專利名稱：一種具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及靜電破壞防護(hù)裝置，尤其是集成電路芯片的靜電破壞防護(hù)裝置，具體
地，涉及具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
在CMOS集成電路的可靠性設(shè)計中， 一個重要的環(huán)節(jié)就是靜電破壞(ESD， e 1 ectrostatic discharge)保護(hù)電路的設(shè)計問題，有統(tǒng)計表明，集成電路失效的原因中有 1/3以上是由于ESD造成的。然而ESD現(xiàn)象存在于集成電路的生產(chǎn)、封裝、運輸和使用整個 過程中，因此一個提高集成電路可靠性的有效方法就是在芯片內(nèi)部或/和外部根據(jù)不同的 需要加入適當(dāng)?shù)腅SD保護(hù)電路。 對于集成電路，靜電放電通常用三種物理模型描述，分別是人體模型(HBM， human body model),機(jī)器模型(匪，machine model)和充電器件模型(CDM， charged-device model)，各自代表現(xiàn)實世界中的不同類型靜電放電。10的ESD防護(hù)電路和POWER間的ESD 防護(hù)電路(power clamp)共同構(gòu)成了整個集成電路芯片的ESD防護(hù)。 在POWER間的ESD防護(hù)方面，當(dāng)ESD電壓加在VDD與GND之間時，除了會造成集成 電路芯片內(nèi)部電路損傷之外，也常觸發(fā)一些寄生的半導(dǎo)體元件導(dǎo)通而燒毀。在CMOS集成電 路中，最常見的發(fā)生燒毀的寄生元件就是p-n-p-n的SCR元件及n-p-n的BJT晶體管。隨 著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，寄生元件的間距也越來越小，這使得它們具有更高的增 益并且更加容易被觸發(fā)。因此，電源和地之間的ESD保護(hù)單元需要具備開啟速度快、能夠承 載大電流、導(dǎo)通電壓低、本身不易損壞等特點。目前較常用的電源ESD保護(hù)單元電路是一個 由靜電放電偵測電路控制的M0S放電管。 在現(xiàn)有技術(shù)中，ESD檢測電路由RC電路構(gòu)成，由于集成電路芯片經(jīng)常在一個由許 多其他電子設(shè)備組成的系統(tǒng)中工作，各種電子設(shè)備在工作時會發(fā)出大量不同頻率的噪聲， 同時外界環(huán)境中也存在各種噪聲(例如無線電波，電磁輻射)。這些噪聲也可能使集成電 路芯片的引腳電壓產(chǎn)生異常的波動，這些電壓波動也會導(dǎo)致NMOS放電管的開啟。另外，當(dāng) 第一引腳的電壓在正常工作狀態(tài)下上升或者下降時(例如芯片電源引腳的上電或者關(guān)斷 過程即與此類似)，電壓的變化同樣可能通過電容、緩沖器最終耦合到NM0S管的柵極，使得 NMOS管開啟，影響芯片的正常工作。這不是設(shè)計ESD保護(hù)電路希望帶來的結(jié)果。這些并非 由于ESD引起的引腳電壓波動我們稱為噪聲波動，設(shè)計中需要避免ESD保護(hù)電路在噪聲波 動中出現(xiàn)誤動作。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具有噪聲免疫功能 的靜電破壞防護(hù)裝置，它不僅能夠防止靜電對集成電路芯片造成靜電破壞，而且具有避免 噪聲波動造成電流泄放電路誤開啟的功能。 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置，其包括檢測電路、有源驅(qū)動電路及電流泄放電路。所述檢測電路包括一個容性裝置、 一個阻性裝 置。所述有源驅(qū)動電路包括一級或多級反相器，特殊應(yīng)用下可以不包含該部分電路的反相 器。所述電流泄放電路包括一個N型晶體管或一個P型晶體管。其特征在于，所述靜電破 壞防護(hù)裝置還包括一個交流分壓電路，所述交流分壓電路并聯(lián)在所述檢測電路的阻性裝置 兩端。 本發(fā)明通過將所述交流分壓電路并聯(lián)在所述檢測電路的阻性裝置兩端，可以利用 其在交流環(huán)境下的分壓作用，預(yù)先調(diào)節(jié)靜電破壞防護(hù)裝置在受到靜電波動影響時所述有源 驅(qū)動電路的輸入端電壓，使得電流泄放電路不會誤開啟，靜電破壞防護(hù)裝置具有了噪聲免 疫功能；而且在所述檢測電路的容性裝置容值誤差較大的情況下，由于所述有源驅(qū)動電路 的輸入端電壓的設(shè)定是根據(jù)所述檢測電路的容性裝置與交流分壓電路中的器件的容性比 值確定，能夠預(yù)先調(diào)節(jié)靜電破壞防護(hù)裝置在受到靜電波動影響時開啟所述有源驅(qū)動電路的 噪聲閾值電壓，對噪聲電壓進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲對電流泄放電路的干擾，并使得所述有源驅(qū) 動電路的輸入端電壓的設(shè)定受所述檢測電路的電容誤差影響較小，靜電破壞防護(hù)裝置工作 的精確性得以提高。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路的一端連接的引腳是所述第二引腳，所述檢測電路的 容性裝置的一端連接所述第一引腳，所述檢測電路的阻性裝置的一端連接所述第二引腳。
優(yōu)選地，所述電流泄放電路包括一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作為所述 電流泄放電路的控制端連接所述有源驅(qū)動電路的輸出端，所述有源驅(qū)動電路包括零級或偶 數(shù)級反相器相互串聯(lián)。 優(yōu)選地，所述電流泄放電路包括一個P型晶體管，所述P型晶體管的柵極作為所述 電流泄放電路的控制端連接所述有源驅(qū)動電路的輸出端，所述有源驅(qū)動電路包括奇數(shù)級反 相器相互串聯(lián)。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路的一端連接的引腳是所述第一引腳，所述檢測電路的 容性裝置的一端連接所述第二引腳，所述檢測電路的阻性裝置的一端連接所述第一引腳。
