專利名稱：Dc/dc轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及DC/DC轉(zhuǎn)換器并特別地涉及斷路器型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
本申請要求日本專利申請No. 2007-271844的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過 引用合并于此。
背景技術(shù)：
在具有諧振電路的DC/DC轉(zhuǎn)換器中，由于連接到諧振電路的開關(guān) 元件從開狀態(tài)到關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換而出現(xiàn)振鈴。為了抑制振鈴，為DC/DC 轉(zhuǎn)換器(參見專利文獻(xiàn)1)配備了由諧振電路中的電阻器和和電容器組 成的緩沖電路。
專利文獻(xiàn)1:日本未審查專利申請公開No.H07-111779。
專利文獻(xiàn)1講授了使用變壓器的由開關(guān)控制功率電路組成的 DC/DC轉(zhuǎn)換器。上述結(jié)構(gòu)被應(yīng)用于不使用變壓器的斷路器型DC/DC轉(zhuǎn) 換器。
圖5示出了不使用變壓器的斷路器下降型DC/DC轉(zhuǎn)換器的整個結(jié) 構(gòu)。P溝道MOS (或PMOS)晶體管Q10的源極被連接到被提供有正 電源電壓PVDD的端子101 ，并且該PMOS晶體管Q10的漏極被連接到 n溝道MOS (或NMOS)晶體管Q11的漏極。
NMOS晶體管Qll的源極被接地。PMOS晶體管Q10的漏極和 NMOS晶體管Qll的漏極均連接到端子SW0UT。電感器I^被連接在端 子SWout與端子OUT之間。電容器(capacitor或condenser) d被連接到端子OUT并被接地。負(fù)載電阻器R!j皮連接到端子OUT并被接地。
作為由電容器Ro和電容器Co組成的串聯(lián)電路的緩沖電路100被 連接到端子SWott并被接地。
PMOS晶體管QIO、 NMOS晶體管Qll、以及端子SW0UT (以及 未示出的控制電路)共同地在DC/DC轉(zhuǎn)換器的IC芯片中形成，同時 連接到端子SWouT的其它電路(包括緩沖電路100及由電感器L,和電 容器Q組成的LC低通濾波器)被布置在IC芯片外部。
在以上結(jié)構(gòu)中，控制電路(未示出)輸出柵極信號PG和NG以便 對PMOS晶體管Q10和NMOS晶體管Qll執(zhí)行開關(guān)控制，從而控制 從端子OUT輸出的DC電壓以具有理想的電壓值。當(dāng)PMOS晶體管 Q10和NMOS晶體管Qll兩者同時被截止時，LC低通濾波器在不考 慮緩沖電路100的情況下充當(dāng)圖6中所示的等效電路，其中，寄生電 容Cs被連接到電感器Li和電容器q。這種結(jié)構(gòu)保持諧振狀態(tài)以致引
起其中端子SWouT處的電壓可能超過電源電壓的振鈴。
緩沖電路IOO被用來吸收并抑制振鈴，其中，通過減小電阻器Ro 的電阻來抑制振鈴。但是，由于連接到DC/DC轉(zhuǎn)換器的緩沖電路100 而增加功率損失。
當(dāng)電阻器Ro的電阻增大時，時間常數(shù)相應(yīng)地增大，其中，非常難 以在短時間內(nèi)抑制振鈴。
由于緩沖電路100是DC/DC轉(zhuǎn)換器的IC芯片的外部組件，所以 其擴(kuò)大了電路規(guī)模，以致提高了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種DC/DC轉(zhuǎn)換器，其能夠在不使用相對較大的電路規(guī)模的情況下耗散由于短時間內(nèi)的開關(guān)而積聚在諧振電路的 電感器中的能量。
在本發(fā)明的一個實施例中，DC/DC轉(zhuǎn)換器由開關(guān)元件(例如MOS 晶體管)、LC低通濾波器、串聯(lián)電路以及控制電路組成，所述LC低 通濾波器由電容器和連接到開關(guān)元件的電感器組成，所述串聯(lián)電路由 串聯(lián)并與包括在LC低通濾波器中的電感器并聯(lián)的電阻器和開關(guān)組成， 所述控制電路用于控制開關(guān)元件的開/關(guān)時序使得LC低通濾波器的輸 出電壓被設(shè)置為預(yù)定電壓值，其中，控制電路閉合串聯(lián)電路的開關(guān)以 便電阻器在LC低通濾波器的諧振模式下與電感器并聯(lián)。
