專利名稱：一種升壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種升壓電路，尤其涉及一種保護續(xù)流二極管免受開關(guān)信號 瞬時過沖電壓影響的升壓電路。
背景技術(shù)：
在許多消費類電子產(chǎn)品設(shè)計中，電源設(shè)計往往是設(shè)計的難點，高效、穩(wěn) 定、可靠的電源方案設(shè)計一直是技術(shù)人員和科研人員的追求目標(biāo)。隨著消費 類電子產(chǎn)品竟?fàn)幍娜找婕ち?，成本低性能好的電源設(shè)計方案日益受到生產(chǎn)廠 家的青睞。升壓電路作為消費類電子產(chǎn)品的電源，目前主要有兩種解決方案，第一 種是采用專用的升壓電路芯片，第二種是根據(jù)具體應(yīng)用利用阻容及晶體管搭 建專用升壓電路。專用芯片提供的升壓電路性能好，但大部分專用芯片成本 較高，在一定程度上限制了應(yīng)用。由于專用的升壓電路芯片在實際使用中應(yīng) 用較少，第二種方案根據(jù)具體應(yīng)用搭建專用升壓電路在業(yè)內(nèi)越來越廣泛。目 前利用阻容及晶體管搭建專用升壓電路已經(jīng)有多種實現(xiàn)方式，但萬變不離其 宗，主要電路基本構(gòu)架如圖1所示。圖中電路主要包括儲能電感L，開關(guān)S，續(xù)流二極管D,濾波電容C以 及負(fù)載電阻R等關(guān)鍵部件，其中輸入的直流電源電壓Vi的正極串聯(lián)儲能電 感L和續(xù)流二極管D后，再并聯(lián)濾波電容C和負(fù)載電阻R，其中續(xù)流二極 管D的正極接儲能電感L，負(fù)極接濾波電容C和負(fù)載電阻R。升壓電路的輸 出電壓Vo，在負(fù)載電阻R的兩端引出，負(fù)載電阻R連接續(xù)流二極管D負(fù)極 的一端為輸出電壓Vo的正極，另一端為輸出電壓Vo的負(fù)極。PWM( Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)脈沖信號控制開關(guān)S的閉合和斷開，儲 能電感L完成儲能和能量釋放，濾波電容C完成濾波和儲能作用。PWM脈沖信號控制開關(guān)S閉合時，儲能電感L、開關(guān)S和電源Vi形成閉合回路，儲能電感L儲能，續(xù)流二極管D反向關(guān)斷，負(fù)載電阻R由濾波 電容C釋能供電。PWM脈沖信號控制開關(guān)S斷開時，續(xù)流二極管D導(dǎo)通， 儲能電感L釋放能量，同時給濾波電容C充電儲能。如此反復(fù)，形成升壓 電路的整個工作過程。以圖1所示基本結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的升壓電路，整個電路器件之間的引線的寄 生電感，會對續(xù)流二極管D的工作性能產(chǎn)生影響。開關(guān)S輸出開關(guān)信號控 制續(xù)流二極管D時，有可能會產(chǎn)生瞬時過沖電壓。雖然電路設(shè)計中一般保 留有安全余量保護續(xù)流二極管D免使瞬時過沖電壓而擊毀，但續(xù)流二極管D 可能被瞬時過沖電壓擊毀的安全隱患，以及瞬時過沖電壓對電路性能和品質(zhì) 的影響，仍有待于克服。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是在于需要提供一種升壓電路，能保護電路 中的續(xù)流二極管免受開關(guān)信號瞬時過沖電壓的影響。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種升壓電路，包括續(xù)流二極管， 還包括緩沖電路，并聯(lián)在所述續(xù)流二極管兩端，緩沖所述續(xù)流二極管兩端的 電壓。如上所述的升壓電路，可以進一步包括濾波電容和二次升壓電路，所述 濾波電容一端連接所述續(xù)流二極管的負(fù)極，另一端接地，所述二次升壓電路 連接在所述續(xù)流二極管和濾波電容之間，擴大所述升壓電路的升壓范圍。