優(yōu)選地，所述電流泄放電路包括一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作為所述 電流泄放電路的控制端連接所述有源驅(qū)動電路的輸出端，所述有源驅(qū)動電路包括奇數(shù)級反 相器相互串聯(lián)。 優(yōu)選地，所述電流泄放電路包括一個P型晶體管，所述P型晶體管的柵極作為所述 電流泄放電路的控制端連接所述有源驅(qū)動電路的輸出端，所述有源驅(qū)動電路包括零級或偶 數(shù)級反相器相互串聯(lián)。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路包括電容。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路包括N型晶體管或P型晶體管。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路的N型晶體管或P型晶體管的柵極連接所述有源驅(qū)動 電路的輸入端，所述交流分壓電路的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述靠近檢測電路 阻性裝置的一個引腳。 優(yōu)選地，所述交流分壓電路的N型晶體管或P型晶體管的柵極連接所述靠近檢測 電路阻性裝置的一個引腳，所述交流分壓電路的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述有 源驅(qū)動電路的輸入端。 優(yōu)選地，所述檢測電路的容性裝置包括電容，所述電容跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端和所述靠近檢測電路阻性裝置的一個引腳之間。 優(yōu)選地，所述檢測電路的容性裝置包括N型晶體管或P型晶體管。 優(yōu)選地，所述檢測電路容性裝置的晶體管的柵極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入
端，所述檢測電路容性裝置的所述晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述靠近檢測電路容
性裝置的一個引腳。 優(yōu)選地，所述檢測電路容性裝置的晶體管的柵極連接所述靠近檢測電路容性裝置 的一個引腳，所述檢測電路容性裝置的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述有源驅(qū)動電 路的輸入端。
優(yōu)選地，所述檢測電路的阻性裝置包括以下元件中的任一種
電阻； N型晶體管，所述檢測電路阻性裝置的N型晶體管的源極及襯底連接所述靠近檢 測電路阻性裝置的一個引腳，所述檢測電路阻性裝置的N型晶體管的柵極連接所述靜電破 壞防護(hù)裝置的第一引腳，所述檢測電路阻性裝置的N型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電 路的輸入端；以及 P型晶體管，所述檢測電路阻性裝置的P型晶體管的源極及襯底連接所述靠近檢 測電路阻性裝置的一個引腳，所述檢測電路阻性裝置的P型晶體管的柵極連接所述靜電破 壞防護(hù)裝置的第二引腳，所述檢測電路阻性裝置的P型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電 路的輸入端。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種在具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置 中用于對噪聲波動進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲波動對電流泄放電路干擾的控制方法，其中所述靜 電破壞防護(hù)裝置包括檢測電路、有源驅(qū)動電路、電流泄放電路及交流分壓電路，其中所述控 制方法包括如下步驟 步驟a.所述檢測電路檢測靜電電流或噪聲波動，并將檢測到的靜電電壓信息及 噪聲電壓信息向所述交流分壓電路傳輸； 步驟b.所述交流分壓電路在收到靜電電壓信息及噪聲電壓信息后，再將靜電電 壓信息及噪聲電壓信息向所述有源驅(qū)動電路傳輸； 步驟c.所述有源驅(qū)動電路將收到的靜電電壓信息及噪聲電壓信息與預(yù)先設(shè)定的 閾值電壓值進(jìn)行比較，判斷是否受到靜電破壞而需要開啟電流泄放電路，并將該判斷結(jié)果 信息傳輸給所述電流泄放電路；以及 步驟d.所述電流泄放電路在收到判斷結(jié)果信息后，根據(jù)該信息執(zhí)行電流泄放工 作； 其特征在于，在步驟b中，還包括在所述交流分壓電路收到所述檢測電路傳輸?shù)?靜電電壓信息及噪聲電壓信息后以及將靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述有源驅(qū)動電 路傳輸之前，根據(jù)所述交流分壓電路與檢測電路的容性裝置之間預(yù)先設(shè)定的電容比值對靜 電電流或噪聲波動進(jìn)行分壓的操作。 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，還提供一種集成電路，包括電源引腳、內(nèi)部電路，其特 征在于，所述集成電路還包括上述本發(fā)明提供的任意一種靜電破壞防護(hù)裝置。


通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、 目的和優(yōu)點將會變得更明顯 圖1示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置的原理圖；
圖2示出了靜電波動及噪聲波動產(chǎn)生電壓的示意圖； 圖3示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第一實施例 的電路原理圖； 圖4示出了上述圖3所示本發(fā)明第 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖；
圖5示出了上述圖3所示本發(fā)明第 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖；
圖6示出了上述圖3所示本發(fā)明第 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖；
圖7示出了上述圖3所示本發(fā)明第 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖；
圖8示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第二實施例 的電路原理圖；以及 圖9示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第三實施例 的電路原理圖。
具體實施例方式
