一種電流屏蔽板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種電流屏蔽板。
【背景技術(shù)】
[0002] 利用鋁箱在鹽酸溶液中的點(diǎn)蝕而進(jìn)行的交流電蝕工程.可大幅度地提高鋁電極箱 的比表面積，是鋁電解電容器實(shí)現(xiàn)小型化、高性能化與片式化的關(guān)鍵。
[0003] 傳統(tǒng)的加電過(guò)程中，電解腐蝕產(chǎn)生大量的氫氣，反應(yīng)氣泡在電極板表面附著、停 滯，導(dǎo)致槽液內(nèi)反應(yīng)熱量無(wú)法及時(shí)往外輸送，各點(diǎn)反應(yīng)溫度不均勻；同時(shí)電流密度也無(wú)法穩(wěn) 定控制，因此無(wú)法實(shí)現(xiàn)電極箱高容量，并且破壞電極箱容量的一致性，導(dǎo)致容量偏差大。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型的目的在于克服以上不足之處而提供的特殊加電方式，生產(chǎn)出的電極 箱靜電容量高，且箱面容量一致性好。
[0005] 本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種電流屏蔽板，電流屏蔽板位于 電解腐蝕用電極板上，電流屏蔽板為狹縫狀的開(kāi)口，在鋁箱寬度方向上由端部連接到中央 部的一點(diǎn)，且在電極板的上下方向擴(kuò)展的倒"八"字形狀。
[0006] 優(yōu)選的是，狹縫狀開(kāi)口的寬度均等。
[0007] 優(yōu)選的是，電流屏蔽板的狹縫狀開(kāi)口的倒"八"字形狀角度為60~150°。
[0008] 優(yōu)選的是，倒"八"字形狀最下方間隔寬度為1~10cm。
[0009] 優(yōu)選的是，狹縫狀開(kāi)口隨著電解液的液面加深，開(kāi)口的幅度逐漸增大。
[0010]優(yōu)選的是，狹縫狀開(kāi)口倒"八"字形狀的最大幅度為1~l〇cm。
[0011] 綜上所述，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：能防止反應(yīng)氣體在電極板的停滯、附著，及 時(shí)高效的排出反應(yīng)氣體，保證槽液內(nèi)部反應(yīng)溫度均勻，同時(shí)穩(wěn)定控制蝕刻槽內(nèi)的電流密度， 制造出靜電容量大，且容量一致性好的電極箱。
【附圖說(shuō)明】
[0012] 圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的蝕刻槽的剖面示意圖；
[0013] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的電流遮蔽板的模式圖；
[0014] 圖3為實(shí)用新型實(shí)施例電流遮蔽板的模式圖；
[0015] 圖中標(biāo)號(hào)：1-電流屏蔽板、2-電極板、3-錯(cuò)光箱、4-蝕刻槽。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步 詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。
[0017] 如圖3所示的一種電流屏蔽板，電流屏蔽板1位于電解腐蝕用電極板2上，電流屏蔽 板1為狹縫狀的開(kāi)口，在鋁箱寬度方向上由端部連接到中央部的一點(diǎn)，且在電極板2的上下 方向擴(kuò)展的倒"八"字形狀，狹縫狀開(kāi)口的寬度均等，電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口的倒"八"字 形狀角度為60~150°，倒"八"字形狀最下方間隔寬度為1~10cm，狹縫狀開(kāi)口隨著電解液的液 面加深，開(kāi)口的幅度逐漸增大，狹縫狀開(kāi)口倒"八"字形狀的最大幅度為1~l〇cm。
