一種特種零局放交流電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種特種零局放交流電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。顧名思義，電容器是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱:capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。
[0003]傳統(tǒng)的電容器在標(biāo)稱電壓內(nèi)測(cè)試時(shí)，具有局部放電的特點(diǎn)，從而影響產(chǎn)品的測(cè)試效果，另外，還具有溫度特性較差，及雷擊電壓較小等缺點(diǎn)。
[0004]為此，急需提供一種特種零局放交流電容器來克服上述缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型為克服上述缺陷而提供了一種特種零局放交流電容器，具有零局部放電、溫度特性好、高電壓強(qiáng)度、散熱效果好及防爆炸等特點(diǎn)。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案:
[0007]—種特種零局放交流電容器，包括:殼體，設(shè)置在所述殼體內(nèi)的芯片，分別設(shè)置在所述殼體兩端、且與所述芯片串接的兩電極，與所述兩電極串接的熱敏電阻，及蓋設(shè)在所述殼體外側(cè)的散熱層。
[0008]優(yōu)選地，每一所述電極呈圓柱體型。
[0009 ]優(yōu)選地，每一所述電極中間凹設(shè)有圓柱型凹孔。
[0010] 優(yōu)選地，所述殼體呈圓柱型或方型。
[0011 ]優(yōu)選地，所述散熱層的厚度為1.2mm。
[0012]優(yōu)選地，所述芯片呈圓柱型或方型。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型的一種特種零局放交流電容器，包括:殼體，設(shè)置在所述殼體內(nèi)的芯片，分別設(shè)置在所述殼體兩端、且與所述芯片串接的兩電極，與所述兩電極串接的熱敏電阻，及蓋設(shè)在所述殼體外側(cè)的散熱層;與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過設(shè)置所述芯片，使得本實(shí)用新型具有零局部放電、溫度特性好及高電壓強(qiáng)度等特點(diǎn)，通過所述熱敏電阻的熔斷特性，使得本實(shí)用新型具有更好的防爆效果，通過所述散熱層的設(shè)置，使得本實(shí)用新型具有更好的散熱效果。
[0014]通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實(shí)用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施例。
【附圖說明】
[0015]用附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制。
[0016]圖1是本實(shí)用新型的一種特種零局放交流電容器。
[0017]圖2是圖1中A-A的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，這是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。
[0019]實(shí)施例1:
[0020]請(qǐng)參考圖1及圖2，本實(shí)用新型一種特種零局放交流電容器，包括:殼體1、芯片2、兩電極3、熱敏電阻4及散熱層5，其中，所述芯片2設(shè)置在所述殼體I內(nèi)，所述兩電極3分別設(shè)置在所述殼體I兩端、且與所述芯片2串聯(lián)，所述熱敏電阻4與每一所述電極3串聯(lián)，所述散熱層5蓋設(shè)在所述殼體I外側(cè)。具體地，所述殼體I呈圓柱型;所述芯片2呈圓柱型;每一所述電極3呈圓柱體型，且每一所述電極3中間凹設(shè)有圓柱型凹孔31，通過所述凹孔31的設(shè)置，使得本實(shí)用新型具有安裝方便的特點(diǎn)；所述散熱層5的厚度為1.2mm。需要說明的是，所述殼體I還可呈方型或其他幾何形狀，所述芯片2根據(jù)所述殼體I的形狀而設(shè)置，當(dāng)所述殼體I設(shè)置呈方型時(shí)，所述芯片2也設(shè)置呈方型。進(jìn)一步地，通過所述芯片2的設(shè)置，使得本實(shí)用新型具有零局放的特點(diǎn)，通過本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)置，使得本實(shí)用新型的工作溫度在_25°C到+85°C之間。
[0021]從以上描述可以看出，本實(shí)用新型一種特種零局放交流電容器，通過設(shè)置所述芯片2，使得本實(shí)用新型具有零局部放電、溫度特性好及高電壓強(qiáng)度等特點(diǎn)，通過所述熱敏電阻4的熔斷特性，使得本實(shí)用新型具有更好的防爆效果，通過所述散熱層5的設(shè)置，使得本實(shí)用新型具有更好的散熱效果。
[0022]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種特種零局放交流電容器，其特征在于，包括:殼體，設(shè)置在所述殼體內(nèi)的芯片，分別設(shè)置在所述殼體兩端、且與所述芯片串接的兩電極，與所述兩電極串接的熱敏電阻，及蓋設(shè)在所述殼體外側(cè)的散熱層。2.如權(quán)利要求1所述的特種零局放交流電容器，其特征在于，每一所述電極呈圓柱體型。3.如權(quán)利要求2所述的特種零局放交流電容器，其特征在于，每一所述電極中間凹設(shè)有圓柱型凹孔。4.如權(quán)利要求1所述的特種零局放交流電容器，其特征在于，所述殼體呈圓柱型或方型。5.如權(quán)利要求1所述的特種零局放交流電容器，其特征在于，所述散熱層的厚度為1.2mm ο6.如權(quán)利要求1所述的特種零局放交流電容器，其特征在于，所述芯片呈圓柱型或方型。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種特種零局放交流電容器，包括：殼體，設(shè)置在所述殼體內(nèi)的芯片，分別設(shè)置在所述殼體兩端、且與所述芯片串接的兩電極，與所述兩電極串接的熱敏電阻，及蓋設(shè)在所述殼體外側(cè)的散熱層；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有零局部放電、溫度特性好、高電壓強(qiáng)度、散熱效果好及防爆炸等特點(diǎn)。
【IPC分類】H01G2/16, H01G2/08
【公開號(hào)】CN205177610
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521010008
【發(fā)明人】何鵬飛
【申請(qǐng)人】東莞市美志電子有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月7日