在開關(guān)元件中從開狀態(tài)到關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換中，LC低通濾波器起到諧 振電路的作用，其中，控制電路閉合包括在串聯(lián)電路中的開關(guān)以便電 阻器與電感器并聯(lián)，以便積聚在電感器中的能量被電阻器消耗，從而 避免振鈴的發(fā)生。通過減小電阻器的電阻，可以在短時間內(nèi)抑制振鈴。 由于包括在串聯(lián)電路(充當(dāng)緩沖電路)中的電阻器僅在諧振模式下與 電感器并聯(lián)，所以與前述電路相比，即使在電阻被減小時，也可以降 低DC/DC轉(zhuǎn)換器中的功率損失，從而改善功率轉(zhuǎn)換效率。
由于緩沖電路在DC/DC轉(zhuǎn)換器的IC芯片內(nèi)形成，所以與前述電 路相比，可以縮小電路規(guī)模，從而降低制造成本。
開關(guān)元件由被提供有第一DC電壓(即DC電源電壓PVDD)的第 一開關(guān)元件和被提供有低于第一DC電壓的第二DC電壓(即接地電位) 的第二開關(guān)元件組成，其中，LC低通濾波器被連接到串聯(lián)地連接的第 一開關(guān)元件與第二開關(guān)元件之間的連接點。當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)元件和第二開 關(guān)元件兩者被同時截止時，控制電路閉合串聯(lián)電路的開關(guān)。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙_關(guān)元件兩者被同時截止時，LC低通濾波器起到諧 振電路的作用，其中，控制電路導(dǎo)通與LC低通濾波器的電感器并聯(lián)的串聯(lián)電路(包括電阻器)的開關(guān)。由于積聚在LC低通濾波器的電感器
中的能量被串聯(lián)電路的電阻消耗，所以可以避免振鈴的發(fā)生，其中， 可以通過減小電阻來在短時間內(nèi)抑制振鈴。
在本發(fā)明的另一實施例中，DC/DC轉(zhuǎn)換器由被提供有第一DC電 壓(例如DC電源電壓PVDD)的電感器、被提供有低于第一DC電壓 的第二DC電壓(例如接地電位)的開關(guān)元件(例如MOS晶體管)、 其陽極被連接到串聯(lián)連接的電感器與開關(guān)元件之間的連接點的二極 管、連接到與第二DC電壓相連的二極管的陰極的電容器、由串聯(lián)連接 并與電感器并聯(lián)連接的電阻器和開關(guān)組成的串聯(lián)電路、以及用于控制
開關(guān)元件的開/關(guān)時序使得電容器的輸出電壓被設(shè)置為預(yù)定電壓值的控 制電路組成，其中，控制電路閉合串聯(lián)電路的開關(guān)以便電阻器在諧振 模式下與電感器并聯(lián)。
控制電路閉合開關(guān)以便電阻器在諧振模式下與電感器并聯(lián)，其中， 積聚在電感器中的能量被電阻器消耗，從而避免了振鈴的發(fā)生。可以 通過減小電阻來在短時間內(nèi)抑制振鈴。
在這種連接中，每個以上的DC/DC轉(zhuǎn)換器進(jìn)一步包括誤差放大 器，其用于檢測輸出電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差電壓?？刂齐娐讽憫?yīng) 于誤差電壓來控制開關(guān)元件和開關(guān)，使得輸出電壓近似被設(shè)置為基準(zhǔn) 電壓。


本發(fā)明的這些和其他目的，方面和實施例將通過參考以下附圖進(jìn) 行詳細(xì)描述。
圖1是示出了依照本發(fā)明第一實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器的構(gòu)造的電 路圖。
圖2A示出了表示圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出電壓VouT的波形。圖2B示出了表示圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器的端子SWcHjT處的電 平的波形。
圖2C示出了表示施加于圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的晶體管Q1 的柵極信號PG的波形。
圖2D示出了表示施加于圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的晶體管Q2 的柵極信號NG的波形。
