專利名稱：用于開關(guān)電源之直流輸出端的隔離電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)穩(wěn)壓電源，更具體地說是涉及一種用于開關(guān)電源之直流輸出端的隔離電路。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下
在根據(jù)本實(shí)用新型的一種用于開關(guān)電源之直流輸出端的隔離電路中，包括兩個輸出濾波電容C1和C2、以及一個用于輸出隔離的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)，在該場效應(yīng)管Q1的D極與S極之間連接一個電流取樣反饋電路。
在本實(shí)用新型中，在該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間可并聯(lián)一個用于使Q1從截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)至飽和狀態(tài)之變化過程變緩的電容C3，以加強(qiáng)Q1的隔離作用。
在本實(shí)用新型中，在該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間可并聯(lián)一個用于穩(wěn)定Q1的G極、S極兩端電壓的穩(wěn)壓二極管D1。
在本實(shí)用新型中，在該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間可并聯(lián)一個用于控制Q1的導(dǎo)通的三極管Q2，Q2的C極和E極可分別連接Q1的G極和S極。
三極管Q2的B極可通過一個二極管D2連接一個可接地的短觸點(diǎn)PIN1。該短觸點(diǎn)也可以采用一個短觸針。該短觸點(diǎn)的作用在于，當(dāng)該短觸點(diǎn)未接地時，該電源沒有輸出。
在本實(shí)用新型中，該場效應(yīng)管Q1的G極可通過一個電阻R1連接一個直流電壓Vcc輸出端。
本實(shí)用新型在直流輸出穩(wěn)壓電源之輸出隔離電路中采用了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管Q1(MOSFET)，而MOSFET在導(dǎo)通時屬于恒阻性器件。由于近年來MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS每年大幅下降，并且多個MOSFET并聯(lián)可以進(jìn)一步減小RDS。因此，本實(shí)用新型提出了用MOSFET替代常規(guī)技術(shù)所用的二極管而構(gòu)成輸出隔離電路，又由于MOSFET導(dǎo)通時為恒阻性器件，可以直接進(jìn)行電流取樣，通過在Q1上D極、S極兩端的壓降進(jìn)行輸出電流的取樣，從而可以大幅度提高輸出需隔離的電源及需輸出電流取樣的電源的效率，并省略了常規(guī)輸出隔離電路中的二極管及其體積較大的散熱器，而MOSFET的功耗較小，因此提高了隔離電路的工作效率，并減小了體積，也促進(jìn)了開關(guān)電源的整體小型化。
附圖簡述

圖1是一種常規(guī)的開關(guān)電源及其輸出端隔離電路；圖2是本實(shí)用新型之實(shí)施例的電路原理圖。
圖2中的C1、C2為輸出濾波電容。Q3為Q1的緩啟動電容。C4為電流放大的濾波電容。D1為Q1的G極、S極兩端的穩(wěn)壓管。D2為隔離PIN1的二極管。Q1為隔離及電流放大用的MOSFET。PIN1為一個短觸點(diǎn)(針)，其作用是當(dāng)短觸點(diǎn)(針)未接地時，電源沒有輸出。
Q2為Q1的導(dǎo)通控制三極管，其作用是當(dāng)PIN1未接地時，通過R2、R3、Vcc使得Q2導(dǎo)通，箝住Q1，使G、S兩端為零，Q1不導(dǎo)通，此時，即使輸出端與其它電源輸出端并聯(lián)，也不會對DC/DC輸出端內(nèi)部的電容有充電作用；當(dāng)PIN1接地時，則Q2截止。Q1G、S兩端通過R1、C3、VCC充電，使得Q1緩緩從截止?fàn)顟B(tài)到放大狀態(tài)再到飽和狀態(tài)。這樣，無論DC/DC變換器是工作還是不工作，DC/DC變換器的輸出端電容緩緩充電上升，起到圖1中二極管的隔離作用。
由運(yùn)算放大器IC1、電容C4、電阻R4、R5、R6、R7、R8組成Q1的D極、S極兩端電壓的放大電路，其中，R4和R5分別連接在Q1的S極、D極與IC1的兩個輸入端之間，C4跨接在IC1的輸入端與輸出端上，由R7與R8的并聯(lián)回路與R6串聯(lián)組成的回路與C4并聯(lián)。由于VDS＝RDS×IO。這樣就可以取出輸出電流IO。由于RDS隨著溫度的升高而升高。故IC1的輸出也升高。為了保持IC1的輸出不變，需在放大回路(R6+R7)∥R8中R7為負(fù)溫系數(shù)的熱敏電阻，使得由(R6+R7)∥R8所構(gòu)成的電阻RX隨溫度上升而下降，保持RX除以R6乘以RDS為一個恒定值，從而保證電流放大的準(zhǔn)確性。
權(quán)利要求1.一種用于開關(guān)電源之直流輸出端的隔離電路，其特征在于包括兩個輸出濾波電容C1和C2、以及一個用于輸出隔離的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)，在該場效應(yīng)管Q1的D極與S極之間連接一個電流取樣反饋電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間并聯(lián)一個用于使Q1從截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)至飽和狀態(tài)之變化過程變緩的電容C3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間并聯(lián)一個用于穩(wěn)定Q1的G極、S極兩端電壓的穩(wěn)壓二極管D1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于該場效應(yīng)管Q1的G極與S極之間并聯(lián)一個用于控制Q1的導(dǎo)通的三極管Q2，Q2的C極和E極分別連接Q1的G極和S極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于所述三極管Q2的B極通過一個二極管D2連接一個可接地的短觸點(diǎn)PIN1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于該場效應(yīng)管Q1的G極通過一個電阻R1連接一個直流電壓Vcc輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于在Q1的D極與S極之間連接一個端電壓放大電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于電壓放大電路包括運(yùn)算放大器IC1、電容C4、電阻R4、R5、R6、R7、R8，其中，R4和R5分別連接在Q1的S極、D極與IC1的兩個輸入端之間，C4跨接在IC1的輸入端與輸出端上，由R7與R8的并聯(lián)回路與R6串聯(lián)組成的回路與C4并聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于R7為負(fù)溫系數(shù)的熱敏電阻。
專利摘要一種用于開關(guān)電源之直流輸出端的隔離電路,其特征在于包括兩個輸出濾波電容C1和C2、以及一個用于輸出隔離的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET),在該場效應(yīng)管Q1的D極與S極之間連接一個電流取樣反饋電路。本實(shí)用新型體積小并有利于開關(guān)電源的整體小型化,并可提高電源的工作效率。
文檔編號H02M1/14GK2518259SQ0127075
公開日2002年10月23日 申請日期2001年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月23日
發(fā)明者王躍斌 申請人:王躍斌