進一步地，所述升壓電路可以包括穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管正極接 地，并聯(lián)在所述濾波電容兩端。如上所述的升壓電路，可以進一步包括濾波電容和穩(wěn)壓二極管，所述濾 波電容一端連接所述續(xù)流二極管的負(fù)極，另一端接地；所述穩(wěn)壓二極管正極 接地，并聯(lián)在所述濾波電容兩端。如上所述的升壓電路，可以進一步包括開關(guān)，所述開關(guān)包括N型絕緣 柵場效應(yīng)管，控制所述絕緣柵場效應(yīng)管關(guān)斷或?qū)ǖ拿}沖信號輸入到所述絕 緣柵場效應(yīng)管的柵極，所述絕緣柵場效應(yīng)管的源極接地，漏極輸出開關(guān)信號到所述續(xù)流二極管的正極。進一步地，所述升壓電路可以包括噪聲抑制電容，所述噪聲抑制電容兩 端分別連接所述絕緣柵場效應(yīng)管的源極和漏極。更進一步地，所述升壓電路還可以包括信號發(fā)生電路，所述信號發(fā)生電 ; 各輸出所述脈沖信號；其中，所述信號發(fā)生電路可以包括正弦波發(fā)生電路或 方波發(fā)生電路。如上所述的升壓電路，所述二次升壓電路可以由二次儲能升壓電感和二次儲能升壓電容并聯(lián)而成；所述緩沖電路可以由緩沖電容和放電電阻串聯(lián)而 成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在續(xù)流二極管兩端并聯(lián)緩沖電路，減小了升壓 電路寄生電感對續(xù)流二極管的瞬時過沖影響；以內(nèi)部的信號發(fā)生電路作為開 關(guān)的控制信號，減少了開發(fā)成本，方便了設(shè)計和使用；選用MOS管作為開 關(guān)管，減小了電路的寄生電感和電容，降低了功耗，并在MOS管的源、漏 極之間接入噪聲抑制電容，降低了MOS管源、漏極之間的噪聲和電磁兼容 噪聲；采用二次升壓電路，大幅度提高了升壓電路的升壓倍數(shù)；還引入了穩(wěn) 壓二極管，提高了升壓電路輸出信號的穩(wěn)定性。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)中升壓電路的原理示意圖。圖2是本發(fā)明第一實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明第二實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是一種信號發(fā)生電路實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明第三實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明第四實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解 并才居以實施。除了開關(guān)信號的瞬時過沖電壓有可能損壞續(xù)流二極管Dl之外，各器件 之間引線的寄生電感對續(xù)流二極管D1的工作性能也會產(chǎn)生影響。本發(fā)明的 基本思想是在續(xù)流二極管的兩端，引入一個保護續(xù)流二極管工作在安全范圍 之內(nèi)的緩沖電路，如果開關(guān)信號出現(xiàn)瞬時過沖電壓，則由緩沖電路確保續(xù)流 二極管免受高壓擊毀，減小引線寄生電感對續(xù)流二極管Dl性能的影響。圖2示出了本發(fā)明的第一實施例，如圖2所示，續(xù)流二極管D1的兩端， 并聯(lián)有一由緩沖電容C8和放電電阻R7的串聯(lián)而成的緩沖電路，其中的緩 沖電容C8較佳地采用陶瓷電容，容值一般小于10nF (納法)。緩沖電容 C8主要對續(xù)流二極管D1起電壓緩沖作用。