半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種運用于如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)或金氧半場效晶體管(M0SFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等晶體管的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，主要含有導(dǎo)線架或基座電路板3，其內(nèi)設(shè)有連接焊墊31，以供連通導(dǎo)線5的第二端52連接用，在該導(dǎo)線架或基座電路板3上利用接合劑2粘接有芯片I，在該芯片I上設(shè)有芯片焊墊11，在該芯片焊墊11上焊設(shè)有金球凸點4，并將連通導(dǎo)線5的第一端51與該金球凸點4焊設(shè)在一起，如此得以連通芯片I與導(dǎo)線架或基座電路板3間的電性，然而一般用于連通導(dǎo)線5的材質(zhì)為了降低成本及顧及堅固性，多會利用銅為連通導(dǎo)線5的材質(zhì)，但銅的質(zhì)地較硬，在塑型上較為不一，且銅與金接合不易，會讓連通導(dǎo)線5與金球凸點4的接合困難，且銅的材質(zhì)有易氧化的特性，一旦產(chǎn)生氧化，便會影響電性導(dǎo)通的功能，因此容易縮短半導(dǎo)體晶體管的使用壽命及降低制造合格率。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是為了有效解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，提供一種半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，不僅可提高晶體管封裝過程的速率、提高工藝合格率外，同時還能延長晶體管的使用壽命。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其中，包括:
[0005]—導(dǎo)線架或基座電路板，在該導(dǎo)線架或基座電路板內(nèi)嵌設(shè)有供金屬連結(jié)線的第二端焊設(shè)并進行電性連結(jié)的連結(jié)焊墊；
[0006]—利用粘著劑固定設(shè)置的芯片，置于導(dǎo)線架或基座電路板上方，且該芯片的上表面設(shè)有供金屬連結(jié)線的第一端直接焊設(shè)連結(jié)以形成電性連結(jié)的芯片焊墊；
[0007]—用于達成電性連結(jié)的金屬連結(jié)線，包括有內(nèi)層部與外層部，第一端與芯片的芯片焊墊相連結(jié)，第二端與導(dǎo)線架或基座電路板相連結(jié)。
[0008]上述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該芯片焊墊上先行形成有供該金屬連結(jié)線的第一端焊設(shè)連結(jié)的金球凸點。
[0009]上述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該金屬連結(jié)線的內(nèi)部層的材質(zhì)為銅。
[0010]上述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該金屬連結(jié)線的外部層的材質(zhì)為金、銀或鈀。
[0011]上述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該金屬連結(jié)線的外部層為電鍍覆蓋于該內(nèi)部層的外圍。
[0012]本實用新型的有益功效在于:
[0013]本實用新型主要利用將連通導(dǎo)線先行進行二層金屬電鍍后再進行電性焊接，如此可降低該連通導(dǎo)線易氧化、不易接合等缺失，避免了連通導(dǎo)線氧化、改善不易接合的目的，以達到具有提高半導(dǎo)體晶體管的封裝速率、晶體管合格率及延長晶體管的使用壽命等優(yōu)點。
[0014]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視組合示意圖；
[0016]圖2為本實用新型半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視組合示意圖。
[0017]其中，附圖標記
[0018]現(xiàn)有技術(shù)
[0019]芯片I
[0020]芯片焊墊11
[0021]接合劑2
[0022]導(dǎo)線架或基座電路板3
[0023]連接焊墊31
[0024]金球凸點4
[0025]連通導(dǎo)線5
[0026]第一端51
[0027]第二端52
[0028]本實用新型
[0029]芯片10
[0030]芯片焊墊101
[0031]粘著劑20
[0032]導(dǎo)線架或基座電路板30
[0033]連結(jié)焊墊301
[0034]金球凸點40
[0035]金屬連結(jié)線50
[0036]內(nèi)部層501
[0037]外部層502
[0038]第一端5021
[0039]第二端5022
【具體實施方式】
[0040]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0041]請參閱圖2，主要包括有一導(dǎo)線架或基座電路板30，在該導(dǎo)線架或基座電路板30內(nèi)嵌設(shè)有連結(jié)焊墊301，可供金屬連結(jié)線50的第二端5022焊設(shè)并進行電性連結(jié)，以促使能將芯片10的電信傳導(dǎo)至導(dǎo)線架或基座電路板30上；
