專利名稱：馬達驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種馬達驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
在馬達驅(qū)動電路中存在通過控制與馬達線圈連接的晶體管的導(dǎo)通/截止來將馬 達線圈的電流量維持在設(shè)定水平(專利文獻l)的情況。例如，在圖5所示的馬達驅(qū)動電路 中，通過構(gòu)成H橋的N溝道MOSFET 110 113的導(dǎo)通/截止來控制連接在端子T1、T2之間 的馬達線圈M的通電狀態(tài)。例如，驅(qū)動控制電路120使N溝道M0SFET 110、 113導(dǎo)通，使N溝 道MOSFET 111、112截止，由此，以N溝道MOSFET 110、馬達線圈M、N溝道MOSFET 113的路 徑使電流流動來驅(qū)動馬達(驅(qū)動狀態(tài))。利用通過端子T3連接的電阻R來檢測馬達線圈M 的電流量，當(dāng)馬達線圈M的電流量達到設(shè)定水平時，驅(qū)動控制電路120使N溝道MOSFET 110 截止，使N溝道MOSFET 111導(dǎo)通。由此，以N溝道MOSFET 111、馬達線圈M、 N溝道MOSFET 113的環(huán)使要持續(xù)流過馬達線圈M的電流再生，并逐漸減少(再生狀態(tài))。這樣，通過驅(qū)動 控制電路120重復(fù)驅(qū)動狀態(tài)和再生狀態(tài)能夠?qū)ⅠR達線圈M的電流量維持在設(shè)定水平。
專利文獻1 :日本特開2005-184897號公報

發(fā)明內(nèi)容
制脾船迪、nl題 另一方面，在馬達驅(qū)動電路中，例如有可能由于馬達經(jīng)年劣化等而發(fā)生負(fù)載短路。 在圖5所示的馬達驅(qū)動電路中，當(dāng)發(fā)生負(fù)載短路時，在馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài) 時產(chǎn)生過電流，但是，如果該過電流超過馬達線圈M的電流量的設(shè)定水平，則驅(qū)動控制電路 120使馬達線圈M的通電狀態(tài)轉(zhuǎn)移為再生狀態(tài)。之后，在經(jīng)過規(guī)定時間后驅(qū)動控制電路120 使馬達線圈M的通電狀態(tài)變?yōu)轵?qū)動狀態(tài)，與發(fā)生負(fù)載短路無關(guān)地重復(fù)驅(qū)動狀態(tài)和再生狀 態(tài)。通常，由于在馬達驅(qū)動電路中安裝有過熱保護功能，因此，即使在負(fù)載短路狀態(tài)下重復(fù) 驅(qū)動狀態(tài)和再生狀態(tài)，也會在電路損壞之前停止電路動作。然而，期望在變?yōu)槟菢拥倪^熱狀 態(tài)之前檢測負(fù)載短路來保護電路。 本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提高負(fù)載短路時的安全性。
肝碰l、口扁勺錄 為了達到上述目的，本發(fā)明的一個側(cè)面所涉及的馬達驅(qū)動電路具備串聯(lián)連接的 電源側(cè)的第一晶體管和接地側(cè)的第二晶體管；串聯(lián)連接的電源側(cè)的第三晶體管和接地側(cè)的 第四晶體管；驅(qū)動控制電路，其將馬達線圈的通電狀態(tài)控制為驅(qū)動狀態(tài)或再生狀態(tài)，該馬達 線圈被連接在上述第一和第二晶體管的連接點與上述第三和第四晶體管的連接點之間，該 驅(qū)動狀態(tài)為使上述第一和第四晶體管以及上述第二和第三晶體管中的一方導(dǎo)通并使另一 方截止的狀態(tài)，該再生狀態(tài)為使上述第一和第三晶體管截止并且使上述第二和第四晶體管 導(dǎo)通的狀態(tài)；設(shè)定電流檢測電路，其檢測上述馬達線圈的電流量是否達到設(shè)定水平；過電 流檢測電路，其檢測上述第一至第四晶體管中的任一個的電流量超過了規(guī)定的電流量的過電流狀態(tài)；以及過電流保護電路，其在上述驅(qū)動狀態(tài)下，當(dāng)上述馬達線圈的電流量達到上述