圖i示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置的原理圖；圖 2示出了靜電波動及噪聲波動產(chǎn)生電壓的示意圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，圖1中所示檢測 電路1、有源驅(qū)動電路2、電流泄放電路3組成了現(xiàn)有技術(shù)中靜電破壞防護(hù)裝置基本電路，其 中，所述檢測電路1用于檢測靜電放電事件，當(dāng)檢測到靜電放電時，所述檢測電路1通過所 述有源驅(qū)動電路2控制所述電流泄放電路3泄放ESD電流。更為具體地，由于ESD電壓上升 時間短，在其發(fā)生的短時間內(nèi)所述電流泄放電路3即可導(dǎo)通而在電源VDD與地GND (或電源 VSS)之間形成暫時性的低阻狀態(tài)，從而ESD電流可以經(jīng)過ESD保護(hù)電路被旁路掉，因而集成 電路芯片內(nèi)部電路以及寄生的SCR和BJT元件都不會因ESD破壞。進(jìn)一步地，參考圖2，圖 2示出了靜電波動及噪聲波動產(chǎn)生的模擬電壓，所述噪聲波動與靜電波動相比，所述噪聲波 動的電壓最大幅值較小，變化率較低，時間跨度較長；針對所述噪聲波動的特性，本發(fā)明中 提供了一種具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置，該裝置不僅包括了上述現(xiàn)有技術(shù)中靜 電破壞防護(hù)裝置的基本電路，還包括了圖1所示的交流分壓電路4，其具體連接方式和工作 原理在下文中具體描述，在此不予贅述。 圖3示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第一實施例 的電路原理圖。參考圖3，所示具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置包括檢測電路1、有 源驅(qū)動電路2、電流泄放電路3、交流分壓電路4以及引腳。所述引腳，包括一個第一引腳7 和一個第二引腳8，具體地，所述第一引腳7連接電源VDD，所述第二引腳8連接地GND，本領(lǐng) 域技術(shù)人員理解，所述第二弓I腳8也可以連接電源VSS。所述檢測電路1用于檢測靜電電流
實施例的第一變化例，所述具有噪聲免疫功 實施例的第二變化例，所述具有噪聲免疫功 實施例的第三變化例，所述具有噪聲免疫功 實施例的第四變化例，所述具有噪聲免疫功或噪聲波動，包括一個容性裝置6和一個阻性裝置5，所述容性裝置6和阻性裝置5相互串 聯(lián)跨接在兩個引腳之間，具體地，在本實施例中，所述檢測電路的容性裝置6的一端連接所 述第一引腳7，所述容性裝置6包括一個電容，所述檢測電路的阻性裝置5的一端連接所述 第二引腳8，所述阻性裝置5包括一個電阻。所述有源驅(qū)動電路2用于驅(qū)動電流泄放電路3 導(dǎo)通或關(guān)閉，所述有源驅(qū)動電路的輸入端21連接到所述檢測電路的阻性裝置5與容性裝置 6之間，所述有源驅(qū)動電路的輸出端22連接所述電流泄放電路的控制端10，具體地，在本實 施例中，所述有源驅(qū)動電路2包括兩級反相器相互串聯(lián)連接。所述電流泄放電路3用于泄 放靜電電流，所述電流泄放電路3連接兩個引腳，具體地，在本實施例中，所述電流泄放電 路3包括一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端10連接 所述有源驅(qū)動電路的輸出端22， N型晶體管的源極連接所述第二引腳8， N型晶體管的漏極 連接所述第一引腳7。所述靜電破壞防護(hù)裝置還包括一個交流分壓電路4，所述交流分壓電 路4跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端21和所述靜電破壞防護(hù)裝置靠近檢測電路阻性裝 置5的一個引腳之間，具體地，在本實施例中，所述交流分壓電路4包括一個電容，所述交流 分壓電路4的電容跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端21和所述第二引腳8之間。
本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，圖3給出了一種在常用的RC有源驅(qū)動靜電破壞防護(hù)電路的 基礎(chǔ)上改進(jìn)后的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置。具體地，在本實施例中，整個電路 包括檢測電路1、有源驅(qū)動電路2、電流泄放電路3及交流分壓電路4。其中所述檢測電路1 包括一個檢測電路電容及一個檢測電路電阻，所述檢測電路電容及所述檢測電路電阻串聯(lián) 后，所述檢測電路電容的另一端連接第一引腳7，所述第一引腳7連接電源VDD，所述檢測電 路電阻的另一端連接第二引腳8，所述第二引腳8連接地GND(或電源VSS)。所述有源驅(qū)動 電路2由兩級反相器串聯(lián)后組成，所述有源驅(qū)動電路2的輸入端21連接到所述檢測電路電 容與檢測電路電阻之間，所述有源驅(qū)動電路2的輸出端22連接到所述電流泄放電路3的N 型晶體管的柵極。所述電流泄放電路3包括一個N型晶體管，所述N型晶體管的源極連接 所述第二引腳8，所述N型晶體管的漏極連接所述第一引腳7，所述N型晶體管跨接在第一 引腳7和第二引腳8之間以泄放電源VDD和地GND (或電源VSS)之間的靜電電流。
本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述靜電破壞防護(hù)裝置為了提供一定的靜電電流防護(hù)能 力，使得所述N型晶體管的尺寸比較大。當(dāng)?shù)谝灰_7上有相對于第二引腳8為正極性的 靜電電流發(fā)生時，所述檢測電路1檢測到該靜電電流事件并通過所述有源驅(qū)動電路2使所 述N型晶體管導(dǎo)通，從而將靜電電流泄放掉。這樣，當(dāng)靜電電流發(fā)生時，所述N型晶體管導(dǎo) 通，提供了一條第一引腳7到第二引腳8的低電阻通道，可使與所述靜電破壞防護(hù)裝置連 接的集成電路芯片內(nèi)部線路免受靜電電流的損傷。當(dāng)靜電電壓出現(xiàn)在第一引腳7上時，靜 電電壓瞬間地劇烈變化會通過檢測電路電容耦合到所述有源驅(qū)動電路輸入端21上，使得N 型晶體管柵極電壓升高，促使所述N型晶體管導(dǎo)通，出現(xiàn)在所述第一引腳7上的靜電電流通 過所述N型晶體管流向所述第二引腳8，再從所述第二引腳8流走。通過電容的耦合作用， 使所述N型晶體管的柵極的電壓達(dá)到所述N型晶體管開啟所需的電壓(即N型晶體管閾值 電壓)，開啟整個所述N型晶體管，避免了所述N型晶體管部分開啟的現(xiàn)象。當(dāng)所述集成電 路芯片正常工作時，所述N型晶體管的柵極電壓沒有達(dá)到所述N型晶體管開啟所需的電壓 (即N型晶體管閾值電壓)，所述N型晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。 具體地，在本實施例中，在所述靜電破壞防護(hù)裝置檢測電路電阻兩端并聯(lián)了一個交流分壓電路4，所述交流分壓電路4包括一個電容。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，由于交流分壓 電路4電容的交流分壓作用，使出現(xiàn)在第一引腳7的靜電電壓波動只有一部分能夠通過所 述有源驅(qū)動電路2到達(dá)所述N型晶體管的柵極，而另一部分通過交流分壓電路4電容流走。 對于幅值較高的靜電電壓波動，被所述交流分壓電路4電容削弱后的電壓波動信號仍然足 夠大到使所述N型晶體管開啟，而對幅值較低的噪聲波動信號，被削弱后不足以開啟所述N 型晶體管，這樣就達(dá)到了避免噪聲波動造成所述N型晶體管誤開啟的目的。
