專利名稱：補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率因數(shù)校正電路，尤其是涉及一種補(bǔ)償式三相有源功率 因數(shù)校正電路。
背景技術(shù)：
開關(guān)電源是為計(jì)算機(jī)、通信和家用電子設(shè)備提供直流電源的一種電力
電子裝置，按照功率變換方式分類有AC/DC、 DC/DC兩類。傳統(tǒng)的三相 AC/DC電能變換輸入級普遍采用二極管整流加電容濾波電路，其輸入電流 波形呈尖脈沖狀，大量的諧波分量倒流輸入電網(wǎng)，對輸入電網(wǎng)造成諧波"污 染"，必須采用有源濾波功率因數(shù)校正電路(Active Power Factor Correction, 簡稱APFC)控制輸入電流波形'近似于輸入電壓正弦波形，以降低電流諧 波含量，"凈化"輸入電網(wǎng)。應(yīng)用比較廣泛的三相功率因數(shù)校正電路主要有 兩種。
圖1所示的是一種應(yīng)用最廣泛的獨(dú)立式三相有源功率因數(shù)校正電路， A、 B、 C三相電路相互獨(dú)立，互不影響，輸出端連接在一起給負(fù)載供電， 其工作原理如下(以A相為例，B， C相工作原理與A相相同)當(dāng)A相 正弦輸入電壓Ua為正時，開關(guān)管S—A+在控制信號PWM一A+控制下工作， 當(dāng)開關(guān)管S—A+導(dǎo)通時，輸入電壓源Ua通過Ua—Dl—L_A+—S—A+—N 回路給A相正半周濾波電感L一A+存儲能量，電感電流線性上升；當(dāng)開關(guān) 管S一A+關(guān)斷時，輸入電壓源Ua通過Ua—Dl—L_A+—D3—C+—N回路 給A相正半周輸出濾波電容C+充電，電感電流線性下降，在C+兩端形成 三相正半周輸出電壓+BUS。當(dāng)A相正弦輸入電壓Ua為負(fù)時，開關(guān)管S_A 一在控制信號Pm^A—控制下工作，當(dāng)開關(guān)管S一A—導(dǎo)通時，輸入電壓 源Ua通過N—S—A—~^L—A—~^D2—Ua回路給A相負(fù)半周濾波電感L一A 一存儲能量，電感電流線性上升；當(dāng)開關(guān)管S一A—關(guān)斷時，輸入電壓源Ua 通過N—C — "^L_A—~^D2—Ua回路給A相負(fù)半周輸出濾波電容C —充 電，電感電流線性下降，在C一兩端形成三相負(fù)半周輸出電壓一BUS。
通過A、 B、 C各相正負(fù)半周開關(guān)管的控制信號，可以得到穩(wěn)定的直 流輸出電壓+BUS和一BUS，還可以保持輸入電流Ia、 Ib、 Ic與相應(yīng)的輸 入電壓Ua、 Ub、 Uc的正弦波形近似、相位相同，實(shí)現(xiàn)三相輸入電流Ia、Ib、 Ic完全"正弦化"，降低對輸入電網(wǎng)的"污染"。但由于整個電路A、 B、 c三相之間相互獨(dú)立，某相電路中的開關(guān)管、二極管和濾波電感只在該相
正半周內(nèi)工作，其余時間均不工作，器件利用率很低，導(dǎo)致開關(guān)器件和磁 性器件數(shù)量太多，體積過于龐大，成本較高。
圖2所示的是另一種使用比較廣泛的無控式三相有源功率因數(shù)校正電 路，它針對圖l所示的獨(dú)立式有源功率因數(shù)校正電路的缺點(diǎn)作了改進(jìn)，減 少了開關(guān)器件和磁性器件數(shù)量，提高了器件利用率和功率密度，降低了成 本。所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路是一三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正 電路，包括由六個二極管DA1、 DA2、 DB1、 DB2、 DC1、 DC2組成的三 相無控整流橋、兩個功率變換用開關(guān)管S1、 S2，以及兩個與負(fù)載兩端分別 連接的輸出濾波電容C3、 C4和輸出二極管Dl、 D2，有的還包括分別與 三相無控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容Cl、 C2，有的還包括兩個功 率變換用的升壓電感Ll、 L2。 A、 B、 C三相正弦輸入電壓Ua、 Ub、 Uc 通過三相無控整流橋整流后，分別在濾波電容C1、 C2兩端得到三相正負(fù) 半周整流電壓REC+和REC—。由于采用二極管DA1、 DA2、 DB1、 DB2、 DC1、 DC2組成的三相無控整流橋，正半周整流電壓REC+由A、 B、 C三 相中任意時刻電壓峰值最大的一相組成，負(fù)半周整流電壓REC—由A、 B、 C三相中任意時刻電壓峰值最小的一相組成。當(dāng)開關(guān)管S1導(dǎo)通時，正半周 整流電壓REC+通過升壓電感Ll和開關(guān)管Sl通路給升壓電感Ll儲能， 當(dāng)開關(guān)管Sl關(guān)斷時，正半周整流電壓REC+通過升壓電感Ll和C3通路 給輸出電容C3充電，這樣在正半周輸出電容C3兩端得到正輸出電壓 +BUS,而且通過控制開關(guān)管S1的開關(guān)控制脈沖，使通過升壓電感L1的 電流Il波形與正半周整流電壓REC+波形近似，以提高輸出電流功率因數(shù)。 負(fù)半周工作與正半周工作近似，通過開關(guān)管S2的導(dǎo)通和關(guān)斷，負(fù)半周整流 電壓REC —通過對升壓電感L2的充放電，在負(fù)半周輸出電容C4兩端得到 負(fù)輸出電壓一BUS，同時使升壓電感L2的電流I2波形與負(fù)半周整流電壓 REC—波形近似，以提高輸出電流功率因數(shù)。