一種超薄封裝件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于集成電路封裝技術領域，具體涉及一種超薄封裝件。
【背景技術】
[0002]集成電路的QFN(Quad Flat No-leadPackage，方形扁平無引腳封裝)和DFN(DualFlat Package，雙側引腳扁平封裝)近幾年隨著通訊設備(如基站、交換機)、智能手機、便攜式設備(如平板電腦)、可穿戴設備(如智能手表、智能眼鏡、智能手環(huán)等)的普及而迅速發(fā)展，特別適用于有高頻、高帶寬、低噪聲、高導熱、小體積、高速度等電性需求的大規(guī)模集成電路的封裝。
[0003]QFN/DFN有效地利用了引線腳的封裝空間，從而大幅度地提高了封裝效率。該封裝由于引線短小、塑封體尺寸小、封裝體薄，可以使CPU體積縮小30%-50%，同時具有良好的散熱性能。
[0004]傳統(tǒng)的QFN/DFN主要存在以下不足:一是設計及制作周期長，成本比較高；二是凸點的排布以及I/o的密集程度受到框架設計及框架制造工藝的限制；三是框架在腐蝕變薄后，在模具內有滑動的風險，封裝可靠性得不到保障；四是傳統(tǒng)的QFN/DFN產(chǎn)品厚度仍然比較大，無法滿足當前的便攜式設備對小體積、高密度封裝的需求。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的目的是針對上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種基于鍵合線連接的免貼膜、免電鍍的超薄封裝件。
[0006]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種超薄封裝件，包括塑封體以及封裝在塑封體內的芯片、鍍銀層、鍍NiPdAu層、銅連接層和鍵合線，芯片、鍍銀層、銅連接層、鍍NiPdAu層和鍵合線構成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層有多個，每個銅連接層的上表面和下表面分別設置有鍍銀層和鍍NiPdAu層，所述的多個鍍銀層相互獨立，所述的芯片設置在部分鍍銀層上，無芯片的鍍銀層通過鍵合線與芯片連接。
[0007]所述的一種超薄封裝件，其無芯片的鍍銀層上設置有與鍵合線連接的金屬凸點，所述的金屬凸點、芯片、鍍銀層、銅連接層、鍍NiPdAu層和鍵合線構成了電路的電源和信號通道。
[0008]所述的一種超薄封裝件，其鍍銀層和鍍NiPdAu層的厚度為3 — 5um。
[0009]所述的一種超薄封裝件，其塑封體的厚度小于0.35mm。
[0010]所述的一種超薄封裝件，其銅連接層下端的一組相對邊設置有倒角。
[0011 ] 所述的一種超薄封裝件，其倒角為直角倒角。
[0012]本實用新型的有益效果是:通過電鍍銀之后在植有的金屬凸點上直接壓焊，也可通過電鍍銀后直接打線的方法實現(xiàn)與外部電路的連通，封裝件將鍍NiPdAu層作為與外部電路的信號連接通道，相當于普通封裝的“管腳”，可以省去電鍍環(huán)節(jié)；在鍍銀層和框架基板之間增加一層銅連接層，銅連接層下端的一組相對邊設置有倒角，塑封之后塑封料填充滿銅倒角層的凹槽，形成有效的防拖拉結構，極大地降低了框架在腐蝕變薄后，在模具內滑動的風險。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型第一實施例的剖面圖；
[0014]圖2為本實用新型第二實施例的剖面圖。
[0015]各附圖標記為:2—金屬凸點，3—芯片，4一塑封體，5—鍛銀層，6—鍛NiPdAu層，
7—銅連接層，8—鍵合線。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖對本實用新型作進一步詳細說明。
[0017]參照圖1所示，本實用新型公開了一種超薄封裝件，包括塑封體4以及封裝在塑封體4內的芯片3、鍍銀層5、鍍NiPdAu層6、銅連接層7和鍵合線8，所述的芯片3、鍍銀層5、銅連接層7、鍍NiPdAu層6和鍵合線8構成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層7有多個，每個銅連接層7的上表面設置有鍍銀層5，下表面設置有鍍NiPdAu層6，所述的多個鍍銀層5相互獨立，所述的芯片3設置在部分鍍銀層5上，無芯片3的鍍銀層5通過鍵合線8與芯片3連接。
[0018]進一步，如圖2所示，在無芯片3的鍍銀層5上設置有與鍵合線8連接的金屬凸點2，所述的金屬凸點2、芯片3、鍍銀層5、銅連接層7、鍍NiPdAu層6和鍵合線8構成了電路的電源和信號通道。