當(dāng)續(xù)流二極管D1截止時，升壓 電路的寄生電感對緩沖電容C8進行充電，由于緩沖電容C8的容值較大， 因此續(xù)流二極管D1兩端不會產(chǎn)生瞬時過沖電壓。當(dāng)續(xù)流二極管D1導(dǎo)通時， 緩沖電容C8通過放電電阻R7放電。由緩沖電容C8和放電電阻R7組成的 緩沖電路，是用來保護續(xù)流二極管D1的，緩沖電容C8和放電電阻R7二者 的相互位置關(guān)系，不會影響緩沖電路的功能，引入的緩沖電路限制了引線寄 生電感對開關(guān)信號產(chǎn)生的影響，減小了開關(guān)信號波形的過沖。圖2中其余各元器件，包括儲能電感L、外接PWM脈沖信號、濾波電 容C5及負(fù)載電阻RL，連接方式和功能都沒有變化，可以參考圖1所示的 電路原理來理解，此處不再詳細(xì)描述?，F(xiàn)有技術(shù)中，無論是軟開關(guān)還是硬開關(guān)的升壓電路，大部分都需要外部 提供圖中所示的PWM脈沖來控制開關(guān)S的閉合和斷開。比較常用的做法是 采用MCU (Micro Controller Unit,《效控制器)的GPIO (General Purpose Input/Output,通用輸入輸出)模擬輸出，或是通過專用PWM脈沖模塊提供 PWM脈沖，使得PWM脈沖信號的頻率可變，但這樣在一定程度上增加了 系統(tǒng)開發(fā)量和維護成本。在引入緩沖電路保護續(xù)流二極管后，本發(fā)明還進一步將控制開關(guān)閉合或 斷開的脈沖信號集成到升壓電路內(nèi)部。圖3示出了集成有信號發(fā)生電路的本 發(fā)明第二實施例示意，其中的信號發(fā)生電路就是用來產(chǎn)生脈沖信號，控制開關(guān)S閉合或斷開，從而實現(xiàn)升壓電路的既有功能。圖3中其余各元器件的連 接關(guān)系和功能，請參考圖2所示本發(fā)明的第一實施例，此處不再詳細(xì)描述。圖4示出了一種信號發(fā)生電路的實施例，如圖4所示，第二電阻R2、 第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5均接到輸入電源Vi的正極，其 中第四電阻R4的另 一端連接NPN型三極管Ql (稱之為第 一三極管Ql )的 集電極，第五電阻R5的另一端連接第一三極管Ql的基極；第二電阻R2的 另一端連接NPN型三極管Q2 (稱之為第二三極管Q2)的集電極，第三電 阻R3的另一端連接第二三極管Q2的基極。第一三極管Ql和第二三極管 Q2的發(fā)射極，均連接輸入電源Vi的負(fù)極后接地(GND)。在第一三極管 Ql的基極和第二三極管Q2的集電極之間，還連接有第二耦合電容C2，在 第一三極管Ql集電極的和第二三極管Q2的基極之間，還連接有第三耦合 電容C3。第二耦合電容C2和第三耦合電容C3提供交流耦合功能?？刂崎_ 關(guān)S閉合或斷開的脈沖信號Out從第一三極管Ql的集電極引出。可以通過 調(diào)整電阻和電容的大小來調(diào)整脈沖信號Out的頻率，通過調(diào)整輸入電壓Vi 的大小來調(diào)整脈沖信號Out的幅度，工作性能穩(wěn)定。圖4所示的信號發(fā)生電路，含有第一三極管Ql和第二三極管Q2,每個 三極管提供180度相移，兩個三極管就能提供360度相移，形成正反饋回路。 第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5除提供兩個三極管 的靜態(tài)工作點外，還構(gòu)成兩個三才及管的正反々赍回路。具體說，第二電阻R2 和第三電阻R3串聯(lián)構(gòu)成第二三極管Q2的正反饋回路，第四電阻R4和第五 電阻R5串聯(lián)構(gòu)成第一三極管Q1的正反饋回路。通過合理選擇第三電阻R3 和第五電阻R5的大小，以及第二耦合電容C2和第三耦合電容C3大小，可 以得到需要的振蕩方波頻率，其方波頻率為fN).7x (R5xC2+R3xC3)。