設(shè)定水平時，在不處于上述過電流狀態(tài)的情況下，輸出使上述通電狀態(tài)轉(zhuǎn)移為上述再生狀
態(tài)的再生指示信號，在處于上述過電流狀態(tài)的情況下，輸出使上述馬達線圈的驅(qū)動停止的
驅(qū)動停止信號，其中，當(dāng)從上述過電流保護電路輸出上述再生指示信號時，上述驅(qū)動控制電
路在將上述通電狀態(tài)設(shè)為規(guī)定時間的上述再生狀態(tài)之后，使上述通電狀態(tài)恢復(fù)為上述驅(qū)動
狀態(tài)，當(dāng)從上述過電流保護電路輸出上述驅(qū)動停止信號時，上述驅(qū)動控制電路使上述第一
至第四晶體管截止。 制月隨果 能夠提高負(fù)載短路時的安全性。


圖1是表示作為本發(fā)明的一個實施方式的馬達驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的圖。 圖2是表示負(fù)載短路時的動作的一個例子的時序圖。 圖3是表示高壓短路時的動作的一個例子的時序圖。 圖4是表示接地短路時的動作的一個例子的時序圖。 圖5是表示通常的馬達驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)例的圖。 附圖標(biāo)記說明 10 :馬達驅(qū)動電路；20 23 :N溝道MO SFET ;30 :驅(qū)動控制電路；32 36 :比較器; 40 42 :基準(zhǔn)電源；45 52 :NAND電路；54 :AND電路；56、57 :N0R電路；58 :N0T電路；60、 61 :計數(shù)器；63 :SR觸發(fā)器。
具體實施例方式
圖1是表示作為本發(fā)明的一個實施方式的馬達驅(qū)動電路10的結(jié)構(gòu)的圖。馬達驅(qū) 動電路10包括N溝道MOSFET 20 23、驅(qū)動控制電路30、比較器32 36、基準(zhǔn)電源40 42、NAND電路45 52、AND電路54、N0R電路56、57、N0T電路58、計數(shù)器60、61以及SR觸 發(fā)器63。 N溝道MOSFET 20 23構(gòu)成H橋電路，在N溝道M0SFET20 (第一晶體管)禾P N溝 道MOSFET 21(第二晶體管)的連接點與N溝道MOSFET 22(第三晶體管)和N溝道MOSFET 23(第四晶體管)的連接點之間通過端子T1、 T2而連接有馬達線圈M。馬達線圈M例如是 直流馬達的線圈，通過電流從端子T1向端子T2方向流動而馬達向正方向旋轉(zhuǎn)(正轉(zhuǎn))，通 過電流從端子T2向端子Tl方向流動而馬達向反方向旋轉(zhuǎn)(反轉(zhuǎn))。 驅(qū)動控制電路30根據(jù)馬達的旋轉(zhuǎn)方向控制N溝道M0SFET20 23的導(dǎo)通/截止 使得馬達線圈M的電流量成為設(shè)定水平。例如，在正轉(zhuǎn)的情況下，驅(qū)動控制電路30首先使N 溝道M0SFET20、23導(dǎo)通，使N溝道MOSFET 21、22截止。由此，電流以N溝道MOSFET 20、馬 達線圈M、N溝道MOSFET 23的路徑流動。此外，將電流以該路徑流動的狀態(tài)稱為驅(qū)動狀態(tài)。 然后，當(dāng)馬達線圈M的電流量達到設(shè)定水平時，驅(qū)動控制電路30使N溝道MOSFET 20截止， 使N溝道MOSFET 21導(dǎo)通。由此，在馬達線圈M內(nèi)流動的電流以N溝道MOSFET 21、馬達線 圈M、N溝道MOSFET 23的環(huán)再生。