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一種場發(fā)射顯示裝置的制造方法

文檔序號:8787901閱讀:214來源:國知局
一種場發(fā)射顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種場發(fā)射顯示裝置,尤指一種利用碳納米管的場發(fā)射顯示裝置。
【背景技術】
[0002]碳納米管作為一種常規(guī)的場發(fā)射材料,在場發(fā)射顯示領域得到了廣泛的應用。該場發(fā)射元件,利用碳納米管尖端放電原理,實現顯示功能。常規(guī)的場發(fā)射結構為二級結構或三級結構,其原理都是利用碳納米管尖端電子轟擊熒光層發(fā)光所致。
[0003]發(fā)明專利CN1286500A為傳統(tǒng)的碳納米管場發(fā)射顯示器結構,碳納米管垂直排列在陰極表面。工作時,碳納米管在電壓作用下發(fā)射電子,電子束轟擊陽極,陽極為透明電極,并且安裝熒光層,熒光層發(fā)光,光線透過陽極,完成顯示功能。此結構的存在的缺陷是:電子轟擊熒光層自發(fā)輻射發(fā)光,但熒光層所發(fā)的光線方向是無規(guī)則的,其發(fā)光方向呈球狀分布,浪費近70 %,造成發(fā)光效率低。
[0004]發(fā)明專利CN2587057Y為一種場發(fā)射顯示裝置,此裝置采用透明陰極,通過陽極反射光提高了發(fā)光效率。但是,該裝置存在的缺陷是:反射光具有方向性,在陰極透射過程,光線不均勻,造成部分陰影。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明為了解決上述技術的不足,提高裝置的發(fā)光效率,采取的技術方案是:
[0006]一種場發(fā)射顯示裝置,包括陽極和涂覆碳納米管的陰極,其特征在于:熒光層為球狀結構,位于凹面鏡的焦點位置,陽極位于裝置外殼的底部和凹面鏡的中間位置。熒光層發(fā)出光由于凹面鏡的聚焦作用,平行射出出光部。
[0007]陰極為球狀結構,位于熒光層的球心,陰極表面涂覆碳納米管。球形的陰極表面結構擴大了碳納米管的管間距,降低了管間屏蔽效應,提高了電子束的發(fā)射效率。電子束轟擊熒光層,大部分光線能夠在凹面鏡反射。
[0008]本裝置的有益效果是:凹面鏡結構提高了發(fā)光效率,增強了光線的方向性,使發(fā)出的光線平行且均勻;球狀陰極結構降低了管間屏蔽效應,提高了電子束的發(fā)射效率。
【附圖說明】
[0009]圖1為本裝置的剖面圖。
【具體實施方式】
[0010]如圖1所示,支撐體6為絕緣結構,起到連接熒光層3和外殼I的支撐作用。熒光層3為球狀空心結構,內外表面涂覆熒光粉,球心位置固定陰極5,陰極5—般采用金屬結構的球狀物,在其表面生長碳納米管4。熒光層3位于凹面鏡7的焦點位置,陽極8位于裝置外殼I的底部和凹面鏡7的中間位置。
[0011]陰極5生長碳納米管4為本領域技術人員常用技術。
[0012]陰極5與陽極8的作用,使碳納米管4發(fā)射電子束,電子束轟擊熒光層3。通過熒光層3產生的光線部分經出光部2射出,由于熒光層3位于凹面鏡7的焦點位置,光線被凹面鏡7反射,形成平行光射出出光部2,且外殼I的頂端采用透明材料。
【主權項】
1.一種場發(fā)射顯示裝置,包括陽極(8),涂覆碳納米管(4)的陰極(5),其特征在于:熒光層(3)為球狀結構,位于凹面鏡(7)的焦點位置,陽極(8)位于裝置外殼(I)的底部和凹面鏡(7)的中間位置。
2.根據權利要求1所述一種場發(fā)射顯示裝置,其特征在于:陰極(5)為球狀結構,位于熒光層(3)的球心,陰極(5)表面涂覆碳納米管(4)。
【專利摘要】本實用新型涉及一種場發(fā)射顯示裝置,本裝置包括陽極和涂覆碳納米管的陰極。熒光層為球狀結構,位于凹面鏡的焦點位置,陽極位于裝置外殼的底部和凹面鏡的中間位置。熒光層發(fā)出光由于凹面鏡的聚焦作用,平行射出出光部。本裝置的有益效果是:凹面鏡結構提高了發(fā)光效率,增強了光線的方向性,使發(fā)出的光線平行且均勻;球狀陰極結構降低了管間屏蔽效應,提高了電子束的發(fā)射效率。
【IPC分類】H01J29-04, H01J31-12, H01J29-46
【公開號】CN204497188
【申請?zhí)枴緾N201520168157
【發(fā)明人】喬憲武, 吳昊
【申請人】中國計量學院
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年3月24日
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