專利名稱：馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
在控制馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中，有通過使用脈波(pulse) 信號(hào)間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圈來進(jìn)行馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)整的方法。 例如，有通過比4交自樣t計(jì)算4幾(micro computer)等輸入的直流的 速度控制電壓與變化成三角波狀的振蕩電壓，而產(chǎn)生具有相應(yīng) 于速度控制電壓的電平(level)的占空比(duty)的脈波信號(hào)，使用 所產(chǎn)生的脈波信號(hào)來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圏的方法(例如專利文獻(xiàn) 1)。
在此，由于速度控制電壓的變動(dòng)范圍依微計(jì)算機(jī)等規(guī)格而 有所不同，因而有能夠?qū)?yīng)于速度控制電壓的變動(dòng)范圍來設(shè)定 振蕩電壓的變動(dòng)范圍的情形。 一般而言，振蕩電壓通過重復(fù)如 下的充放電而產(chǎn)生，即以定電流對(duì)電容器進(jìn)行充電而當(dāng)電容器 的充電電壓到達(dá)上限電平時(shí)以定電流進(jìn)行力丈電，當(dāng)電容器的充 電電壓到達(dá)下限電平時(shí)以定電流進(jìn)行充電。例如，如圖6所示， 若令上限電平為V1、令下限電平為V2，則可得到虛線所示的振 蕩電壓Voscl,而若令上限電平為V1、令下限電平為V3，則可 得到實(shí)線所示的振蕩電壓Vosc2。亦即，當(dāng)將速度控制電壓Vd 的變動(dòng)范圍設(shè)定為V1至V2時(shí)產(chǎn)生振蕩電壓Voscl ，當(dāng)將速度控 制電壓Vd的變動(dòng)范圍設(shè)定為V1至V3時(shí)則產(chǎn)生振蕩電壓Vosc2。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2001-320890號(hào)/>才艮。

發(fā)明內(nèi)容
而在變更振蕩電壓的變動(dòng)范圍亦即振蕩電壓的振幅時(shí)，若 令充放電時(shí)的振蕩電壓的變化速度無關(guān)于振幅而相同時(shí)，則振
蕩電壓的頻率相應(yīng)于振幅而變化。在圖6的例子中，若令V2二 (VI + V3)/2，則振蕩電壓Voscl的頻率成為振蕩電壓Vosc2的頻 率的2倍。因此，通過振蕩電壓Voscl與速度控制電壓Vd的比較 而產(chǎn)生的脈波信號(hào)PWM1的頻率成為通過振蕩電壓Vosc2與速 度控制電壓V d的比較而產(chǎn)生的脈波信號(hào)P W M 2的頻率的2倍。在 如上述脈波信號(hào)的占空比相應(yīng)于振蕩電壓的振幅而變化的情形 中，則會(huì)有因脈波信號(hào)的頻率在可聽范圍內(nèi)而在間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá) 時(shí)產(chǎn)生噪音或脈波信號(hào)變成無法驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的頻率等情形。
本發(fā)明是鑒于上述課題而研創(chuàng)，其目的在于以不依存于變 化成三角波狀的振蕩電壓的振幅的頻率來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。
為了達(dá)成前述目的，本發(fā)明的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路具備三角波 產(chǎn)生電路，對(duì)電容器進(jìn)行充放電，并將前述電容器的充電電壓 作為振蕩電壓而予以輸出，其中，充放電電流的電流量相應(yīng)于 用以控制變化成三角波狀的前述振蕩電壓的振幅的振幅控制電 壓；脈波信號(hào)產(chǎn)生電路，根據(jù)用以控制馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度的速度控 制電壓與自前述三角波產(chǎn)生電路輸出的前述振蕩電壓的比較結(jié) 果，產(chǎn)生具有相應(yīng)于前述速度控制電壓的電平的占空比的脈波 信號(hào)；及驅(qū)動(dòng)電路，根據(jù)前述脈波信號(hào)來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圏。
