一種電磁爐用igbt功率組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種電磁爐用IGBT功率組件。
【背景技術(shù)】
[0002]電磁爐領(lǐng)域目前使用的IGBT組件中，只集成了 IGBT芯片與FRD(二極管)芯片，整流橋部分為單獨(dú)封裝，這就導(dǎo)致IGBT單管與整流橋部分需要分立安裝，影響安裝。
[0003]如中國(guó)專(zhuān)利(CN102538035A)即公開(kāi)了一種整流橋和IGBT器件單獨(dú)設(shè)置的模塊式電磁爐，在安裝中需要單獨(dú)安裝整流橋部分，此種結(jié)構(gòu)和市場(chǎng)上現(xiàn)有的IGBT組件的結(jié)構(gòu)相同，安裝、組裝過(guò)程中需要分別安裝IGBT器件和整流橋，耗費(fèi)工時(shí)，元器件的集成度低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供一種電磁爐用IGBT功率組件，本組件將IGBT部分與整流橋部分結(jié)合為整體，在對(duì)原有的應(yīng)用方案不做大的改動(dòng)的情況下，減小裝配工作量，并利用整流橋部分對(duì)IGBT進(jìn)行散熱，改善IGBT因發(fā)熱高導(dǎo)致溫度偏高的問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型的電磁爐用IGBT功率組件，包括一體封裝在銅底板上的DBC基片、IGBT芯片和二極管芯片，銅底板上通過(guò)焊片焊接DBC基片，DBC基板上通過(guò)焊片焊接IGBT芯片和二極管芯片，還包括封裝在組件內(nèi)的整流橋芯片，通過(guò)焊片焊接在DBC基片上。
[0006]所述IGBT芯片、二極管芯片和整流橋芯片通過(guò)鋁線(xiàn)連接管腳。
[0007]本實(shí)用新型的IGBT功率組件用于電磁爐中，特別適用于2100W以下的電磁爐。
[0008]組件外形與現(xiàn)有整流橋外形基本相同，寬度為現(xiàn)有整流橋?qū)挾鹊?.5倍，厚度與現(xiàn)有整流橋厚度相同，背面為銅底板，組件的7只管腳從左至右分別為IGBT控制端、IGBT高壓端、IGBT低壓端、整流橋高壓輸出端、整流橋輸入端1、整流橋輸入端2、整流橋低壓輸出端。
[0009]組件內(nèi)部采用DBC工藝，進(jìn)行芯片間的電性隔離及線(xiàn)路規(guī)劃。其中銅底板、DBC基片在封裝前即一體成型，線(xiàn)路也預(yù)腐蝕完成，芯片與管腳間以鋁線(xiàn)連接。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的電磁爐用IGBT功率組件封裝外形圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型的電磁爐用IGBT功率組件內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
[0012]圖中:1.銅底板；2.焊片；3.DBC基片；4.1GBT芯片；5.二極管芯片；6.整流橋芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0014]實(shí)施例1
[0015]參見(jiàn)圖1和圖2，本實(shí)用新型的電磁爐用IGBT功率組件，包括一體封裝在銅底板上的DBC基片、IGBT芯片和二極管芯片，銅底板上通過(guò)焊片焊接DBC基片，DBC基板上通過(guò)焊片焊接IGBT芯片和二極管芯片，還包括封裝在組件內(nèi)的整流橋芯片，通過(guò)焊片焊接在DBC
基片上。
[0016]所述IGBT芯片、二極管芯片和整流橋芯片通過(guò)鋁線(xiàn)連接管腳。
[0017]本實(shí)用新型的IGBT功率組件用于電磁爐中，特別適用于2100W以下的電磁爐。
[0018]組件外形與現(xiàn)有整流橋外形基本相同，寬度為現(xiàn)有整流橋?qū)挾鹊?.5倍，厚度與現(xiàn)有整流橋厚度相同，背面為銅底板，組件的7只管腳從左至右分別為IGBT控制端、IGBT高壓端、IGBT低壓端、整流橋高壓輸出端、整流橋輸入端1、整流橋輸入端2、整流橋低壓輸出端。
[0019]組件內(nèi)部采用DBC工藝，進(jìn)行芯片間的電性隔離及線(xiàn)路規(guī)劃。其中銅底板、DBC基片在封裝前即一體成型，線(xiàn)路也預(yù)腐蝕完成，芯片與管腳間以鋁線(xiàn)連接。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁爐用IGBT功率組件，包括一體封裝在銅底板上的DBC基片、IGBT芯片和二極管芯片，銅底板上通過(guò)焊片焊接DBC基片，DBC基板上通過(guò)焊片焊接IGBT芯片和二極管芯片，其特征在于:還包括封裝在組件內(nèi)的整流橋芯片，通過(guò)焊片焊接在DBC基片上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁爐用IGBT功率組件，其特征在于:所述IGBT芯片、二極管芯片和整流橋芯片通過(guò)鋁線(xiàn)連接管腳。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電磁爐用IGBT功率組件，包括一體封裝在銅底板上的DBC基片、IGBT芯片和二極管芯片，銅底板上通過(guò)焊片焊接DBC基片，DBC基板上通過(guò)焊片焊接IGBT芯片和二極管芯片，還包括封裝在組件內(nèi)的整流橋芯片，通過(guò)焊片焊接在DBC基片上；本組件將IGBT部分與整流橋部分結(jié)合為整體，減小裝配工作量，并利用整流橋部分對(duì)IGBT進(jìn)行散熱，改善IGBT因發(fā)熱高導(dǎo)致溫度偏高的問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】H01L23/488, H01L25/18
【公開(kāi)號(hào)】CN204834621
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520528544
【發(fā)明人】李向坤, 王新強(qiáng), 王丕龍
【申請(qǐng)人】青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年7月20日