一種碲化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池，包括玻璃基板，以及沿遠離玻璃基板的方向依次設(shè)置在玻璃基板上的一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層、緩沖層、n型半導體層、p型半導體層、背接觸層和背電極層，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層，所述抑制層設(shè)置在玻璃基板上，所述電介質(zhì)層設(shè)置在抑制層和透明導電層之間，所述抑制層含有Si和O元素，該抑制層還含有Al、B中至少一種元素和含有Li、K中至少一種元素，所述抑制層和電介質(zhì)層具有透光性。本發(fā)明還公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法。本發(fā)明設(shè)置一疊層結(jié)構(gòu)，用作碲化鎘薄膜太陽能電池的前接觸件，提高了碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流。
【專利說明】
一種碲化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于薄膜太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種碲化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球氣候變暖、生態(tài)環(huán)境惡化和常規(guī)能源的短缺，越來越多的國家開始大力發(fā)展太陽能利用技術(shù)。太陽能光伏發(fā)電是零排放的清潔能源，具有安全可靠、無噪音、無污染、資源取之不盡、建設(shè)周期短、使用壽命長等優(yōu)勢，因而備受關(guān)注。碲化鎘是一種直接帶隙的P型半導體材料，其吸收系數(shù)高。碲化鎘薄膜太陽電池作為新一代的薄膜電池具有成本低、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強、弱光也能發(fā)電等優(yōu)點，其轉(zhuǎn)換效率在薄膜太陽能電池中是很高的，目前實驗室的轉(zhuǎn)化率已超過22%。
[0003]如圖1所示，傳統(tǒng)的碲化鎘薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)依次為:基底I'透明導電層2'緩沖層:T、窗口層4'碲化鎘光吸收層5'背接觸層6'和背電極層廠。如果基底I'為玻璃基板時，在對透明導電層2'進行熱處理時玻璃基板I'中的鈉離子會擴散進入到透明導電層2'中，這會造成透明導電層21 生能的下降；當在玻璃基板I'上沉積窗口層4'碲化鎘光吸收層5'及后續(xù)對光吸收層?Γ的熱處理，這些都會使玻璃基板f中的鈉離子擴散進入到碲化鎘光吸收層?Γ中，這會造成薄膜太陽能電池性能的惡化，這將使電池的轉(zhuǎn)換效率降低。此外，傳統(tǒng)的蹄化錦薄I旲太陽能電池的短路電流還有待提尚。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于為解決上述問題而提供一種可以避免在熱處理過程中玻璃基板中的鈉離子會擴散進入到膜層中，從而提高薄膜太陽能電池轉(zhuǎn)換效率和短路電流的碲化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法。
[0005]為此，本發(fā)明公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池，包括玻璃基板，以及沿遠離玻璃基板的方向依次設(shè)置在玻璃基板上的一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層、緩沖層、η型半導體層、P型半導體層、背接觸層和背電極層，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層，所述抑制層設(shè)置在玻璃基板上，所述電介質(zhì)層設(shè)置在抑制層和透明導電層之間，所述抑制層含有Si和O元素，該抑制層還含有Al、Β中至少一種元素和含有L1、K中至少一種元素，所述抑制層和電介質(zhì)層具有透光性。
[0006]進一步的，所述疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于lOOOnm，優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于500nm，更優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于200nmo
[0007]進一步的，所述抑制層還含有Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種元素，優(yōu)選還含有Mg和/或Ca元素。
[0008]進一步的，所述電介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，所述電介質(zhì)層的折射率小于1.7，優(yōu)選電介質(zhì)層的折射率小于1.6。
[0009]進一步的，所述電介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)是由高折射率材料層和低折射率材料層的交替層疊組成，所述高折射率材料層的折射率大于1.75，優(yōu)選高折射率材料層的折射率大于1.85，所述低折射率材料層的折射率小于1.7，優(yōu)選低折射率材料層的折射率小于1.6。