本發(fā)明所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，前述三角波產(chǎn)生電路包括 電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生相應(yīng)于前述振幅控制電壓的電流量的前述 充放電電流；比較電路，輸出前述充電電壓與比較電壓的比較 結(jié)果；充放電電路，根據(jù)前述充電電壓與比較電壓的比較結(jié)果， 在前述充電電壓變得比前述比較電壓高時(shí)通過前述充放電電流 對(duì)前述電容器進(jìn)行;故電，在前述充電電壓變得比前述比較電壓低時(shí)通過前述充》文電電流對(duì)前述電容器進(jìn)4亍充電；及比專交電壓
控制電路，根據(jù)前述充電電壓與比較電壓的比較結(jié)果，在前述 充電電壓變得比前述比較電壓高時(shí)將前述比較電壓變更為第l 電平，在前述充電電壓變得比前述比4交電壓低時(shí)將前述比較電 壓變更為相對(duì)于前述第l電平具有相應(yīng)于前述振幅控制電壓之
差且比前述第1電平高的第2電平。
本發(fā)明所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，前述比專交電壓控制電路包括 基準(zhǔn)電源，輸出預(yù)定電平的基準(zhǔn)電壓；電壓產(chǎn)生電路，輸出相 應(yīng)于前述充i文電電流的電壓；及比專交電壓車俞出電^各，才艮據(jù)前述 充電電壓與比4交電壓的比較結(jié)果，在前述充電電壓變得比前述 比較電壓高時(shí)將前述基準(zhǔn)電壓作為屬于前述第l電平的前述比 較電壓予以輸出，在前述充電電壓變得比前述比較電壓低時(shí)將 前述基準(zhǔn)電壓加上自前述電壓產(chǎn)生電路輸出的前述電壓所得的 電壓作為屬于前述第2電平的前述比較電壓予以輸出。
本發(fā)明所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，前述電壓產(chǎn)生電路為一端與 前述基準(zhǔn)電源連接的電阻器；前述比較電壓輸出電路包括二 極管，于陽極流入前述充》文電電流，陰極與前述電阻器的另一 端連接；及開關(guān)電路， 一端與前述二極管的陽極連接，于另一 端施加有比前述基準(zhǔn)電壓低的電壓，且根據(jù)前述充電電壓與比 較電壓的比較結(jié)果，在前述充電電壓變得比前述比較電壓高時(shí) 成為導(dǎo)通狀態(tài)，在前述充電電壓變得比前述比較電壓低時(shí)成為 切斷狀態(tài)。
本發(fā)明所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，還包括控制電壓產(chǎn)生電路， 相應(yīng)于施加至前述馬達(dá)線圈的與馬達(dá)的目標(biāo)旋轉(zhuǎn)速度相應(yīng)的驅(qū) 動(dòng)電壓，使前述速度控制電壓變化。
依據(jù)本發(fā)明，能夠以不依存于變化成三角波狀的振蕩電壓 的振幅的頻率來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。


圖l是顯示屬于本發(fā)明 一實(shí)施形態(tài)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成 的圖。
圖2是顯示三角波產(chǎn)生電路的構(gòu)成例的圖。 圖3是顯示三角波產(chǎn)生電路的動(dòng)作的 一例的波形圖。 圖4是顯示使振蕩電壓的振幅變化時(shí)的脈波信號(hào)的 一例的 波形圖。
圖5是顯示使驅(qū)動(dòng)電壓及速度控制電壓連動(dòng)時(shí)的一例的圖。 圖6是顯示相應(yīng)于振蕩電壓的振幅變動(dòng)的脈波信號(hào)的變化 的一例的圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示屬于本發(fā)明 一 實(shí)施形態(tài)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成 的圖。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路10例如在筆記型個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子機(jī)器中 組入至用于冷卻處理器(processor)等發(fā)熱零件(被冷卻裝置)的 風(fēng)扇馬達(dá)，而用于驅(qū)動(dòng)用以使冷卻用風(fēng)扇旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)。
