專利名稱：反射鏡裝置的電機(jī)控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及車輛的電動(dòng)門鏡裝置中使用的反射鏡裝置的電機(jī)控制電路。
背景技術(shù)：
在設(shè)置于車輛中的門板的對(duì)應(yīng)于駕駛員座位或乘客座位的側(cè)面的后視鏡中，有一個(gè)電動(dòng)門鏡裝置，在這種電動(dòng)門鏡裝置中可以通過電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力折疊和收藏門鏡，從而反射鏡面對(duì)車輛內(nèi)部的寬度方向。
這種類型的電動(dòng)門鏡裝置一般設(shè)置有一個(gè)安裝在車輛中靠近駕駛員座位附近的折疊/展開開關(guān)。電力經(jīng)過開關(guān)和電機(jī)控制電路從車輛的蓄電池提供到折疊/展開電機(jī)(見日本專利申請(qǐng)未審查公開(JP-A)8-142756)。
在電動(dòng)門鏡裝置中，適當(dāng)?shù)貥?gòu)造控制電路使在門鏡轉(zhuǎn)動(dòng)到一個(gè)固定展開位置和一個(gè)固定折疊位置時(shí)停止電機(jī)。作為這種控制電路的一個(gè)例子，有一種檢測(cè)施加到電機(jī)的負(fù)載，并且當(dāng)一個(gè)預(yù)定值的負(fù)載或大于這個(gè)預(yù)定值的負(fù)載施加到電機(jī)時(shí)，切斷流到電機(jī)的電流的構(gòu)造。
也就是說，反射鏡轉(zhuǎn)動(dòng)到展開位置或折疊位置，其進(jìn)一步的轉(zhuǎn)動(dòng)受到限制。從而，當(dāng)反射鏡鎖定時(shí)，一個(gè)大于通常的啟動(dòng)電流的鎖定電流流向電機(jī)?？刂齐娐肪哂性阪i定電流流到電機(jī)時(shí)切斷流向電機(jī)的電流的構(gòu)造。
盡管將一個(gè)延遲電路用于檢測(cè)鎖定電流和切斷流向電機(jī)的電流的這種構(gòu)造的控制電路，但是延遲電路通常的缺點(diǎn)在于，電路規(guī)模大，并且電路構(gòu)造復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述事實(shí)，本發(fā)明的目的是要獲得一種具有簡(jiǎn)單構(gòu)造的能夠?qū)⒎瓷溏R可靠地停止在預(yù)定位置的反射鏡裝置電機(jī)控制電路。
本發(fā)明是一種用于反射鏡裝置的控制電路，其通過電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力在預(yù)定的方向上改變連接到車輛的反射鏡的位置，并且控制提供到電機(jī)的電力，該控制電路包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管，其中當(dāng)晶體管的第一接線端連接到電源，第二接線端連接到電機(jī)，并且一個(gè)等于或大于一個(gè)預(yù)定值的電壓施加到與第一和第二接線端不同的第三接線端時(shí)，電流從第一接線端流向第二接線端，并且釋放施加的電壓，從而阻塞了電流；和一個(gè)開關(guān)晶體管，其中一個(gè)第四接線端連接在電源與第三接線端之間，一個(gè)第五接線端接地，和包括一個(gè)在與第二接線端相反的一側(cè)連接到電機(jī)的第六接線端，并且將一個(gè)等于或大于一個(gè)規(guī)定值的、對(duì)應(yīng)于流過電機(jī)的鎖定電流的電壓施加到第六接線端，從而將第四接線端和第五接線端切換到導(dǎo)通狀態(tài)，使施加到第三接線端的電壓小于預(yù)定值。
在上述構(gòu)造的反射鏡裝置電機(jī)控制電路中，驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管安插在電機(jī)和電源之間。等于或大于預(yù)定值的電壓施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端，從而使第一接線端與第二接線端之間處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流流向電機(jī)，并且驅(qū)動(dòng)電機(jī)。電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力改變反射鏡的位置。例如，如果電機(jī)是一個(gè)用于收藏和展開反射鏡的電機(jī)，那么電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力使反射鏡的位置從收藏位置改變到展開位置，或從展開位置改變到收藏位置。
此外，如上所述，驅(qū)動(dòng)電機(jī)并且使反射鏡的位置改變到展開位置或收藏位置，從而，當(dāng)限位器或類似裝置控制反射鏡位置的進(jìn)一步改變時(shí)，即使有驅(qū)動(dòng)電流流到電機(jī)，電機(jī)的輸出軸也不轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，鎖定電流流到電機(jī)，并且使流向電機(jī)的電流值升高。
開關(guān)晶體管的第六接線端連接在與電機(jī)的第二接線端的相反的一側(cè)，并且將對(duì)應(yīng)于流過電機(jī)的電流的電壓施加到第六接線端。此時(shí)，如上所述，當(dāng)鎖定電流流過，并且施加到第六接線端的電壓成為等于或大于預(yù)定值時(shí)，使開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端置于導(dǎo)通狀態(tài)。
開關(guān)晶體管的第四接線端連接在電源和驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端之間，并且第五接線端接地。因此，當(dāng)使開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，使得流到第三接線端的電流的一部分或全部經(jīng)過開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端接地，并且使施加到第三接線端的電壓低于預(yù)定值。因此，將驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管切換到OFF狀態(tài)，并且切斷了對(duì)于電機(jī)的電流。
以這種方式，本發(fā)明具有一種根據(jù)流到電機(jī)的鎖定電流停止電機(jī)的構(gòu)造。因此，利用可以利用一種簡(jiǎn)單的構(gòu)造使電路小型化，并且與利用一個(gè)延遲電路在電機(jī)鎖定位置上切斷流到電機(jī)的電流的構(gòu)造相比，也可以降低成本。
此外，本發(fā)明具有一種根據(jù)流到電機(jī)的鎖定電流停止電機(jī)的構(gòu)造。因此，當(dāng)把本發(fā)明用于控制收藏和展開反射鏡的電機(jī)時(shí)，可以基本上不用改變電路設(shè)計(jì)地將本發(fā)明應(yīng)用到從收藏位置到展開位置的位移量不同的反射鏡。
應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明中，驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管和開關(guān)晶體管可以是包括場(chǎng)效應(yīng)管在內(nèi)的任何結(jié)構(gòu)的晶體管。此外，在本發(fā)明中，將驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管和開關(guān)晶體管中的各個(gè)接線端稱為第一至第六接線端。這是因?yàn)椋M管在普通晶體管中將這些接線端叫做基極接線端、集電極接線端、和發(fā)射極接線端，而在場(chǎng)效應(yīng)管中將這些接線端稱為漏極接線端、柵極接線端、和源極接線端。在本發(fā)明中，第一至第六接線端不限于具有這些專用名稱的接線端。