圖4示出了上述圖3所示本發(fā)明第一實施例的第一變化例，所述具有噪聲免疫功 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖。參考圖3和圖4，具體地，在本變化例中，與圖3所示 第一實施例不同的是，將所述有源驅(qū)動電路2設(shè)計為由零級反相器組成，本領(lǐng)域技術(shù)人員 理解，即所述電流泄放電路的控制端10直接連接所述檢測電路的阻性裝置5與容性裝置6 之間。此時所述檢測電路1將經(jīng)過所述檢測電路1后的靜電電流在所述檢測電路的阻性裝 置5與容性裝置6之間的電壓直接傳輸至所述電流泄放電路的控制端IO，控制所述電流泄 放電路3的開啟或關(guān)斷。 進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，當(dāng)本發(fā)明提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞 防護(hù)裝置按照本發(fā)明第一實施例提供的電路原理圖連接時，所述有源驅(qū)動電路2也可以由 大于等于四的偶數(shù)級的反相器組成；優(yōu)選地，所述有源驅(qū)動電路2由兩級反相器相互串聯(lián) 連接組成，次優(yōu)地，所述有源驅(qū)動電路2由零級或者四級反相器相互串聯(lián)連接組成，這并不 影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 圖5示出了上述圖3所示本發(fā)明第一實施例的第二變化例，所述具有噪聲免疫功 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖。參考圖3和圖5，具體地，在本變化例中，與圖3所示 第一實施例不同的是，將所述檢測電路的容性裝置6設(shè)計為由一個晶體管組成。優(yōu)選地，采 用一個P型晶體管，所述P型晶體管的柵極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端21，所述P型晶 體管的源極、漏極以及襯底連接所述第一引腳7 ;此時所述P型晶體管的柵極與P型晶體管 的源極、漏極及襯底之間相當(dāng)于一個電容。次優(yōu)地，所述P型晶體管也可以采用將柵極連接 所述第一引腳7，將源極、漏極以及襯底連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端21的方式進(jìn)行連 接。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述P型晶體管還可以采用其他方式進(jìn)行連接，只要連接后的P 型晶體管在所述檢測電路1中等效成一個電容即可。 進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在本變化例中提供的靜電破壞防護(hù)裝置的檢測 電路的容性裝置6也可以由一個N型晶體管組成，該N型晶體管的連接原理與上述第二變 化例中的P型晶體管的連接方式相同，即將所述N型晶體管連接等效成一個電容。這并不 影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明第一實施例的第一變化例中提供的靜電破壞防護(hù)裝 置的檢測電路的容性裝置6也可以參照本變化例中提供的技術(shù)方案進(jìn)行布置和連接，這并 不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 圖6示出了上述圖3所示本發(fā)明第一實施例的第三變化例，所述具有噪聲免疫功 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖。參考圖3和圖6，具體地，在本變化例中，與圖3所示 第一實施例不同的是，將所述檢測電路的阻性裝置5設(shè)計為由晶體管組成。優(yōu)選地，所述阻 性裝置5采用一個N型晶體管，所述檢測電路阻性裝置5的N型晶體管的柵極連接所述第 一引腳7，所述N型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端21 ，所述N型晶體管的源極及襯底連接所述靠近檢測電路阻性裝置5的一個引腳，具體地，在本變化例中，所述N型 晶體管的源極及襯底連接所述第二引腳8 ;本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述N型晶體管的柵極相 當(dāng)于直接連接VDD，所述N型晶體管處于開啟狀態(tài)，此時N型晶體管的源極及襯底與N型晶 體管的漏極之間相當(dāng)于一個小電阻。次優(yōu)地，所述檢測電路的阻性裝置5也可以采用一個 P型晶體管，具體地，將所述P型晶體管的柵極連接所述第二引腳8，所述P型晶體管的源極 及襯底連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端21，所述P型晶體管的漏極連接所述靠近檢測電路 阻性裝置5的一個引腳，具體地，在本變化例中，所述P型晶體管的漏極連接所述第二引腳 8。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述N型晶體管或P型晶體管還可以采用其他方式進(jìn)行連接，只 要連接后的N型晶體管或P型晶體管在所述檢測電路1中等效成一個電阻即可。