圖2E示出了表示用于控制圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān) SW,的控制信號SW的波形。
圖2F示出了流過圖1中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的電感器L,的電流 Il的波形。
圖3是示出了依照本發(fā)明第二實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器的構(gòu)造的電 路圖。
圖4A示出了流過圖3中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的電感器lk)的電 流Il的波形。
圖4B示出了表示施加于圖3中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的晶體管Q3 的柵極信號NG的波形。
圖4C示出了與圖3中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器中的輸出電壓VouT相連
的端子SWouT處的電平的波形。
圖5是示出了斷路器下降型DC/DC轉(zhuǎn)換器的典型示例的電路圖。 圖6是示出了用于說明包括在圖5中所示DC/DC轉(zhuǎn)換器的諧振電 路的諧振狀態(tài)的等效電路的電路圖。
具體實施例方式
將參照附圖以舉例方式更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
1.第一實施例
圖1示出了依照本發(fā)明第一實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1的構(gòu)造。端 子101被提供有正DC電源電壓PVDD，并連接到p溝道MOS(或PMOS) 晶體管Q1的源極，其漏極被連接到n溝道MOS (或NMOS)晶體管 Q2的漏極。NMOS晶體管Q2的源極被接地。PMOS晶體管Ql的漏極和NMOS 晶體管Q2的漏極均連接到端子SW0UT。電感器L,被連接在端子SW0UT 與端子OUT之間。電容器Q被連接到端子OUT并被接地。負(fù)載電阻 器RiJ皮連接到端子OUT并被接地。電感器"和電容器d形成LC低 通濾波器。
作為由電阻器R,和開關(guān)SW^且成的串聯(lián)電路的緩沖電路被連接到 電感器h的兩端，即在端子SWout與OUT之間。
第一實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1進(jìn)一步包括誤差放大器10和控制 電路20。誤差放大器10的第一輸入端子連接到端子OUT,其第二輸
入端子連接到用于生成基準(zhǔn)電壓(或目標(biāo)電壓)vref的基準(zhǔn)電壓源極
110?？刂齐娐?0接收誤差放大器10的輸出信號以便生成柵極信號PG 和NG，通過該柵極信號PG和NG來對PMOS晶體管Ql和NMOS晶 體管Q2執(zhí)行開關(guān)控制，使得預(yù)定輸出電壓(基本與基準(zhǔn)電壓Vmf相 應(yīng))在端子OUT處出現(xiàn)。
當(dāng)在端子SWouT處發(fā)生諧振時，換言之當(dāng)振鈴發(fā)生的時，控制電 路20生成用于閉合開關(guān)SWi的控制信號SW。
PMOS晶體管Qn NMOS晶體管Q2、端子SW0UT、電阻器Rj、 開關(guān)SW,、端子OUT、誤差放大器10、基準(zhǔn)電壓源110、以及控制電 路20全部在DC/DC轉(zhuǎn)換器1的IC芯片中形成，而電感器"、電容器 q、以及負(fù)載電阻器Rl是在外部逢接到IC芯片的外部組件。
第一實施例設(shè)計為使得緩沖電路(即由電阻器和開關(guān)SWi組成 的串聯(lián)電路)在IC芯片中形成。
接下來，將參照圖2A至2F中所示的波形來描述第一實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1的操作。具體地說，控制電路20通過柵極信號PG和 NG對PMOS晶體管Ql和NMOS晶體管Q2執(zhí)行開關(guān)控制，使得端子 OUT處的輸出電壓VouT與基準(zhǔn)電壓Vref基本匹配。
在從控制電路20輸出的柵極信號PG和NG兩者均被設(shè)置為低電 平的tl時刻(參見圖2C和2D) ， PMOS晶體管Ql被導(dǎo)通，而NMOS 晶體管Q2被截止，以便允許電流k經(jīng)由PMOS晶體管Ql從被提供有 正DC電源電壓PVDD的端子101流過電感器L,。電流lL的值(參見圖 2F)隨著時間的消逝而增大，使得能量被積聚在電感器L,中。在此期 間，DC/DC轉(zhuǎn)換器1的輸出電壓VouT連續(xù)下降，因為積聚在電容器 Cj中的電荷經(jīng)由負(fù)載電阻器RL而被釋放。