本發(fā)明也可以帶有變換施加到第六接線端的電壓波形、降低一個(gè)低于一個(gè)等于或大于輸入規(guī)定值的實(shí)際上脈沖式電壓的最大值的輸出電壓的最大值、并且將最大值輸入到第六接線端的波形變換元件。
在上述構(gòu)造的反射鏡裝置電機(jī)控制電路中，當(dāng)緊接著電機(jī)啟動(dòng)開始之后，諸如浪涌電流之類的脈沖式臨時(shí)電流流到電路時(shí)，從這種電流產(chǎn)生的電壓施加到開關(guān)晶體管的第六接線端。但是，在本發(fā)明中，不是將這個(gè)電壓直接施加到第六接線端；而是在把它施加到第六接線端之前，經(jīng)過波形變換元件變換電壓的波形。
由于這種波形的變換，電壓降低到低于規(guī)定值，即，低于使第四接線端和第五接線端導(dǎo)通所需的電流值，并且輸出該電壓。因此，可以在電機(jī)驅(qū)動(dòng)開始時(shí)或緊接電機(jī)驅(qū)動(dòng)開始之后，將一個(gè)等于或大于預(yù)定值的電壓，即，等于或大于使第一接線端和第二接線端導(dǎo)通所需的電流值，施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端。
本發(fā)明也可以帶有一個(gè)補(bǔ)償元件，這個(gè)補(bǔ)償元件在等于或大于規(guī)定值的脈沖式電壓施加到第六接線端的狀態(tài)下，根據(jù)一個(gè)對(duì)應(yīng)于脈沖式電壓的電流，隨時(shí)間的過去降低等于或大于預(yù)定值的電壓。
在上述構(gòu)造的反射鏡裝置電機(jī)控制電路中，當(dāng)緊接著電機(jī)啟動(dòng)開始之后，諸如浪涌電流之類的臨時(shí)脈沖式電流流到電路時(shí)，從這種電流產(chǎn)生的電壓施加到開關(guān)晶體管的第六接線端。
因此，只要這個(gè)電壓等于或大于規(guī)定值，那么開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端就導(dǎo)通，并且施加的驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端的電流值降低到預(yù)定值以下。
在這里，在本發(fā)明中，如上所述，當(dāng)臨時(shí)脈沖式電流流到電路時(shí)，補(bǔ)償元件將對(duì)應(yīng)于這個(gè)脈沖式電流的電壓施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端。因此，臨時(shí)脈沖式電流流到電路，并且可以在開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端之間導(dǎo)通的時(shí)間內(nèi)保證驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第一接線端與第二接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)。因此可以可靠地驅(qū)動(dòng)電機(jī)。
由于補(bǔ)償元件將電壓施加到第三接線端，同時(shí)隨時(shí)間的過去降低電壓，所以，即使補(bǔ)償元件開始施加對(duì)應(yīng)于第三接線端的電壓，在一個(gè)設(shè)定的時(shí)間周期過去之后，補(bǔ)償元件施加到第三接線端的電壓也會(huì)降低到預(yù)定值以下。因此，可以在開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端導(dǎo)通狀態(tài)下，在一個(gè)長的時(shí)間周期中防止等于或大于預(yù)定值的電壓施加到第三接線端。
本發(fā)明也可以帶有一個(gè)旁路元件，在對(duì)應(yīng)于等于或大于規(guī)定值的脈沖式電流的電壓隨時(shí)間的過去降低的情況下，旁路元件切換到ON狀態(tài)，并且在脈沖式電流發(fā)送到第三接線端之前，將流向第三接線端的脈沖式電流接地。
在上述構(gòu)造的反射鏡裝置電機(jī)控制電路中，當(dāng)緊接著電機(jī)啟動(dòng)開始之后，諸如浪涌電流之類的臨時(shí)脈沖式電流流到電路時(shí)，從這種電流產(chǎn)生的電壓施加到開關(guān)晶體管的第六接線端。
因此，只要這個(gè)電壓等于或大于規(guī)定值，開關(guān)晶體管的第四接線端和第五接線端就導(dǎo)通，并且施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端的電流值降低到預(yù)定值以下。
在這里，在本發(fā)明中，如上所述，當(dāng)臨時(shí)脈沖式電流流到電路時(shí)，對(duì)應(yīng)著這個(gè)電流的電壓施加到旁路元件，從而將旁路元件切換到ON狀態(tài)。在旁路元件的ON狀態(tài)，在流向第六接線端的電流到達(dá)第六接線端之前，將它接地。因此，即使有臨時(shí)脈沖式電流流動(dòng)，也可以可靠地啟動(dòng)電機(jī)，而無需開關(guān)晶體管的第四和第五接線端成為導(dǎo)通狀態(tài)。
此外，由于施加到旁路元件的電壓隨時(shí)間的過去降低，在設(shè)定的時(shí)間周期過去之后，旁路元件切換的OFF狀態(tài)。因此，可以把對(duì)應(yīng)于鎖定電流的電壓施加到第六接線端。
本發(fā)明也可以帶有一個(gè)存儲(chǔ)由于流到第三接線端而產(chǎn)生的電荷，并且根據(jù)存儲(chǔ)的電荷量減小流到第三接線端的電流的存儲(chǔ)元件。
在上述構(gòu)造的反射鏡裝置電機(jī)控制電路中，當(dāng)?shù)扔诨虼笥陬A(yù)定值的電流流到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端時(shí)，電荷存儲(chǔ)到連接于第三接線端的存儲(chǔ)元件中。此外，當(dāng)由于電流繼續(xù)流到第三接線端而使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件中的電荷增加時(shí)，流向第三接線端的電流根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件中的電荷量減小。因此，最終使施加到第三接線端電壓降低到預(yù)定值以下，釋放第一接線端與第二接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，切斷流向電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電流，并且使電機(jī)停止。
在這里，在從第一接線端和第二接線端之間被置于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間直到導(dǎo)通狀態(tài)釋放時(shí)的時(shí)間周期中存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)的電荷量取決于第三接線端被置于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間。因此，電機(jī)基本上僅在第一接線端和第二接線端置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)間周期中被驅(qū)動(dòng)，并且僅把門鏡的位置改變規(guī)定的量。
以這種方式，在本發(fā)明中，由于在等于或大于設(shè)定的時(shí)間周期中電機(jī)不被驅(qū)動(dòng)，所以，即使在等于或大于設(shè)定時(shí)間周期的時(shí)間量過去的情況下，等于或大于規(guī)定值的電壓沒有施加到開關(guān)晶體管的第六接線端時(shí)，也能可靠地停止電機(jī)。
如上所述，有關(guān)本發(fā)明的反射鏡裝置電機(jī)控制電路可以利用簡(jiǎn)單的構(gòu)造使構(gòu)造小型化，并且可以可靠地將反射鏡停止在預(yù)定位置。