[0042]在導(dǎo)線架或基座電路板30的上方，涂布有粘著劑20，該粘著劑20上置放有芯片10，利用烘烤冷卻定型的程序，能使芯片10被固設(shè)于導(dǎo)線架或基座電路板30上；
[0043]—芯片10，上表面設(shè)有芯片焊墊101，該芯片焊墊101可供金屬連結(jié)線50的第一端5021直接焊設(shè)連結(jié)，亦可先行形成有金球凸點40后，再將金屬連結(jié)線50的第一端5021焊設(shè)于金球凸點40上，以達到更佳的電性連結(jié)；
[0044]—金屬連結(jié)線50，包括有內(nèi)層部501與外層部502，該內(nèi)層部501的主要成分為銅，銅是一種具有高度氧化性特質(zhì)的金屬，一旦產(chǎn)生氧化，其電性連結(jié)的功效將會隨的遞減，而為了有效改進銅材質(zhì)的金屬連結(jié)線50易于氧化的金屬特性，在將金屬連結(jié)線50的第一端5021及第二端5022分別焊設(shè)于芯片10的芯片焊墊101上或金球凸點40及導(dǎo)線架或基座電路板30的連結(jié)焊墊301上之前，先行利用電鍍的技術(shù)，在該金屬連結(jié)線50的內(nèi)層部501外圍電鍍一層不會產(chǎn)生氧化的外部層502，該外部層502的材質(zhì)可為金、銀或鈀等不易產(chǎn)生氧化且電性連結(jié)性強的金屬材質(zhì)；
[0045]因此，首先要先在金屬連結(jié)線50的內(nèi)部層501外電鍍上一層不易產(chǎn)生氧化作用的金屬外部層502，然后利用粘著劑20將芯片10固設(shè)于導(dǎo)線架或基座電路板30的上方，然后再于芯片10的芯片焊墊101上形成有金球凸點40，最后利用超音波震蕩的焊接方式，先將進行兩層電鍍完成的金屬連結(jié)線50的第一端5021焊設(shè)于金屬凸點40上，然后拉引著金屬連結(jié)線50至設(shè)定長度后進行截斷，并將截斷面也就是金屬連結(jié)線50的第二端5022焊設(shè)于導(dǎo)線架或基座電路板30的連結(jié)焊墊301上，如此便可完成芯片10與導(dǎo)線架或基座電路板30的電性連結(jié)，如此便完成芯片組的工藝，最后再將該芯片組進行封裝；
[0046]綜上所述，本實用新型所為的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，較現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶體管的工藝結(jié)構(gòu)，本實用新型不僅能有效改善金屬連結(jié)線50易氧化及造成電信接觸不佳的缺失外，更由于銅與金在焊接上是屬于不亦接合的兩種金屬物質(zhì)，因此在金屬連結(jié)線50的外部層502的物質(zhì)是屬于接合性較佳的金、銀、鈀的情況下，也較容易使金屬連結(jié)線50在做超音波焊接的過程中節(jié)省較大的時間，也避免接合不佳斷訊的情況發(fā)生，因此能提高芯片模塊的工藝合格率、減少工藝時間并提高產(chǎn)制量，其確實具有新穎性、進步性及產(chǎn)業(yè)利用性無疑。
[0047]當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型所附的權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一導(dǎo)線架或基座電路板，在該導(dǎo)線架或基座電路板內(nèi)嵌設(shè)有供金屬連結(jié)線的第二端焊設(shè)并進行電性連結(jié)的連結(jié)焊墊； 一利用粘著劑固定設(shè)置的芯片，置于導(dǎo)線架或基座電路板上方，且該芯片的上表面設(shè)有供金屬連結(jié)線的第一端直接焊設(shè)連結(jié)以形成電性連結(jié)的芯片焊墊； 一用于達成電性連結(jié)的金屬連結(jié)線，包括有內(nèi)層部與外層部，第一端與芯片的芯片焊墊相連結(jié)，第二端與導(dǎo)線架或基座電路板相連結(jié)。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片焊墊上先行形成有供該金屬連結(jié)線的第一端焊設(shè)連結(jié)的金球凸點。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬連結(jié)線的內(nèi)部層的材質(zhì)為銅。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬連結(jié)線的外部層的材質(zhì)為金、銀或鈀。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬連結(jié)線的外部層為電鍍覆蓋于該內(nèi)部層的外圍。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體晶體管封裝結(jié)構(gòu)，適用于如絕緣柵雙極型晶體管或金氧半場效晶體管等晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，主要作為芯片與導(dǎo)線架或基座電路板的電性連通的連通導(dǎo)線，在進行焊接前先行鍍上第二層金屬，以降低該連通導(dǎo)線易氧化、不易接合等缺失，除了提高該半導(dǎo)體晶體管于封裝時的速率及合格率外，亦可延長該晶體管的使用壽命。
【IPC分類】H01L29/739, H01L29/78
【公開號】CN204834628
【申請?zhí)枴緾N201520186070
【發(fā)明人】資重興
【申請人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年3月30日