本實(shí)施形態(tài)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電^各10為驅(qū)動(dòng)單相的風(fēng)扇馬達(dá)的電 路，包括三角波產(chǎn)生電路20、比較器22、驅(qū)動(dòng)電路24及N溝道 型MOSFET 26至N溝道型MOSFET 29,且相應(yīng)于自微計(jì)算機(jī)等 輸入的速度控制電壓Vd的電平而調(diào)整馬達(dá)線圈L的驅(qū)動(dòng)頻率， 借此而能夠控制馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度。此外，霍耳(Hall)元件35經(jīng)由 端子H1、端子H2而與馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路10連4妄，且輸出相應(yīng)于馬達(dá) 的旋轉(zhuǎn)位置而以正弦波狀變化且互為反相的信號(hào)Vhl 、信號(hào) Vh2。
三角波產(chǎn)生電^各20產(chǎn)生具有相應(yīng)于經(jīng)由端子Tp而施加的 電壓Vosc。比較器22(脈波信號(hào)產(chǎn)生電路)通過比較振蕩電壓Vosc與經(jīng) 由端子Td而施加的用以控制馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度的速度控制電壓 Vd,而輸出具有相應(yīng)于速度控制電壓Vd的電平的占空比的脈波 信號(hào)PWM。在本實(shí)施形態(tài)中，i殳定為當(dāng)速度控制電壓Vd比振蕩 電壓Vosc高時(shí)，月永波信號(hào)PWM成為高電平，當(dāng)速度控制電壓Vd 比振蕩電壓Vosc低時(shí)，脈波信號(hào)PWM成為低電平。因此，隨著 使速度控制電壓Vd從振蕩電壓Vosc的下限變化至上限，脈波信 號(hào)PWM的H電平(高電平)的占空比從0%變化至100%。
驅(qū)動(dòng)電路24根據(jù)來自霍耳元件35的信號(hào)Vhl、信號(hào)Vh2,相 應(yīng)于馬達(dá)的； 走轉(zhuǎn)位置而適當(dāng)?shù)貙?dǎo)通/切斷(On/Off)N溝道型 MOSFET 26至N溝道型MOSFET 29,以4吏馬達(dá)往所期望的方向 旋轉(zhuǎn)。例如，通過驅(qū)動(dòng)電路24將N溝道型MOSFET26、 N溝道型 MOSFET 29予以導(dǎo)通、將N溝道型MOSFET 27、 N溝道型 MOSFET 28予以切斷，從而于馬達(dá)線圈L會(huì)有電流以從端子T1 往端子T2的方向流通。另一方面，例如，通過驅(qū)動(dòng)電路24將N 溝道型MOSFET 27、 N溝道型MOSFET 28予以導(dǎo)通、將N溝道 型MOSFET26、 N溝道型MOSFET 29予以切斷，乂人而于馬達(dá)線 圏L會(huì)有電流以乂人端子T2往端子T1的方向流通。
此外，驅(qū)動(dòng)電路24能夠根據(jù)脈波信號(hào)PWM來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá) 線圈L。例如，當(dāng)為將N溝道型MOSFET 26、 N溝道型MOSFET 29 予以導(dǎo)通、將N溝道型MOSFET 27、 N溝道型MOSFET 28予以 切斷的情形下，驅(qū)動(dòng)電路2 4能夠在脈波信號(hào)P WM為H電平的期 間將N溝道型MOSFET 26予以導(dǎo)通、在脈波信號(hào)PWM為L電平 (低電平)的期間將N溝道型MOSFET 26予以切斷。亦即，相 應(yīng)于脈波信號(hào)PWM的占空比來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圏L，馬達(dá)的旋 轉(zhuǎn)速度亦成為相應(yīng)于脈波信號(hào)PWM的占空比。
圖2是顯示三角波產(chǎn)生電路20的構(gòu)成例的圖。三角波產(chǎn)生電路20包括;故大器40、 PNP晶體管42至PNP晶體管45、 NPN晶體 管47至NPN晶體管49、 N溝道型MOSFET 51、 N溝道型MOSFET 52(開關(guān)電路)、基準(zhǔn)電源54、 二極管56、比較器58(比較電路)、 反相器60、電阻器R1及電阻器R2(電壓產(chǎn)生電路)。
放大器4 0以使NP N晶體管4 7的射極電壓與振幅控制電壓 Vp成為相等的方式控制NPN晶體管47。借此，若電阻器R1的電 阻值為Rl,則于PNP晶體管42、 NPN晶體管47及電阻器R1流通 Vp/Rl的電流。此外，PNP晶體管42至PNP晶體管45構(gòu)成同 一尺 寸的電流鏡電路，于PNP晶體管43至PNP晶體管45亦流通Vp/Rl 的電流。亦即，由》文大器40、 NPN晶體管47、電阻器R1及PNP 晶體管42至PNP晶體管45所構(gòu)成的電路相當(dāng)于本發(fā)明的電流產(chǎn) 生電路。
NPN晶體管48、 NPN晶體管49構(gòu)成尺寸比為1: 2的電流鏡 電路。并且，NPN晶體管48的集極與PNP晶體管43的集極連接 且與N溝道型MOSFET 51的漏極連接，NPN晶體管49的集極與 PNP晶體管44的集極連接且經(jīng)由端子TC與電容器C連接。因此， 當(dāng)N溝道型MOSFET 51導(dǎo)通時(shí)，從PNP晶體管44輸出的Vp/Rl的 電流流入電容器C而將電容器C充電，而當(dāng)N溝道型MOSFET 51 切斷時(shí)，由于必須于NPN晶體管49流通2x Vp/Rl的電流，因此 Vp/Rl的電流從電容器C流出至NPN晶體管49而將電容器放電。 并且，電容器C的充電電壓成為振蕩電壓Vosc。另夕卜，由NPN 晶體管48、 NPN晶體管49及N溝道型MOSFET 51所構(gòu)成的電路 相當(dāng)于本發(fā)明的充》文電電路。