圖1是有關(guān)本發(fā)明的第一實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖；圖2是在鎖定電流流動(dòng)的狀態(tài)下的對(duì)應(yīng)于圖1的電路圖；圖3是顯示施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端和開關(guān)晶體管的第六接線端中的每個(gè)的電壓的波形的時(shí)序圖；圖4是一個(gè)反射鏡裝置的透視圖；圖5是有關(guān)本發(fā)明的第二實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖；圖6是顯示施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端和開關(guān)晶體管的第六接線端中的每個(gè)的電壓的波形的時(shí)序圖；圖7是有關(guān)本發(fā)明的第三實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖；圖8是顯示施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端和開關(guān)晶體管的第六接線端中的每個(gè)的電壓的波形的時(shí)序圖；圖9是有關(guān)本發(fā)明的第四實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖；圖10是有關(guān)本發(fā)明的第五實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖；圖11是顯示施加到驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管的第三接線端和開關(guān)晶體管的第六接線端中的每個(gè)的電壓的波形的時(shí)序圖；和圖12是有關(guān)本發(fā)明的第六實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例的構(gòu)造在圖1中，通過一個(gè)電路示了有關(guān)本發(fā)明的第一實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路10(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路10”)的構(gòu)造。
如電路圖中所示，本控制電路10帶有一個(gè)開關(guān)部分12和一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制部分14。開關(guān)部分12帶有一對(duì)開關(guān)16和18。開關(guān)16具有三個(gè)接線端16A，16B和16C，并且構(gòu)造為使接線端16A與接線端16B之間和接線端16A與接線端16C之間中的一個(gè)被置于導(dǎo)通狀態(tài)，而另一個(gè)被置于斷開狀態(tài)。
開關(guān)18同樣地帶有三個(gè)接線端18A，18B和18C，并且構(gòu)造為使接線端18A與18B之間和接線端18A與18C之間中的一個(gè)被置于導(dǎo)通狀態(tài)，而另一個(gè)被置于斷開狀態(tài)。但是，雖然開關(guān)16的接線端16A連接到安裝在車輛中的蓄電池的正極，但是開關(guān)18的接線端18A接地。此外，在開關(guān)16和18中，接線端16B連接到接線端18C，并且接線端16C連接到接線端18B。
此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定開關(guān)16和18，以便能夠相互配合。當(dāng)開關(guān)16使接線端16A和接線端16B連接時(shí)，開關(guān)18使接線端18A和接線端18B連接，并且當(dāng)開關(guān)16使接線端16A和接線端16C連接時(shí)，開關(guān)18使接線端18A和接線端18C連接。
驅(qū)動(dòng)控制部分14具有一個(gè)電機(jī)20，和一對(duì)分別用作驅(qū)動(dòng)控制晶體管的n-溝道場(chǎng)效應(yīng)管22和24(以下簡(jiǎn)稱為“MOSFET 22和24”)。電機(jī)20容納在圖4中所示的用作反射鏡的門鏡26的內(nèi)側(cè)。輸出軸直接或間接機(jī)械的連接到一個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)支撐的支撐軸27，利用車輛的大體的垂直方向作為軸向，門鏡26繞這個(gè)軸轉(zhuǎn)動(dòng)。由于輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使得門鏡26向展開方向(圖4中箭頭Y1方向)或收藏方向(圖4中箭頭Y2方向)轉(zhuǎn)動(dòng)。
電機(jī)20的一個(gè)接線端連接到用作MOSFET 22的第二接線端的漏極接線端。在MOSFET 22中，用作第一接線端的源極接線端連接到開關(guān)16的接線端16B和開關(guān)18的接線端18C。此外，電機(jī)20的另一個(gè)接線端連接到用作MOSFET24的第二接線端的漏極接線端。在MOSFET 24中，用作第一接線端的源極接線端連接到開關(guān)16的接線端16C和開關(guān)18的接線端18B。
驅(qū)動(dòng)控制部分14也帶有一個(gè)電阻器28。電阻器28的一端連接到開關(guān)16的接線端16B和開關(guān)18的接線端18C與MOSFET 22的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)30。電阻器28的另一端連接到電阻器34的一端。此外，電阻器34的另一端連接到MOSFET 24的源極接線端和開關(guān)18的接線端18B以及開關(guān)16的接線端16C之間的一個(gè)接觸點(diǎn)36。
電阻器28的另一端也連接到一個(gè)電阻器38的一個(gè)接線端。電阻器38的另一端連接到用作MOSFET 22的第三接線端的柵極接線端。此外，電阻器28的另一端連接到在電阻器28的另一端與電阻器34的一端之間的一個(gè)電阻器40的一端。電阻器40的另一端連接到用作MOSFET 24的第三接線端的柵極接線端。
此外，驅(qū)動(dòng)控制部分14具有一對(duì)分別用作開關(guān)晶體管的NPN晶體管42和44。在晶體管42中，一個(gè)用作第五接線端的發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)30與MOSFET 22的源極接線端之間的接觸點(diǎn)46，并且用作第四接線端的集電極接線端連接到電阻器38與MOSFET 22的柵極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)48。在晶體管44中，一個(gè)用作第五接線端的發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)36與MOSFET24的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)50，并且一個(gè)用作第四接線端的集電極接線端連接到電阻器40與MOSFET 24的柵極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)52。
構(gòu)成波形變換元件的一個(gè)電容器56的一端連接到接觸點(diǎn)46與MOSFET 22的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)54。電容器56的另一端經(jīng)過與電容器56一起構(gòu)成一個(gè)波形變換元件的電阻器58連接到電機(jī)20的一個(gè)接線端，并且用作晶體管42的第六接線端的基極接線端連接到電容器56與電阻器58之間的一個(gè)接觸點(diǎn)60。
此外，一個(gè)構(gòu)成一個(gè)波形變換元件的電容器64的一端連接到接觸點(diǎn)50與MOSFET 24的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)62。電容器64的另一端經(jīng)過與電容器64一起構(gòu)成一個(gè)波形變換元件的電阻器66連接到電機(jī)20的另一接線端，并且一個(gè)用作晶體管44的第六接線端的基極接線端連接到電容器64與電阻器66之間的一個(gè)接觸點(diǎn)68。