本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明第一實施例的第一變化例及第二變化例中提供的靜 電破壞防護(hù)裝置的檢測電路的阻性裝置5也可以參照本變化例中提供的技術(shù)方案進(jìn)行布 置和連接，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 圖7示出了上述圖3所示本發(fā)明第一實施例的第四變化例，所述具有噪聲免疫功 能的靜電破壞防護(hù)裝置的電路原理圖。參考圖3和圖7，在本變化例中，與圖3所示第一實 施例不同的是，所述電流泄放電路3由P型晶體管組成，所述有源驅(qū)動電路2包括一級反相 器。具體地，在本變化例中，所述P型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端io連 接所述有源驅(qū)動電路的輸出端22，P型晶體管的源極和襯底連接所述第一引腳7，漏極連接 所述第二引腳8，所述有源驅(qū)動電路2包括一級反相器。 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述P型晶體管作為電流泄放電路3時其工作原理與圖3 所示本發(fā)明第一實施例提供的靜電破壞防護(hù)裝置中N型晶體管的工作原理相同，由于所述 有源驅(qū)動電路2包括了一級反相器，故有源驅(qū)動電路輸入端21的電壓經(jīng)反相器反向后，輸 入到所述電流泄放電路的控制端10。通過電容的耦合作用及反相器反向作用，使所述P型 晶體管的柵極的電壓達(dá)到所述P型晶體管開啟所需的電壓(即P型晶體管閾值電壓)，開 啟整個所述P型晶體管，使得出現(xiàn)在所述第一引腳7上的靜電電流通過所述P型晶體管流 向所述第二引腳8，再從所述第二引腳8流走，同時也避免了所述P型晶體管部分開啟的現(xiàn) 象。當(dāng)所述集成電路芯片正常工作時，所述P型晶體管的柵極電壓沒有達(dá)到所述P型晶體 管開啟所需的電壓(即P型晶體管閾值電壓)，所述P型晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。
進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，當(dāng)本發(fā)明提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞 防護(hù)裝置按照本變化例提供的電路原理圖連接時，所述有源驅(qū)動電路2也可以由大于等于 一的奇數(shù)級的反相器組成；優(yōu)選地，所述有源驅(qū)動電路2由一級反相器相互串聯(lián)連接組成， 次優(yōu)地，所述有源驅(qū)動電路2由三級反相器相互串聯(lián)連接組成。 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明第一實施例的第二變化例及第三變化例中提供的靜 電破壞防護(hù)裝置的有源驅(qū)動電路2及電流泄放電路3也可以參照本變化例中提供的技術(shù)方 案進(jìn)行布置和連接，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 圖8示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第二實施例 的電路原理圖。參考圖8，所示具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置，其包括檢測電路1、 有源驅(qū)動電路2、電流泄放電路3、交流分壓電路4以及引腳。所述引腳包括一個第一引腳 7和一個第二引腳8。所述檢測電路1用于檢測靜電電流或噪聲波動，包括一個容性裝置6 和一個阻性裝置5，所述容性裝置6和阻性裝置5相互串聯(lián)跨接在兩個引腳之間，具體地，在本實施例中，所述檢測電路的容性裝置6的一端連接所述輸出引腳，所述容性裝置6包括 一個電容，所述檢測電路的阻性裝置5的一端連接所述輸入引腳，所述阻性裝置5包括一個 電阻。所述有源驅(qū)動電路2用于驅(qū)動電流泄放電路3導(dǎo)通或關(guān)閉，所述有源驅(qū)動電路的輸 入端21連接到所述檢測電路的阻性裝置5與容性裝置6之間，所述有源驅(qū)動電路的輸出端 22連接所述電流泄放電路的控制端10，具體地，在本實施例中，所述有源驅(qū)動電路2包括一 級反相器。所述電流泄放電路3用于泄放靜電電流，所述電流泄放電路3連接兩個引腳，具 體地，在本實施例中，所述電流泄放電路3包括一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作 為所述電流泄放電路的控制端10連接所述有源驅(qū)動電路的輸出端22，N型晶體管的源極和 襯底連接所述第二引腳8，N型晶體管的漏極連接所述第一引腳7。所述靜電破壞防護(hù)裝置 還包括一個交流分壓電路4，所述交流分壓電路4跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端21和 所述靜電破壞防護(hù)裝置靠近檢測電路阻性裝置5的一個引腳之間，具體地，在本實施例中， 所述交流分壓電路4包括一個電容，所述交流分壓電路4電容跨接在所述有源驅(qū)動電路的 輸入端21和所述第一引腳7之間。 具體地，參考圖3與圖8，在本實施例中，與圖3所示第一實施例不同的是，所述檢 測電路的容性裝置6的一端連接所述第二引腳8，所述檢測電路的阻性裝置5的一端連接所 述第一引腳7 ;所述有源驅(qū)動電路2包括一級反相器；所述交流分壓電路4電容跨接在所述 有源驅(qū)動電路的輸入端21和所述第一引腳7之間。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，當(dāng)所述靜電破壞 防護(hù)電路的檢測電路1以及有源驅(qū)動電路2與本發(fā)明第一實施例提供的靜電破壞防護(hù)電路 的電路連接不同時，本實施例中交流分壓電路4的連接方式也產(chǎn)生了相應(yīng)的變化。具體地， 所述交流分壓電路4電容跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端21和所述第一引腳7之間，所 述靜電破壞防護(hù)裝置仍然能夠通過交流分壓電路4與所述檢測電路的容性裝置6之間的交 流分壓作用，使得出現(xiàn)在第一引腳7的靜電電壓波動只有一部分能夠通過所述有源驅(qū)動電 路2到達(dá)所述N型晶體管柵極，而另一部分通過交流分壓電路4的電容流走。