圖4所示的信號發(fā)生電路，其工作過程為，當(dāng)輸入電源Vi上電時，輸 入電源Vi加載到電路，由于兩只三極管都處于正向偏置，故都處于導(dǎo)通狀 態(tài)。此外，輸入電源Vi還為第三耦合電容C3和第二耦合電容C2充電到幾 乎等于輸入電源Vi電壓的狀態(tài)，充電路徑是通過接地點，再到三極管基極， 再通過電容后回到輸入電源Vi，有些充電電流是通過第三電阻R3和第五電 阻R5的，從而導(dǎo)致正電壓加在基極上，使晶體管導(dǎo)電量更大，因而使兩三極管的集電極電壓下降。兩只晶體管不會是完全一樣的，即使是相同型號和 相同參數(shù)值的晶體管，起始時一個晶體管也會比另 一個晶體管的導(dǎo)電量稍微大一些。假定第二三極管Q2的導(dǎo)電量更大一些，由于第二三極管Q2的電 量較大，第二三極管Q2集電極電壓下降就要比第一三極管Ql下降更快一 些，結(jié)果通過第五電阻R5放電的第二耦合電容C2耦合到第一三極管Ql基 極的電壓，就要比通過R3放電的第三耦合電容C3耦合到第二三極管Q2基 極的電壓負(fù)值更大一些，這就使得第一三極管Q1的導(dǎo)電量減少，而它的集 電極電壓則升高了。第一三極管Q1電壓升高是作為正電壓通過第二耦合電 容C2耦合到第二三極管Q2的基極的，這樣第二三極管Q2導(dǎo)電更多，導(dǎo)致 第二三極管Q2集電極電壓進一步下降。由于第二耦合電容C2還在放電， 故驅(qū)使第一三極管Ql基極電壓向負(fù)的增大，這個過程繼續(xù)到第一三極管 Ql截止，而第二三極管Q2在飽和狀態(tài)下導(dǎo)通為止，此時第二耦合電容C2 繼續(xù)通過第五電阻R5對地放電，第一三極管Ql保持截止直至第一三極管 Ql的基極電壓超過截止電壓，這樣第一三極管Ql開始導(dǎo)通，開始了振蕩 器的第二個半周。由于第一三極管Q1導(dǎo)通，它的集電極電壓開始下降，導(dǎo)致第三耦合電 容C3通過第三電阻R3開始放電，這樣加載到第二三極管Q2基極的為負(fù)電 壓，第二三極管Q2的傳導(dǎo)電流因此減小，并引起第二三極管Q2集電極電 壓開始升高，第二三極管Q2的輸出又作為正電壓耦合到第一三極管Ql的 基極，因此，第一三極管Q1傳導(dǎo)的電流更大，像前半周工作一樣，起正反 饋作用，并繼續(xù)到第二三極管Q2截止，第二三極管Q2在飽和狀態(tài)下導(dǎo)通 為止。第一三極管Q1保持截止?fàn)顟B(tài)，直至第三耦合電容C3充分放電完畢， 第二三極管Q2開始脫離截止?fàn)顟B(tài)，此時，新的振蕩周期再次開始。圖4所示的信號發(fā)生電路實施例，輸出的脈沖信號為方波。實際上，本 發(fā)明中信號發(fā)生電路所輸出的信號并不限于方波，除了方波之外也可以是正 弦波等等，但是無論是何種波形的輸出信號，都需要滿足能正常閉合或斷開 開關(guān)，也即如果是方波，則方波的最小電平取零電平，最大電平要足夠開啟 開關(guān)S即可，如果是正弦波，則正弦波的波谷取零電平，波峰幅值要足夠開 啟開關(guān)S即可。圖4所示的信號發(fā)生電路實施例，采用的器件比較少，節(jié)約了電路成本。 其實除了圖4所示的實施例之外，也可以是其他脈沖信號發(fā)生電路，只要功 能是產(chǎn)生脈沖信號來控制升壓電路中開關(guān)的閉合和斷開即可，所以實現(xiàn)這一 功能的電路結(jié)構(gòu)還可以有其他多種方式，如正弦波振蕩器，LC振蕩器，RC 振蕩器等等。目前使用外部提供的PWM脈沖信號，除了基波之外還包含豐富的諧波 分量，這些諧波分量將會耦合到升壓電路中，最終會耦合到整機(如機頂盒 等)電路中，這也會給整機帶來很大的噪聲干擾，同樣也會降低產(chǎn)品性能。信號控制開關(guān)，不僅節(jié)約了電路成本，還有效解決了外部PWM脈沖信號所 帶來的噪聲干擾，提高了產(chǎn)品性能。NPN型三極管是現(xiàn)有升壓電路中的開關(guān)器件，在接入電路中時，三極 管的基極連接控制三極管關(guān)斷或?qū)?