驅(qū)動(dòng)控制部分14也帶有齊納二極管70和72。齊納二極管70的一端連接到接觸點(diǎn)54與MOSFET 22的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)74，齊納二極管70的另一端連接到接觸點(diǎn)48與MOSFET 22的柵極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)76。
在齊納二極管70中，通常電流可以從一端流到另一端，但是，電流不能在相反的方向流動(dòng)。但是，僅當(dāng)一個(gè)預(yù)定大小或更大的電壓施加到齊納二極管70的另一端時(shí)，齊納效應(yīng)使一個(gè)大電流從另一端流到一端。
齊納二極管72的一端連接到接觸點(diǎn)62與MOSFET 24的源極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)78，并且齊納二極管72的另一端連接到接觸點(diǎn)52與MOSFET 24的柵極接線端之間的一個(gè)接觸點(diǎn)80。在齊納二極管72中，也和齊納二極管70一樣，通常電流可以從一端流到另一端，但是電流不能反向流動(dòng)。但是，僅當(dāng)一個(gè)預(yù)定大小或更大的電壓施加到齊納二極管72的另一端時(shí)，齊納效應(yīng)使得一個(gè)大電流從另一端流到一端。
第一實(shí)施例的作用和效果以下說明本實(shí)施例的作用和效果。
如圖1中所示，在本控制電路10中，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A和接線端16B連接在一起時(shí)，開關(guān)18的接線端18A和18B隨之連接在一起，從而使電流A1從接線端16A經(jīng)過電阻器28和34流到接線端18B。
此外，與此同時(shí)，對(duì)應(yīng)于電阻器34兩端電壓的電流A2流到電阻器40，并且把對(duì)應(yīng)于電阻器34兩端電壓的電壓Vg施加到MOSFET 24的柵極接線端。當(dāng)電壓Vg大于一個(gè)預(yù)定值Vg1時(shí)，MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間切換到ON狀態(tài)，并且電流可以從漏極接線端流到源極接線端。
此時(shí)，電流A3從電阻器28流到電阻器38，并且將對(duì)應(yīng)于電阻器28的兩端電壓的電壓施加到MOSFET 22的柵極接線端。因此，盡管MOSFET 22的漏極接線端與源極接線端之間切換到ON狀態(tài)，并且使電流能夠從漏極接線端流到源極接線端，但是在MOSFET 22中，寄生二極管效應(yīng)使電流能夠從源極接線端流到漏極接線端。
因此，驅(qū)動(dòng)電流A4流到電機(jī)20，驅(qū)動(dòng)了電機(jī)20，并且這個(gè)驅(qū)動(dòng)力使門鏡26向收藏方向(圖4中箭頭Y2的方向)轉(zhuǎn)動(dòng)。
在這種狀態(tài)下，門鏡26到達(dá)收藏位置，并且限位器構(gòu)件和車體限制門鏡26的轉(zhuǎn)動(dòng)，從而迫使門鏡26停止轉(zhuǎn)動(dòng)。以這種方式，當(dāng)在門鏡26被迫停止轉(zhuǎn)動(dòng)的狀態(tài)下給電機(jī)20通電時(shí)，電機(jī)20被鎖定并且鎖定電流流動(dòng)。如圖3的時(shí)序圖中所示，當(dāng)電機(jī)20在從電機(jī)20啟動(dòng)開始時(shí)間T0經(jīng)過了一個(gè)預(yù)定時(shí)間周期T3之后被鎖定時(shí)，鎖定電流逐漸增大，并且施加到電機(jī)20的電壓隨之升高。
如圖2中所示，流過電機(jī)20的電流A4的一部分成為電流A5，并且流到電阻器66，將對(duì)應(yīng)于電流A5的電壓Vb施加到晶體管44的基極接線端。從而，鎖定電流也同樣流到電阻器66，并且將對(duì)應(yīng)于鎖定電流的電壓Vb施加到晶體管44的基極接線端。
如上所述，如圖3的時(shí)序圖中所示，由于鎖定電流逐漸增大，經(jīng)過了一個(gè)預(yù)定的時(shí)間周期T4，并且電壓Vb也伴隨著電壓Vr的增大而升高。此外，當(dāng)鎖定電流達(dá)到一個(gè)規(guī)定大小從而使電壓Vr達(dá)到對(duì)應(yīng)著這個(gè)電流的電壓Vrm時(shí)，電壓Vb達(dá)到一個(gè)規(guī)定的值Vbm，從而使晶體管44的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間導(dǎo)通。
以這種方式，由于晶體管44集電極接線端與發(fā)射極接線端之間導(dǎo)通，如圖2中所示，流到MOSFET 24的柵極接線端的電流A2到此時(shí)成為電流A6并且經(jīng)過晶體管44的集電極接線端和發(fā)射極接線端接地。因此，使流到MOSFET 24的電流A2減小或消除，并且使施加到MOSFET 24的柵極接線端的電壓Vg低于預(yù)定值Vg1。因此，使MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間斷開，并且使對(duì)電機(jī)20的電流供應(yīng)切斷。
如上所述，在本控制電路10中，對(duì)應(yīng)于流到電機(jī)20的預(yù)定值的或更大的鎖定電流的電壓Vbm施加到晶體管44的基極接線端，從而可以把對(duì)電機(jī)20的電流供應(yīng)切斷。此外，由于可以把晶體管44布置在與布置有MOSFET 24等電路板相同的電路板上，因而可以取得總體尺寸的小型化，并且成本也可以比帶有延遲電路的構(gòu)造降低。
緊接著在開關(guān)16的接線端16A與接線端16B以及開關(guān)18的接線端18A與接線端18B連接之后，大于電機(jī)20的普通驅(qū)動(dòng)電流的脈沖式浪涌電流流動(dòng)。因此，如圖3的時(shí)序圖中所示，施加到電機(jī)20的電壓Vr也成為大于普通驅(qū)動(dòng)時(shí)間(即，在過去了預(yù)定的時(shí)間周期T1之后)的電壓，直到從電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)開始時(shí)間T0過去預(yù)定的時(shí)間周期T1。
自然，在浪涌電流流過電機(jī)20之后，浪涌電流流過電阻器66，和流向電容器64和晶體管44的基極接線端，并且將對(duì)應(yīng)著浪涌電流的大小的電壓Vb施加到晶體管44的基極接線端。
只要對(duì)應(yīng)于浪涌電流的電壓Vb的大小等于或大于規(guī)定值Vbm，晶體管44的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間就處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在這種狀態(tài)下，施加到MOSFET 24的柵極接線端的電壓Vg不會(huì)等于或大于預(yù)定值Vg1，并且MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間斷開。
在本控制電路10中，電阻器66和電容器64構(gòu)成了一個(gè)“積分電路(延遲電路)”。因此，當(dāng)脈沖式浪涌電流流過時(shí)，將施加到晶體管44的基極接線端的電壓Vb的波形變換。即，將電壓Vb的波形從脈沖改變到一種伴隨著時(shí)間過去逐漸增加的波形。
因此，即使浪涌電流流到本控制電路10，施加到晶體管44的基極接線端的電壓Vb的最大值Vb1也不會(huì)達(dá)到規(guī)定值Vbm。此外，由于在浪涌電流達(dá)到一個(gè)脈沖的峰值之后，電流值迅速減小，所以在從浪涌電流流動(dòng)之后直到預(yù)定的時(shí)間周期T1過去的時(shí)間周期中，從浪涌電流產(chǎn)生的電壓Vb的最大值Vb1不會(huì)達(dá)到規(guī)定值Vbm。