圖3是圖2所示的無控式三 相有源功率因數(shù)校正電路的波形圖，包括A、 B、 C三相正弦輸入電壓Ua、 Ub、 Uc，正負(fù)半周整流電壓REC+、 REC—，以及三相輸入電流Ia、 Ib、 Ic的波形圖。圖3表明無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的三相輸入電 流Ia、 Ib、 Ic只有在有波形的部分與輸入電壓波形近似，在該相輸入電壓 過零相位附近的相應(yīng)輸入電流為零，導(dǎo)致輸入電流波形沒有完全正弦化， 從而導(dǎo)致輸入功率因數(shù)比較低，與圖2所示的獨(dú)立式三相有源功率因數(shù)校正電路相比較是明顯的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)各自存在的缺陷，提 出一種兼具上述現(xiàn)有技術(shù)各自優(yōu)點(diǎn)的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路。 本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以解決。
這種補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，包括無控式三相有源功率因 數(shù)校正電路。
這種補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路的特點(diǎn)是
設(shè)有三相補(bǔ)償電路，所述三相補(bǔ)償電路是一可控式三相雙開關(guān)功率因 數(shù)校正電路，包括由六個可控開關(guān)器件組成的三相可控整流橋、分別與三 相可控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容、兩個功率變換用可控開關(guān)器件， 其三個輸入端分別與所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的三個輸入端 相連接，兩個輸出端分別與所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的兩個 輸出端相連接。
本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決。
所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括兩個功率變換用的 升壓電感，所述兩個升壓電感的一端分別與三相可控整流橋的一輸出端連 接，另一端分別與輸出二極管的一端連接。
所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的可控開關(guān)器件包括 MOSFET、 IGBT。
所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的三個輸入端分別與三個 升壓電感的一端相連接，所述三個升壓電感的另一端分別與三相輸入電壓 源相連接。
所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路包括三相雙開關(guān)功率因數(shù)校 正電路。
所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路包括由六個二極管組成的三相無 控整流橋、兩個功率變換用可控開關(guān)器件，以及兩個與負(fù)載兩端分別連接 的輸出濾波電容和輸出二極管。
所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括兩個功率變換用的升壓電 感，所述兩個升壓電感的一端分別與三相無控整流橋的一輸出端連接，另 一端分別與輸出二極管的一端連接。
所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括分別與三相無控整流橋兩 個輸出端連接的濾波電容。所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的三個輸入端分別與三個升壓電 感的一端相連接，所述三個升壓電感的另一端分別與三相輸入電壓源相連 接。
所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的可控開關(guān)器件包括MOSFET、 IGBT。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是
本發(fā)明的三相有源功率因數(shù)校正電路由交替互補(bǔ)工作的一無控式三 相有源功率因數(shù)校正電路和一可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路并聯(lián)組