進(jìn)一步地，在本實施例中，所述具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置也可以將 所述有源驅(qū)動電路2設(shè)計為由三級反相器相互串聯(lián)連接組成。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，當(dāng)本 發(fā)明提供的靜電破壞防護(hù)裝置按照本發(fā)明第二實施例提供的電路原理圖連接時，所述有源 驅(qū)動電路2也可以由大于等于五的奇數(shù)級的反相器相互串聯(lián)連接組成。優(yōu)選地，所述有源 驅(qū)動電路2由一級反相器組成，次優(yōu)地，所述有源驅(qū)動電路2由三級反相器相互串聯(lián)連接組 成，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 進(jìn)一步地，在本實施例中，所述具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置也可以將 所述檢測電路的容性裝置6設(shè)計為由一個晶體管組成。優(yōu)選地，所述容性裝置6采用一個 P型晶體管或一個N型晶體管組成，其連接方式可以參照本發(fā)明第一實施例的第二變化例 中提供的靜電破壞防護(hù)裝置電路原理圖進(jìn)行連接。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述P型晶體管 或N型晶體管還可以采用其他方式進(jìn)行連接，只要連接后的P型晶體管或N型晶體管在所 述檢測電路1中等效成一個電容即可。 進(jìn)一步地，在本實施例中，所述具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置也可以將 所述檢測電路的阻性裝置5設(shè)計為由一個晶體管組成。優(yōu)選地，所述阻性裝置5采用一個N 型晶體管或一個P型晶體管，其連接方式可以參照本發(fā)明第一實施例的第三變化例中提供 的靜電破壞防護(hù)裝置電路原理圖進(jìn)行連接。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述N型晶體管或P型晶體管還可以采用其他方式進(jìn)行連接，只要連接后的N型晶體管或P型晶體管在所述檢測 電路1中等效成一個電阻即可。 進(jìn)一步地，在本實施例中，所述具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置的電流泄
放電路3也可以由P型晶體管組成，同時所述有源驅(qū)動電路2由大于等于零的偶數(shù)級的反
相器組成。具體地，其連接方式可以參照本發(fā)明第一實施例的第四變化例中提供的靜電破
壞防護(hù)裝置的電路原理圖進(jìn)行連接，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 圖3至圖8示出了本發(fā)明所提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置第一實
施例及第二實施例及其變化例的電路原理圖，進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明所提
供的靜電破壞防護(hù)裝置的交流分壓電路4也可以參考圖9所示本發(fā)明第三實施例的電路原
理圖進(jìn)行連接。參考圖9，所述交流分壓電路4由一個晶體管組成，優(yōu)選地，包括一個N型晶
體管，次優(yōu)地，包括一個P型晶體管。具體地，所述交流分壓電路4的N型晶體管或P型晶
體管的柵極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端21，所述交流分壓電路4的N型晶體管或P型
晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述靠近檢測電路阻性裝置5的一個引腳，具體地，在本
實施例中，源極、漏極以及襯底連接所述第二引腳8。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本實施例中其他
電路的連接也可以參照本發(fā)明第一實施例和第二實施例所提供的靜電破壞防護(hù)裝置電路
原理圖進(jìn)行連接，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。 進(jìn)一步地，在本實施例中，所述交流分壓電路4的N型晶體管也可以采用將N型晶 體管的柵極、源極以及襯底連接所述第二引腳8，將N型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電 路的輸入端21的方式進(jìn)行連接，此時所述交流分壓電路4的N型晶體管的柵極、源極以及 襯底與N型晶體管的漏極可以等效為一個電容。同樣，所述交流分壓電路4的P型晶體管 也可以參照這種方式進(jìn)行連接。所述本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述N型晶體管或P型晶體管 還可以采用其他方式進(jìn)行連接，只要連接后的N型晶體管或P型晶體管在所述靜電破壞防 護(hù)裝置中等效成一個電容即可。 進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述交流分壓電路4還可以采取其他容性元件， 只要連接后的交流分壓電路4在所述靜電破壞防護(hù)裝置中能夠通過與所述檢測電路的容 性裝置6的交流分壓作用，使出現(xiàn)在第一引腳7的靜電電壓波動只有一部分能夠通過所述 有源驅(qū)動電路2到達(dá)所述N型晶體管柵極，而另一部分通過交流分壓電路4電容流走即可。
根據(jù)本發(fā)明圖3至圖9所示實施例及變化例，本發(fā)明提供了一種具有噪聲免疫功 能的靜電破壞防護(hù)裝置中用于對噪聲波動進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲波動對電流泄放電路3干擾 的控制方法。優(yōu)選地包括如下步驟 步驟a.在受到靜電破壞時通過所述檢測電路l檢測靜電電流或噪聲波動，并將檢 測到的靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述交流分壓電路4傳輸； 步驟b.所述交流分壓電路4在收到所述檢測電路1傳輸?shù)撵o電電壓信息及噪聲 電壓信息后，根據(jù)所述交流分壓電路4與檢測電路1的容性裝置之間預(yù)先設(shè)定的電容比值 對靜電電流或噪聲波動進(jìn)行分壓，并將分壓之后的靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述有 源驅(qū)動電路2傳輸； 步驟c.所述有源驅(qū)動電路2在收到所述交流分壓電路4傳輸?shù)撵o電電壓信息及 噪聲電壓信息后，將分壓之后的靜電電流或噪聲波動的電壓與預(yù)先設(shè)定的閾值電壓進(jìn)行比 較，再判斷是否受到靜電破壞而需要開啟電流泄放電路3，并將該判斷結(jié)果信息傳輸給所述電流泄放電路3 ; 步驟d.所述電流泄放電路3在收到所述有源驅(qū)動電路2傳輸?shù)呐袛嘟Y(jié)果信息后， 根據(jù)該信息決定是否進(jìn)行電流泄放操作，如果該信息指示所述有源驅(qū)動電路2進(jìn)行電流泄 放操作，則所述有源驅(qū)動電路2執(zhí)行電流泄放工作。 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明提供的具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置通過 連接交流分壓電路4，上述控制方法可以利用所述交流分壓電路4對噪聲電壓的分壓作用，可 以實現(xiàn)預(yù)先調(diào)節(jié)靜電破壞防護(hù)裝置在受到靜電波動影響時開啟所述電流泄放電路3的噪聲 閾值電壓，實現(xiàn)屏蔽噪聲對電流泄放電路3干擾的目的。具體地，上述控制方法使得本發(fā)明提 供的靜電破壞防護(hù)裝置在受到靜電破壞時能正常工作，從而泄放靜電破壞電流；而在受到噪 聲波動影響時，所述靜電破壞防護(hù)裝置不會誤動作，從而避免電流泄放電路誤開啟。
