專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)喂苣_多功能信號(hào)檢測(cè)方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及電子學(xué)，尤其是，形成半導(dǎo)體設(shè)備和結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
過(guò)去，可用的半導(dǎo)體組件的管腳或端子的數(shù)量常常形成設(shè)計(jì)集成電路的過(guò)程中的一種限制或設(shè)計(jì)參數(shù)。將多于一種的多個(gè)功能組合到單個(gè)端子上的能力在有效利用可用的組件端子數(shù)量中是有好處的。在1999年1月12日公布的Jefferson Hall等人的專(zhuān)利號(hào)為5,859,768的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了對(duì)多種功能使用一個(gè)端子的電路實(shí)例，在這里引入其內(nèi)容作為參考，1999年4月6日公布的Frans Pansier等人的專(zhuān)利號(hào)為5,892,355的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中也公開(kāi)了上述內(nèi)容。
在一些應(yīng)用中，表示多于一種功能或多于一種功能狀態(tài)的信號(hào)值會(huì)超過(guò)集成電路可用的最大信號(hào)值。采用這樣的信號(hào)值會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞集成電路。
因此，希望有一種不會(huì)導(dǎo)致接收信號(hào)的電路損壞而能確定信號(hào)的多個(gè)功能狀態(tài)的電路和方法。


圖1用示意示了根據(jù)本發(fā)明的、接收具有多個(gè)功能狀態(tài)的信號(hào)的電源控制器的示意性形式的部分實(shí)施例；圖2用示意示了根據(jù)本發(fā)明的、圖1的電源控制器的一些信號(hào)的部分實(shí)施例；以及圖3用示意示了根據(jù)本發(fā)明的、包括圖1的功率系統(tǒng)的半導(dǎo)體設(shè)備的放大平面圖。
具體實(shí)施例方式
為了描述的簡(jiǎn)明和清楚，不需要標(biāo)識(shí)出圖中所有的元件，并且不同圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。另外，為了說(shuō)明的簡(jiǎn)明性，省略了對(duì)公知步驟和元件的說(shuō)明和詳細(xì)介紹。這里所使用的載流電極是指著攜帶流過(guò)設(shè)備的電流的設(shè)備元件，例如MOS晶體管的源極或漏極或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)射極或集電極或者二極管的陰極或陽(yáng)極，控制電極意味著控制流過(guò)設(shè)備的電流的設(shè)備元件，例如MOS晶體管的柵極或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基極。在這里將所述設(shè)備解釋成某種N溝道或P溝道的設(shè)備，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會(huì)明白，根據(jù)本發(fā)明，其它的設(shè)備也是可以的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)明白，這里使用的“在……期間(during)、同時(shí)(while)、當(dāng)……時(shí)候(when)”等詞不是表示在發(fā)起動(dòng)作的同時(shí)立即發(fā)生動(dòng)作的精確術(shù)語(yǔ)，而是表示在由發(fā)起動(dòng)作引起的反應(yīng)之間存在一些少量的但是合理的延時(shí)。
圖1用示意示了具有電源控制器30的示意性形式的電源系統(tǒng)10的一部分實(shí)施例，所述電源控制器30接收具有表示多個(gè)功能狀態(tài)的多個(gè)信號(hào)級(jí)別的信號(hào)。
