與芯片正面的圓區(qū)通過金屬片連接，芯片正面的圓區(qū)和和金屬框架的其他引腳設(shè)置有助焊劑，金屬片放置的位置與金屬框架的位置相對(duì)應(yīng)，覆蓋在芯片正面以及金屬框架的其他引腳之上并與之橋接。
[0028]如圖5所不，圖5為尚引腳的金屬框架I不意圖。該金屬框架I的引腳尚度明顯高于傳統(tǒng)引腳的高度，本實(shí)施例中的引腳高度大于芯片厚度，金屬框架I材質(zhì)為銅、鋁、銀或合金等金屬。本實(shí)用新型的高引腳金屬框架I設(shè)計(jì)并不限于本實(shí)施例。
[0029]芯片3的背面與金屬框架I粘接。如附圖6所示，圖6為芯片3背面與金屬框架I粘接后結(jié)構(gòu)示意圖，I為高引腳設(shè)計(jì)的金屬框架，2是助焊劑，3是芯片。在金屬框架I上粘接芯片3，金屬框架I與芯片3的背面通過助焊劑2粘接。具體地，先在金屬框架I表面刷一層助焊劑2，然后將芯片3置于金屬框架I上，經(jīng)過回流焊，芯片3背面即與金屬框架I粘接。
[0030]芯片3正面的門極與金屬框架I的第一引腳焊接。芯片表面的壓區(qū)分為門極及圓區(qū)，門極為電源端，區(qū)為其他功能區(qū)。在本實(shí)用新型中，焊線焊接指門極通過焊線與金屬框架的第一引腳焊接，圓區(qū)焊接指圓區(qū)通過金屬片與其他引腳橋接。如圖7所示，圖7為門極與引腳連接后結(jié)構(gòu)示意圖，芯片3的門極(圖中未示出)通過焊線4與金屬框架I的引腳焊接。如圖8所示，圖8為圖7中單獨(dú)引腳焊線焊接部分放大圖，a焊點(diǎn)為芯片的門極，b焊點(diǎn)為金屬框架I引腳上的焊點(diǎn)。本實(shí)用新型使用倒打線的工藝將a焊點(diǎn)與b焊點(diǎn)焊接。本實(shí)用新型中，采用倒打線的方式焊接焊線，如圖9所示，圖9為倒打線焊接工藝單獨(dú)引腳焊接順序圖，在倒打線工藝中，先焊接b焊點(diǎn)，然后拉出線段①后打彎，拉出線段②后打彎，再拉出線段③后打彎，再焊接a焊點(diǎn)。采用倒打線的工藝，與傳統(tǒng)打線方式相比，可以有效降低焊線的弧高，解決了焊線焊接與金屬片橋接相結(jié)合產(chǎn)品高度較大的工藝難題，避免了產(chǎn)品焊接后焊線與金屬片觸碰發(fā)生的短路，提尚廣品的良率，保證廣品的可靠性，也進(jìn)一步降低金屬片橋接的工藝難度，保證了后續(xù)金屬片橋接工序的順利進(jìn)行，產(chǎn)品的可靠性得到保證。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，在實(shí)際生產(chǎn)中焊線的線弧線型并不限于本實(shí)施例，本實(shí)施例僅對(duì)焊線的焊接順序做了說明。
[0031]芯片3圓區(qū)與金屬框架I的其他引腳橋接。如圖10所示，圖10為粘接金屬片6后的結(jié)構(gòu)剖面圖。5是強(qiáng)介電材料，6是金屬片。在本步驟中，先在金屬片的下面涂一層強(qiáng)介電材料5。然后在芯片3的上面和金屬框架I的其他引腳上面涂一層助焊劑2，再把金屬片6蓋在芯片3的正面的圓區(qū)與金屬框架I的其他引腳上，金屬片6的放置位置與金屬框架I的位置相對(duì)應(yīng)，覆蓋在所述芯片3正面以及所述金屬框架I的其他引腳之上，不覆蓋已與晶圓表面的門極焊接的引腳。再進(jìn)行回流焊，金屬片即與芯片3和金屬框架I完成橋接。金屬片6、芯片3、焊線4以及金屬框架I共同構(gòu)成電路的連通。
[0032]隨后進(jìn)行產(chǎn)品的塑封，以及切割等工序，如圖12，圖12為產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]在本實(shí)用新型的第二實(shí)施例中，對(duì)第一實(shí)施例進(jìn)行了改進(jìn)。具體地，在該實(shí)施例中，對(duì)第一實(shí)施例中芯片3與金屬框架I的粘接方式進(jìn)行了改進(jìn)，在該實(shí)施方式中，金屬框架I上面刷有粘片膠7 ;芯片3與金屬框架I粘接；芯片3與金屬框架I粘接后烘烤。
[0034]圖11為芯片與金屬框架粘接后結(jié)構(gòu)示意圖，I為高引腳設(shè)計(jì)的金屬框架，7是粘片膠，3是芯片。在金屬框架I上粘接芯片3，金屬框架I與芯片3通過粘片膠7粘接。