分別對應(yīng)于開關(guān)的斷開或閉合)的脈 沖控制信號，比如圖4所示信號發(fā)生電路輸出的方波，三極管的發(fā)射極接地， 集電極輸出開關(guān)信號到續(xù)流二極管D1的正極。升壓電路的結(jié)構(gòu)及功能，使得用作升壓電路開關(guān)的三極管必然產(chǎn)生較大 的寄生電感和寄生電容。在采用圖4所示的信號發(fā)生電路基礎(chǔ)上，本發(fā)明第 三實施例中，還進一步對升壓電路的開關(guān)進行了改進，如圖5所示。在本發(fā) 明第三實施例中，選用N型MOS管(絕緣柵場效應(yīng)管)Ml用作開關(guān)。信 號發(fā)生電路輸出的脈沖信號Out輸入到開關(guān)MOS管Ml的柵極，開關(guān)MOS 管Ml的源極和襯底接地，漏極接在儲能電感Ll和續(xù)流二極管Dl之間， 從漏極輸出的開關(guān)信號直接作用到續(xù)流二極管Dl的正極。當(dāng)然，選用其他結(jié)構(gòu)的信號發(fā)生電路，同樣可以選用MOS管作為開關(guān)。 用MOS管代替三極管，減少了由于晶體管的寄生電容和寄生電感對電路造 成的影響。同時，由于開關(guān)MOS管Ml導(dǎo)通時，其4冊極電流4及小，電流值 為nA(納安)級，降低了整個升壓電路的功耗。另外，無論是采用專用的升壓電路芯片，還是利用阻容及晶體管搭建專 用升壓電路，現(xiàn)有的升壓電路都不太適合一些要求苛刻的應(yīng)用場合，如機頂 盒、數(shù)字電視等。其中的一個原因是由于開關(guān)噪聲較大，會極大地影響設(shè)備參數(shù)指標(biāo)，如靈敏度、信噪比等關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)。實際調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)，這些 參數(shù)對開關(guān)電源噪聲十分敏感，若處理不好，極大降低產(chǎn)品性能和應(yīng)用能力。本發(fā)明第三實施例選用MOS管代替三極管作為升壓電路的開關(guān)，在開 關(guān)MOS管Ml的源極和漏極之間會產(chǎn)生一定的噪聲，本發(fā)明第三實施例進 一步在開關(guān)MOS管Ml的源、漏極之間接入一避免電壓過沖的噪聲抑制電 容C9。開關(guān)MOS管Ml的源、漏兩端之間有一等效二極管，開關(guān)管的頻繁 導(dǎo)通和關(guān)斷容易造成電壓過沖，在開關(guān)M0S管M1的源、漏極之間接入噪 聲抑制電容C9，可以有效避免開關(guān)MOS管Ml源、漏極之間電壓過沖的產(chǎn) 生。噪聲抑制電容C9除了可以有效避免電壓過沖的產(chǎn)生之外，還能有效濾 除掉開關(guān)信號產(chǎn)生的高頻噪聲。通過實^r發(fā)現(xiàn)，噪聲抑制電容C9對應(yīng)用本 發(fā)明第二實施例的整機(如機頂盒等)靈敏度有很大改善。在實際應(yīng)用中， 噪聲抑制電容C9一般可選用pF (皮法)級的陶覺電容。在開關(guān)MOS管Ml的源、漏極之間接入噪聲抑制電容C9，不僅不會影 響到輸出電壓的電壓值，而且抑制了開關(guān)MOS管Ml源、漏極之間的噪聲， 減少源、漏極之間的電壓上升率，降低了 EMC (Electro Magnetic Compatibility,電磁兼容)噪聲。另夕卜，引入噪聲抑制電容C9從電路成本 考慮，代價非常小，電路性能的提升卻非常明顯。圖5所示第三實施例中其他元器件的連接關(guān)系及工作方式，與圖3所示 的本發(fā)明第二實施例對應(yīng)相同，請參考圖3和第二實施例對應(yīng)理解，此處不再詳述o升壓電路在需要高升壓倍數(shù)的應(yīng)用場合，現(xiàn)有的升壓電路較難直接實現(xiàn)高倍數(shù)的電壓提升，較常采用增加開關(guān)管頻率和PWM脈沖信號占空比來彌 補升壓電路的能力缺陷。