[0010]進一步的，所述η型半導體層為硫化鎘層或硫化鎘鋅層，所述P型半導體層為碲化鎘層、碲化鎘鋅層或碲化鋅層，所述背接觸層為摻雜的碲化鎘層、摻雜的碲化鋅層、摻雜的碲化鎘鋅層、富含碲元素的膜層或碲膜層，所述背接觸層中的摻雜劑為銅、氮元素，所述背電極層為銅、金、鉬、鋁、銀中的至少一種。
[0011]進一步的，所述低折射率材料層為氧化硅、氮氧化硅、氧化硅鋁、氧化硅硼、氟化鎂或它們的任一組合，所述高折射率材料層為氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氮化硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化鋯、氧化釔、氧化鋅鎂或它們的任一組合。
[0012]進一步的，所述透明導電層為錫酸鎘、氧化鎘銦、摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅、摻銦氧化鋅、摻錫氧化銦、摻氟氧化錫、摻銻氧化錫、摻碘氧化錫、銀基透明導電層中的至少一種。所述緩沖層為氧化錫、氧化鋅、氧化鋅鎂、氧化鋁、氧化鋅錫、氧化銦、氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化硅中的至少一種。
[0013]本發(fā)明還公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，包括如下步驟 SI，準備玻璃基板；
S2，在玻璃基板上沿遠離玻璃基板的方向依次制備一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層、緩沖層、η型半導體層、P型半導體層、背接觸層和背電極層，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層，所述抑制層制備在玻璃基板上，所述電介質(zhì)層制備在抑制層和透明導電層之間，所述抑制層含有Si和O元素，該抑制層還含有Α1、Β中至少一種元素和含有L1、K中至少一種元素，所述抑制層和電介質(zhì)層具有透光性。
[0014]進一步的，所述疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于lOOOnm，優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于500nm，更優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于200nmo
[0015]進一步的，所述抑制層還含有Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種元素，優(yōu)選還含有Mg和/或Ca元素。
[0016]進一步的，所述電介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，所述電介質(zhì)層的折射率小于1.7，優(yōu)選電介質(zhì)層的折射率小于1.6。
[0017]進一步的，所述電介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)是由高折射率材料層和低折射率材料層的交替層疊組成，所述高折射率材料層的折射率大于1.75，優(yōu)選高折射率材料層的折射率大于1.85，所述低折射率材料層的折射率小于1.7，優(yōu)選低折射率材料層的折射率小于1.6。
[0018]使用本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池制作成一種光伏模塊，所述光伏模塊包括:多個本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池相鄰于基底；以及背覆蓋件，相鄰于所述多個本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池。以及使用本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池來產(chǎn)生電的方法，所述方法包括:用光照射本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池，以產(chǎn)生光電流；以及收集產(chǎn)生的光電流。
[0019]本發(fā)明的有益技術(shù)效果:
本發(fā)明在玻璃基板上設(shè)置一疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層;所述抑制層是用來抑制玻璃基板中的鈉離子擴散，使玻璃中的鈉離子不會擴散到透明導電層、η型半導體層和P型半導體層中；抑制層中的B元素可使抑制層耐受更高的溫度，能夠使抑制層與玻璃基板的粘結(jié)更加牢固；當玻璃基板中的鈉離子擴散到抑制層中會與抑制層中的L1、K元素產(chǎn)生混合堿效用，從而抑制鈉離子的進一步擴散;抑制層中含有的堿土金屬元素(如Mg、Ca、Sr、Ba)對鈉離子的擴散會起到進一步的抑制作用，從而增強抑制層對玻璃基板中鈉離子擴散的抑制作用，同時抑制層中的堿土金屬元素可提高抑制層膜層的耐機械性能和耐化學作用的性能。本發(fā)明的疊層結(jié)構(gòu)中的電介質(zhì)層具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu);所述電介質(zhì)層與抑制層的組合可使更多的太陽光入射到碲化鎘薄膜太陽能電池中，從而提高碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流，因而提高碲化鎘薄膜太陽能電池的性能。
【附圖說明】
[0020]圖1為傳統(tǒng)的碲化鎘薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明的碲化鎘薄膜太陽能電池的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進一步說明。