電源系統(tǒng)10通常從功率輸入端子11和功率返回端子12之間的體電壓(bulk voltage)接收功率，并在輸出16和返回17之間形成輸出電壓?？梢赃B接負(fù)載18來(lái)接收來(lái)自輸出16和返回17的輸出電壓和負(fù)載電流。端子11和12之間采用的體電壓可以是DC電壓或整流的AC電壓，例如半波整流正弦波。系統(tǒng)10通常包括例如由電源開(kāi)關(guān)控制的變壓器14等的電感，所述電源開(kāi)關(guān)例如是功率晶體管24，以便形成輸出電壓。系統(tǒng)10通常還包括反饋網(wǎng)絡(luò)，如光耦合器19和電阻器22所示，其用于提供代表輸出16和返回17之間的輸出電壓值的反饋(FB)信號(hào)。光耦合器19包括光發(fā)射器20和光電晶體管21?？梢允褂每刂破?0中的上拉電阻40來(lái)上拉耦合器19的輸出，以協(xié)助形成FB信號(hào)。所述反饋(FB)網(wǎng)絡(luò)和反饋(FB)信號(hào)是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的?？梢允褂秒娏鞲袘?yīng)電阻來(lái)形成代表流過(guò)晶體管24的電流值的電流感應(yīng)信號(hào)。在一些實(shí)施例中，可以將晶體管24包括在內(nèi)作為控制器30的一部分。
圖1所示的控制器47的示例性形式一般接收電流感應(yīng)輸入35上的電流感應(yīng)信號(hào)以及FB輸入34上的FB信號(hào)中的一個(gè)或兩個(gè)，并響應(yīng)地在輸出33上形成開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。利用所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)來(lái)控制晶體管24以及調(diào)節(jié)輸出116和返回17之間的輸出電壓值。控制器30通常從電壓輸入31和電壓返回32之間的體電壓中接收功率。通常將輸入31連接到端子11，而將返回32連接到端子12?？刂破?0一般包括PWM控制器47、內(nèi)部調(diào)節(jié)器38、參考信號(hào)生成器或參考43、多級(jí)別信號(hào)傳感器50。多級(jí)別傳感器50被配置成在輸入37上接收具有多個(gè)信號(hào)級(jí)別或者表示輸入信號(hào)的不同功能狀態(tài)的值的輸入信號(hào)。通常利用內(nèi)部調(diào)節(jié)器38來(lái)在輸出39上形成用于操作控制器30的一些元件的內(nèi)部操作電壓，所述元件例如為PWM控制器47和參考43。參考43形成用于操作包含傳感器50的控制器30的部分的參考信號(hào)。參考43在輸出44上產(chǎn)生第一參考信號(hào)或欠壓參考信號(hào)，并在輸出45上產(chǎn)生第二參考信號(hào)或過(guò)壓參考信號(hào)。PWM控制器47可被配置成任何的多個(gè)PWM控制器功能，例如電壓模式PWM控制器、電流模式PWM控制器、前沿或后沿PWM控制器、或者滯后控制器。這些PWM控制器功能是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的。2003年7月22日公布的Jefferson Hall等人的專(zhuān)利號(hào)為6,597,221的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了適合的PWM控制器的一個(gè)例子，在這里引入其內(nèi)容作為參考。
在操作期間，體電壓的值可能會(huì)小于被看成表示欠壓狀態(tài)的值，或者體電壓可能會(huì)大于被看成表示過(guò)壓狀態(tài)的值。形成輸入37上的輸入信號(hào)以代表體電壓，該輸入信號(hào)具有代表體電壓的欠壓狀態(tài)的一個(gè)值和代表體電壓的過(guò)壓狀態(tài)的另一個(gè)值。包括串聯(lián)在一起的電阻器26和27的電阻分壓器被連接在端子11和12之間，形成代表電阻器26和27之間的公共連接上的體電壓值的輸入信號(hào)。所述公共連接也被連接到輸入37?？珉娮杵?6和27的體電壓形成流過(guò)電阻器26和27的電流67。如本領(lǐng)域所公知的，可以使用電容器28來(lái)防止輸入信號(hào)的值在控制器30開(kāi)始操作的時(shí)候下降。
在優(yōu)選實(shí)施例中，傳感器50被配置成接收輸入信號(hào)并檢測(cè)代表體電壓的欠壓值和過(guò)壓值的輸入信號(hào)的值。傳感器50的這個(gè)優(yōu)選實(shí)施例包括第一比較器或過(guò)壓比較器51、第二比較器或欠壓比較器52以及偏移電路53。偏移電路53的優(yōu)選實(shí)施例包括第一晶體管58、第二晶體管59、第三晶體管60、固定電流源62和反相器55。傳感器50還被配置成檢測(cè)具有不小于第一值的值的輸入信號(hào)，以及將輸入信號(hào)的值偏移至少與不小于第一值的輸入信號(hào)的值相對(duì)應(yīng)的第一量。偏移輸入信號(hào)的值有助于傳感器50檢測(cè)可能大于會(huì)損壞控制器30的值的代表性的輸入信號(hào)的過(guò)壓值。如下面將看到的，傳感器50的優(yōu)選實(shí)施例通過(guò)形成流過(guò)電阻器26的電流68來(lái)偏移輸入信號(hào)的值。