[0035]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型法的有益效果是:高引腳的金屬框架、芯片、焊線與平板狀的金屬片，構(gòu)成了一種更為實(shí)用的半導(dǎo)體橋接封裝結(jié)構(gòu)。節(jié)省了生產(chǎn)成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程，提高產(chǎn)品的良率，保證產(chǎn)品的可靠性，也進(jìn)一步降低金屬片橋接的工藝難度、降低了金屬片的生產(chǎn)成本以及產(chǎn)品生產(chǎn)周期。也使芯片與金屬框架之間的連接更為緊密，橋接后產(chǎn)品的導(dǎo)熱、導(dǎo)電、以及可靠性大幅提高，本實(shí)用新型相比傳統(tǒng)的打線以及植球焊接工藝，在提高產(chǎn)品封裝良率、降低生產(chǎn)成本的同時(shí)滿足了大功率、高能耗產(chǎn)品的性能要求。
[0036]上述說明示出并描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬框架(1)，芯片(3)，焊線(4)和金屬片(6)，其特征在于:所述芯片(3)位于金屬框架(I)之上，焊線(4)連接金屬框架(I)的引腳和芯片(3)，金屬片(6)位于芯片(3)之上。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，金屬框架(I)的引腳高度大于芯片的厚度。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片(3)背面和金屬框架(I)之間設(shè)置有助焊劑或粘合劑。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬框架(I)的引腳與芯片(3)正面的門極通過焊線⑷連接。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片(3)和金屬框架(I)的正面設(shè)置有助焊劑。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬片(6)放置的位置與金屬框架(I)的位置相對(duì)應(yīng)，覆蓋在所述芯片(3)正面以及所述金屬框架(I)的引腳之上。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬片(6)的下方設(shè)置有強(qiáng)介電材料。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬片(6)通過助焊劑(2)所述金屬框架(I)和芯片(3)連接。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬片(6)的形狀為平板狀。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬框架，芯片，焊線和金屬片。芯片位于金屬框架之上，芯片背面和金屬框架之間設(shè)置有助焊劑或粘片膠等粘合劑，焊線連接金屬框架的引腳和芯片，金屬片位于芯片之上。金屬框架的引腳與芯片正面的門極通過焊線連接，金屬片放置的位置與金屬框架的位置相對(duì)應(yīng)，金屬片通過助焊劑金屬框架和芯片連接。本實(shí)用新型的有益效果是：該結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸不同的情況下使用同樣尺寸的金屬片，降低生產(chǎn)成本。芯片與引腳通過倒打線的方式焊接，同時(shí)金屬片下面涂高介電材料，使用焊線焊接和金屬片橋接結(jié)合的焊接方法，芯片與金屬框架之間的連接更為緊密，提高產(chǎn)品的良率，保證產(chǎn)品的可靠性，提高產(chǎn)品的電性能。
【IPC分類】H01L23/488, H01L23/495, H01L23/49
【公開號(hào)】CN204809212
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520475374
【發(fā)明人】石磊
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年6月30日