在電流lL達(dá)到預(yù)定值的t2時刻，從控制電路20輸出的柵極信號 PG和NG均被設(shè)置為高電平，從而使PMOS晶體管Ql被截止，而NMOS 晶體管Q2被導(dǎo)通。這時，電流IL在下降的同時連續(xù)不斷地經(jīng)由NMOS 晶體管Q2 (從地面)流過電感器L!，從而使電容器d充電。這樣， 在DC/DC轉(zhuǎn)換器1中的輸出端子OUT的輸出電壓VouT開始增加(參 見圖2A)。
由于在PMOS晶體管Ql的開周期Tp內(nèi)流過電感器Li的電流IL 的變化與在NMOS晶體管Q2的開周期TN內(nèi)流過電感器L！的電流IL 的變化相同，所以輸出電壓V0UT (參見圖2A)可以用等式(1)來表 示
^W-尸；v^r …(D
乂w十J尸
在圖2B中，Tx表示其中PMOS晶體管Ql和NMOS晶體管Q2 均截止的關(guān)周期。誤差放大器10將輸出電壓VouT(從DC/DC轉(zhuǎn)換器1的端子OUT 輸出)與基準(zhǔn)電壓(或目標(biāo)電壓)VMF進(jìn)行比較以便輸出誤差電壓。 控制電路20以從誤差放大器10輸出的誤差電壓下降至零的方式來適 當(dāng)?shù)乜刂芇MOS晶體管Ql和NMOS晶體管Q2被導(dǎo)通或截止，由此， 控制電路20控制輸出電壓VouT與理想的電壓值基本匹配。
在流過電感器的電流i!/變成零的t3時刻，NMOS晶體管Q2被 截止，從而PMOS晶體管Ql和NMOS晶體管Q2被同時截止。在這 一時刻，端子SWouT處發(fā)生振鈴，而開關(guān)SW1響應(yīng)于從控制電路20 輸出的控制信號SW而被導(dǎo)通(參見圖2E)，由此，積聚在電感器L, 中的能量被電阻器R,消耗，從而抑制了振鈴(參見圖2B)。
在第一實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1中，積聚在包括在LC低通濾波 器中的電感器Li中的能量被包括在串聯(lián)電路中的電阻器R!消耗，從而 避免了振鈴的發(fā)生。
通過減小電阻器R,的電阻，可以在短時間內(nèi)抑制振鈴。
在上文中，包括在充當(dāng)緩沖電路的串聯(lián)電路中的電阻器R,僅在諧 振模式下經(jīng)由開關(guān)SWi而并聯(lián)連接到電感器L"因此，與前述電路相 比，即使減小了第一實施例中的電阻，也可以降低功率損失；因此， 可以改善功率轉(zhuǎn)換效率。
另外，充當(dāng)緩沖電路的串聯(lián)電路形成在DC/DC轉(zhuǎn)換器1的IC芯 片中，因此與前述電路相比，其減小了電路規(guī)模，從而降低了制造成 本。
2.第二實施例
圖3示出了依照本發(fā)明第二實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1A的構(gòu)造， 其中，與圖1中所示的那些相同的部件用相同的附圖標(biāo)記來指示。電感器L,o被連接到端子101 (被提供有正DC電源電壓PVDD) 與NMOS晶體管Q3的漏極之間。NMOS晶體管Q3的源極被接地。端 子SWouT位于電感器Lw與NMOS晶體管Q3的漏極之間的連接點處 并連接到其陰極被連接到端子OUT的二極管Dl的陽極。
電容器Qo (充當(dāng)平滑電容器)被連接到端子OUT并被接地。負(fù) 載電阻器Rl被連接到端子OUT并被接地。
也就是說，與由電阻器和開關(guān)SW,組成的串聯(lián)電路相應(yīng)的緩沖 電路被連接在電感器L1Q的兩端之間。
第二實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器IA進(jìn)一步包括誤差放大器10A和控 制電路20A。誤差放大器10A的第一輸入端子被連接到端子OUT，其 第二輸入端子被連接到具有基準(zhǔn)電壓(或目標(biāo)電壓VREF)的基準(zhǔn)電壓 源110?；谡`差放大器10A的輸出信號，控制電路20A輸出柵極信 號NG，其用于對NMOS晶體管Q3執(zhí)行開關(guān)控制，使得從端子OUT 輸出的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓Vref基本匹配。在引起振鈴的時刻，艮口， 在電感器Lw與NMOS晶體管Q3的漏極之間的連接點處(即端子 SW0UT)處的諧振模式下，控制電路20A輸出控制信號SW以便閉合 開關(guān)SWj。
