一種微型耐壓高散熱的mosfet的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種微型耐壓高散熱的M0SFET。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有的很多MOSFET的第一外延片22，第二外延片23 二者是一體設(shè)置的，然后封裝體21封裝，這樣設(shè)置的目的是散熱，但是實(shí)際效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散熱面積有限，導(dǎo)致散熱不暢，另外第一外延片，第二外延片二者是一體設(shè)置很容易造成短路?，F(xiàn)有的MOSFET對(duì)耐壓程度也不高，不能承受特殊環(huán)境狀態(tài)下使用。
[0003]所以現(xiàn)有技術(shù)有缺陷，需要改進(jìn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種微型耐壓高散熱的M0SFET，能夠提高微型耐壓提高散熱效果的MOSFET。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種微型耐壓高散熱的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝；
[0007]還包括一殼體,封裝于殼體內(nèi)的電路結(jié)構(gòu),殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結(jié)構(gòu)包括功率端子、信號(hào)端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過(guò)高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結(jié)構(gòu)連接起來(lái)，并通過(guò)鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來(lái)，至少三個(gè)功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對(duì)應(yīng)位置上，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
[0008]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼是一體設(shè)置。
[0009]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第二外延片與外殼是一體設(shè)置。
[0010]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。
[0011 ] 所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
[0012]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
[0013]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
[0014]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的后端。
[0015]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，在封裝體內(nèi)設(shè)置處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過(guò)MOSFET內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來(lái)封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅MOSFET發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用微型耐壓高散熱的MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0019]圖3為本實(shí)用微型耐壓高散熱的MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖之二。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。
[0021]實(shí)施例一
[0022]請(qǐng)參閱圖2、圖3所示，本實(shí)用新型揭示了一種微型耐壓高散熱的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝；
[0023]還包括一殼體,封裝于殼體內(nèi)的電路結(jié)構(gòu),殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結(jié)構(gòu)包括功率端子、信號(hào)端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過(guò)高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結(jié)構(gòu)連接起來(lái)，并通過(guò)鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來(lái)，至少三個(gè)功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對(duì)應(yīng)位置上，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實(shí)用新型最大的創(chuàng)意就是把第一外延片26，一第二外延片25分離開，避免產(chǎn)生短路現(xiàn)象，把第一外延片26與外殼27 —體設(shè)置，第一外延片與外殼是一體設(shè)置。第一外延片26在MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生的熱量通過(guò)第一外延片26直接擴(kuò)散到外殼上，能夠很好散熱；第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。這樣外殼就形成一個(gè)保護(hù)外殼，增加了本MOSFET的堅(jiān)固性。
[0024]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼是一體設(shè)置。
[0025]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第二外延片與外殼是一體設(shè)置。
[0026]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。
[0027]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
[0028]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
[0029]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
[0030]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的后端。
[0031]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，在封裝體內(nèi)設(shè)置處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過(guò)MOSFET內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
[0032]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來(lái)封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅MOSFET發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。
[0033]本實(shí)施例中，所述微型耐壓高散熱的MOSFET的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述微型耐壓高散熱的MOSFET的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。
[0034]本實(shí)施例中微型耐壓高散熱的MOSFET的這種側(cè)壁結(jié)構(gòu)也可以增加側(cè)向光源的出光面積，使MOSFET獲得更多的出光。
[0035]此外，微型耐壓高散熱的MOSFET的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁還可以呈現(xiàn)其他凹凸不平狀，如不規(guī)則的凹凸不平狀，只要可以增加MOSFET側(cè)面的出光面積即可。
[0036]這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于,它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝； 還包括一殼體，封裝于殼體內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)，殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結(jié)構(gòu)包括功率端子、信號(hào)端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過(guò)高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結(jié)構(gòu)連接起來(lái)，并通過(guò)鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來(lái)，至少三個(gè)功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對(duì)應(yīng)位置上，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:第一外延片與外殼是一體設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其特征在于:第二外延片與外殼是一體設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片弟一端的后端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其特征在于:在封裝體內(nèi)設(shè)置處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和輸入輸出模塊，所有模塊通過(guò)MOSFET內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種微型耐壓高散熱的MOSFET，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼,等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來(lái)封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，增加了使用壽命。
【IPC分類】H01L23-02, H01L29-06, H01L25-18, H01L23-367
【公開號(hào)】CN204271079
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420586141
【發(fā)明人】黃澤軍
【申請(qǐng)人】深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請(qǐng)日】2014年10月11日