專利名稱：無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種用于電力系統(tǒng)的無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是本脫離器由低熔點(diǎn)導(dǎo)體、發(fā)熱電阻、電流互感器和監(jiān)控模塊組成。其中，低熔點(diǎn)導(dǎo)體接于相線L中。電流互感器位于相線L一旁，其線圈兩端與監(jiān)控模塊腳1、2相連。監(jiān)控模塊腳3通過(guò)發(fā)熱電阻與相線L相接，監(jiān)控模塊腳4與零線N相接。
本實(shí)用新型和常規(guī)的斷路器相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)由于采用了熱熔斷的方式對(duì)浪涌保護(hù)裝置進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，在主回路中沒(méi)有觸點(diǎn)連接，因此，本脫離器既可以保證雷電流正常通過(guò)，又可以在浪涌保護(hù)裝置漏電流過(guò)大時(shí)使浪涌保護(hù)裝置可靠地從系統(tǒng)中脫離，從而避免了浪涌保護(hù)裝置的燒毀現(xiàn)象發(fā)生。
圖2是

圖1中監(jiān)控模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是圖1與浪涌浪涌保護(hù)裝置的連接示意圖。
本實(shí)用新型采用了漏流采集比判，延時(shí)控制，可靠脫離的整體保護(hù)設(shè)計(jì)構(gòu)思。
本脫離器1的結(jié)構(gòu)如圖1所示由低熔點(diǎn)導(dǎo)體2、發(fā)熱電阻3、電流互感器4和監(jiān)控模塊組成。其中，低熔點(diǎn)導(dǎo)體2接于相線L中。電流互感器4位于相線L一旁，其線圈兩端與監(jiān)控模塊腳1、2相連。監(jiān)控模塊腳3通過(guò)發(fā)熱電阻3與相線L相接，監(jiān)控模塊腳4與零線N相接。
上述監(jiān)控模塊的結(jié)構(gòu)如圖2所示設(shè)有漏流采集比判、延時(shí)控制電路，延時(shí)控制電路由二極管D、電容C組成，漏流采集比判電路設(shè)有可控硅STR，其中，二極管D的負(fù)極、電容C一端、可控硅STR柵極共接，二極管D的正極、電容C另一端分別與監(jiān)控模塊腳1、2相接，電容C另一端、可控硅STR陰極共接于監(jiān)控模塊腳4，可控硅STR陽(yáng)極與監(jiān)控模塊腳3相接。
上述的發(fā)熱電阻3，可采用RX20型或其它型號(hào)產(chǎn)品。
如圖3所示本實(shí)用新型裝在輸入線路與浪涌浪涌保護(hù)裝置之間。
本實(shí)用新型產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)可以達(dá)到如下指標(biāo)(僅供參考)1.最大沖擊通流容量100KA。
2.最小工頻熔斷電流30mA。
3.工頻電流過(guò)流熔斷時(shí)間小于3分鐘。
4.8/20μs波100kA沖擊下的殘壓小于1200V。
5.阻抗小于2mΩ。
6.耐壓4kV。
下面，簡(jiǎn)述一下本實(shí)用新型的工作過(guò)程。
電流互感器4用于采集浪涌保護(hù)裝置的漏電流，監(jiān)控模塊通過(guò)判斷漏電流是否達(dá)到保護(hù)門(mén)限值來(lái)控制發(fā)熱電阻3的接通。當(dāng)浪涌保護(hù)器因老化而使其漏電流增大到某個(gè)危險(xiǎn)值時(shí)，監(jiān)控模塊接通發(fā)熱元件，使低熔點(diǎn)導(dǎo)體2迅速熔斷，從而使浪涌保護(hù)裝置從電力系統(tǒng)中脫離。監(jiān)控模塊中的延時(shí)電路，用于避免雷電流或電網(wǎng)中其它的各種瞬間過(guò)電壓引起的誤動(dòng)，由此可提高本實(shí)用新型產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性和可靠性。
權(quán)利要求1.一種無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器，其特征是脫離器(1)由低熔點(diǎn)導(dǎo)體(2)、發(fā)熱電阻(3)、電流互感器(4)和監(jiān)控模塊組成，其中，低熔點(diǎn)導(dǎo)體(2)接于相線L中，電流互感器(4)位于相線L一旁，其線圈兩端與監(jiān)控模塊腳1、2相連，監(jiān)控模塊腳3通過(guò)發(fā)熱電阻(3)與相線L相接，監(jiān)控模塊腳4與零線N相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器，其特征是監(jiān)控模塊設(shè)有漏流采集比判、延時(shí)控制電路，延時(shí)控制電路由二極管D、電容C組成，漏流采集比判電路設(shè)有可控硅STR，其中，二極管D的負(fù)極、電容C一端、可控硅STR柵極共接，二極管D的正極、電容C另一端分別與監(jiān)控模塊腳1、2相接，電容C另一端、可控硅STR陰極共接于監(jiān)控模塊腳4，可控硅STR陽(yáng)極與監(jiān)控模塊腳3相接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器，其特征是所述的發(fā)熱電阻(3)，采用RX20型產(chǎn)品。
專利摘要本實(shí)用新型是一種無(wú)觸點(diǎn)浪涌保護(hù)裝置脫離器，其特征是脫離器(1)由低熔點(diǎn)導(dǎo)體(2)、發(fā)熱電阻(3)、電流互感器(4)和監(jiān)控模塊組成，其中，低熔點(diǎn)導(dǎo)體(2)接于相線L中，電流互感器(4)位于相線L一旁，其線圈兩端與監(jiān)控模塊腳1、2相連，監(jiān)控模塊腳3通過(guò)發(fā)熱電阻(3)與相線L相接，監(jiān)控模塊腳4與零線N相接。本實(shí)用新型既可以保證雷電流正常通過(guò)，又可以在浪涌保護(hù)裝置漏電流過(guò)大時(shí)使浪涌保護(hù)裝置可靠地從系統(tǒng)中脫離，從而避免了浪涌保護(hù)裝置的燒毀現(xiàn)象發(fā)生。
文檔編號(hào)H02H3/20GK2569412SQ0227913
公開(kāi)日2003年8月27日 申請(qǐng)日期2002年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月12日
發(fā)明者劉旭, 王富元 申請(qǐng)人:武漢愛(ài)勞高科技有限責(zé)任公司