于電阻器R2的 一 端施加有從基準(zhǔn)電源54輸出的基準(zhǔn)電壓 Vref，電阻器R2的另 一端與二極管56的陰極連接。此外，二極 管56的陽極與PNP晶體管45的集極連接且與N溝道型MOSFET 52的漏極連接。因此，當(dāng)N溝道型MOSFET 52導(dǎo)通時(shí)于電阻器R2無電流流通，而當(dāng)N溝道型MOSFET 52切斷時(shí)于電阻器R2流 通Vp/Rl的電流。亦即，若令電阻器R2的電阻值為R2，則于二 極管56及電阻器R2的連接點(diǎn)產(chǎn)生的比較電壓Vcmp在N溝道型 MOSFET 52為導(dǎo)通時(shí)成為Vref(第l電平)、在N溝道型MOSFET 52為切斷時(shí)成為Vref + (R^/Rl)Vp(第2電平)。另外，由N溝道型 MOSFET52、基準(zhǔn)電源54、 二極管56及電阻器R2所構(gòu)成的電路 相當(dāng)于本發(fā)明的比較電壓控制電路。此外，由N溝道型MOSFET 52及二極管56所構(gòu)成的電路相當(dāng)于本發(fā)明的比較電壓輸出電 路。
圖3是顯示三角波產(chǎn)生電路20的動(dòng)作的一例的波形圖。在初 期狀態(tài)時(shí)設(shè)定比較器58的輸出信號(hào)為L電平。此時(shí)，由于N溝道 型MOSFET 52為切斷，因此比壽交電壓Vcmp成為Vref + (R2/Rl)Vp。并且，由于比較器58的輸出信號(hào)通過反相器60而反 轉(zhuǎn)而成為H電平，因此N溝道型MOSFET 51成為導(dǎo)通，電容器C 以Vp/Rl的電流充電。
當(dāng)電容器C充電使振蕩電壓Vosc到達(dá)Vref+(R2/Rl)Vp時(shí)，比 較器58的輸出信號(hào)成為H電平。借此，N溝道型MOSFET 52成為 導(dǎo)通而比較電壓Vcmp變化成Vref，并且N溝道型MOSFET 51成 為切斷而電容器C以Vp/Rl的電流;故電。
當(dāng)電容器C放電使振蕩電壓Vosc到達(dá)Vref時(shí)，比較器58的輸 出信號(hào)成為L電平，電容器C的充電再次開始。通過如上述使電 容器C以Vp/Rl的電流充ii電，振蕩電壓Vos"更以下限為Vref 、 上限為Vref + (R2/Rl)Vp的振幅振蕩。亦即，振蕩電壓Vosc的振 幅成為(R2/Rl)Vp,相應(yīng)于振幅控制電壓Vp而變化。
在此，若令振蕩電壓Vosc的周期為T、令電容器C的電容值 為C1，則T二CV/I二(Clx2(R2/Rl)Vp〉/(Vp/Rl)-2ClxR2。因此， 振蕩電壓Vosc的周期成為一定。亦即，振蕩電壓Vosc的周期為一定，與振幅無關(guān)。
圖4是顯示4吏振蕩電壓Vosc的振幅變化時(shí)的脈波信號(hào)PWM 的一例的波形圖。Voscl為將振幅控制電壓Vpi殳定為Vpl時(shí)的振 蕩電壓Vosc的波形，Vosc2為將振幅控制電壓Vp設(shè)定為Vp2(= Vpl/2)時(shí)的4展蕩電壓Vosc的波形。在此，由于4展蕩電壓Vosc的 振幅為(R2/R 1)Vp,因此Vosc 1的振幅成為Vosc2的振幅的2倍。 但由于振蕩電壓Vosc的頻率與振幅無關(guān)而為一定，因此振蕩電 壓Voscl、振蕩電壓Vosc2的頻率相同。因此，通過振蕩電壓 Voscl、振蕩電壓Vosc2與速度控制電壓Vd的比較而產(chǎn)生的脈波 信號(hào)PWM1、脈波信號(hào)PWM2的頻率亦與振蕩電壓Voscl、振蕩 電壓Vosc2無關(guān)而成為相同。
以上，針對(duì)本實(shí)施形態(tài)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電^各10進(jìn)行了說明。依 據(jù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路10,電容器C以相應(yīng)于振幅控制電壓V p的電流 量(Vp/Rl)的充》文電電流進(jìn)行充》文電。亦即，充》文電電流亦以與 振蕩電壓Vosc的振幅變化成比例的方式變化，因此振蕩電壓 Vosc的周期成為一定，與振幅無關(guān)。因此，脈波信號(hào)PWM的頻 率亦成為 一 定，而能夠以不依存于4展蕩電壓Vo s c的振幅的頻率 來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。因此，能夠防止在間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)時(shí)產(chǎn)生噪音 或脈波信號(hào)PWM變成無法驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的頻率等情形。