[0022]正如眾所周知的，在玻璃基板上形成碲化鎘薄膜太陽能電池，進行熱處理時玻璃基板中的鈉離子會擴散進入到碲化鎘薄膜太陽能電池的各膜層中，這會造成碲化鎘薄膜太陽能電池性能的下降。本發(fā)明提供了一種碲化鎘薄膜太陽能電池，先在玻璃基板上形成一疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)能夠有效抑制玻璃基板中的鈉離子擴散進入到碲化鎘薄膜太陽能電池的各個膜層中，同時所述疊層結(jié)構(gòu)能夠有效促進更多的入射光入射到碲化鎘吸收層中，可提高碲化鎘薄膜電池的短路電流，從而獲得具有高性能的碲化鎘薄膜太陽能電池。
[0023]如圖2和圖3所示，一種碲化鎘薄膜太陽能電池，包括玻璃基板I，以及沿遠離玻璃基板I的方向依次設(shè)置在玻璃基板I上的一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層2、緩沖層3、n型半導體層
4、p型半導體層5、背接觸層6和背電極層7，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層8和一電介質(zhì)層，所述抑制層8設(shè)置在玻璃基板I上，所述電介質(zhì)層設(shè)置在抑制層8和透明導電層2之間，所述抑制層8含有Si和O元素，該抑制層8還含有Al 3中至少一種元素和含有L1、1(中至少一種元素，所述抑制層8和電介質(zhì)層具有透光性。
[0024]具體的，所述疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于100nm，優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于500nm，更優(yōu)選疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于200nm，所述抑制層8還含有Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種元素，優(yōu)選還含有Mg和/或Ca元素，所述η型半導體層4為硫化鎘層或硫化鎘鋅層，所述P型半導體層5為碲化鎘層、碲化鎘鋅層或碲化鋅層，所述背接觸層6為摻雜的碲化鎘層、摻雜的碲化鋅層、摻雜的碲化鎘鋅層、富含碲元素的膜層或碲膜層，所述背接觸層6中的摻雜劑為銅、氮元素，所述背電極層7為銅、金、鉬、鋁、銀中的至少一種，所述透明導電層2為錫酸鎘、氧化鎘銦、摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅、摻銦氧化鋅、摻錫氧化銦、摻氟氧化錫、摻銻氧化錫、摻碘氧化錫、銀基透明導電層中的至少一種。所述緩沖層3為氧化錫、氧化鋅、氧化鋅鎂、氧化鋁、氧化鋅錫、氧化銦、氧化鈦、氧化鈮、氧化鉭、氮化硅中的至少一種。
[0025]進一步的，如圖2所示，所述電介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，單層結(jié)構(gòu)為低折射率材料層9，所述低折射率材料層9的折射率小于1.7，優(yōu)選低折射率材料層9的折射率小于1.6。
[0026]進一步的，如圖3所示，所述電介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)是由高折射率材料層10和低折射率材料層9的交替層疊組成，所述高折射率材料層10的折射率大于1.75，優(yōu)選高折射率材料層10的折射率大于1.85，所述低折射率材料層9的折射率小于1.7，優(yōu)選低折射率材料層9的折射率小于1.6。圖3所示的電介質(zhì)層為2層結(jié)構(gòu)，當然，在其它實施例中，可以是2層以上。
[0027]具體的，所述低折射率材料層9為氧化硅、氮氧化硅、氧化硅鋁、氧化硅硼、氟化鎂或它們的任一組合，所述高折射率材料層10為氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氮化硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化鋯、氧化釔、氧化鋅鎂或它們的任一組合，
本發(fā)明還公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，包括如下步驟 SI，準備玻璃基板I;
S2，在玻璃基板I上沿遠離玻璃基板I的方向依次制備一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層2、緩沖層3、n型半導體層4、p型半導體層5、背接觸層6和背電極層7，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層8和一電介質(zhì)層，所述抑制層8制備在玻璃基板I上，所述電介質(zhì)層制備在抑制層8和透明導電層2之間，所述抑制層8含有Si和O元素，該抑制層8還含有Al、B中至少一種元素和含有L1、K中至少一種元素，所述抑制層8和電介質(zhì)層具有透光性。
[0028]以下涉及實施例及對比例，均是在干凈的玻璃基板I上依次形成各膜層。
[0029]實施例1
在玻璃基板I表面形成一層35nm的抑制層8，所述抑制層8含有S1、0、B、Li元素;接著在抑制層8上形成50nm的二氧化硅膜層作為低折射率材料層9;接著在二氧化硅膜層9上形成400nm的鋁摻雜氧化鋅膜層作為透明導電層2;接著在鋁摻雜氧化鋅膜層2上形成70nm的氧化鋅膜層作為緩沖層3;接著在氧化鋅膜層3上形成10nm的硫化鎘膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘膜層4上形成2um的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5上形成10nm的銅摻雜碲化鎘膜層作為背接觸層6;接著在銅摻雜碲化鎘膜層6上形成300nm金屬鉬層作為背電極層7。本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0030]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為26.3mA/cm2。