圖2用具有用圖表圖示了控制器30的一些操作信號(hào)的曲線(xiàn)圖。橫坐標(biāo)表示體電壓的增加值，縱坐標(biāo)表示所示信號(hào)的增加值。曲線(xiàn)75圖示了體電壓的峰值。曲線(xiàn)76圖示了電流68的值。曲線(xiàn)77圖示了輸入37上的輸入信號(hào)。曲線(xiàn)78圖示了欠壓比較器52的輸出，曲線(xiàn)79圖示了過(guò)壓比較器51的輸出。圖表上的點(diǎn)V1、V2、V3和V4指的是端子11和12之間的體電壓值。
比較器52被配置成檢測(cè)具有代表體電壓的值的輸入信號(hào)，所述體電壓值不大于欠壓值，比較器51被配置成檢測(cè)具有代表體電壓的值的輸入信號(hào)，所述體電壓值不小于過(guò)壓值。比較器52將輸入信號(hào)與參考43的輸出44上的欠壓參考信號(hào)值進(jìn)行比較，并響應(yīng)于輸入信號(hào)的值形成比較器52的輸出。如果體電壓小于欠壓值，如V0和V1之間的曲線(xiàn)75所示，輸入信號(hào)的值就小于欠壓參考信號(hào)，比較器52的輸出就為高，如曲線(xiàn)78所示。輸入信號(hào)的這些值都小于反相器55的低輸入門(mén)限值，因此，反相器55的輸出為高。反相器55的高輸出使得晶體管58將晶體管59和60的柵極拉低，由此斷開(kāi)晶體管59和60。因此，對(duì)于小于反相器55的低輸入門(mén)限值的輸入信號(hào)值，傳感器50對(duì)控制器30的操作或?qū)斎胄盘?hào)沒(méi)有任何影響。
對(duì)于不小于第一值的輸入信號(hào)值，其中第一值大于典型的欠壓值，傳感器50偏移輸入信號(hào)的值并減小輸入信號(hào)的最大值。隨著體電壓值增加到超過(guò)V1處的欠壓值，輸入信號(hào)相應(yīng)地增加，如V1值后的曲線(xiàn)77所示。隨著輸入信號(hào)增加到V2點(diǎn)處的第一值，所述V2不小于反相器55的低輸入門(mén)限值，反相器55的輸出開(kāi)始轉(zhuǎn)變成低狀態(tài)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，反相器具有一個(gè)從反相器的低輸入門(mén)限值延伸到高輸入門(mén)限值的輸入轉(zhuǎn)變區(qū)域。在低于低輸入門(mén)限值的信號(hào)水平，反相器的輸出是高，在高于高輸入門(mén)限值的信號(hào)水平，反相器的輸出是低。隨著反相器的輸入信號(hào)從低輸入門(mén)限值向高輸入門(mén)限值移動(dòng)，反相器的輸出也在輸出轉(zhuǎn)變區(qū)域中從高輸出值向低輸出值變化，反之亦然。這通常被看成是反相器的轉(zhuǎn)變區(qū)域。隨著反相器55的輸入電壓移動(dòng)通過(guò)輸入轉(zhuǎn)變區(qū)域，反相器55的輸出移動(dòng)通過(guò)輸出轉(zhuǎn)變區(qū)域。作為反相器輸出移動(dòng)通過(guò)輸出轉(zhuǎn)變區(qū)域的結(jié)果，施加到晶體管58的柵極上的電壓隨著輸入37上的輸入信號(hào)值的增加而降低，由此在線(xiàn)性區(qū)域內(nèi)或三極管模式區(qū)域內(nèi)操作晶體管58，其中源極到漏極的電壓值隨著柵極到源極的電壓變化而變化。因此，隨著反相器55的輸出值移動(dòng)通過(guò)輸出轉(zhuǎn)變區(qū)域，施加到晶體管59和60的柵極上的電壓也下降，并且晶體管59和60也在線(xiàn)性或三極管模式區(qū)域中操作。隨著晶體管59和60變成導(dǎo)通的，來(lái)自源極62的一部分電流被被反射以流過(guò)晶體管59作為電流68。隨著晶體管59和60變得更加導(dǎo)通，來(lái)自源極62的更大部分的電流都被反射到電流68。因此，電流68的值隨著施加給反相器55的輸入的輸入信號(hào)的值從點(diǎn)V2處第一值或低輸入門(mén)限值增加到點(diǎn)V3處的第二值或高輸入門(mén)限值而逐漸增加。選擇反相器55的輸入級(jí)中的上晶體管和下晶體管的尺寸來(lái)建立反相器55的低輸入門(mén)限值和高輸入門(mén)限值，以及提供讓輸出具有低回轉(zhuǎn)(slew)速率的低增益。所述低回轉(zhuǎn)速率協(xié)助減少在反相器55的輸出移動(dòng)通過(guò)輸出轉(zhuǎn)換區(qū)域時(shí)輸入信號(hào)的振蕩。低輸入門(mén)限值被形成為大于參考43的輸出44上的欠壓參考信號(hào)值，高門(mén)限值被形成為小于參考43的輸出45上的過(guò)壓參考信號(hào)值。正如所見(jiàn)，反相器55的功能響應(yīng)于輸入信號(hào)的第一值可選地將例如電流68的偏移信號(hào)耦合到輸入信號(hào)。