本發(fā)明通過引入二次升壓電路，還可擴大電路的升 壓范圍，增加升壓電路的升壓倍數(shù)。圖6示出了引入二次升壓電路的本發(fā)明第四實施例，其中的升壓電路連 接在續(xù)流二極管D1的負(fù)極與濾波電容C5之間，由二次儲能升壓電感L2和 二次儲能升壓電容C6并聯(lián)而成。二次儲能升壓電感L2與二次儲能升壓電 容C6并聯(lián)在續(xù)流二極管Dl的負(fù)極與濾波電容C5之間，二次儲能升壓電感 L2和二次儲能升壓電容C6在開關(guān)MOS管Ml關(guān)斷時儲能，在開關(guān)MOS管M1導(dǎo)通時通過續(xù)流二;f及管Dl、開關(guān)M0S管M1和負(fù)載電阻RL釋;^文能 量。引入的二次升壓電路，擴大了升壓電路的升壓范圍，可以滿足較高電壓 升壓倍數(shù)的應(yīng)用場合，解決了現(xiàn)有技術(shù)中常用的升壓電路通過增加開關(guān)管頻 率和PWM脈沖信號占空比，來改善升壓倍數(shù)較低的不足。在本發(fā)明第四實施例當(dāng)中，續(xù)流二極管D1截止時，不僅升壓電路的寄 生電感對緩沖電容C8進行充電，而且二次儲能升壓電感L2也對緩沖電容 C8進行充電，更進一步保證了續(xù)流二極管D1兩端不會產(chǎn)生瞬時過沖電壓。凡是采用圖1所示的基本結(jié)構(gòu)的升壓電路，在實際應(yīng)用時如果由于故障 等原因?qū)е律龎弘娐肥r，輸出電壓Vo可能超出設(shè)計值導(dǎo)致電路損壞。 在圖1所示目前已有的升壓電路，或者圖2所示本發(fā)明第一實施例基礎(chǔ)上， 都可以引入穩(wěn)壓二極管來提高升壓電路輸出電壓Vo的穩(wěn)定性。本發(fā)明第四 實施例當(dāng)中，在負(fù)載電阻RL兩端并聯(lián)一肖特基穩(wěn)壓二極管D2,就可以提 高輸出電壓Vo的穩(wěn)定性，對電路起保護作用。穩(wěn)壓二極管D2與濾波電容 C5并聯(lián)，負(fù)極連接濾波電容C5和二次儲能升壓電感L2的連接點，正極接 地。增加穩(wěn)壓二極管D2后，如果輸出電壓Vo超出設(shè)計范圍，則穩(wěn)壓二極 管D2導(dǎo)通，將輸出電壓Vo穩(wěn)定在安全范圍內(nèi)。圖6所示的第四實施例當(dāng) 中，其他元器件的連接關(guān)系及工作方式，與圖5所示的本發(fā)明第三實施例對 應(yīng)相同，請參考圖5和第三實施例對應(yīng)理解，此處不再詳述。綜上所述，本發(fā)明電路中所有部件都可選用晶體管和阻容器件組成，較 采用專用升壓芯片成本要低^艮多，可以大幅降低電路BOM(BillofMaterial， 物料清單)成本。本發(fā)明引入的續(xù)流二極管緩沖電路，減小了升壓電路寄生 電感對續(xù)流二極管的瞬時過沖影響。引入信號發(fā)生電路，本發(fā)明電路在實際 應(yīng)用中，不需要任何的外界控制操作，只需要提供合適的輸入電壓，就能獲 得理想的設(shè)計輸出值，減少了開發(fā)和維護成本，利于提高設(shè)計和實用效率。 選用MOS管作為開關(guān)，減小了寄生電感和電容，降低了電路功耗，提升了 電路品質(zhì)，而且在開關(guān)MOS管的漏極和源極之間接入噪聲抑制電容，有效 降低了電路的高頻噪聲，明顯提升了整個升壓電路的性能指標(biāo)。本發(fā)明電路 中所釆用的二次升壓電路，大幅度提高了升壓電路的升壓倍數(shù)，升壓電路的整體性能也得到了明顯提高，在需要電壓高升壓倍數(shù)的場合如機頂盒的tuner部分，實用性特別強。本發(fā)明還引入了穩(wěn)壓二極管，提高了升壓電路 費類電子產(chǎn)品。雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本 發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi) 的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的 形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所 附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種升壓電路，包括續(xù)流二極管，其特征在于，還包括緩沖電路，并聯(lián)在所述續(xù)流二極管兩端，緩沖所述續(xù)流二極管兩端的電壓。
2、 如權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于，所述升壓電路進一步 包括濾波電容和二次升壓電路，所述濾波電容一端連接所述續(xù)流二極管的負(fù) 極，另一端接地，所述二次升壓電路連接在所述續(xù)流二極管和濾波電容之間， 擴大所述升壓電路的升壓范圍。
3、 如權(quán)利要求2所述的升壓電路，其特征在于，所述升壓電路進一步 包括穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管正極接地，并聯(lián)在所述濾波電容兩端。
4、 如權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于，所述升壓電路進一步 包括濾波電容和穩(wěn)壓二極管，所述濾波電容一端連接所述續(xù)流二極管的負(fù) 極，另一端接地；所述穩(wěn)壓二極管正極接地，并聯(lián)在所述濾波電容兩端。
5、 如權(quán)利要求1至4中任一項權(quán)利要求所述的升壓電路，其特征在于， 所述升壓電路進一步包括開關(guān)，所述開關(guān)包括N型絕緣柵場效應(yīng)管，控制 所述絕緣柵場效應(yīng)管關(guān)斷或?qū)ǖ拿}沖信號輸入到所述絕緣柵場效應(yīng)管的 柵極，所述絕緣柵場效應(yīng)管的源極接地，漏極輸出開關(guān)信號到所述續(xù)流二極 管的正極。
6、 如權(quán)利要求5所述的升壓電路，其特征在于，所述升壓電路進一步 包括噪聲抑制電容，所述噪聲抑制電容兩端分別連接所述絕緣柵場效應(yīng)管的 源極和漏極。
7、 如權(quán)利要求6所述的升壓電路，其特征在于，所述升壓電路進一步 包括信號發(fā)生電路，所述信號發(fā)生電路輸出所述脈沖信號。
8、 如權(quán)利要求7所述的升壓電路，其特征在于，所述信號發(fā)生電路包 括正弦波發(fā)生電路或方波發(fā)生電路。
9、 如權(quán)利要求2或3所述的升壓電路，其特征在于，所述二次升壓電路由二次儲能升壓電感和二次儲能升壓電容并聯(lián)而成。
10、如權(quán)利要求1至4中任一項權(quán)利要求所述的升壓電路，其特征在于， 所述緩沖電路由緩沖電容和放電電阻串聯(lián)而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種升壓電路，能保護電路中的續(xù)流二極管免受開關(guān)信號瞬時過沖電壓的影響。該升壓電路包括續(xù)流二極管，還包括緩沖電路，并聯(lián)在所述續(xù)流二極管兩端，緩沖所述續(xù)流二極管兩端的電壓。該升壓電路減小了升壓電路寄生電感對續(xù)流二極管的瞬時過沖影響，可廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品。
文檔編號H02M3/07GK101232240SQ200810101150
公開日2008年7月30日 申請日期2008年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者斐 孟, 輝 張, 王西強 申請人:北京創(chuàng)毅視訊科技有限公司