此外，將電流以該路徑流動的狀態(tài)稱為再生狀態(tài)。另外， 在反轉(zhuǎn)的情況下，在驅(qū)動狀態(tài)下電流以N溝道MOSFET 22、馬達線圈M、N溝道MOSFET 21的路徑流動，在再生狀態(tài)下電流以N溝道MOSFET 23、馬達線圈M、N溝道M0SFET 21的環(huán)流動。 并且，當(dāng)檢測到由高壓短路或接地短路、負(fù)載短路造成的過電流時，驅(qū)動控制電路30使N溝 道MO SFET20 23都截止。 比較器32是用于檢測在馬達線圈M為驅(qū)動狀態(tài)時馬達線圈M的電流量是否達到 設(shè)定水平的電路。具體地說，輸出電壓Vrf與基準(zhǔn)電壓Vrefl的比較結(jié)果，該電壓Vrf是由 流過電阻R的電流產(chǎn)生的電壓，其中電阻R通過端子T3而被連接，該基準(zhǔn)電壓Vrefl是從 基準(zhǔn)電源40輸出的與設(shè)定水平相應(yīng)的電壓。 比較器33和NAND電路45是檢測流過N溝道M0SFET 20的電流是否成為過電流 的過電流檢測電路。在本實施方式中，對比較器33的正輸入端子(+輸入端子)施加比電 源Vm低基準(zhǔn)電源41的基準(zhǔn)電壓Vref2的電壓Vm-Vref2，比較器33的負(fù)輸入端子(_輸入 端子)與N溝道M0SFET 20的源極相連接。因而，在信號Nl為高電平(H電平)而N溝道 M0SFET 20導(dǎo)通的狀態(tài)下，例如，當(dāng)在端子Tl接地短路的情況下或者發(fā)生負(fù)載短路的情況 下等在N溝道MOSFET 20中產(chǎn)生過電流時，N溝道MOSFET 20的壓降大于Vref2，比較器33 的輸出為H電平，NAND電路45的輸出為低電平(L電平)。同樣地，比較器34和NAND電路 46是檢測流過N溝道M0SFET 22的電流是否成為過電流的過電流檢測電路。
比較器35和NAND電路47是檢測流過N溝道M0SFET 21的電流是否成為過電流 的過電流檢測電路。在本實施方式中，比較器35的+輸入端子與N溝道MOSFET 21的漏極 相連接，對比較器35的-輸入端子施加比N溝道MOSFET 21的源極電壓高基準(zhǔn)電源42的 基準(zhǔn)電壓Vref3的電壓。因而，在信號N2為H電平而N溝道M0SFET 21導(dǎo)通的狀態(tài)下，例 如，當(dāng)在端子T1高壓短路的情況下在N溝道MOSFET 21中產(chǎn)生過電流時，N溝道M0SFET21 的壓降大于Vref3，比較器35的輸出為H電平，NAND電路47的輸出為L電平。同樣地，比 較器36和NAND電路48是檢測流過N溝道M0SFET 23的電流是否成為過電流的過電流檢 測電路。 對AND電路54輸入NAND電路45 48的輸出信號。因而，當(dāng)N溝道M0SFET 20 23中的某一個產(chǎn)生過電流時，NAND電路45 48中的某一個的輸出為L電平，AND電路54 的輸出為L電平。 對NAND電路49輸入信號Nl和從輸入端子IN1輸入的指示正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)的信號，該 信號Nl是對N溝道M0SFET 20的柵極輸入的信號。另外。對NAND電路50輸入信號N3和 通過NOT電路58使從輸入端子IN1輸入的信號反轉(zhuǎn)而得到的信號，該信號N3是對N溝道 M0SFET 22的柵極輸入的信號。此外，在本實施方式中，從輸入端子IN1輸入的信號在正轉(zhuǎn) 的情況下為H電平，在反轉(zhuǎn)的情況下為L電平。因而，在正轉(zhuǎn)的情況下，NAND電路50的輸 出總是為H電平，NAND電路49的輸出僅在信號Nl為H電平的期間為L電平。同樣地，在 反轉(zhuǎn)的情況下，NAND電路49的輸出總是為H電平，NAND電路50的輸出僅在信號N3為H電 平的期間為L電平。