從流過(guò)電阻器26的電流中減去電流68的值，剩下電流67流過(guò)電阻器27。因此，電流68通過(guò)減小流過(guò)電阻器27的電流67的值來(lái)偏移跨過(guò)電阻器27的電壓值。耦合電流68以流過(guò)電阻器26抵消了從體電壓的增加中產(chǎn)生的輸入信號(hào)的增加，從而，如下式偏移輸入信號(hào)的值V37＝VB-((I67+I68)*R26)其中V37＝輸入信號(hào)的值，VB＝體電壓的值，以及R26＝電阻器26的值。
在輸入信號(hào)大于反相器55的第二值或高輸入門(mén)限值后，如點(diǎn)V3處的曲線(xiàn)77所示，晶體管59和60被完全激活，并且來(lái)自源極62的電流被反射到電流68。正如所見(jiàn)，只要輸入信號(hào)大于第一值或低輸入門(mén)限值，電流68就開(kāi)始流動(dòng)并且將輸入信號(hào)偏移至少一些量。隨著輸入信號(hào)達(dá)到第二值或高輸入門(mén)限值，電流68達(dá)到最大值，并且偏移的量對(duì)于輸入信號(hào)的進(jìn)一步增加變成固定值。另外，對(duì)于第一值和第二值之間的輸入信號(hào)的值來(lái)說(shuō)，輸入信號(hào)的變化率相對(duì)于體電壓的變化率減小，因?yàn)殡娏?8的值在增加。因此，除了偏移輸入信號(hào)的值外，輸入信號(hào)的增加率相對(duì)于體電壓的增加的減少使得輸入信號(hào)以比沒(méi)有電流68時(shí)更低的速率增加。在輸入信號(hào)不小于第二值后，電流68用作偏移輸入信號(hào)的值，但是不再影響變化率。因此，對(duì)于第一值和第二值之間的輸入信號(hào)值來(lái)說(shuō)，傳感器50將輸入信號(hào)偏移一個(gè)可變的量，對(duì)于大于第二值的輸入信號(hào)值來(lái)說(shuō)，傳感器50將輸入信號(hào)偏移一個(gè)固定的量。如通過(guò)曲線(xiàn)75和77可見(jiàn)，隨著體電壓值繼續(xù)增加，輸入信號(hào)的值被偏移一個(gè)固定的量，并且最終增加到比在沒(méi)有傳感器50的功能時(shí)可能具有的最大值小的最大值。
如本領(lǐng)域所公知的，將晶體管59和60的尺寸選擇成來(lái)自源極62的用于形成電流68的電流量比值。另外，可以看出，由輸入信號(hào)的第一值表示的體電壓的值可以由電阻器26的值的正確選擇做出。在一些實(shí)施例中，電阻器27可以是控制器30的一部分。
比較器51將輸入信號(hào)與參考43的輸出45上的第二參考信號(hào)進(jìn)行比較并響應(yīng)于輸入信號(hào)形成比較器51的輸出。如果體電壓的值不小于如點(diǎn)V4處所示的過(guò)壓值并且還大一些，輸入信號(hào)的值就不小于參考43的輸出45上的第二參考信號(hào)，并且比較器51的輸出被強(qiáng)迫變高，如曲線(xiàn)79所示。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)明白，傳感器50提供的輸入信號(hào)的調(diào)整易于獨(dú)立地設(shè)置過(guò)壓值和欠壓值。因?yàn)殡娏?8流過(guò)電阻器26而不是電阻器27，可以通過(guò)選擇電阻器26的絕對(duì)值來(lái)選擇過(guò)壓值，通過(guò)選擇電阻器26和27之間的比值來(lái)選擇欠壓值，如下面的方程式給出的V4＝((V44/V45)*V1)+I68*R26V1＝((R26+R27)/R27)*V45其中V1＝體電壓的欠壓值V4＝體電壓的過(guò)壓值V44＝參考43的輸出44上的欠壓參考信號(hào)的值V45＝參考43的輸出45上的過(guò)壓參考信號(hào)的值R26＝電阻器26的值R27＝電阻器27的值，以及I68＝電流68的值。
PWM控制器47接收比較器51和52的輸出，并響應(yīng)于比較器51和52設(shè)置控制器30的欠壓和過(guò)壓操作狀態(tài)。對(duì)于為比較器51和52的輸出形成低值的體電壓值，PWM控制器47通常操作成調(diào)節(jié)輸出16和返回17之間的輸出電壓值，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的那樣。