[0031]實施例2
在玻璃基板I表面形成一層40nm的抑制層8，所述抑制層8含有S1、0、B、K元素;接著在抑制層8上形成60nm的二氧化硅膜層作為低折射率材料層9;接著在二氧化硅膜層9上形成400nm的鋁摻雜氧化鋅膜層作為透明導電層2;接著在鋁摻雜氧化鋅膜層2上形成60nm的氧化鋅膜層作為緩沖層3;接著在氧化鋅膜層3上形成IlOnm的硫化鎘膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘膜層4上形成2um的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5上形成SOnm的銅摻雜碲化鎘膜層作為背接觸層6;接著在銅摻雜碲化鎘膜層6上形成350nm金屬鉬層作為背電極層7。
[0032]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為26.8mA/cm2。
[0033]實施例3
在玻璃基板I表面形成一層30nm的抑制層8，所述抑制層8含有S1、0、B、K元素;接著在抑制層8上形成1nm的二氧化鈦膜層作為高折射率材料層10;接著在二氧化鈦膜層10上形成120nm的二氧化硅膜層作為低折射率材料層9;接著在二氧化硅膜層9上形成400nm的鋁摻雜氧化鋅膜層作為透明導電層2;接著在鋁摻雜氧化鋅膜層2上形成60nm的氧化鋅膜層作為緩沖層3;接著在氧化鋅膜層3上形成90nm的硫化鎘膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘膜層4上形成1.9um的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5上形成SOnm的銅摻雜碲化鎘膜層作為背接觸層6;接著在銅摻雜碲化鎘膜層6上形成350nm金屬鉬層作為背電極層7。本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0034]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為27.3mA/cm20
[0035]實施例4
在玻璃基板I表面形成一層30nm的抑制層8，所述抑制層8含有S1、0、Al、Mg、K元素;接著在抑制層8上形成1nm的二氧化鈦膜層作為高折射率材料層10;接著在二氧化鈦膜層10上形成120nm的二氧化硅膜層作為低折射率材料層9;接著在二氧化硅膜層9上形成450nm的鋁摻雜氧化鋅膜層作為透明導電層2;接著在鋁摻雜氧化鋅膜層2上形成60nm的氧化錫膜層作為緩沖層3;接著在氧化錫膜層3上形成90nm的硫化鎘鋅膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘鋅膜層4上形成2.1um的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5上形成SOnm的銅摻雜碲化鋅膜層作為背接觸層6;接著在銅摻雜碲化鋅膜層6上形成350nm金屬鉬層作為背電極層7。
[0036]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為27.5mA/cm20
[0037]實施例5
在玻璃基板I表面形成一層30nm的抑制層8，所述抑制層8含有S1、0、Al、Ca、K元素;接著在抑制層8上形成20nm的二氧化鋅膜層作為高折射率材料層10;接著在二氧化鋅膜層10上形成90nm的二氧化硅膜層作為低折射率材料層9;接著在二氧化硅膜層9上形成300nm的錫酸鎘膜層作為透明導電層2;接著在錫酸鎘膜層2上形成70nm的氧化錫膜層作為緩沖層3;接著在氧化錫膜層3上形成90nm的硫化鎘鋅膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘鋅膜層4上形成2.1um的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理；接著在碲化鎘膜層5上形成SOnm的氮摻雜碲化鋅膜層作為背接觸層6;接著在氮摻雜碲化鋅膜層6上形成350nm金屬鉬層作為背電極層7。
[0038]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為26.9mA/cm2。
[0039]實施例6
在玻璃基板1表面形成一層30醒的抑制層8，所述抑制層8含有31、0)1、8、1%、1^、1(元素;接著在抑制層8上形成20nm的二氧化鋅膜層作為高折射率材料層10;接著在二氧化鋅膜層10上形成90nm的氧化硅鋁膜層作為低折射率材料層9;接著在氧化硅鋁膜層9上形成300nm的錫酸鎘膜層作為透明導電層2;接著在錫酸鎘膜層2上形成70nm的氧化錫膜層作為緩沖層3;接著在氧化錫膜層3上形成10nm的硫化鎘鋅膜層作為η型半導體層4;接著在硫化鎘鋅膜層4上形成1.Sum的碲化鎘膜層作為P型半導體層5;接著對碲化鎘膜層5進行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5上形成10nm的氮摻雜碲化鋅膜層作為背接觸層6;接著在氮摻雜碲化鋅膜層6上形成200nm金屬銅層作為背電極層7。
[0040]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為26.5mA/cm2。
[0041]對比例I
