專利名稱：斷路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種斷路裝置。
背景技術(shù)：
中國(guó)專利文獻(xiàn)CN2276678Y公開了一種單相漏電保護(hù)器，機(jī)械脫扣開關(guān)電磁鐵線 圈、單向可控硅元件和二極管順序電連接結(jié)構(gòu)的漏電保護(hù)器中增加一或門電路，使或門電 路中串聯(lián)的二個(gè)二極管按導(dǎo)通方向一致與單向可控硅元件、機(jī)械脫扣開關(guān)的電磁鐵線圈順 序電連接，另一個(gè)二極管的陰極與二個(gè)串聯(lián)二極管之間的導(dǎo)線電連接，陽(yáng)極與地線接線端 子電連接。 上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處在于上述斷路裝置的為AC型斷路裝置，功能單一，抗 干擾性能較弱，易發(fā)生誤動(dòng)作且耐用性較差。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種抗干擾性能較強(qiáng)、不易發(fā)生誤動(dòng)作且 耐壓性較好的斷路裝置。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機(jī) 械脫扣開關(guān)、單向可控硅電路、以及由并聯(lián)諧振回路；機(jī)械脫扣開關(guān)的電磁鐵線圈設(shè)于所述 橋式整流電路的交流端的回路中；其特征在于單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向 可控硅和第二單向可控硅；第一單向可控硅的K極接所述橋式整流電路的負(fù)極端，第二單 向可控硅的A極接所述橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅的G極串接第四電阻、第三 電容后接所述橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅的K極和G極之間設(shè)有第七電阻，第 一單向可控硅的K極和A極之間設(shè)有第六電阻，第二單向可控硅的K極和A極之間設(shè)有第 五電阻，第一單向可控硅的G極與所述并聯(lián)諧振回路相連，所述第五電阻和第六電阻的阻 值相同；所述第一單向可控硅的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。 本實(shí)用新型具有積極的效果(l)本實(shí)用新型的斷路裝置中，并聯(lián)諧振回路的諧 振頻率與市交流電源的頻率相同。當(dāng)交流電源發(fā)生漏電時(shí)，電流互感器獲取的漏電信號(hào)也 為市交流電源的頻率(在我國(guó)為50Hz)。根據(jù)并聯(lián)諧振回路的特性，在我國(guó)當(dāng)并聯(lián)諧振回 路處于諧振時(shí)，可使50Hz的漏電信號(hào)的觸發(fā)可控硅的效能處于最佳，以最有效地觸發(fā)可控 硅，同時(shí)使50Hz以外的干擾信號(hào)的觸發(fā)可控硅的效能較低，從而可有效抑制50Hz以外的干 擾信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)斷路裝置的技術(shù)指標(biāo)。因此，本實(shí)用新型的斷路裝置抗干擾性 能較強(qiáng)且不易發(fā)生誤動(dòng)作。(2)在本實(shí)用新型中，采用兩個(gè)可控硅串聯(lián)，使該斷路裝置的耐 壓性能達(dá)千伏以上，故而耐壓性較好，克服了傳統(tǒng)的采用壓敏電阻和R-C吸收回路帶來(lái)的 不穩(wěn)定因素。(3)本實(shí)用新型中，并聯(lián)諧振回路并聯(lián)有雪崩穩(wěn)壓管，且雪崩穩(wěn)壓管的陽(yáng)極與 單向可控硅的G極相連。雪崩穩(wěn)壓管的正向?qū)妷翰桓哂?.55V，且單向可控硅的觸發(fā) 電壓不低于0.56V。當(dāng)外界干擾信號(hào)入侵時(shí)，雪崩穩(wěn)壓管首先導(dǎo)通，迅速排除了干擾信號(hào)， 以防止其觸發(fā)可控硅，而發(fā)生誤動(dòng)作。(4)本實(shí)用新型中，第一單向可控硅的G極相連有低通濾波電路，用于濾掉高頻干擾信號(hào)，進(jìn)一步保證斷路裝置的可靠性。(5)現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng) 斷路裝置所在的220V市交流電的檢測(cè)回路中存在一個(gè)強(qiáng)脈沖干擾信號(hào)(例如，250A，前沿 為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)往往使電流互感器發(fā)生磁飽和，從而破壞了并聯(lián)諧振 回路的諧振頻率，因電流互感器磁飽和非線性產(chǎn)生的次諧波能觸發(fā)可控硅，從而使現(xiàn)有技 術(shù)的斷路裝置誤動(dòng)作。而在本實(shí)用新型中，并聯(lián)諧振回路中采用的電流互感器的電感量不 小于20H ;以保證強(qiáng)脈沖干擾信號(hào)(250A，前沿為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)不會(huì)使 電流互感器發(fā)生磁飽和，防止了次諧波觸發(fā)可控硅的情況。
圖1為本實(shí)用新型的斷路裝置的電原理圖； 圖2為本實(shí)用新型的另一種斷路裝置的電原理圖。