[0018] 一種運(yùn)用電流屏蔽板制造電極箱的方法，步驟如下：使用純度99.99 %、擁有高立 方織構(gòu)的104μπι厚度軟態(tài)鋁光箱3,前處理采用0.2 mol/L的氫氧化鈉溶液浸泡1分鐘，然后 放入蝕刻槽4中，裁切成寬50厘米鋁光箱3，蝕刻槽4中浸泡長(zhǎng)度150厘米的電極板2，在電極 板2上增加電流屏蔽板1，蝕刻槽4中含有50°C的電解溶液中混合了鹽酸4mo 1 /L的濃度，硫酸 lmo 1 /L，平均電流密度為0.2A/cm2的交流電流，通過(guò)50秒電解反應(yīng)產(chǎn)生海綿狀的初始蝕孔； 上述電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口，將狹縫狀開(kāi)口的倒"八"字形狀角度為60°、90°、120°和 150°進(jìn)行對(duì)比，另外倒"八"字形狀最下方間隔寬度為6cm，倒"八"字最大幅度為3cm;然后， 在5個(gè)蝕刻槽4中進(jìn)行多次擴(kuò)孔腐蝕，電解溶液混合鹽酸3mo 1/L，硫酸lmo 1 /L，平均電流密度 0.15A/cm2交流電流，每級(jí)加電90秒;上述的腐蝕箱在清洗后，按照20V進(jìn)行化成，產(chǎn)出成品， 鋁光箱3朝向電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口幅度逐漸變寬的方向通過(guò)。
[0019] 實(shí)施例1~4,狹縫狀開(kāi)口的倒"八"字形狀的角度比較：
[0020] 實(shí)施例1~4中，使用純度99.99 %，擁有高立方織構(gòu)的104μπι厚度軟態(tài)鋁光箱，前處 理采用0.2 mol/L的氫氧化鈉溶液浸泡1分鐘。其次，圖1蝕刻槽4中，寬50厘米鋁光箱3，浸泡 長(zhǎng)度150厘米的電極板2，在電極板2上增加圖3所示的電流屏蔽板1，50°C的電解溶液中混合 了鹽酸4mo 1 /L的濃度，硫酸lmo 1 /L，平均電流密度為0.2A/cm2的交流電流，通過(guò)50秒電解反 應(yīng)可以產(chǎn)生海綿狀的初始蝕孔。（一電解）
[0021] 上述電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口，表1所示倒"八"字形狀的角度，將60°，90°，120° 和150°進(jìn)行對(duì)比，另外，倒"八"字形狀最下方間隔寬度為6cm，倒"八"字最大幅度為3cm〇
[0022] 然后，在5個(gè)蝕刻槽4中進(jìn)行多次擴(kuò)孔腐蝕，電解溶液混合鹽酸3mo 1/L，硫酸lmo 1/ L，平均電流密度0.15A/cm2交流電流，每級(jí)加電90秒。（多級(jí)電解）
[0023] 上述的腐蝕箱在清洗后，按照20V進(jìn)行化成，產(chǎn)出成品陽(yáng)極箱樣品。
[0024] 實(shí)施例3，5~8倒"八"字形狀下方間隔寬度比較：
[0025]實(shí)施例3,5~8中，實(shí)施例1 一樣的鋁光箱3,使用同樣的前處理后，在圖1蝕刻槽4 中，實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行了一電解。
[0026]上述電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口，表1所示倒"八"字形狀的角度120°固定，倒"八" 字最大幅度為3cm，倒"八"字形狀最下方間隔寬度各自為，2，4，6，8，10厘米比較。
[0027] 然后，在5個(gè)蝕刻槽4中與實(shí)施例1同樣的條件進(jìn)行了多級(jí)電解。
[0028] 上述的腐蝕箱在清洗后，按照20V進(jìn)行化成，產(chǎn)出成品陽(yáng)極箱樣品。
[0029] 實(shí)施例3,9~11倒"八"字形狀最大幅度比較
[0030] 實(shí)施例3,9~11中，實(shí)施例1 一樣的鋁光箱3,使用同樣的前處理后，圖1蝕刻槽4中， 實(shí)施例1同樣的條件進(jìn)行了一電解。
[0031] 上述電流屏蔽板1的狹縫狀開(kāi)口，表1所示倒"八"字形狀的角度120°固定，倒"八" 字形狀最下方間隔寬度6cm固定，倒"八"字最大幅度為3，5，7，9厘米比較。
[0032]然后，在5個(gè)蝕刻槽4中與實(shí)施例1同樣的條件進(jìn)行了多級(jí)電解。
[0033]上述的腐蝕箱在清洗后，按照20V進(jìn)行化成，產(chǎn)出成品陽(yáng)極箱樣品。
[0034]比較例為，實(shí)施例1 一樣的鋁光箱3,使用同樣的前處理后，圖1蝕刻槽4中，實(shí)施例1 同樣的條件進(jìn)行了一電解。
[0035] 上述比較例電流屏蔽板1為如圖2所示，"V"字形，角度120°固定，"V"字形最大幅度 為7厘米，然后，在5個(gè)蝕刻槽4中與實(shí)施例1同樣的條件進(jìn)行了多級(jí)電解。上述的腐蝕箱在清 洗后，按照20V進(jìn)行化成，產(chǎn)出成品陽(yáng)極箱樣品。