因此，在本控制電路10中，即使有浪涌電流流動(dòng)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)開始之時(shí)以及緊接其之后，施加到晶體管44的基極接線端的電壓Vb也不會(huì)在晶體管44的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間傳導(dǎo)。因此，可以將電流A2可靠地導(dǎo)向MOSFET 24的柵極接線端方向，并且可以將對(duì)應(yīng)于電流A2的電壓Vg可靠地施加到MOSFET 24的柵極接線端，和能夠可靠地取得MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)20。
如圖1中所示，在本控制電路10中，開關(guān)16一側(cè)(圖1中以電機(jī)20作為邊界的上半部分)與開關(guān)18一側(cè)(圖1中以電機(jī)20作為邊界的下半部分)之間的電路構(gòu)造是關(guān)于電機(jī)20對(duì)稱的。因此，當(dāng)把開關(guān)16的接線端16A與接線端16C連接并且把開關(guān)18的接線端18A與接線端18C連接時(shí)，晶體管42、電阻器58、和電容器56提供了與晶體管44、電阻器66、和電容器64相同的作用。因此，即使當(dāng)把門鏡26從收藏位置展開時(shí)，也能獲得相同的效果。
第二實(shí)施例接下來說明本發(fā)明的其它實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，為了說明以下的實(shí)施例，與要說明的實(shí)施例之前的實(shí)施例——包括第一實(shí)施例——相同的部分給予了相同的參考號(hào)，并且省略了它們的說明。
在圖5中，示出了一個(gè)有關(guān)本發(fā)明的第二實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路90(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路90”)的電路圖。
如圖所示，本控制電路90的驅(qū)動(dòng)控制部分91帶有一個(gè)用作存儲(chǔ)接線端的電容器92。電容器92的一端連接在電阻器28和電阻器38之間，并且電容器92的另一端連接在電阻器34和電阻器40之間。
由于帶有電容器92的本控制電路90，除了電容器92之外與有關(guān)第一實(shí)施例的控制電路10相同，因而控制電路10提供了與第一實(shí)施例基本相同的作用，并且可以獲得相同的效果。
但是，通過在本控制電路10布置電容器92，由于當(dāng)開關(guān)16的接線端16A和接線端16B連接時(shí)開關(guān)18的接線端18A和接線端18B連接在一起，因而當(dāng)電流A1流過時(shí)電荷存儲(chǔ)在電容器92中。
如圖5中所示，MOSFET 24的柵極接線端經(jīng)過電阻器40連接到電容器92，從而流到MOSFET 24柵極接線端的電流的電流值根據(jù)電容器92存儲(chǔ)的電荷逐漸減小。因此，如圖6的時(shí)序圖所示，作用在MOSFET 24的柵極接線端上的電壓Vg隨時(shí)間的過去而逐漸降低。
因此，當(dāng)預(yù)定的時(shí)間周期——即，門鏡26轉(zhuǎn)動(dòng)直到收藏位置的時(shí)間周期——過去，并且電壓Vg成為等于或小于預(yù)定值Vg1時(shí)，MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)被釋放。因此，在這種狀態(tài)下，迫使對(duì)電機(jī)20的傳導(dǎo)切斷，電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)停止，并且門鏡26在收藏位置停止轉(zhuǎn)動(dòng)。
以這種方式，在本控制電路90中，由于不僅在鎖定電流達(dá)到或大于預(yù)定值時(shí)迫使電機(jī)20停止，而且由于預(yù)定的時(shí)間周期過去也迫使電機(jī)20停止，從而可以防止由于鎖定電流長時(shí)間地作用在電機(jī)20和MOSFET 22和24上造成的缺陷。
第三實(shí)施例的構(gòu)造接下來說明本發(fā)明的第三實(shí)施例。
在圖7中，用一個(gè)電路圖示出了有關(guān)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路100(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路100”)的構(gòu)造。
如圖所示，在本控制電路100中，與有關(guān)第一實(shí)施例的控制電路10相反，將電阻器102布置在接觸點(diǎn)74與MOSFET 22的漏極接線端之間，并且把電阻器104布置在接觸點(diǎn)78與MOSFET 24的漏極接線端之間。
此外，在控制電路100沒有布置電阻器38和40，電阻器28的另一端與接觸點(diǎn)48直接連接，和電阻器34的另一端與接觸點(diǎn)52直接連接。
此外，把一個(gè)二極管106布置在接觸點(diǎn)48與接觸點(diǎn)76之間，并且把電流在接觸點(diǎn)48和接觸點(diǎn)76之間的流動(dòng)方向限制到從接觸點(diǎn)48到接觸點(diǎn)76的方向。同樣地，將二極管108設(shè)置在接觸點(diǎn)52和接觸點(diǎn)80之間，并且把電流在接觸點(diǎn)52和80之間的流動(dòng)方向限制到從接觸點(diǎn)52到接觸點(diǎn)80的方向。
此外，在本控制電路100中，沒有在接觸點(diǎn)54和接觸點(diǎn)60之間設(shè)置電容器56，并且接觸點(diǎn)54和接觸點(diǎn)60不連接。因此，電阻器58的另一端僅連接到晶體管42的基極接線端。但是，一個(gè)構(gòu)成一個(gè)補(bǔ)償元件的電阻器11O的一端連接到接觸點(diǎn)54。電阻器110的另一端連接到二極管106和接觸點(diǎn)76之間的一個(gè)接觸點(diǎn)112。此外，把一個(gè)電阻器113設(shè)置在接觸點(diǎn)76與接觸點(diǎn)112之間。
在接觸點(diǎn)62和接觸點(diǎn)68之間沒有設(shè)置電容器64，并且接觸點(diǎn)62和接觸點(diǎn)68不連接。因此，電阻器66的另一端僅連接到晶體管44的基極接線端。但是，構(gòu)成一個(gè)補(bǔ)償元件的電阻器114的一端連接到接觸點(diǎn)62。電阻器114的另一端連接到二極管108與接觸點(diǎn)80之間的一個(gè)接觸點(diǎn)116。此外，把一個(gè)電阻器117設(shè)置在接觸點(diǎn)80和接觸點(diǎn)116之間。
此外，在構(gòu)成一個(gè)補(bǔ)償元件的電容器118的一端連接到接觸點(diǎn)112，并且把電容器118的另一端連接到接觸點(diǎn)116。
第三實(shí)施例的作用和效果在上述構(gòu)造的本控制電路100中，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A和接線端16B連接并且開關(guān)18的接線端18A和接線端18B連接時(shí)，從電流A1分離出來的電流A2流到二極管108，并且前進(jìn)到MOSFET 24的柵極接線端。此外，在這種狀態(tài)下，經(jīng)過接觸點(diǎn)30、46和54前進(jìn)到電阻器110的電流A7流動(dòng)。在電流A7從電阻器110流到電容器118時(shí)，它分離成一個(gè)前進(jìn)到MOSFET 24的柵極接線端的電流A8，和一個(gè)前進(jìn)到電阻器114的電流A9。
從而，在這種狀態(tài)下，將基于電流A2和電流A8的電壓Vg施加到MOSFET24的柵極接線端，并且電壓Vg超過預(yù)定值Vgm，從而MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且驅(qū)動(dòng)電流流到電機(jī)20。因此，電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)開始。
