專利名稱：疊層母排邊緣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種疊層母排，尤其涉及該疊層母排的邊緣結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景目前很多電氣產(chǎn)品開始使用疊層母排技術(shù)，以降低寄生電感，獲得最 佳的電氣性能。然而，由于疊層母排技術(shù)將不同導(dǎo)體緊密貼合在絕緣層的 兩側(cè)，導(dǎo)體間距離非常近，因此導(dǎo)體之間的絕緣成為疊層母排設(shè)計的關(guān)鍵 因素。對于疊層母排邊緣的絕緣，現(xiàn)有技術(shù)中有兩種方式第一種是使絕緣 層邊緣延伸出導(dǎo)體層邊緣，延伸長度為導(dǎo)體間最大爬電距離的1/2;第二種 是將延伸出的絕緣層用膠粘劑粘合使其密封，延伸長度可小于第一種方式。 然而用膠粘劑粘結(jié)并不能保證完全的密封， 一旦有空隙存在，且延伸長度 不夠時就會發(fā)生導(dǎo)體間的爬電，造成絕緣失效，形成安全隱患。若要保證 安全的爬電距離，絕緣層就必須延伸出相當長的一段距離，不利于節(jié)省空 間。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供了一種疊層母排邊緣結(jié)構(gòu)，旨在解 決上述的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的 本發(fā)明包括至少一層以上的導(dǎo)體層、與導(dǎo)體層相應(yīng)的絕緣層；所述 的絕緣層在導(dǎo)體層的二側(cè)；還包括 一個插入導(dǎo)體層和絕緣層之間的包覆 層；所述包覆層與導(dǎo)體層和絕緣層兩兩之間粘合接觸，包覆層的端面與導(dǎo)體層和絕緣層的邊緣相平。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是通過采用導(dǎo)體邊緣包覆的方 式節(jié)省了空間，并能夠保證更加可靠的絕緣。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中疊層母線邊緣的第一種結(jié)構(gòu)，其中1為絕緣層，2為 導(dǎo)體層；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中疊層母線邊緣的第二種結(jié)構(gòu)，其中IO為絕緣層，20為導(dǎo)體層；圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述 由圖3可見本發(fā)明包括至少一層以上的導(dǎo)體層200、與導(dǎo)體層200相應(yīng)的絕緣層100;所述的絕緣層100在導(dǎo)體層200的二側(cè)；還包括 一個插入導(dǎo)體層200和絕緣層100之間的包覆層300;所述包覆層300與導(dǎo)體層 200和絕緣層100兩兩之間粘合接觸，包覆層300的端面301與導(dǎo)體層200 和絕緣層100的邊緣相平；所述的包覆層300是絕緣膠帶或涂層包覆。在現(xiàn)有技術(shù)中絕緣層都需要延伸出導(dǎo)體一段距離，以保證爬電。本發(fā) 明將導(dǎo)體層邊緣向內(nèi)做足夠長度的絕緣包覆，這樣就能夠保證足夠的爬電 距離，絕緣層只需同導(dǎo)體層面積相同即可，不需延伸。
權(quán)利要求
1.一種疊層母排邊緣結(jié)構(gòu)，包括至少一層以上的導(dǎo)體層(200)、與導(dǎo)體層(200)相應(yīng)的絕緣層(100)；所述的絕緣層(100)在導(dǎo)體層(200)的二側(cè)；其特征在于還包括一個插入導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)之間的包覆層(300)；所述包覆層(300)與導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)兩兩之間粘合接觸，包覆層(300)的端面(301)與導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)的邊緣相平。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層母排邊緣結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的包覆 層(300)是絕緣膠帶或涂層包覆。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種疊層母排邊緣結(jié)構(gòu)，包括至少一層以上的導(dǎo)體層(200)、與導(dǎo)體層(200)相應(yīng)的絕緣層(100)；所述的絕緣層(100)在導(dǎo)體層(200)的二側(cè)；還包括一個插入導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)之間的包覆層(300)；所述包覆層(300)與導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)兩兩之間粘合接觸，包覆層(300)的端面(301)與導(dǎo)體層(200)和絕緣層(100)的邊緣相平；本發(fā)明的有益效果是通過采用導(dǎo)體邊緣包覆的方式節(jié)省了空間，并能夠保證更加可靠的絕緣。
文檔編號H02B1/20GK101252257SQ200810033688
公開日2008年8月27日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月19日
發(fā)明者孟慶旭, 宋吉波, 康守軍, 乾 高, 莉 龔 申請人:上海新時達電氣有限公司;上海辛格林納新時達電機有限公司