴(yán)重破壞。為解決能源消費的課題，人們試圖開發(fā)利用太陽能和環(huán)境熱能。太陽能來自太陽，利用太陽能獲得電力，需要用太陽能電池進行光電轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)。太陽能發(fā)電設(shè)備大多為大型發(fā)電系統(tǒng)，而家用的太陽能發(fā)電裝置很少。環(huán)境熱能也主要來自太陽，而太陽的能量永世持續(xù)，從不熄滅，它的一部分被動植物吸收，大部分形成地球環(huán)境熱能。利用這種潛在的能量作為新能源，既經(jīng)濟又能保護環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種體積小，結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低，對環(huán)境無污染的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置。 本發(fā)明的技術(shù)解決方案是低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置包括殼體，在殼體內(nèi)設(shè)有至少一個低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體，在殼體的一側(cè)設(shè)有空氣入口 ，在殼體的另一側(cè)設(shè)有空氣出口 ，在殼體的空氣入口端設(shè)有抽風(fēng)機，所述的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體設(shè)有銅管，該銅管的兩端設(shè)有端蓋，在銅管內(nèi)設(shè)有銅棒，在銅棒的圓柱面上設(shè)有晶體硅層，在晶體硅層與銅管內(nèi)壁之間設(shè)有氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層，在銅管和銅棒的一端分別設(shè)有電流連接導(dǎo)線。 以上所述的氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層中的氯化鈉溶液含量可為5% 15%，氫氧化銨溶液含量為85% 95%。 以上所述的氯化鈉和氫氧化銨混合溶液可為5 10個大氣壓下的飽和溶液。
本發(fā)明的原理是氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層中的氯化鈉溶液屬強堿鹽溶液，在常溫下處于電離狀態(tài)，以Na+離子和CL—離子狀態(tài)存在。其正負(fù)離子撞擊其它活性電子時易得或失去電子，在電荷分離中起媒介作用。氫氧化銨溶液屬弱堿性，在常溫下?lián)]發(fā)性強，離子運動速度快，可提高Na+離子和CL—離子的運動速度，提高撞擊動能，起活性劑作用。飽和狀態(tài)下的氫氧化銨溶液可增加分子間的相互排斥力，提高帶電離子的撞擊動能。在環(huán)境熱能的作用下，氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層中的自由活動的正負(fù)離子撞擊單向?qū)щ婓w晶體硅的活動電子，導(dǎo)致正負(fù)電荷分離形成電勢差(電壓)。運動離子撞擊電子消耗動能，混合溶液層熱能轉(zhuǎn)化為電能使溫度下降。銅管吸收環(huán)境熱能不斷補充熱能，使混合溶液層溫度回升恢復(fù)活力，繼續(xù)產(chǎn)生電動墊差。銅棒與銅管之間的電勢達(dá)到最高位時，在電場作用下自由運動的正負(fù)離子將不再產(chǎn)生電荷分離，電勢差不再上升。銅棒與銅管通過電流連接導(dǎo)線和電器連接從而降低電勢差，混合溶液層中自由運動正負(fù)離子又撞擊晶體硅層形成電勢差。由于環(huán)境熱能不斷提供熱能給銅管，銅管將熱能傳遞到混合溶液層的自由運動的正負(fù)離子，正負(fù)離子撞擊晶體硅層的自由電子而轉(zhuǎn)化為電能如此持續(xù)不斷地將環(huán)境熱能轉(zhuǎn)化為電能。
本發(fā)明的優(yōu)點是體積小，結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低，在環(huán)境溫度為常溫下可產(chǎn)生直流 電，而且可對環(huán)境提供制冷作用，對環(huán)境無污染。


圖1為低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體的構(gòu)造示意圖；
圖2為低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置的構(gòu)造示意圖。
具體實施例方式