并且，由于對NAND電路51輸入NAND電路49、50的輸出信號，因此，在 正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)中的任一個情況下，在馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)時NAND電路51的輸 出都為H電平。 計數(shù)器60 (最短時間計數(shù)器電路)是對馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)的期間 的最短時間進行計數(shù)的電路。在本實施方式中，當(dāng)馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)時， NAND電路51的輸出為H電平。因而，當(dāng)NAND電路51的輸出為H電平時計數(shù)器60開始計
5數(shù)，當(dāng)達到與最短時間相應(yīng)的計數(shù)值時使輸出信號為H電平。此外，當(dāng)NAND電路51的輸出 為L電平時，計數(shù)器60的計數(shù)值被復(fù)位。 計數(shù)器61是對從檢測到過電流開始到轉(zhuǎn)移到保護狀態(tài)為止的屏蔽(mask)時間進 行計數(shù)的電路。在本實施方式中，對NOR電路56輸入AND電路54的輸出信號和來自SR觸 發(fā)器63的輸出端子Q的輸出信號，當(dāng)這兩個信號都為L電平時，N0R電路56的輸出為H電 平。并且，當(dāng)N0R電路56的輸出為H電平時，計數(shù)器61開始計數(shù)，當(dāng)達到與屏蔽時間相應(yīng) 的計數(shù)值時使輸出信號變?yōu)長電平。此外，在達到與屏蔽時間相應(yīng)的計數(shù)值之前NOR電路 56的輸出為L電平時，計數(shù)器61的計數(shù)值被復(fù)位。另外，當(dāng)計數(shù)器61的輸出信號為L電平 時，驅(qū)動控制電路30判斷為過電流狀態(tài)，使N溝道MOSFET 20 23都截止。在此，從計數(shù) 器61輸出的L電平的信號是本發(fā)明的驅(qū)動停止信號的一個例子。 對SR觸發(fā)器63的反轉(zhuǎn)置位端子/S輸入計數(shù)器61的輸出信號，對反轉(zhuǎn)復(fù)位端子 /R輸入從輸入端子IN2輸入的信號。因此，當(dāng)對反轉(zhuǎn)置位端子/S輸入的信號為L電平時， 從輸出端子Q輸出的信號為H電平，從反轉(zhuǎn)輸出端子/Q輸出的信號為L電平，當(dāng)對反轉(zhuǎn)復(fù) 位端子/R輸入的信號為L電平時，從輸出端子Q輸出的信號為L電平，從反轉(zhuǎn)輸出端子/Q 輸出的信號為H電平。此外，從輸入端子IN2輸入的信號在馬達驅(qū)動電路10啟動時為L電 平，之后，維持H電平。因而，從SR觸發(fā)器63的輸出端子Q和反轉(zhuǎn)輸出端子/Q輸出的信號 在初始狀態(tài)下分別為L電平、H電平。之后，當(dāng)從計數(shù)器61輸出的信號為L電平時，從SR觸 發(fā)器63的輸出端子Q和反轉(zhuǎn)輸出端子/Q輸出的信號分別為H電平、L電平。
對NAND電路52輸入計數(shù)器60的輸出信號、AND電路54的輸出信號以及從SR觸 發(fā)器63的反轉(zhuǎn)輸出端子/Q輸出的信號。因而，僅在這三個信號都為H電平的情況下，NAND 電路52的輸出信號為L電平。對N0R電路57輸入從NAND電路52輸出的信號和從比較器 32輸出的信號。因而，僅在這兩個信號都為L電平的情況下，從NOR電路57輸出的信號為 H電平。此外，在馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)的情況下，當(dāng)從NOR電路57輸出的信號 為H電平時，驅(qū)動控制電路30使通電狀態(tài)變?yōu)樵偕鸂顟B(tài)。