如圖2所例示，產(chǎn)生如上述振蕩電壓Vo s c的三角波產(chǎn)生電路 20可包括電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生相應(yīng)于振幅控制電壓Vp的充力文 電電流；比較器58,比較電容器的充電電壓與比較電壓Vcmp; 充放電電路，依據(jù)比較器58的輸出信號(hào)來對(duì)電容器C進(jìn)行充放 電；及比較電壓控制電路，依據(jù)比較器58的輸出信號(hào)來控制比 較電壓Vcmp。
此外，如圖2所例示，控制比4交電壓Vcmp的比4交電壓控制 電路可包4舌基準(zhǔn)電源54、 l敘出相應(yīng)于充》文電電流的電壓的電壓產(chǎn)生電路、及輸出相應(yīng)于比較器5 8的輸出信號(hào)的比較電壓 Vcmp的比較電壓輸出電路。
此外，如圖2所例示，輸出相應(yīng)于充》文電電流的電壓的電壓 產(chǎn)生電路可由電阻器R2所構(gòu)成。此外，如圖2所例示，輸出相
路可由在陽極流入充》文電電流而陰極與電阻器R2連接的二極 管56、及控制充》文電電流往電阻器R2流入的N溝道型MOSFET 52所構(gòu)成。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā) 明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。例如， 雖然在本實(shí)施形態(tài)中將馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路10使用為單相的風(fēng)扇馬達(dá) 的驅(qū)動(dòng)用，但作為驅(qū)動(dòng)對(duì)象的馬達(dá)并不限于風(fēng)扇馬達(dá)，相數(shù)亦 不限于單相。
此外，雖然在圖l中設(shè)定馬達(dá)線圈L的驅(qū)動(dòng)電壓Vdd為固定 電平，但亦可如圖5所示，設(shè)定成驅(qū)動(dòng)電壓Vdd通過來自微計(jì)算 機(jī)等的控制而依據(jù)馬達(dá)的目標(biāo)旋轉(zhuǎn)速度而變動(dòng)。并且，亦可例 如使用電阻器R3、電阻器R4(控制電壓產(chǎn)生電路)，產(chǎn)生相應(yīng)于 驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的速度控制電壓Vd。借此，由于脈波信號(hào)PWM的 占空比相應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電壓Vdd而變化，因此相舉交于^f又控制驅(qū)動(dòng)電 壓Vdd的情形與將驅(qū)動(dòng)電壓Vdd固定而 <又控制脈波信號(hào)PWM的 占空比的情形，能夠使馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度的控制范圍更寬。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下
10:馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路 20:三角波產(chǎn)生電路
22:比較器 24:驅(qū)動(dòng)電路
26~29、 51、 52: N溝道型MOSFET35:霍耳元件 42~45: PNP晶體管 54:基準(zhǔn)電源 58:比較器 C:電容器
Hl、 H2、 Tl、 T2、 TC、 Td、 Tp:端子 L:馬達(dá)線圈 PWM、 PWM1、 PWM2 R1 R4:電阻器 Vd:速度控制電壓 Vhl、 Vh2:信號(hào) Vosc、 Voscl、 Vosc2: 振蕩電壓 Vp:振幅控制電壓
40:放大器 47~49: NPN晶體管 56: 二極管 60:反相器
脈波信號(hào)
Vcmp: 比4交電壓 Vdd:驅(qū)動(dòng)電壓
Vref:基準(zhǔn)電壓。
權(quán)利要求
1. 一種馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括三角波產(chǎn)生電路，對(duì)電容器進(jìn)行充放電，并將前述電容器的充電電壓作為振蕩電壓而予以輸出，其中，充放電電流的電流量相應(yīng)于用以控制變化成三角波狀的前述振蕩電壓的振幅的振幅控制電壓；脈波信號(hào)產(chǎn)生電路，根據(jù)用以控制馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度的速度控制電壓與自前述三角波產(chǎn)生電路輸出的前述振蕩電壓的比較結(jié)果，產(chǎn)生具有相應(yīng)于前述速度控制電壓的電平的占空比的脈波信號(hào)；及驅(qū)動(dòng)電路，根據(jù)前述脈波信號(hào)來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圈。