為實(shí)施例2的矩形罐磁芯的主視圖；
[0029]圖8b為圖8a的A-A向剖視圖；
[0030]圖8c為實(shí)施例2的矩形罐磁芯的組合應(yīng)用示意圖；
[0031 ]圖9a為實(shí)施例3的U形磁芯的主視圖；
[0032]圖9b為實(shí)施例3的U形磁芯的左視圖；
[0033]圖9c為實(shí)施例3的U形磁芯的組合應(yīng)用示意圖；
[0034]圖1Oa為實(shí)施例4的E形磁芯的主視圖；
[0035]圖1Ob為實(shí)施例4的E形磁芯的左視圖；
[0036]圖1Oc為實(shí)施例4的E形磁芯的組合應(yīng)用示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0038]由于現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型采用加大磁柱端面及其附近的截面積的方法以降低氣隙磁通密度，磁軛及磁柱的其它部分的最大工作磁通密度仍然接近磁材的飽和磁通密度，達(dá)到既減小氣隙磁阻，又不大量增加磁材用量的目的。因?yàn)闅庀洞抛枧c氣隙面積成反比，與氣隙長(zhǎng)度成正比；故在氣隙長(zhǎng)度不變的前提下，加大氣隙面積可以減小氣隙磁阻。具體在實(shí)施過(guò)程中，讓磁芯磁柱端面積SI與磁芯截面積SM關(guān)系滿足1.1SiKSKlOSMt3U形芯的兩個(gè)芯柱端面積大致相等。罐形芯芯柱和側(cè)柱端面積大致相等。E形芯芯柱端面積大致等于側(cè)柱端面積之和。
[0039 ]圖1 a、I b分別是E形磁芯的示意圖和C-C位置處的剖視圖，圖2a、2b分別是U形磁芯的示意圖和D-D位置處的剖視圖，圖3a、3b分別是方罐形磁芯的示意圖和B-B位置處的剖視圖，圖4a、4b分別是圓罐形磁芯的示意圖和A-A位置處的剖視圖；上述圖中，各剖面線(圖1a中的C-C剖面線，圖2a中的D-D剖面線，圖3a中的B-B剖面線，圖4a中的A-A剖面線)左邊是磁柱，右邊是磁軛;磁柱包括位于中間的芯柱和位于側(cè)邊的側(cè)柱，其中P為芯柱，Q為側(cè)柱。磁柱通過(guò)磁軛構(gòu)成整體磁芯;氣隙在磁柱的端面之間。磁軛、磁柱、氣隙構(gòu)成磁路。
[OO4O]圖5a、5b分別是圓罐磁軛的開孔不意圖和E-E位置處的剖視圖，圖6a、6b分別是矩形罐磁軛的開孔示意圖和E-E位置處的剖視圖。其中，圖5a和圖6a的圓罐磁軛和矩形罐磁軛，其中的開孔并不真實(shí)存在，是為了說(shuō)明本實(shí)用新型而進(jìn)行的假定，定義開孔的側(cè)面積為S，如果開孔直徑為D，磁軛厚度為h，顯然S = 3.14Dh。一般而言，不同直徑開孔處側(cè)面積平均磁通密度是不一樣的，本實(shí)用新型把平均磁通密度最大處定義為罐形芯磁軛的截面積SM。[0041 ]定義磁芯芯柱端面積為SI。
[0042]磁芯可以是U、E、EC、EER、EP、EPC、ETD、LP、L、PM、PQ、RM、UF、或者罐形的單相磁芯。
[0043]實(shí)施例1
[0044]本實(shí)施例以圓罐形磁芯為例，參見(jiàn)圖7a、圖7b和圖7c，在本實(shí)施例中，磁芯側(cè)柱端面積略大于磁芯芯柱端面積，故以磁芯芯柱端面積為磁芯端面積SI，磁芯側(cè)柱端面積不大于1.2S1 = 5SM，磁芯端面積SI與磁芯截面積SM滿足:1.1SM〈S1〈10SM。因?yàn)榇蠓燃哟罅舜判径嗣娣e，可將氣隙磁阻降低一半以上，由此可見(jiàn)，大大減小了氣隙磁阻。
[0045]實(shí)施例2