在此，從N0R電路57輸出的H電 平的信號是本發(fā)明的再生指示信號的一個例子。 此夕卜，由NAND電路49 52、 N0R電路56、57、 NOT電路58、計數(shù)器61、62以及SR 觸發(fā)器63構(gòu)成的電路是本發(fā)明的過電流保護電路的一個例子。 圖2是表示負(fù)載短路時的動作的一個例子的時序圖。此外，設(shè)為在初始狀態(tài)下未 發(fā)生負(fù)載短路。開始時，對N溝道M0SFET20 23的柵極輸入的信號Nl N4都為L電平， N溝道M0SFET20 23都截止。 之后，在時刻Tl，當(dāng)信號Nl、 N4為H電平時，馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)， 馬達線圈M的電流量增加。另外，當(dāng)信號Nl為H電平時，計數(shù)器60開始進行計數(shù)，在時刻 T2，當(dāng)變?yōu)榕c驅(qū)動狀態(tài)的最短時間相應(yīng)的計數(shù)值時，從計數(shù)器60輸出的信號B變?yōu)镠電平。 這時，由于未產(chǎn)生過電流，因此從AND電路54輸出的信號A為H電平，由于SR觸發(fā)器63為 被初始復(fù)位的狀態(tài)，因此從反轉(zhuǎn)輸出端子/Q輸出的信號D也為H電平。因而，對NAND電路 52輸入的信號A、 B、 D都為H電平，從NAND電路52輸出的信號E變?yōu)長電平。
之后馬達線圈M的電流量也繼續(xù)增加，在時刻T3，當(dāng)達到由電源40設(shè)定的設(shè)定水 平時，從比較器32輸出的信號F變?yōu)長電平。這時，由于信號E也為L電平，因此對N0R電 路57輸入的信號E、 F都為L電平，從N0R電路57輸出的信號G變?yōu)镠電平。
當(dāng)信號G為H電平時，驅(qū)動控制電路30判斷為馬達線圈M的電流量到達設(shè)定水 平，在時刻T4，使信號Nl變?yōu)長電平，使信號N2變?yōu)镠電平。由此，馬達線圈M的通電狀態(tài) 成為再生狀態(tài)。另外，由于信號N1變?yōu)長電平而計數(shù)器60被復(fù)位，信號B變?yōu)長電平。并 且，由于信號B變?yōu)長電平而信號E變?yōu)镠電平，信號G變?yōu)長電平。 然后，在再生狀態(tài)經(jīng)過規(guī)定時間之后，在時刻T5，驅(qū)動控制電路30使信號Nl變?yōu)?H電平，使信號N2變?yōu)長電平。由此，馬達線圈M的通電狀態(tài)再次變?yōu)轵?qū)動狀態(tài)。這時，當(dāng) 發(fā)生負(fù)載短路時，馬達線圈M的電流量迅速上升。然后，在時刻T6，當(dāng)馬達線圈M的電流量 到達設(shè)定水平時，信號F變?yōu)長電平。并且，由于負(fù)載短路而在N溝道MOSFET 20或者N溝 道MOSFET 23中產(chǎn)生過電流，在時刻T7，信號A變?yōu)長電平。 另外，當(dāng)信號Nl為H電平時，計數(shù)器60開始計數(shù)，在時刻T8信號B變?yōu)镠電平。 此時，對NAND電路52輸入的信號A、 B、 D中的信號B、 D為H電平，但是由于產(chǎn)生了過電流 而信號A成為L電平。因此，信號E保持為H電平，信號G保持為L電平。因此，雖然馬達 線圈M的電流量達到了設(shè)定水平，但是信號G保持為L電平，因此驅(qū)動控制電路30使馬達 線圈M的通電狀態(tài)持續(xù)保持為驅(qū)動狀態(tài)。 另夕卜，當(dāng)信號A為L電平時，從NOR電路56輸出的信號為H電平，計數(shù)器61開始 進行計數(shù)。之后，在時刻T9，當(dāng)計數(shù)器61的計數(shù)值達到與屏蔽時間相應(yīng)的計數(shù)值時，信號C 變?yōu)長電平。