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，前 述三角波產(chǎn)生電路包括電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生相應(yīng)于前述振幅控制電壓的電流量的 前述充》文電電；危；比較電路，輸出前述充電電壓與比較電壓的比較結(jié)果；充放電電路，根據(jù)前述充電電壓與比較電壓的比較結(jié)果， 在前述充電電壓變得比前述比4交電壓高時(shí)通過前述充》文電電流 對(duì)前述電容器進(jìn)行;改電，在前述充電電壓變得比前述比較電壓 低時(shí)通過前述充方文電電流對(duì)前述電容器進(jìn)4亍充電；及比較電壓控制電路，根據(jù)前述充電電壓與比較電壓的比較 結(jié)果，在前述充電電壓變得比前述比較電壓高時(shí)將前述比較電 壓變更為第l電平，在前述充電電壓變得比前述比較電壓低時(shí)將 前述比4交電壓變更為相對(duì)于前述第1電平具有相應(yīng)于前述振幅 控制電壓之差且比前述第l電平高的第2電平。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，前 述比較電壓控制電路包括基準(zhǔn)電源，輸出預(yù)定電平的基準(zhǔn)電壓；電壓產(chǎn)生電^各，輸出相應(yīng)于前述充方文電電流的電壓；及 比較電壓輸出電路，根據(jù)前述充電電壓與比較電壓的比較 結(jié)果，在前述充電電壓變得比前述比4交電壓高時(shí)將前述基準(zhǔn)電 壓作為屬于前述第l電平的前述比較電壓予以輸出，在前述充電 電壓變得比前述比較電壓低時(shí)將前述基準(zhǔn)電壓加上自前述電壓 產(chǎn)生電路輸出的前述電壓所得的電壓作為屬于前述第2電平的前述比4交電壓予以llr出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，前 述電壓產(chǎn)生電路為一端與前述基準(zhǔn)電源連接的電阻器；前述比較電壓輸出電路包括二極管，于陽極流入前述充放電電流，陰才及與前述電阻器 的另一端連接；及開關(guān)電路， 一端與前述二極管的陽才及連接，于另一端施加 有比前述基準(zhǔn)電壓低的電壓，且根據(jù)前述充電電壓與比較電壓 的比較結(jié)果，在前述充電電壓變得比前述比較電壓高時(shí)成為導(dǎo) 通狀態(tài)，在前述充電電壓變得比前述比l交電壓^^時(shí)成為切斷狀 態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其特 征在于，還包括控制電壓產(chǎn)生電路，相應(yīng)于施加至前述馬達(dá)線圈的與馬達(dá) 的目標(biāo)旋轉(zhuǎn)速度相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓，使前述速度控制電壓變化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，其目的在于以不依存于變化成三角波狀的振蕩電壓的振幅的頻率來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。本發(fā)明的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路包括三角波產(chǎn)生電路，對(duì)電容器進(jìn)行充放電，并將電容器的充電電壓作為振蕩電壓而予以輸出，其中，充放電電流的電流量相應(yīng)于用以控制變化成三角波狀的振蕩電壓的振幅的振幅控制電壓；脈波信號(hào)產(chǎn)生電路，根據(jù)用以控制馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度的速度控制電壓與自三角波產(chǎn)生電路輸出的振蕩電壓的比較結(jié)果，產(chǎn)生具有相應(yīng)于速度控制電壓的電平的占空比的脈波信號(hào)；及驅(qū)動(dòng)電路，根據(jù)脈波信號(hào)來間歇驅(qū)動(dòng)馬達(dá)線圈。本發(fā)明所述的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，能夠使馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)速度的控制范圍更寬。
文檔編號(hào)H02P23/00GK101546983SQ200910131949
公開日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月27日
發(fā)明者今井敏行 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社;三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社