在一個(gè)實(shí)例實(shí)施例中，形成電流源62以提供50微安的電流，并且晶體管59與晶體管60的比值是2∶5，以便電流68的最大值是20微安。參考43的輸出44上的第一參考信號(hào)值大約是2伏(2V)，輸出45上的第二參考信號(hào)值大約是3伏(3V)。反相器55的低輸入門(mén)限值大約是2.5伏，高輸入門(mén)限值大約是2.6伏。
為了實(shí)施控制器30的這項(xiàng)功能，在輸入31和返回32之間連接調(diào)節(jié)器38。將調(diào)節(jié)器38的輸出39連接到參考43的功率輸入，所述參考43是連接到返回32的功率返回。將參考43的輸出44連接到比較器52的非反相輸入，將參考43的輸出45連接到比較器51的反相輸入。將比較器51的非反相輸入共用地連接到比較器52的反相輸入、輸入37、反相器55的輸入和晶體管59的漏極。將比較器51的輸出連接到控制器47的第一輸入，將比較器52的輸出連接到控制器47的第二輸入。將控制器47的輸出連接到輸出33。將反相器55的輸出連接到晶體管58的柵極。將晶體管58的源極共用地連接到返回32和晶體管59和60的源極。將晶體管58的漏極共用地連接到晶體管59和60的柵極、晶體管62的漏極和電流源62的第一端子。將電流源62的第二端子連接到輸出39。
圖3用示意示了在半導(dǎo)體管芯86上形成的半導(dǎo)體設(shè)備85的一部分實(shí)施例的放大平面圖。傳感器50形成在管芯86上。管芯86還可包括控制器30和為了附圖的簡(jiǎn)明在圖中未示出的其它電路。傳感器50和設(shè)備85都是通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的半導(dǎo)體制造技術(shù)形成在管芯86上。管芯86通常被組裝在半導(dǎo)體封裝(未示出)中。使用一個(gè)輸入端子來(lái)感測(cè)或檢測(cè)輸入信號(hào)的多個(gè)狀態(tài)可有效地利用半導(dǎo)體封裝的端子。
考慮到上述所有的內(nèi)容，很明顯公開(kāi)了一種新的設(shè)備和方法。隨了其它的特征，包含在內(nèi)的是形成能夠檢測(cè)單個(gè)輸入信號(hào)的值的傳感器，所述單個(gè)輸入信號(hào)表示系統(tǒng)的多個(gè)功能狀態(tài)。將傳感器配置成對(duì)于大于第一值的值而偏移輸入信號(hào)的值，這樣易于使用傳感器檢測(cè)可能超過(guò)傳感器額定的最大電壓的信號(hào)值。
盡管本發(fā)明是用特定的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的，但是很明顯，許多替換方式和變換對(duì)于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。圖1所示的示意性實(shí)施例接收具有代表兩種功能狀態(tài)的兩個(gè)級(jí)別的輸入信號(hào)，盡管傳感器50可以擴(kuò)展成檢測(cè)多于兩個(gè)級(jí)別或狀態(tài)，例如通過(guò)使用另一個(gè)象電流源62一樣在輸入信號(hào)的不同值上增加電流的電流源，以及另一個(gè)比較器來(lái)檢測(cè)所述值。除了圖1中所示的優(yōu)選實(shí)施例外，可以用各種其它的實(shí)施方式來(lái)配置傳感器50，只要對(duì)于不小于第一值的輸入信號(hào)的值，將輸入信號(hào)的值偏移至少第一量。例如，可以將反相器55替換成運(yùn)算放大器。同樣，可以將電路53替換成各種其它的實(shí)施方式，只要該實(shí)施方式檢測(cè)第一值并形成要偏移輸入信號(hào)的信號(hào)。例如，可以將電路53替換成滯后比較器以及將偏移的電壓源耦合到輸入37的第一參考信號(hào)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解的那樣，使用系統(tǒng)10和控制器30的示意性形式作為解釋檢測(cè)多個(gè)級(jí)別的操作方法以及解釋傳感器50的優(yōu)選實(shí)施例的手段。傳感器50不一定是控制器30等電源控制器的一部分，其可以用在需要在一個(gè)端子上檢測(cè)信號(hào)的多個(gè)級(jí)別的應(yīng)用中。盡管是在反饋電源系統(tǒng)應(yīng)用中描述控制器30的，但是控制器30可用在各種其它的公知類(lèi)型的電源系統(tǒng)中。另外，為了說(shuō)明的清楚性，全文中使用了“連接(connected)”一詞，但是，它應(yīng)該具有和“耦合(coupled)”一詞相同的含義。因此，“連接(connected)”一詞應(yīng)該解釋成包括直接連接或間接連接。