根據(jù)本發(fā)明圖3至圖9所示實施例及變化例，還提供一種集成電路，其包括電源引 腳、內(nèi)部電路以及靜電破壞防護(hù)裝置，具體地，該集成電路的靜電破壞防護(hù)裝置還包括用于 對噪聲波動進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲波動對電流泄放電路3干擾的交流分壓電路4。本領(lǐng)域技術(shù) 人員理解，優(yōu)選地，所述交流分壓電路4包括一個電容，例如圖3至圖8所示的靜電破壞防 護(hù)裝置。次優(yōu)地，所述交流分壓電路4也可以包括一個晶體管，例如一個N型晶體管或一個 P型晶體管，如圖9所示的靜電破壞防護(hù)裝置。具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以參考上述圖3 至圖9所示實施例及變化例提供的靜電破壞防護(hù)裝置進(jìn)行連接，在此不予贅述。
進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，本發(fā)明提供的集成電路可以是各種類型的電路， 并根據(jù)具體實施需要而變化。換句話說，所有需要靜電破壞防護(hù)功能的集成電路都可以采 用上述實施例提供的方案。具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實施例、變 化例實現(xiàn)這樣的集成電路，在此不予贅述。 以上對本發(fā)明的具體實施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述 特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影 響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求
一種具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置，其包括-引腳，包括一個第一引腳(7)和一個第二引腳(8)；-檢測電路(1)，包括一個容性裝置(6)和一個阻性裝置(5)，所述容性裝置(6)和阻性裝置(5)相互串聯(lián)跨接在兩個引腳之間，用于檢測靜電電流或噪聲波動；-有源驅(qū)動電路(2)，所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)連接所述檢測電路的阻性裝置(5)與容性裝置(6)之間，所述有源驅(qū)動電路的輸出端(22)連接到所述電流泄放電路的控制端(10)，用于控制電流泄放電路(3)導(dǎo)通或關(guān)閉；-電流泄放電路(3)，所述電流泄放電路(3)連接兩個引腳，用于泄放靜電電流；其特征在于，所述靜電破壞防護(hù)裝置還包括一個交流分壓電路(4)，所述交流分壓電路(4)跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)和所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一端的一個引腳之間，實現(xiàn)與所述檢測電路的阻性裝置(5)并聯(lián)，用于設(shè)定噪聲閾值，對噪聲電壓進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲對電流泄放電路(3)的干擾。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓電路(4)的一 端連接的引腳是所述第二引腳(8)，所述檢測電路的容性裝置(6)的一端連接所述第一引 腳(7)，所述檢測電路的阻性裝置(5)的一端連接所述第二引腳(8)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述電流泄放電路(3)包括 一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端(10)連接所述有 源驅(qū)動電路的輸出端(22)，所述有源驅(qū)動電路(2)包括零級或偶數(shù)級反相器相互串聯(lián)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述電流泄放電路(3)包括 一個P型晶體管，所述P型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端(10)連接所述有 源驅(qū)動電路的輸出端(22)，所述有源驅(qū)動電路(2)包括奇數(shù)級反相器相互串聯(lián)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓電路(4)的一 端連接的引腳是所述第一引腳(7)，所述檢測電路的容性裝置(6)的一端連接所述第二引 腳(8)，所述檢測電路的阻性裝置(5)的一端連接所述第一引腳(7)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述電流泄放電路(3)包括 一個N型晶體管，所述N型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端(10)連接所述有 源驅(qū)動電路的輸出端(22)，所述有源驅(qū)動電路(2)包括奇數(shù)級反相器相互串聯(lián)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述電流泄放電路(3)包括 一個P型晶體管，所述P型晶體管的柵極作為所述電流泄放電路的控制端(10)連接所述有 源驅(qū)動電路的輸出端(22)，所述有源驅(qū)動電路(2)包括零級或偶數(shù)級反相器相互串聯(lián)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓 電路(4)包括電容。