[0019]由于鍍銀層5和鍍NiPdAu層6的厚度為3 — 5um，大大降低了 QFN/DFN封裝產(chǎn)品的厚度，可將塑封體4的厚度設置為小于0.35mm，而傳統(tǒng)的QFN/DFN封裝體厚度在0.7mm以上，本實用新型提供的技術可使封裝體厚度減小100%。
[0020]更進一步，銅連接層7下端的一組相對邊設置有倒角，作為一種優(yōu)選的實施例，還可以將倒角設置成直角倒角，不僅形成有效的防拖拉結構，塑封之后塑封料填充滿銅倒角層的凹槽，形成有效的防拖拉結構，極大地降低了框架在腐蝕變薄后，在模具內滑動的風險，還大大方便了銅連接層7的加工，同時，降低了塑封料壓力，增加了塑封料與金屬框架的接合面積，封裝可靠性大幅提升。
[0021]本實用新型采用普通框架即可進行產(chǎn)品制作流程，無需過多加工框架載體，縮短設計周期，降低成本，更好地實現(xiàn)芯片與載體的互聯(lián)，使I/o更加密集。
[0022]傳統(tǒng)的QFN/DFN框架，為了防止塑封時發(fā)生“溢膠”，在框架背面貼有一層膜，而本實用新型由于框架上面鍍了一層NiPdAu，可以起到隔離塑封料的作用，塑封后腐蝕掉框架，同樣可以起到防止“溢膠”的作用，這樣就可以省去框架廠商“貼膜”的過程。
[0023]由于本實用新型提供的封裝件可以免電鍍、免貼膜，生產(chǎn)成本可以大幅降低，產(chǎn)品更有競爭力。
[0024]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，以及部分運用的實施例，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種超薄封裝件，其特征在于:包括塑封體(4)以及封裝在塑封體(4)內的芯片(3)、鍍銀層(5)、鍍NiPdAu層(6)、銅連接層(7)和鍵合線(8)，芯片(3)、鍍銀層(5)、銅連接層(7)、鍍NiPdAu層(6)和鍵合線(8)構成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層(7)有多個，每個銅連接層(7)的上表面和下表面分別設置有鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6)，所述的多個鍍銀層(5)相互獨立，所述的芯片(3)設置在部分鍍銀層(5)上，無芯片(3)的鍍銀層(5)通過鍵合線(8)與芯片(3)連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種超薄封裝件，其特征在于，所述無芯片(3)的鍍銀層(5)上設置有與鍵合線(8)連接的金屬凸點(2)，所述的金屬凸點(2)、芯片(3)、鍍銀層(5)、銅連接層(7 )、鍍NiPdAu層(6 )和鍵合線(8 )構成了電路的電源和信號通道。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種超薄封裝件，其特征在于，所述的鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6)的厚度為3—5um。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種超薄封裝件，其特征在于，所述的塑封體(4)的厚度小于0.35mm。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種超薄封裝件，其特征在于，所述的銅連接層(7)下端的一組相對邊設置有倒角。
6.根據(jù)權利要求5所述的一種超薄封裝件，其特征在于，所述的倒角為直角倒角。
【專利摘要】本實用新型公開了一種超薄封裝件，包括塑封體以及封裝在塑封體內的芯片、鍍銀層、鍍NiPdAu層、銅連接層和鍵合線，芯片、鍍銀層、銅連接層、鍍NiPdAu層和鍵合線構成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層有多個，每個銅連接層的上表面和下表面分別設置有鍍銀層和鍍NiPdAu層，所述的多個鍍銀層相互獨立，所述的芯片設置在部分鍍銀層上，無芯片的鍍銀層段通過鍵合線與芯片連接，由于可以免電鍍、免貼膜，生產(chǎn)成本可以大幅降低，產(chǎn)品更有競爭力。
【IPC分類】H01L23-522
【公開號】CN204348715
【申請?zhí)枴緾N201520003392
【發(fā)明人】宋波, 梁大鐘, 施保球, 劉興波
【申請人】廣東氣派科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月5日