成，兼具現(xiàn)有獨(dú)立式三相有源功率因數(shù)校正電路和無控式三相有源功率因 數(shù)校正電路的各自優(yōu)點(diǎn)，無控式三相有源功率因數(shù)校正電路在電壓峰值相 位附近工作，承擔(dān)絕大部分電流和功率；可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正 電路在電壓過零相位附近工作，無控式三相有源功率因數(shù)校正電路在電壓 過零相位處電流斷續(xù)部分，可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路只承擔(dān)很 小一部分電流和功率，兩個電路的輸入電流疊加為總的三相輸入電流，可 以保持輸入電流與相應(yīng)的輸入電壓的正弦波形近似、相位相同，實(shí)現(xiàn)三相 輸入電流完全"正弦化"，具有較高的輸入功率因數(shù)和功率密度，有效降低 開關(guān)電源對電網(wǎng)的"污染"，還可以明顯減少開關(guān)電源器件數(shù)量，縮小開關(guān) 電源的體積，降低開關(guān)電源的成本，進(jìn)一步提髙產(chǎn)品性能和市場競爭力。
圖1是現(xiàn)有的獨(dú)立式三相有源功率因數(shù)校正電路的電路圖； 圖2是現(xiàn)有的無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的電路圖； 圖3是圖2電路的波形圖； 圖4是本發(fā)明具體實(shí)施方式
一的電路圖5是圖4中的無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1的波形圖6是圖4中的三相補(bǔ)償電路2的波形圖7是圖4電路的波形圖8是本發(fā)明具體實(shí)施方式
二的電路圖9是本發(fā)明具體實(shí)施方式
三的電路圖io是本發(fā)明具體實(shí)施方式
四的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面對照附圖結(jié)合具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
具體實(shí)施方式
一
7如圖4所示的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，包括無控式三相有
源功率因數(shù)校正電路l，其是包括由六個二極管DA1、 DA2、 DB1、 DB2、 DC1、 DC2組成的三相無控整流橋、兩個功率變換用M0SFET開關(guān)管S1、 S2、兩個分別與三相無控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容Cl、 C2、兩 個升壓電感L1、L2以及兩個與負(fù)載兩端分別連接的正負(fù)輸出濾波電容C3、 C4和輸出二極管D1、 D2的三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路。升壓電感L1、 L2的一端分別與三相無控整流橋的一輸出端連接，另一端分別與輸出二極 管D1、 D2的一端連接。
設(shè)有三相補(bǔ)償電路2—可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路，其包括 由六個晶閘管SA1、 SA2、 SB1、 SB2、 SC1、 SC2組成的三相可控整流橋、 分別與三相可控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容C5、 C6、兩個升壓電 感L3、 L4、兩個功率變換用MOSFET開關(guān)管S3、 S4，其三個輸入端分別 與無控式三相有源功率因數(shù)校正電路l的三個輸入端相連接，兩個輸出端 分別與無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1的兩個輸出端相連接。升壓電 感L3、 L4的一端分別與三相可控整流橋的一輸出端連接，另一端分別與 輸出二極管D3、 D4的一端連接。
三相輸入電壓源Ua、 Ub、 Uc經(jīng)過晶閘管SA1、 SA2、 SB1、 SB2、 SC1、 SC2整流后在濾波電容C5、 C6兩端分別得到正負(fù)半周整流電壓 REC2+、 REC2—，控制正負(fù)半周MOSFET開關(guān)管S3和S4的導(dǎo)通和關(guān)斷, 通過正負(fù)半周電感L3、 L4分別給正負(fù)輸出電容C3、 C4充放電，得到與 無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1共同的正負(fù)半周輸出電壓+BUS、 一 BUS，且通過控制正負(fù)半周MOSFET開關(guān)管S3、 S4的驅(qū)動脈沖，得到穩(wěn) 定的輸出電壓+BUS、 一BUS,使通過電感升壓L3、 L4的電流I3、 14波形 分別與整流電壓REC2+、 REC2—完全近似。通過控制晶閘管SA1、 SA2、 SB1、 SB2、 SC1、 SC2的驅(qū)動脈沖可以得到需要的整流電壓REC+、 REC —波形。
無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1、三相補(bǔ)償電路2和本具體實(shí)施 方式一的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路的主要節(jié)點(diǎn)點(diǎn)波形分別如圖 5、 6、 7所示。
將圖6、圖7還示出三相補(bǔ)償電路2和本具體實(shí)施方式
一的補(bǔ)償式三 相有源功率因數(shù)校正電路一個正弦周期的輸入電壓等分成12個區(qū)間的對