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓 電路(4)包括N型晶體管或P型晶體管。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓電路(4)的 N型晶體管或P型晶體管的柵極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)，所述交流分壓電路 (4)的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一個引腳。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述交流分壓電路(4)的 N型晶體管或P型晶體管的柵極連接所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一個引腳，所述交流分壓電路(4)的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l至ll中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述檢測電路的容性裝置(6)包括電容，所述電容跨接在所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)和所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一個引腳之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l至ll中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述檢測電路的容性裝置(6)包括N型晶體管或P型晶體管。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述檢測電路容性裝置(6)的晶體管的柵極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)，所述檢測電路容性裝置(6)的所述晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述靠近檢測電路容性裝置(6)的一個引腳。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述檢測電路容性裝置(6)的晶體管的柵極連接所述靠近檢測電路容性裝置(6)的一個引腳，所述檢測電路容性裝置(6)的晶體管的源極、漏極以及襯底連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置，其特征在于，所述檢測電路的阻性裝置(5)包括以下元件中的任一種-電阻；-N型晶體管，所述檢測電路阻性裝置(5)的N型晶體管的源極及襯底連接所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一個引腳，所述檢測電路阻性裝置(5)的N型晶體管的柵極連接所述靜電破壞防護(hù)裝置的第一引腳(7)，所述檢測電路阻性裝置(5)的N型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21);以及-P型晶體管，所述檢測電路阻性裝置(5)的P型晶體管的源極及襯底連接所述靠近檢測電路阻性裝置(5)的一個引腳，所述檢測電路阻性裝置(5)的P型晶體管的柵極連接所述靜電破壞防護(hù)裝置的第二引腳(8)，所述檢測電路阻性裝置(5)的P型晶體管的漏極連接所述有源驅(qū)動電路的輸入端(21)。
17. —種在具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置中用于對噪聲波動進(jìn)行分壓，屏蔽噪聲波動對電流泄放電路(3)干擾的控制方法，其中所述靜電破壞防護(hù)裝置包括檢測電路(1)、有源驅(qū)動電路(2)、電流泄放電路(3)及交流分壓電路(4)，其中所述控制方法包括如下步驟步驟a.所述檢測電路(1)檢測靜電電流或噪聲波動，并將檢測到的靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述交流分壓電路(4)傳輸；步驟b.所述交流分壓電路(4)在收到靜電電壓信息及噪聲電壓信息后，再將靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述有源驅(qū)動電路(2)傳輸；步驟c.所述有源驅(qū)動電路(2)將收到的靜電電壓信息及噪聲電壓信息與預(yù)先設(shè)定的閾值電壓值進(jìn)行比較，判斷是否受到靜電破壞而需要開啟電流泄放電路(3)，并將該判斷結(jié)果信息傳輸給所述電流泄放電路(3);以及步驟d.所述電流泄放電路(3)在收到判斷結(jié)果信息后，根據(jù)該信息執(zhí)行電流泄放工作；其特征在于，在步驟b中，還包括在所述交流分壓電路(4)收到所述檢測電路(1)傳輸?shù)撵o電電壓信息及噪聲電壓信息后以及將靜電電壓信息及噪聲電壓信息向所述有源驅(qū)動電路(2)傳輸之前，根據(jù)所述交流分壓電路(4)與檢測電路(1)的容性裝置之間預(yù)先設(shè)定的電容比值對靜電電流或噪聲波動進(jìn)行分壓的操作。
18. —種集成電路，包括電源引腳、內(nèi)部電路，其特征在于，還包括根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的靜電破壞防護(hù)裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有噪聲免疫功能的靜電破壞防護(hù)裝置，其包括檢測電路、有源驅(qū)動電路、電流泄放電路及交流分壓電路。所述檢測電路包括一個容性裝置、一個阻性裝置。所述有源驅(qū)動電路包括一級或多級反相器，特殊應(yīng)用下可以不包含該部分電路的反相器。所述電流泄放電路包括一個N型晶體管或一個P型晶體管。所述靜電破壞防護(hù)裝置還包括一個交流分壓電路，所述交流分壓電路并聯(lián)在所述檢測電路的阻性裝置兩端。本發(fā)明通過利用交流分壓電路在交流環(huán)境下的分壓作用，預(yù)先調(diào)節(jié)靜電破壞防護(hù)裝置在受到靜電波動影響時所述有源驅(qū)動電路的輸入端電壓，使得電流泄放電路不會誤開啟，靜電破壞防護(hù)裝置具有了噪聲免疫功能。
文檔編號H02H9/04GK101707368SQ20091005138
公開日2010年5月12日 申請日期2009年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者劉連杰, 羅言剛 申請人:彩優(yōu)微電子(昆山)有限公司