在玻璃基板f表面形成400nm的鋁摻雜氧化鋅膜層作為透明導電層2?接著在鋁摻雜氧化鋅膜層2'上形成70nm的氧化鋅膜層作為緩沖層:Γ;接著在氧化鋅膜層:T上形成10nm的硫化鎘膜層作為窗口層4?接著在硫化鎘膜層4'上形成2um的碲化鎘膜層作為光吸收層5?接著對碲化鎘膜層5??行氯化鎘蒸汽熱處理;接著在碲化鎘膜層5'上形成10nm的銅摻雜碲化鎘膜層作為背接觸層6 ?接著在銅摻雜碲化鎘膜層6'上形成300nm金屬鉬層作為背電極層廠。本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0042]經(jīng)過測試，本實施例的碲化鎘薄膜太陽能電池的短路電流為23.3mA/cm2。
[0043]從上述的實施例與對比例的比較可以看出，本發(fā)明可以提高碲化鎘薄膜電池的短路電流，獲得具有高性能的碲化鎘薄膜太陽能電池。
[0044]本發(fā)明的疊層結(jié)構(gòu)還可應(yīng)用于硅基薄膜太陽能電池、銅銦鎵砸薄膜太陽能電池的頂蓋板玻璃、低輻射鍍膜玻璃、染料敏化太陽能電池及鈣鈦礦太陽能電池等。
[0045]盡管結(jié)合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:包括玻璃基板，以及沿遠離玻璃基板的方向依次設(shè)置在玻璃基板上的一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層、緩沖層、η型半導體層、P型半導體層、背接觸層和背電極層，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層，所述抑制層設(shè)置在玻璃基板上，所述電介質(zhì)層設(shè)置在抑制層和透明導電層之間，所述抑制層含有Si和O元素，該抑制層還含有Al、Β中至少一種元素和含有L1、Κ中至少一種元素，所述抑制層和電介質(zhì)層具有透光性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述疊層結(jié)構(gòu)的總厚度小于 I OOOnm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述抑制層還含有Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種元素。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述電介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，所述電介質(zhì)層的折射率小于1.7。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述電介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)是由高折射率材料層和低折射率材料層的交替層疊組成，所述高折射率材料層的折射率大于I.75，所述低折射率材料層的折射率小于1.7。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述η型半導體層為硫化鎘層或硫化鎘鋅層，所述P型半導體層為碲化鎘層、碲化鎘鋅層或碲化鋅層，所述背接觸層為摻雜的碲化鎘層、摻雜的碲化鋅層、摻雜的碲化鎘鋅層、富含碲元素的膜層或碲膜層，所述背接觸層中的摻雜劑為銅、氮元素。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于:所述低折射率材料層為氧化硅、氮氧化硅、氧化硅鋁、氧化硅硼、氟化鎂或它們的任一組合，所述高折射率材料層為氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氮化硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化鋯、氧化釔、氧化鋅鎂或它們的任一組合。8.一種碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:包括如下步驟 SI，準備玻璃基板； S2，在玻璃基板上沿遠離玻璃基板的方向依次制備一疊層結(jié)構(gòu)、透明導電層、緩沖層、η型半導體層、P型半導體層、背接觸層和背電極層，所述疊層結(jié)構(gòu)包括一抑制層和一電介質(zhì)層，所述抑制層制備在玻璃基板上，所述電介質(zhì)層制備在抑制層和透明導電層之間，所述抑制層含有Si和O元素，該抑制層還含有Α1、Β中至少一種元素和含有L1、K中至少一種元素，所述抑制層和電介質(zhì)層具有透光性。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:所述抑制層還含有Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種元素。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:所述電介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)，所述電介質(zhì)層的折射率小于1.7。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:所述電介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)是由高折射率材料層和低折射率材料層的交替層疊組成，所述高折射率材料層的折射率大于I.75，所述低折射率材料層的折射率小于1.7。
【文檔編號】H01L31/18GK106098816SQ201610550838
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月13日
【發(fā)明人】李藝明, 鄧國云, 李 浩
【申請人】鹽城普蘭特新能源有限公司