應(yīng)波形，每個區(qū)間內(nèi)，無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1有兩個二極管導(dǎo)通，三相補(bǔ)償電路2有一個可控開關(guān)器件導(dǎo)通。區(qū)間1 12中電路1、 2 的工作狀況和導(dǎo)通器件如下
區(qū)間電路1工作狀況電路2工作狀況導(dǎo)通器件
1C相正半周、B相負(fù)半周工作A相正半周工作DC1、DB2、SA1
2A相正半周、B相負(fù)半周工作C相正半周工作DA1、DB2、SC1
3A相正半周、B相負(fù)半周工作C相負(fù)半周工作DA1、DB2、SC2
4A相正半周、c相負(fù)半周工作B相負(fù)半周工作DA1、DC2、SB2
A相正半周、C相負(fù)半周工作B相正半周工作DA1、DC2、SB1
6B相正半周、C相負(fù)半周工作A相正半周工作DB1、DC2、SA1
7B相正半周、C相負(fù)半周工作A相負(fù)半周工作DB1、DC2、SA2
8B相正半周、A相負(fù)半周工作C相負(fù)半周工作DB1、DA2、SC2
9B相正半周、A相負(fù)半周工作C相正半周工作DB1、DA2、SC1
10c相正半周、A相負(fù)半周工作B相正半周工作DC1、DA2、SB1
11C相正半周、A相負(fù)半周工作B相負(fù)半周工作DC1、DA2、SB2
12C相正半周、B相負(fù)半周工作A相負(fù)半周工作DC1、DB2、SA2
通過無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1可以得到如圖5所示波形的 三相輸入電流Ial、 Ibl、 Icl,它只是在有波形的部分與輸入電壓波形近似， 而在該相輸入電壓過零相位附近的相應(yīng)輸入電流為零，導(dǎo)致輸入電流波形 的功率因數(shù)比較低，此時通過三相補(bǔ)償電路2的晶閘管驅(qū)動脈沖，使三相 補(bǔ)償電路2在無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1輸入電流過零相位附近 工作。產(chǎn)生如圖6所示波形的補(bǔ)償輸入電流Ia2、 Ib2、 Ic2,對無控式三相 有源功率因數(shù)校正電路1的輸入電流Ial、 Ibl、 Icl的斷流部分給予補(bǔ)償， 無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1和三相補(bǔ)償電路2的輸入電流疊加為 如圖7所示波形的總的三相輸入電流，Ia-Ial+Ia2、Ib-Ibl+Ib2、 Ic=Icl+Ic2， 保持輸入電流Ia、 Ib、 Ic與相應(yīng)的輸入電壓Ua、 Ub、 Uc的正弦波形近似、 相位相同，實(shí)現(xiàn)三相輸入電流完全"正弦化"，具有較高的輸入功率因數(shù)和 功率密度，有效降低開關(guān)電源對電網(wǎng)的"污染"，而且新增加的三相補(bǔ)償電 路2只在輸入電流過零相位附近工作，其電流有效值非常小，組成器件的 體積非常小，成本也非常低，從而在保證較高的輸入功率因數(shù)的前提下， 提高整個開關(guān)電源的功率密度，明顯減少開關(guān)電源器件數(shù)量，縮小開關(guān)電
9源的體積，降低開關(guān)電源的成本，進(jìn)一步提高產(chǎn)品性能和市場競爭力。
具體實(shí)施方式
二
如圖8所示的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，與具體實(shí)施方式
一 的電路不同之處是三相補(bǔ)償電路2—可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電
路中省略功率變換用的升壓電感L3、 L4，其三個輸入端分別與三個升壓電 感L5、 L6、 L7的一端相連接，三個升壓電感L4、 L5、 L6的另一端分別 與三相輸入電壓源Ua、 Ub、 Uc相連接。通過增多一個電感也能夠?qū)崿F(xiàn)與具體實(shí)施方式
一的電路同樣的補(bǔ)償功能。雖然增多了一個電感，但單個電 感流過的電流有效值比具體實(shí)施方式
一的小，在相同感值下電感的體積可 以小一些。
具體實(shí)施方式
三
如圖9所示的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，適用于三相輸入電 網(wǎng)電壓質(zhì)量很好，無高頻干擾的功率因數(shù)校正。與具體實(shí)施方式
一的電路 不同之處是無控式三相有源功率因數(shù)校正電路1和三相補(bǔ)償電路2—可 控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路中分別省略了濾除輸入市電高頻雜波的 濾波電容C1、 C2，濾波電容C5、 C6。能夠?qū)崿F(xiàn)與具體實(shí)施方式
一的電路 同樣的補(bǔ)償功能。
具體實(shí)施方式
四
如圖IO所示的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，與具體實(shí)施方式
一 的電路不同之處是無控式三相有源功率因數(shù)校正電路l中由六個二極管 組成的三相無控整流橋改變?yōu)橛闪鶄€驅(qū)動脈沖一直保持有效高電平的晶閘 管組成的三相無控整流橋，能夠?qū)崿F(xiàn)與具體實(shí)施方式