具體實(shí)施方式見(jiàn)圖l，本實(shí)施例的斷路裝置包括用于與市交流電源相連的橋式整流電路(包括 二極管D1、 D2、D3和D4)、用于設(shè)置在交流電源線路(即圖1中的標(biāo)號(hào)l和2)中的機(jī)械脫 扣開關(guān)K1、單向可控硅電路、雪崩穩(wěn)壓管DW、以及由第一諧振電容C1、第二諧振電容C2和用 于檢測(cè)交流電源的漏電信號(hào)的電流互感器H1構(gòu)成的并聯(lián)諧振回路。 單向可控硅電路包括第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、相串 聯(lián)的第一單向可控硅BG1和第二單向可控硅BG2 ;第一單向可控硅BG1的K極接橋式整流 電路的負(fù)極端，第二單向可控硅BG2的A極接橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅BG2 的G極串接第四電阻R4、第三電容C3后接橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅BG2的 K極和G極之間設(shè)有第七電阻R7，第一單向可控硅BG1的K極和A極之間設(shè)有第六電阻R6， 第二單向可控硅BG2的K極和A極之間設(shè)有第五電阻R5，第一單向可控硅BG1的G極與并 聯(lián)諧振回路相連。第五電阻R5和第六電阻R6的阻值相同，從而可將橋式整流電路輸出的 電壓均分給兩個(gè)單向可控硅，當(dāng)各單向可控硅的耐壓為500V時(shí)，整個(gè)斷路裝置的耐壓性能 即達(dá)到IOOOV。 機(jī)械脫扣開關(guān)K1的電磁鐵線圈KM設(shè)于橋式整流電路的交流端的回路中；低通濾 波電路與第一單向可控硅BG1的G極相連；低通濾波電路，用于濾掉高頻干擾信號(hào)，進(jìn)一步 保證斷路裝置的可靠性。 電流互感器Hl的電感量為30H，諧振電容Cl和第二諧振電容C2的電容量之和為 0. 25uF，因此并聯(lián)諧振回路的諧振頻率為50Hz。根據(jù)并聯(lián)諧振回路的特性，當(dāng)并聯(lián)諧振回 路發(fā)生諧振時(shí)，可使50Hz的干擾信號(hào)的觸發(fā)可控硅的效能處于最佳，以最有效地觸發(fā)可控 硅，同時(shí)使50Hz以外的干擾信號(hào)的觸發(fā)可控硅的效能較低，從而可有效抑制50Hz以外的干 擾信號(hào)。因此，本實(shí)用新型的斷路裝置抗干擾性能較強(qiáng)且不易發(fā)生誤動(dòng)作。 雪崩穩(wěn)壓管DW與并聯(lián)諧振回路相并聯(lián)，且雪崩穩(wěn)壓管DW的陽(yáng)極串接第二電阻R2 后與第一單向可控硅BG1的G極相連。雪崩穩(wěn)壓管DW的正向?qū)妷翰桓哂?.55V，且第 一單向可控硅BG1的觸發(fā)電壓不低于0.56V。還包括與雪崩穩(wěn)壓管DW相并聯(lián)的第一電阻 R1，與電流互感器H1相串聯(lián)的第二電阻R2 ;AN1為實(shí)驗(yàn)按鈕，使用時(shí)起模擬漏電的作用。實(shí) 驗(yàn)按鈕AN1串聯(lián)降壓電阻R8后與交流電源相連。[0014] 電流互感器H1置于金屬屏蔽罩內(nèi)，防止外磁場(chǎng)使斷路裝置誤動(dòng)作。 工作時(shí)，當(dāng)來(lái)自并聯(lián)諧振回路的漏電信號(hào)有效觸發(fā)第一單向可控硅BG1時(shí)，第一 單向可控硅BG1導(dǎo)通，第一單向可控硅BG1的K極和A極之間的壓差迅速降至2V以下，第 三電容C3上的電壓通過(guò)第四電阻R4、第七電阻R7和第一單向可控硅BG1放電，此時(shí)第七電 阻R7上的電壓使第二單向可控硅BG2導(dǎo)通，電磁鐵線圈KM得電并使機(jī)械脫扣開關(guān)K1執(zhí)行 脫扣動(dòng)作，即斷路裝置處于斷開狀態(tài)。 見(jiàn)圖2，作為另一種實(shí)施方式，雪崩穩(wěn)壓管DW的陰極串接第二電阻R2后接第一單 向可控硅BG1的G極，起到過(guò)壓保護(hù)的作用。
權(quán)利要求一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機(jī)械脫扣開關(guān)(K1)、單向可控硅電路、以及由并聯(lián)諧振回路；機(jī)械脫扣開關(guān)(K1)的電磁鐵線圈(KM)設(shè)于所述橋式整流電路的交流端的回路中；其特征在于單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向可控硅(BG1)和第二單向可控硅(BG2)；第一單向可控硅(BG1)的K極接所述橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅(BG2)的A極接所述橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅(BG2)的G極串接第四電阻(R4)、第三電容(C3)后接所述橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅(BG2)的K極和G極之間設(shè)有第七電阻(R7)，第一單向可控硅(BG1)的K極和A極之間設(shè)有第六電阻(R6)，第二單向可控硅(BG2)的K極和A極之間設(shè)有第五電阻(R5)，第一單向可控硅(BG1)的G極與所述并聯(lián)諧振回路相連，所述第五電阻(R5)和第六電阻(R6)的阻值相同；所述第一單向可控硅(BG1)的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機(jī)械脫扣開關(guān)、單向可控硅電路和并聯(lián)諧振回路；并聯(lián)諧振回路的諧振頻率與市交流電源的頻率相同；單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向可控硅和第二單向可控硅；第一單向可控硅的K極接橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅的A極接橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅的G極串接第四電阻、第三電容后接橋式整流電路的負(fù)極端，第二單向可控硅的K極和G極之間設(shè)有第七電阻，第一單向可控硅的K極和A極之間設(shè)有第六電阻，第二單向可控硅的K極和A極之間設(shè)有第五電阻，第一單向可控硅的G極與并聯(lián)諧振回路相連。第一單向可控硅的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。
文檔編號(hào)H02H3/32GK201478793SQ20092017755
公開日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月1日
發(fā)明者王笑麗 申請(qǐng)人:王笑麗