在第二實施例中，與由電阻器和開關(guān)SW,組成的串聯(lián)電路相應(yīng) 的緩沖電路在DC/DC轉(zhuǎn)換器1A的IC芯片內(nèi)形成。在圖3的電路中， 電感器Lw、電容器Qo、以及負(fù)載電阻器Rt被布置在IC芯片外部。
接下來，將參照圖4A、 4B和4C來描述第二實施例的DC/DC轉(zhuǎn) 換器IA的操作。這里，響應(yīng)于從控制電路20A輸出的柵極信號NG來 對NMOS晶體管Q3執(zhí)行開關(guān)控制，使得輸出電壓V0UT (從DC/DC轉(zhuǎn) 換器1A的端子0UT輸出)與具有預(yù)定電壓值的基準(zhǔn)電壓Vmf基本匹配。
在控制電路20A將柵極信號NG從低電平變成高電平的UO時刻 (參加圖4B) , NM0S晶體管Q3被導(dǎo)通，以便二極管Dl被置于反偏 置狀態(tài)，即不導(dǎo)通狀態(tài)。這允許電流^經(jīng)由NMOS晶體管Q3從正DC
電源電壓PVDD通過電感器L^流向地面。電流lL的值隨著時間的消逝
而增大，使得能量被積聚在電感器I^中(參見圖4A)。
在上述狀態(tài)下，輸出電壓V0UT (從DC/DC轉(zhuǎn)換器1的端子OUT 輸出)連續(xù)下降，因為積聚在電容器Cu)中的電荷經(jīng)由負(fù)載電阻器RL 而被釋放。
在控制電路20A將柵極信號NG從高電平變成低電平的U1時刻， NMOS晶體管Q3被截止(參見圖4B)，以便二極管Dl被置于前向偏 置狀態(tài)，即導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，流過電感器L^的電流lL被強(qiáng)制為在減小的同時經(jīng)由二極 管Dl連續(xù)不斷地流向端子OUT，從而使電容Cu)充電。這升高了DC/DC 轉(zhuǎn)換器1A的輸出端子OUT處的輸出電壓V0UT。
在圖4B中，toN表示NMOS晶體管Q3的開周期，toFF表示其中 還建立了不等式VSW0UT>(V0UT+VDF)(其中，Vdf表示二扱管D1的前 向電壓，Vswout表示端子SWouT的電壓)的NMOS晶體管Q3的關(guān)周 期。由于在開周期t0N內(nèi)流過電感器L1Q的電流IL的變化與在關(guān)周期t0FF
內(nèi)流過電感器Lu)的電流Il的変化相同，所以輸出電壓VouT (參見圖
4C)可以用等式(2)來表示
<formula>formula see original document page 13</formula>通過輸出電壓V0UT (從DC/DC轉(zhuǎn)換器1A的端子0UT輸出)與 基準(zhǔn)電壓(即目標(biāo)電壓)Vref之同的比絞，控制電路20A基于從誤差 放大器IO輸出的誤差電壓適當(dāng)?shù)貙?dǎo)通或截止NMOS晶體管Q3，使得 誤差電壓下降至零，從而將輸出電壓VouT控制在理想的電壓值。
在電感器L,q與NMOS晶體管Q3的漏極之間的連接點處的諧振 模式下，在端子SWouT處發(fā)生振鈴，其中，控制電路20A輸出控制信 號SW以便閉合開關(guān)SW,，使得積聚在電感器Lw中的能量被電阻器 R廣消耗，從而抑制了振鈴。
在第二實施例的DC/DC轉(zhuǎn)換器1A中，積聚在電感器I^中的能 量被電阻器Rl (其連接到與電感器Ln)并聯(lián)連接的串聯(lián)電路中的開關(guān) SW。消耗；因此，可以避免振鈴的發(fā)生。
通過減小包括在串聯(lián)電路中的電阻器R i的電阻，可以在短時間內(nèi) 抑制振鈴。由于包括在串聯(lián)電路(充當(dāng)為緩沖電路)中的電阻器R!在 諧振模式下與電感器Lu)并聯(lián)連接，所以與前述電路相比，即使在電阻 被減小時，也可以降低第二實施例中的功率損失，從而改善功率轉(zhuǎn)換 效率。
由于緩沖電路在DC/DC轉(zhuǎn)換器1A的IC芯片內(nèi)形成，所以與前述 電路相比，可以縮小電路規(guī)模，從而降低制造成本。