并且，當(dāng)信號C為L電平時，驅(qū)動控制電路30判斷為并非噪聲等的影響而是 由于產(chǎn)生過電流而使信號A成為L電平，使信號N1 N4都成為L電平。由此，停止驅(qū)動馬 達線圈M來消除過電流狀態(tài)。 圖3是表示高壓短路時的動作的一個例子的時序圖。在此，設(shè)為端子T1高壓短路。 初始狀態(tài)下信號Nl N4都為L電平，驅(qū)動控制電路30在時刻Til使信號N1、N4變?yōu)镠電 平。由此，馬達線圈M的通電狀態(tài)為驅(qū)動狀態(tài)。與圖2的情況相同，在時刻T12，信號B為H 電平，信號E為L電平，在時刻T13，信號F為L電平，信號G為H電平。
當(dāng)信號G為H電平時，與圖2的情況相同，驅(qū)動控制電路30在時刻T14使信號Nl 變?yōu)長電平，使信號N2變?yōu)镠電平。由此，N溝道MOSFET 21導(dǎo)通，但是由于端子Tl高壓短 路，因此在N溝道MOSFET 21中產(chǎn)生過電流。因此，在時刻T15，信號F成為L電平，并且在 時刻T16，信號A成為L電平。然后，當(dāng)從時刻T16開始經(jīng)過屏蔽時間時，在時刻T17，信號 C變?yōu)長電平。由此，驅(qū)動控制電路30使信號Nl N4都成為L電平來消除過電流狀態(tài)。
圖4是表示接地短路時的動作的一個例子的時序圖。在此，設(shè)為端子T1接地短路。 在初始狀態(tài)下信號Nl N4都為L電平，驅(qū)動控制電路30在時刻T21使信號N1、N4變?yōu)镠 電平。由此，N溝道MOSFET 20導(dǎo)通，但是，由于端子T1接地短路，因此在N溝道MOSFET 20 中產(chǎn)生過電流。這時，由于電流不流過電阻R，因此信號F仍保持為H電平，但由于在N溝道 MOSFET 20中產(chǎn)生的過電流，在時刻T22信號A變?yōu)長電平。 之后，與圖2的情況相同，在時刻T23，信號B變?yōu)镠電平，信號E變?yōu)镠電平。并 且，當(dāng)從信號A成為L電平開始經(jīng)過屏蔽時間時，在時刻T24，信號C變?yōu)長電平。由此，驅(qū) 動控制電路30使信號Nl N4都成為L電平來消除過電流狀態(tài)。 這樣，在本實施方式的馬達驅(qū)動電路IO中，馬達線圈M的電流量達到設(shè)定水平時， 在不處于過電流狀態(tài)的情況下轉(zhuǎn)移為再生狀態(tài)，在處于過電流狀態(tài)的情況下，過電流保護 功能開始動作而不轉(zhuǎn)移為再生狀態(tài)。因而，在發(fā)生負(fù)載短路的情況下，不重復(fù)驅(qū)動狀態(tài)和再
7生狀態(tài)，能夠提高負(fù)載短路時的安全性。另外，在馬達驅(qū)動電路10中，并不限于負(fù)載短路， 在高壓短路和接地短路的情況下，過電流保護功能也進行動作。 并且，在馬達驅(qū)動電路10中，由計數(shù)器61對過電流的屏蔽時間進行設(shè)定。因而，
能夠抑制在信號A中產(chǎn)生噪聲的情況下等停止驅(qū)動馬達線圈M的情形。 另外，在馬達驅(qū)動電路10中，由計數(shù)器60設(shè)定驅(qū)動狀態(tài)的最短時間，但是，即使在
這種結(jié)構(gòu)中，在負(fù)載短路、高壓短路以及接地短路中的任一種情況下也都能夠使過電流保
護功能適當(dāng)?shù)剡M行動作。 此外，上述實施方式是用于使本發(fā)明容易理解的內(nèi)容，而并非用于限定地解釋本 發(fā)明。本發(fā)明能夠不脫離其宗旨而進行變更、改良，并且在本發(fā)明中也包含其等價物。
權(quán)利要求