規(guī)定大小或更大的鎖定電流流到電機(jī)20，并且當(dāng)對(duì)應(yīng)于鎖定電流的電壓Vb成為規(guī)定值Vbm或更大，并且施加到晶體管44的基極接線端時(shí)，晶體管44的集電極接線端和發(fā)射極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且電流A2的一部分或全部流過晶體管44的集電極接線端和發(fā)射極接線端，并且接地。因此，由于已經(jīng)施加到MOSFET 24的柵極接線端的電壓Vg到這時(shí)降低或消除，所以釋放了MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，并且切斷了對(duì)于電機(jī)20的傳導(dǎo)。
以這種方式，在本控制電路100中，施加到晶體管44的基極接線端的對(duì)應(yīng)于鎖定電流的電壓Vb成為等于或大于規(guī)定值Vbm，從而切斷了對(duì)于電機(jī)20的傳導(dǎo)。因此，可以獲得與第一實(shí)施例相同的效果。
附帶說明一下，如早些時(shí)候說明的，緊接著電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)開始之后，發(fā)生脈沖式浪涌電流。在這里，在本控制電路100中，浪涌電流的一部分經(jīng)過電阻器66流到晶體管44的基極接線端，并且從這種浪涌電流產(chǎn)生的電壓Vb施加到基極接線端。
但是，如圖8的時(shí)序圖中所示，與第一實(shí)施例相反，由于沒有設(shè)置電容器64，從浪涌電流產(chǎn)生的施加到晶體管44的基極接線端的電壓Vb的波形實(shí)際上是脈沖式的，并且不會(huì)如第一實(shí)施例中那樣成為逐漸升高的波形。因此，電壓Vb施加到晶體管44的基極接線端，從而使晶體管44的集電極接線端和發(fā)射極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且使電流A2的一部分或全部接地。
浪涌電流經(jīng)過齊納二極管70和電阻器133流到電阻器114。在浪涌電流流動(dòng)時(shí)的電阻器114兩端的電壓Ve臨時(shí)升高到最大值Vem。在這里，由于電容器118與電阻器114之間的接觸點(diǎn)116連接到MOSFET 24的柵極接線端，電流流動(dòng)一段設(shè)定的時(shí)間周期，并且電阻器114兩端的電壓成為等于或大于一個(gè)設(shè)定值。從而，不管晶體管44的狀態(tài)，對(duì)應(yīng)于電壓Vem的電壓Vg施加到MOSFET24的柵極接線端。由于對(duì)應(yīng)于電壓Vem的電壓Vg超過預(yù)定值Vgm，從而使MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)。
此外，由于浪涌電流實(shí)際上是脈沖式的，并且積分電路是由電阻器110和電容器118構(gòu)成的，從而當(dāng)電阻器114兩端的電壓Ve達(dá)到最大值Vem之后，它逐漸降低。但是，由于對(duì)應(yīng)于最大值Vem的電壓Vg超過預(yù)定值Vgm，因而，在直到對(duì)應(yīng)于降低電壓Ve的電壓Vg成為大于預(yù)定值Vgm的時(shí)間周期需要一個(gè)預(yù)定的時(shí)間周期T5(少于T1)。
如上所述，由于浪涌電流實(shí)際上是脈沖式的，施加到晶體管44的基極接線端的對(duì)應(yīng)于浪涌電流的電壓Vb在達(dá)到最大值Vbm之后迅速降低，并且降低到晶體管44的集電電極與發(fā)射極接線端之間導(dǎo)通所需的電壓Vb1以下。從而，直到從浪涌電流產(chǎn)生的電壓Vb成為小于規(guī)定值Vb1，對(duì)應(yīng)于電壓Ve的電壓Vg施加到MOSFET 24的柵極接線端，并且使得漏極接線端與源極接線端之間能夠?qū)?，從而使得在直到從電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)開始時(shí)間T0到浪涌電流停止流動(dòng)的預(yù)定時(shí)間T1過去的時(shí)間周期中，能夠連續(xù)地保持MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)。
也就是說，即使在本控制電路100中，可以如同第一實(shí)施例一樣，可靠地開始電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)。
應(yīng)當(dāng)注意，如圖7中所示，即使在本控制電路100中，電路構(gòu)造在開關(guān)16一側(cè)和開關(guān)18一例之間是關(guān)于電機(jī)20對(duì)稱的。因此，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A和接線端16C連接并且開關(guān)18的接線端18A和接線端18C連接時(shí)，晶體管42和電阻器58提供了與晶體管44和電阻器66相同的作用。因此，即使當(dāng)門鏡26從收藏位置展開時(shí)，也可以獲得相同的效果。
第四實(shí)施例接下來說明本發(fā)明的第四實(shí)施例。
在圖9中，示出了有關(guān)本發(fā)的第四實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路120(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路120”)的電路圖。
通過把本圖與圖7比較可以知道，在本控制電路120的驅(qū)動(dòng)控制部分122中，與第三實(shí)施例比較，電阻器28的另一端(與接觸點(diǎn)30相反的端部)和電阻器34的另一端(與接觸點(diǎn)36相反的端部)不連接；而是，電阻器28的另一端連接到接觸點(diǎn)52，電阻器34的另一端連接到接觸點(diǎn)48。但是，盡管在構(gòu)造上存在著上述點(diǎn)的不同，但是電路的操作與其中電阻器28的另一端與電阻器34的另一端連接的結(jié)構(gòu)的操作相同。
此外，在本控制電路120中，設(shè)置了一個(gè)電阻器124來代替二極管106，并且設(shè)置了一個(gè)電阻126來代替二極管108。此外，在本控制電路120中，沒有設(shè)置電阻器110和114，在第三實(shí)施例中電阻器110的兩端的接觸點(diǎn)54和112不連接，并且，同樣地，電阻器114兩端的接觸點(diǎn)62和116不連接(在圖9中，由于不存在電阻器110和114，因而刪除了接觸點(diǎn)58和62)。
如上所述，在第三實(shí)施例的控制電路100中設(shè)置了二極管106和108，從而，當(dāng)晶體管42和44切換到ON狀態(tài)時(shí)，防止了本應(yīng)當(dāng)流向MOSFET 22和24的柵極接線端的電流經(jīng)過晶體管42和44的集電極接線端和發(fā)射極接線端接地。
此外，盡管在本控制電路120沒有設(shè)置二極管106和108，但設(shè)置了電阻器124和126，從而，即使當(dāng)晶體管42和44切換到ON狀態(tài)時(shí)，也可以把設(shè)定的電流施加到MOSFET 22和24的柵極接線端。也就是說，盡管存在著上述點(diǎn)的結(jié)構(gòu)上的不同，但是本控制電路120提供了與第三實(shí)施例基本相同的作用，并且可以獲得相同的效果。
此外，如上所述，盡管在本控制電路120中設(shè)置了電阻器124和126，但是沒有設(shè)置電阻器110和114以及二極管106和108。因此，部件的數(shù)量實(shí)際上通過省去二極管106和108而減少，從而也可以具有降低成本的優(yōu)點(diǎn)。
第五實(shí)施例接下來說明本發(fā)明的第五實(shí)施例。
在圖10中，示出了有關(guān)本發(fā)明的第五實(shí)施例的反射鏡裝置電機(jī)控制電路130(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路130”)的電路圖。