[0046]本實(shí)施例以矩形罐磁芯為例，參見(jiàn)圖8a、圖8b和圖8c，在本實(shí)施例中，磁芯側(cè)柱端面積略大于磁芯芯柱端面積，故以磁芯芯柱端面積為磁芯端面積SI，磁芯側(cè)柱端面積不大于1.2S1 Al = SSM,磁芯端面積SI與磁芯截面積SM滿足:1.1SM〈S1〈10SM。因?yàn)榇蠓燃哟罅舜判径嗣娣e，可將氣隙磁阻降低一半以上，由此可見(jiàn)，大大減小了氣隙磁阻。
[0047]實(shí)施例3
[0048]本實(shí)施例以U形磁芯為例，參見(jiàn)圖9a、圖9b和圖9c，在本實(shí)施例中，兩個(gè)芯柱端面積大致相等，以較小的為磁芯端面積SI，較大的芯柱端面積不大于1.2S1 Al = SSM,磁芯端面積SI與磁芯截面積SM滿足:1.1S M〈 SI〈 1 SM。因?yàn)榇蠓燃哟罅舜判径嗣娣e，可將氣隙磁阻降低一半以上，由此可見(jiàn)，大大減小了氣隙磁阻。
[0049]實(shí)施例4
[0050]本實(shí)施例以E形磁芯為例，參見(jiàn)圖10a、圖1Ob和圖1Oc，在本實(shí)施例中，磁芯側(cè)柱端面積略大于磁芯芯柱端面積一半，故以磁芯芯柱端面積的一半為磁芯端面積SI，磁芯側(cè)柱端面積不大于1.2S1 Jl = SSM，磁芯端面積SI與磁芯截面積SM滿足:1.1SM〈S1〈10SM。因?yàn)榇蠓燃哟罅舜判径嗣娣e，可將氣隙磁阻降低一半以上，由此可見(jiàn)，大大減小了氣隙磁阻。
[0051]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于大氣隙磁路的磁芯，包括磁軛以及豎直固定于磁軛上的磁柱，氣隙位于磁柱的端面之間；磁軛、磁柱和氣隙構(gòu)成磁路;磁芯磁柱端面積SI與磁芯截面積SM關(guān)系滿足:l.lSM<Sl<10SMo2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于大氣隙磁路的磁芯，其特征在于:同一個(gè)磁芯的芯柱和芯柱、芯柱和側(cè)柱之間的最小距離大于8毫米。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于大氣隙磁路的磁芯，其特征在于:磁芯是U、E、EC、EER、EP、EPC、ETD、LP、L、PM、PQ、RM、UF、或者罐形的單相磁芯。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種具有大氣隙磁路的磁芯，包括磁軛以及豎直固定于磁軛上的磁柱，氣隙位于磁柱的端面之間；磁軛、磁柱和氣隙構(gòu)成磁路；磁芯磁柱端面積S1與磁芯截面積SM關(guān)系滿足：1.1SM<S1<10SM。本實(shí)用新型通過(guò)上述方案，在不大幅度增加磁材用料的條件下，對(duì)現(xiàn)有磁芯的尺寸進(jìn)行嚴(yán)格控制，從而增大氣隙面積，降低磁阻，有利于磁通和能量的傳輸。
【IPC分類】H01F3/14
【公開號(hào)】CN205335023
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521081419
【發(fā)明人】羅代云, 林桂江, 任連峰, 楊鳳炳, 陳躍鴻, 謝文卉, 秦鋮, 陳木堅(jiān), 林藝偉
【申請(qǐng)人】廈門新頁(yè)科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年12月23日