權(quán)利要求
1.一種多級(jí)別信號(hào)傳感器，包括輸入端，被耦合以接收具有多個(gè)信號(hào)級(jí)別的輸入信號(hào)；以及傳感器，被耦合以接收所述輸入信號(hào)，并且對(duì)于不小于第一值的輸入信號(hào)的值，偏移所述輸入信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)傳感器，其中所述傳感器被耦合以檢測(cè)小于第一值的輸入信號(hào)的第二值，以及檢測(cè)大于第一值的輸入信號(hào)的第三個(gè)值。
3.如權(quán)利要求2所述的信號(hào)傳感器，其中所述傳感器是電源控制器的一部分，第二值代表輸入到電源控制器的電壓的欠壓狀態(tài)，第三個(gè)值代表輸入電壓的過(guò)壓狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述信號(hào)傳感器，其中所述傳感器包括可操作地耦合以接收所述輸入信號(hào)并且將電流耦合到輸入信號(hào)的反相器，以及被耦合以接收來(lái)自反相器的輸出信號(hào)并且控制第二晶體管以便將電流耦合到輸入信號(hào)的第一晶體管。
5.一種形成多級(jí)別傳感器的方法，包括將多級(jí)別傳感器配置成接收具有多個(gè)級(jí)別的信號(hào)；以及將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于不小于信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將信號(hào)值偏移第一量。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于不小于信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將信號(hào)值偏移第一量的步驟包括將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于在信號(hào)的第一值和第二值之間的信號(hào)值，把信號(hào)值偏移一個(gè)可變的量，其中第二值小于第一值。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于不小于信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將信號(hào)值偏移第一量的步驟包括對(duì)于不小于信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將多級(jí)別傳感器配置成把信號(hào)值偏移一個(gè)固定的量。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于不小于信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將信號(hào)值偏移第一量的步驟包括將多級(jí)別傳感器配置成形成偏移電流以便對(duì)信號(hào)值進(jìn)行偏移。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，其中將多級(jí)別傳感器配置成對(duì)于不小于所述信號(hào)的第一值的信號(hào)值，將信號(hào)值偏移第一量的步驟包括將多級(jí)別傳感器配置成耦合以形成第一電流，并且響應(yīng)于所述信號(hào)的第一值將代表第一電流的第二電流耦合到所述信號(hào)。
10.一種電源控制方法，包括形成具有代表電源控制器的第一操作狀態(tài)的第一值和代表電源控制器的第二狀態(tài)的第二值的輸入信號(hào)；以及對(duì)于大于第三值的輸入信號(hào)值，偏移所述輸入信號(hào)，所述第三值大于第一值且小于第二值。
全文摘要
本發(fā)明涉及單管腳多功能信號(hào)檢測(cè)方法及其結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，將多功能信號(hào)傳感器配置成接收具有多個(gè)狀態(tài)的信號(hào)，以及對(duì)于大于第一值的輸入信號(hào)值，將輸入信號(hào)偏移第一量。
文檔編號(hào)H02M3/335GK1897429SQ20061010620
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者盛森鵬, 娟·卡羅斯·帕斯特拉納 申請(qǐng)人:半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司