如圖中所示，除了像第二實(shí)施例一樣驅(qū)動(dòng)控制部分132帶有一個(gè)電容器92與第三實(shí)施例不同之外，本控制電路130的構(gòu)造與第三實(shí)施例基本相同。
由于上述結(jié)構(gòu)的本控制電路130與有關(guān)第三實(shí)施例的控制電路100具有基本相同的結(jié)構(gòu)，因而控制電路130提供了與第三實(shí)施例相同的作用，并且可以獲得相同的效果。
此外，由于控制電路130與第二實(shí)施例的控制電路90一樣帶有電容器92，因而，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A與接線端16B連接并且開關(guān)18的接線端18A與18B連接時(shí)，由于電容器92的作用，使電阻器34兩端之間的電壓隨時(shí)間的過去而逐漸降低，如圖11的時(shí)序圖中所示。由于對(duì)應(yīng)于電阻器34兩端的電壓的電壓施加到MOSFET 24的柵極接線端，施加到MOSFET 24的柵極接線端的電壓也自然地隨時(shí)間的過去而逐漸降低。從而，當(dāng)電壓Vg成為等于或小于預(yù)定值時(shí)，MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間切換到ON狀態(tài)。從而，在這種狀態(tài)下，迫使對(duì)電機(jī)20的傳導(dǎo)切斷，停止了電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)，并且使門鏡26在收藏位置停止轉(zhuǎn)動(dòng)。
也就是說，本控制電路130也提供了與第二實(shí)施例相同的作用，并且可以獲得相同的效果。
第六實(shí)施例接下來說明本發(fā)明的第六實(shí)施例。
在圖12中，示出了有關(guān)本發(fā)明的第六實(shí)施例的反射鏡電機(jī)控制電路140(以下簡(jiǎn)稱為“控制電路140”)的電路圖。
如圖中所示，本控制電路140的驅(qū)動(dòng)控制部分142帶有一個(gè)用作開關(guān)晶體管的晶體管144。在晶體管144中，用作第五接線端的發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)74與接線端16B之間的一個(gè)接觸點(diǎn)146。此外，用作晶體管144的第四接線端的集電極接線端連接到接觸點(diǎn)148。接觸點(diǎn)148連接的電阻器150的一端，并且直接連接到接觸點(diǎn)76。
此外，用作晶體管144的第六接線端的基極接線端連接到接觸點(diǎn)152。接觸點(diǎn)152經(jīng)過電阻器154連接在MOSFET 22的漏極接線端與電機(jī)20之間。
本控制電路140具有一個(gè)用作開關(guān)晶體管的晶體管156。在晶體管156中，一個(gè)用作第五接線端的發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)78與接線端18B之間的一個(gè)接觸點(diǎn)158。此外，用作晶體管156的第四接線端的集電極接線端連接到接觸點(diǎn)160。接觸點(diǎn)160連接到電阻器150的另一端，并且直接連接到接觸點(diǎn)80。
此外，用作晶體管156的第六接線端的基極接線端連接到接觸點(diǎn)162。接觸點(diǎn)162經(jīng)過電阻器164連接到MOSFET 24的漏極接線端與電機(jī)20之間。
此外，本控制電路140帶有一個(gè)構(gòu)成一個(gè)旁路元件的晶體管166。在晶體管166中，發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)74與接觸點(diǎn)146之間的一個(gè)接觸點(diǎn)168，并且集電極接線端連接到接觸點(diǎn)152。此外，晶體管166的基極接線端連接到接觸點(diǎn)170。構(gòu)成一個(gè)旁路元件的電阻器172的一端連接的接觸點(diǎn)170。電阻器172的另一端連接到接觸點(diǎn)74與接觸點(diǎn)168之間的一個(gè)接觸點(diǎn)174。
本控制電路140帶有一個(gè)構(gòu)成一個(gè)旁路元件的晶體管176。在晶體管176中，發(fā)射極接線端連接到接觸點(diǎn)78與接觸點(diǎn)158之間的一個(gè)接觸點(diǎn)178，并且集電極接線端連接到接觸點(diǎn)162。此外，晶體管176的基極接線端連接到接觸點(diǎn)180。構(gòu)成一個(gè)旁路元件的電阻器182的一端連接到接觸點(diǎn)180。電阻器182的另一端連接到接觸點(diǎn)78與接觸點(diǎn)178之間的一個(gè)接觸點(diǎn)184。
此外，構(gòu)成一個(gè)旁路元件的電容器186的一端連接到接觸點(diǎn)170，并且電容器186的另一端連接到接觸點(diǎn)180。
第六實(shí)施例的作用和效果在上述結(jié)構(gòu)的本控制電路140中，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A和接線端16B連接并且開關(guān)18的接線端18A和接線端18B連接時(shí)，電流A10流動(dòng)。電流A10在接觸點(diǎn)74分離成一個(gè)經(jīng)過電阻器102流向MOSFET 22的電流A11，和一個(gè)流過齊納二極管70的電流A12。
電流A12在接觸點(diǎn)76分離成一個(gè)流向MOSFET 22的柵極接線端的電流A13，和一個(gè)流向接觸點(diǎn)148的電流A14。電流A14經(jīng)過電阻器150和接觸點(diǎn)160和80流到MOSFET 24的柵極接線端。與第一實(shí)施例相同，只要流到MOSFET 24的電流A14的電壓Vg等于或大于預(yù)定值Vg1，MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間就成為導(dǎo)通狀態(tài)。從而，用作電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)電流的電流A15流動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)20，并且這個(gè)驅(qū)動(dòng)力使門鏡26的收藏方向轉(zhuǎn)動(dòng)。
此外，流過電機(jī)20的一部分電流A15成為經(jīng)過電阻器164和接觸的162流向晶體管156的基極接線端的電流A16，并且把對(duì)應(yīng)于電流A16的電壓Vb施加到晶體管156的基極接線端。
因此，與前面的實(shí)施例一樣，鎖定電流流到電機(jī)20，從而當(dāng)對(duì)應(yīng)于電流A16的電壓Vb達(dá)到規(guī)定值Vbm時(shí)，晶體管156的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且使電流A14從接觸點(diǎn)160經(jīng)過晶體管156的集電極接線端和發(fā)射極接線端接地。因此，施加到MOSFET 24的柵極接線端的電壓Vg成為等于或小于預(yù)定值Vg1，釋放了MOSFET 24的漏極接線端與源極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，并且切斷了對(duì)電機(jī)20的傳導(dǎo)。
在本控制電路140中，如前面的實(shí)施例中所述，浪涌電流在電機(jī)20驅(qū)動(dòng)開始時(shí)流動(dòng)。流過電機(jī)20的浪涌電流經(jīng)過電阻器164前進(jìn)到接觸點(diǎn)162。
附帶說明一下，浪涌電流也經(jīng)過電阻器172和電容器186從接觸點(diǎn)174流到電阻器182，從電容器186和電阻器182之間的接觸點(diǎn)180分離，并且也流到晶體管176的基極接線端。