最后，本發(fā)明不一定局限于第一和第二實施例，在隨附權(quán)利要求 書限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以以各種方式對其進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1. 一種DC/DC轉(zhuǎn)換器，包括開關(guān)元件；LC低通濾波器，由電容器和連接到所述開關(guān)元件的電感器組成；串聯(lián)電路，由電阻器和開關(guān)組成，所述電阻器和開關(guān)串聯(lián)連接并與所述LC低通濾波器中包括的電感器并聯(lián)；以及控制電路，用于控制所述開關(guān)元件的開/關(guān)時序，使得所述LC低通濾波器的輸出電壓被設(shè)置為預(yù)定的電壓值，其中，所述控制電路閉合所述串聯(lián)電路的所述開關(guān)，使得所述電阻器在所述LC低通濾波器的諧振模式下與所述電感器并聯(lián)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其中，所述開關(guān)元件 由提供有第一DC電壓的第一開關(guān)元件和提供有第二DC電壓的第二開 關(guān)元件組成，所述第二DC電壓低于所述第一DC電壓，其中，所述LC低通濾波器連接到串聯(lián)連接的所述第一開關(guān)元件 與所述第二開關(guān)元件之間的連接點，以及其中，當(dāng)所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件兩者同時斷開時， 所述控制電路閉合所述串聯(lián)電路的所述開關(guān)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其中，所述開關(guān)元件 使用至少一個MOS晶體管來組成，所述MOS晶體管的開/關(guān)時序由所 述控制電路控制。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，進(jìn)一步包括誤差放大 器，用于檢測輸出電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差電壓，其中，所述控制 電路響應(yīng)于所述誤差電壓來控制所述開關(guān)元件和所述開關(guān)，使得所述 輸出電壓被近似地設(shè)置為所述基準(zhǔn)電壓。
5. —種DC/DC轉(zhuǎn)換器，包括電感器，提供有第一DC電壓；開關(guān)元件，提供有低于所述第一DC電壓的第二DC電壓； 二極管，所述二極管的陽極連接到串聯(lián)連接的所述電感器與所述開關(guān)元件之間的連接點；電容器，連接到與所述第二DC電壓相連的所述二極管的陰極； 串聯(lián)電路，由電阻器和開關(guān)組成，所述電阻器和開關(guān)串聯(lián)連接并與所述電感器并聯(lián)；以及控制電路，用于控制所述開關(guān)元件的開/關(guān)時序，使得源于所述電 容器的輸出電壓被設(shè)置為預(yù)定電壓值，其中，所述控制電路閉合所述串聯(lián)電路的所述開關(guān)，使得所述電 阻器在所述電感器和所述電容器的諧振模式下與所述電感器并聯(lián)連 接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其中，所述開關(guān)元件 由MOS晶體管組成，所述MOS晶體管的開/關(guān)時序由所述控制電路控 制。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器，進(jìn)一步包括誤差放大 器，用于檢測輸出電壓與基準(zhǔn)電壓之間的誤差電壓，其中，所述控制 電路響應(yīng)于所述誤差電壓來控制所述開關(guān)元件和所述開關(guān)，使得所述 輸出電壓被近似地設(shè)置為所述基準(zhǔn)電壓。
全文摘要
一種DC/DC轉(zhuǎn)換器由開關(guān)元件(例如MOS晶體管)、由電感器和電容器組成的LC低通濾波器、以及用于控制開關(guān)元件的開/關(guān)時序以便輸出電壓被設(shè)置為預(yù)定電壓值的控制電路組成。由電阻器和開關(guān)組成的串聯(lián)電路(充當(dāng)為緩沖電路)被進(jìn)一步與電感器并聯(lián)連接?？刂齐娐烽]合開關(guān)，以便電阻器在LC低通濾波器的諧振模式下與電感器并聯(lián)連接。因此，可以在不使用相對較大電路規(guī)模的情況下在短時間內(nèi)消耗積聚在電感器中的能量，從而避免振鈴的發(fā)生。
文檔編號H02M3/24GK101414790SQ20081017032
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月18日
發(fā)明者前島利夫, 宮崎雅人 申請人:雅馬哈株式會社