如圖l所示，本發(fā)明的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體包括銅管l，安裝在銅管l兩端的端蓋2。銅 管1的外徑為19mm，其內(nèi)徑為15mm，長為60mm。在銅管1內(nèi)插裝有銅棒3，銅棒3的直徑為 5mm。在銅棒3的圓柱面上安裝有2mm厚的單向?qū)щ姷木w硅層4，晶體硅層4也可用硒晶 體層代替。在晶體硅層4與銅管1的內(nèi)壁之間灌裝有厚度3mm的氯化鈉和氫氧化銨混合溶 液層5，混合溶液層5中的氯化鈉可用硝酸鈉或硫酸鈉代替?；旌先芤簩?中的氯化鈉溶液 的含量為5%，氫氧化銨溶液的含量為95%，混合溶液為5個大氣壓下的飽和溶液，可以是 IO個大氣壓下的飽和溶液。混合溶液層5中的氯化鈉溶液的含量為15%時，氫氧化銨溶液 的含量為85%。在銅管1與端蓋2之間安裝有密封墊6，在銅管1和銅棒3的一端各安裝 電流連接導(dǎo)線7和8。端蓋2過盈配合固定安裝在銅管1兩端 如圖2所示，本發(fā)明低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置包括12個上述的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體經(jīng)每6個 串聯(lián)后再并聯(lián)組成的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化組合體9，還包括殼體10。低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化組合體9的輸 出端連接有導(dǎo)線ll和12。在殼體10的一側(cè)有空氣入口 13，在殼體10的另一側(cè)有空氣出 口 14，在殼體10的空氣入口 13處安裝有抽風(fēng)機15。 環(huán)境熱能載體(空氣)由抽風(fēng)機15經(jīng)空氣入口 13抽入殼體10內(nèi)，將環(huán)境熱能傳 遞給低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化組合體9，低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化組合體9將環(huán)境熱能轉(zhuǎn)化為電能，并從環(huán)境熱能 載體(空氣)中補充熱能，環(huán)境熱能載體(空氣)被剝離一部分熱能后溫度下降并經(jīng)空氣 出口 14排出。
權(quán)利要求
低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置，包括殼體，其特征在于在殼體內(nèi)設(shè)有至少一個低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體，在殼體的一側(cè)設(shè)有空氣入口，在殼體的另一側(cè)設(shè)有空氣出口，在殼體的空氣入口端設(shè)有抽風(fēng)機，所述的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體設(shè)有銅管，該銅管的兩端設(shè)有端蓋，在銅管內(nèi)設(shè)有銅棒，在銅棒的圓柱面上設(shè)有晶體硅層，在晶體硅層與銅管內(nèi)壁之間設(shè)有氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層，在銅管和銅棒的一端分別設(shè)有電流連接導(dǎo)線。
2. 如權(quán)利要求1所述的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置，其特征在于所述氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層中的氯化鈉溶液含量為5% 15%，氫氧化銨溶液含量為85% 95%。
3. 如權(quán)利要求2所述的低溫?zé)徂D(zhuǎn)化器，其特征在于所述氯化鈉和氫氧化銨混合溶液為5 10個大氣壓下的飽和溶液。
全文摘要
本發(fā)明涉及低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置，屬熱電轉(zhuǎn)化裝置。本發(fā)明公開了低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化裝置，包括殼體，在殼體內(nèi)設(shè)有至少一個低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體，在殼體的一側(cè)設(shè)有空氣入口，在殼體的另一側(cè)設(shè)有空氣出口，在殼體的空氣入口端設(shè)有抽風(fēng)機，所述的低溫?zé)犭娹D(zhuǎn)化體設(shè)有銅管，該銅管的兩端設(shè)有端蓋，在銅管內(nèi)設(shè)有銅棒，在銅棒的圓柱面上設(shè)有晶體硅層，在晶體硅層與銅管內(nèi)壁之間設(shè)有氯化鈉和氫氧化銨混合溶液層，在銅管和銅棒的一端分別設(shè)有電流連接導(dǎo)線。本發(fā)明的體積小，結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低，在環(huán)境溫度為常溫下可產(chǎn)生直流電，而且可對環(huán)境提供制冷作用，對環(huán)境無污染。
文檔編號H02N3/00GK101789715SQ20101012262
公開日2010年7月28日 申請日期2010年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月8日
發(fā)明者彭登文 申請人:彭登文