一種馬達驅(qū)動電路，其特征在于，具備串聯(lián)連接的電源側(cè)的第一晶體管和接地側(cè)的第二晶體管；串聯(lián)連接的電源側(cè)的第三晶體管和接地側(cè)的第四晶體管；驅(qū)動控制電路，其將馬達線圈的通電狀態(tài)控制為驅(qū)動狀態(tài)或再生狀態(tài)，該馬達線圈被連接在上述第一和第二晶體管的連接點與上述第三和第四晶體管的連接點之間，該驅(qū)動狀態(tài)為使上述第一和第四晶體管以及上述第二和第三晶體管中的一方導(dǎo)通并使另一方截止的狀態(tài)，該再生狀態(tài)為使上述第一和第三晶體管截止并且使上述第二和第四晶體管導(dǎo)通的狀態(tài)；設(shè)定電流檢測電路，其檢測上述馬達線圈的電流量是否達到設(shè)定水平；過電流檢測電路，其檢測上述第一至第四晶體管中的任一個的電流量超過了規(guī)定的電流量的過電流狀態(tài)；以及過電流保護電路，其在上述驅(qū)動狀態(tài)下，當(dāng)上述馬達線圈的電流量達到上述設(shè)定水平時，在不處于上述過電流狀態(tài)的情況下，輸出使上述通電狀態(tài)轉(zhuǎn)移為上述再生狀態(tài)的再生指示信號，在處于上述過電流狀態(tài)的情況下，輸出使上述馬達線圈的驅(qū)動停止的驅(qū)動停止信號，其中，當(dāng)從上述過電流保護電路輸出上述再生指示信號時，上述驅(qū)動控制電路在將上述通電狀態(tài)設(shè)為規(guī)定時間的上述再生狀態(tài)之后，使上述通電狀態(tài)恢復(fù)為上述驅(qū)動狀態(tài)，當(dāng)從上述過電流保護電路輸出上述驅(qū)動停止信號時，上述驅(qū)動控制電路使上述第一至第四晶體管截止。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的馬達驅(qū)動電路，其特征在于，上述過電流保護電路在上述過電流狀態(tài)持續(xù)了規(guī)定時間的情況下，輸出上述驅(qū)動停止信號。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的馬達驅(qū)動電路，其特征在于， 上述過電流保護電路構(gòu)成為包括以下電路最短時間計數(shù)電路，其對從上述驅(qū)動狀態(tài)開始起到轉(zhuǎn)移為上述再生狀態(tài)為止的最短時 間進行計數(shù)；以及控制信號輸出電路，其在對上述最短時間進行了計數(shù)之后，根據(jù)上述設(shè)定電流檢測電 路和上述過電流檢測電路的檢測結(jié)果，輸出上述再生指示信號或者上述驅(qū)動停止信號。
全文摘要
本發(fā)明提供一種馬達驅(qū)動電路。其提高負(fù)載短路時的安全性，具備驅(qū)動控制電路，將馬達線圈的通電狀態(tài)控制為驅(qū)動狀態(tài)或再生狀態(tài)，驅(qū)動狀態(tài)為使第一和第四晶體管及第二和第三晶體管中的一方導(dǎo)通并使另一方截止的狀態(tài)，再生狀態(tài)為使第一和第三晶體管截止并使第二和第四晶體管導(dǎo)通的狀態(tài)；設(shè)定電流檢測電路，檢測馬達線圈的電流量是否達到設(shè)定水平；過電流檢測電路，檢測第一至第四晶體管中的任一個的電流量超過規(guī)定電流量的過電流狀態(tài)；以及過電流保護電路，在驅(qū)動狀態(tài)下，當(dāng)馬達線圈的電流量達到設(shè)定水平時，在非過電流狀態(tài)的情況下輸出使通電狀態(tài)轉(zhuǎn)移為再生狀態(tài)的再生指示信號，在過電流狀態(tài)的情況下輸出停止馬達線圈驅(qū)動的驅(qū)動停止信號。
文檔編號H02H7/085GK101783501SQ20101000280
公開日2010年7月21日 申請日期2010年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月9日
發(fā)明者內(nèi)山祐二, 本木義人 申請人:三洋電機株式會社;三洋半導(dǎo)體株式會社