一的電路同樣的補(bǔ)償 功能，只是晶閘管在相同電氣條件下比二極管價(jià)格高一些、體積大一些。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說 明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若 干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，包括無控式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于設(shè)有三相補(bǔ)償電路，所述三相補(bǔ)償電路是一可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路，包括由六個可控開關(guān)器件組成的三相可控整流橋、分別與三相可控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容、兩個功率變換用可控開關(guān)器件，其三個輸入端分別與所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的三個輸入端相連接，兩個輸出端分別與所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的兩個輸出端相連接。
2. 如權(quán)利要求l所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括兩個功率變換用的升壓電感，所述兩個升壓電感的一端分別與三相可控整流橋的一輸出端連接，另一端分別與輸出二極管的一端連接。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于-所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的可控開關(guān)器件包括MOSFET、 IGBT。
4. 如權(quán)利要求3所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的三個輸入端分別與三個升壓電感的一端相連接，所述三個升壓電感的另一端分別與三相輸入電壓源相連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述無控式三相有源功率因數(shù)校正電路包括三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路。
6. 如權(quán)利要求5所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路包括由六個二極管組成的三相無控整流橋、兩個功率變換用可控開關(guān)器件，以及兩個與負(fù)載兩端分別連接的輸出濾波電容和輸出二極管。
7. 如權(quán)利要求6所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括兩個功率變換用的升壓電感，所述兩個升壓電感的一端分別與三相無控整流橋的一輸出端連接，另一端分別與輸出二極管的一端連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路還包括分別與三相無控整流橋兩個輸出端連接的濾波電容。
9. 如權(quán)利要求8所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的三個輸入端分別與三個升壓電感的一端相連接，所述三個升壓電感的另一端分別與三相輸入電壓源相連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于所述三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路的可控開關(guān)器件包括MOSFET、IGBT。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種補(bǔ)償式三相有源功率因數(shù)校正電路，包括無控式三相有源功率因數(shù)校正電路，其特征在于設(shè)有三相補(bǔ)償電路—可控式三相雙開關(guān)功率因數(shù)校正電路，其三個輸入端分別與無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的三個輸入端相連接，兩個輸出端分別與無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的兩個輸出端相連接。本發(fā)明兼具獨(dú)立式、無控式三相有源功率因數(shù)校正電路的各自優(yōu)點(diǎn)，可以保持輸入電流與相應(yīng)的輸入電壓的正弦波形近似、相位相同，實(shí)現(xiàn)三相輸入電流完全“正弦化”，具有較高的輸入功率因數(shù)和功率密度，有效降低開關(guān)電源對電網(wǎng)的“污染”，還可以明顯減少開關(guān)電源器件數(shù)量，縮小開關(guān)電源的體積，降低開關(guān)電源的成本，進(jìn)一步提高產(chǎn)品性能和市場競爭力。
文檔編號H02J3/18GK101540507SQ20081008634
公開日2009年9月23日 申請日期2008年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月21日
發(fā)明者張春濤, 張曉飛, 肖學(xué)禮 申請人:力博特公司