因此，將對(duì)應(yīng)于實(shí)際上脈沖式的大浪涌電流的電壓臨時(shí)施加到晶體管176的基極接線端，從而使晶體管176的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)(即，切換到ON狀態(tài))。晶體管176的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間成為導(dǎo)通狀態(tài)，從而從電阻器164向接觸點(diǎn)162流動(dòng)的浪涌電流基本上經(jīng)過晶體管176的集電極接線端和發(fā)射極接線端接地，并且不流到晶體管156的基極接線端，或，即使它流到晶體管156的基極接線端，對(duì)應(yīng)于流到基極接線端的電流的電壓Vb也不會(huì)達(dá)到規(guī)定值Vbm。因此，在這種狀態(tài)下，晶體管156的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間不是導(dǎo)通狀態(tài)。
以這種方式，在本控制電路140中，由于即使有浪涌電流流動(dòng)，晶體管156的集電極接線端和發(fā)射極接線端也不導(dǎo)通，因而可以可靠地啟動(dòng)電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)。
此外，由于電容器186和電阻器182構(gòu)成了一個(gè)積分電路，因此電容器186與電阻器182之間的電壓隨時(shí)間的過去逐漸降低。因此，施加到晶體管176的基極接線端的電壓也隨時(shí)間的過去逐漸降低，釋放了晶體管176的集電極接線端與發(fā)射極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，流過電阻器164的電流流到晶體管156的基極接線端，并且將對(duì)應(yīng)于此的電壓Vb施加到晶體管156的基極接線端。
因此，施加了對(duì)應(yīng)于鎖定電流的規(guī)定值Vbm的電壓Vb，從而可以把前進(jìn)到MOSFET 24的柵極接線端的電流接地。
與至此所述的上述實(shí)施例相同，本控制電路140的電路構(gòu)造在開關(guān)16一側(cè)(圖12中相對(duì)于電機(jī)20的上半部分)和開關(guān)18一側(cè)(圖12中相對(duì)于電機(jī)20的下半部分)之間也是關(guān)于電機(jī)20對(duì)稱的。因此，當(dāng)開關(guān)16的接線端16A與接線端16C連接并且開關(guān)18的接線端18A與接線端18C連接時(shí)，晶體管144和166以及電阻器172提供了與晶體管156和176和電阻器182相同的作用，并且可以獲得相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種在反射鏡裝置中使用的、并且控制提供到電機(jī)的電力的控制電路，其中，在反射鏡裝置中通過電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力使連接到車輛的反射鏡的位置在預(yù)定方向上改變，該控制電路包括驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管，其中，當(dāng)?shù)谝唤泳€端連接到電源，第二接線端連接到電機(jī)，并且等于或大于一個(gè)預(yù)定值的電壓施加到與第一和第二接線端都不同的第三接線端時(shí)，電流從第一接線端流到第二接線端，并且釋放施加的電壓，從而將電流鎖定；和開關(guān)晶體管，其中，第四接線端連接在電源和第三接線端之間，第五接線端接地，并且開關(guān)晶體管包括在第二接線端相反的一側(cè)連接到電機(jī)的第六接線端，并且將對(duì)應(yīng)于流過電機(jī)的鎖定電流的、等于或大于一個(gè)規(guī)定值的電壓施加到第六接線端，從而將第四和第五接線端切換到導(dǎo)通狀態(tài)，并且使施加到第三接線端的電壓小于所述預(yù)定值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，其中驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管是場(chǎng)效應(yīng)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，其中控制電路是關(guān)于電機(jī)對(duì)稱結(jié)構(gòu)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，進(jìn)一步包括波形變換元件，該波形變換元件變換施加到第六接線端的電壓的波形，將輸出電壓的最大值降低到等于或大于輸入特定值的脈沖式電壓的最大值以下，并且將最大值輸入到第六接線端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制電路，其中波形變換元件是由電容器和電阻器構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，進(jìn)一步包括補(bǔ)償元件，該補(bǔ)償元件在等于或大于規(guī)定值的脈沖式電壓施加到第六接線端的狀態(tài)下，根據(jù)對(duì)應(yīng)于脈沖式電壓的電流，隨時(shí)間的流逝降低等于或大于預(yù)定值的電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制電路，其中補(bǔ)償元件是由電阻器和電容器構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，進(jìn)一步包括旁路元件，在旁路元件中隨時(shí)間的流逝降低并施加對(duì)應(yīng)于脈沖式電流的、等于或大于規(guī)定值的電壓，并且切換到ON狀態(tài)，并在發(fā)送脈沖式電流到第三接線端之前將流向第三接線端的脈沖式電流接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制電路，其中旁路元件是由晶體管、電阻器、和電容器構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)元件，其中存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)由于流到第三接線端電流產(chǎn)生的電荷，并且根據(jù)存儲(chǔ)的電荷量減小流到第三接線端的電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的控制電路，其中存儲(chǔ)元件是電容器。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠利用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)將反射鏡可靠地停止在預(yù)定位置的反射鏡裝置電機(jī)控制電路。在本發(fā)明的控制電路中，流到電機(jī)的鎖定電流的一部分流到一個(gè)晶體管的基極接線端。因此，只要對(duì)應(yīng)于鎖定電流的電壓等于或大于一個(gè)規(guī)定值，這個(gè)電壓施加到晶體管的基極接線端，從而使集電極接線端和發(fā)射極接線端成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且使流到一個(gè)MOSFET的柵極接線端的電流經(jīng)過晶體管的集電極接線端和發(fā)射極接線端接地。因此，當(dāng)鎖定電流流動(dòng)時(shí)，釋放了MOSFET的漏極接線端與基極接線端之間的導(dǎo)通狀態(tài)，并且切斷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電流。
文檔編號(hào)H02P3/06GK1491834SQ03155960
公開日2004年4月28日 申請(qǐng)日期2003年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月27日
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