[0036] 表1:
[0037]
[0038] 上述實(shí)施例1~11比較倒"八"字電流屏蔽板1在不同角度，寬度和最大幅度的情況 下，各電極箱容量及容量散差情況，其中容量為電極箱10點(diǎn)容量的平均值，容量散差為容量 最大值減去最小值再除以平均值。
[0039] 實(shí)施例1~4,狹縫狀開(kāi)口的倒"八"字形狀的角度比較：
[0040]隨著倒"八"字形狀角度的提高，電極箱容量先升高再降低，容量散差為先降低后 上升，當(dāng)角度為120 °時(shí)，電極箱容量最高，且箱面一致性最好。
[0041 ]實(shí)施例3，5~8倒"八"字形狀最下方間隔寬度比較：
[0042] 隨著倒"八"字形狀最下方間隔寬度的逐漸增加，容量先有小幅提升然后衰減，容 量散差為先降低后上升，當(dāng)間隔寬度為6cm時(shí)，電極箱容量最高，且箱面一致性最好。
[0043] 實(shí)施例3，9~11倒"八"字最大幅度比較
[0044] 隨著倒"八"字形狀最大幅度的提升，電極箱容量無(wú)明顯變化，而容量散差表現(xiàn)為 先降低后上升，當(dāng)最大幅度達(dá)到7cm時(shí)，箱面一致性最好。
[0045] 比較例采用"V"字形結(jié)構(gòu)，角度120°固定，"V"字形最大幅度為7厘米。采用該種結(jié) 構(gòu)的時(shí)候，槽液反應(yīng)氣泡在電極板中部積聚過(guò)多，造成中間溫度升高，反應(yīng)劇烈，出現(xiàn)中部 容量偏低現(xiàn)象，導(dǎo)致箱面容量一致性差，比較例與實(shí)施例10對(duì)比，雖然容量差距不明顯，但 比較例容量散差明顯高于實(shí)施例10,箱面一致性較差。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電流屏蔽板，所述電流屏蔽板（1)位于電解腐蝕用電極板(2)上，其特征在于:所 述電流屏蔽板(1)為狹縫狀的開(kāi)口，在鋁箱寬度方向上由端部連接到中央部的一點(diǎn)，且在電 極板(2)的上下方向擴(kuò)展的倒"八"字形狀。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電流屏蔽板，其特征在于:所述狹縫狀開(kāi)口的寬度均等。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種電流屏蔽板，其特征在于:所述電流屏蔽板（1)的狹縫 狀開(kāi)口的倒"八"字形狀角度為60~150°。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電流屏蔽板，其特征在于:所述倒"八"字形狀最下方間隔 寬度為1~10cm〇5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電流屏蔽板，其特征在于:所述狹縫狀開(kāi)口隨著電解液的 液面加深，開(kāi)口的幅度逐漸增大。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電流屏蔽板，其特征在于:所述狹縫狀開(kāi)口倒"八"字形狀 的最大幅度為1~10cm〇
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電流屏蔽板，所述電流屏蔽板位于電解腐蝕用電極板上，電流屏蔽板為狹縫狀的開(kāi)口，在鋁箔寬度方向上由端部連接到中央部的一點(diǎn)，且在電極板的上下方向擴(kuò)展的倒“八”字形狀，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：用此電流屏蔽板生產(chǎn)出的電極箔靜電容量高，且箔面容量一致性好。
【IPC分類(lèi)】H01G9/048, H05K9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN205177619
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521023949
【發(fā)明人】劉慧
【申請(qǐng)人】南通海星電子股份有限公司, 南通海一電子有限公司, 寧夏海力電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月11日