專利名稱：碲化鎘薄膜太陽電池的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種碲化鎘薄膜太陽電池。
背景技術：
現(xiàn)有的碲化鎘太陽電池是在導電玻璃基礎上依次涂覆硫化鎘、碲化鎘、銅、碲化鋅和鎳層來實現(xiàn)的。這種結構的電池存在一定的缺點l環(huán)境穩(wěn)定性很差，長期使用會有功率衰減2產品生產成本高。

實用新型內容本實用新型的目的就是為了解決上述問題，提供一種具有結構簡單，制作成本低，
使用壽命長等優(yōu)點的碲化鎘薄膜太陽電池。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案 —種碲化鎘薄膜太陽電池，它包括導電玻璃，在導電玻璃上依次涂覆硫化鎘層和
碲化鎘層，所述碲化鎘層上依次設有鉻層、鉬層和鋁層。硫化鎘層厚度為50-500nm。 碲化鎘層厚度為1-10微米。 鉻層厚度為5-500nm。 鉬層厚度為5-500nm。鋁層厚度為5-500nm。 本實用新型的有益效果是1環(huán)境穩(wěn)定性好，長期使用沒有功率衰減；2產品生產
成本低。
圖1為本實用新型的結構示意圖。 其中，l.導電玻璃，2.硫化鎘層，3.碲化鎘層，4.鉻層，5.鉬層，6.鋁層。
具體實施方式
以下結合附圖與實施例對本實用新型做進一步說明。[0015] 實施例1 : 圖1中碲化鎘薄膜太陽電池包括導電玻璃l，在導電玻璃1上依次涂覆硫化鎘層
2、碲化鎘層3、鉻層4、鉬層5和鋁層。其中， 硫化鎘層厚度為50nm。 碲化鎘層厚度為1微米。 鉻層厚度為5nm。 鉬層厚度為5nm。 鋁層厚度為5nm。[0022] 實施例2 : 在本實施例中， 硫化鎘層厚度為100nm。 碲化鎘層厚度為3微米。 鉻層厚度為100nm。 鉬層厚度為100nm。 鋁層厚度為100nm。 其余結構與實施例1相同，不再贅述。 實施例3 : 在本實施例中， 硫化鎘層厚度為200nm。 碲化鎘層厚度為4微米。 鉻層厚度為200nm。 鉬層厚度為200nm。 鋁層厚度為200nm。 其余結構與實施例1相同，不再贅述。 實施例4 : 在本實施例中， 硫化鎘層厚度為300nm。 碲化鎘層厚度為5微米。 鉻層厚度為300nm。 鉬層厚度為300nm。 鋁層厚度為300nm。 其余結構與實施例1相同，不再贅述。 實施例5 : 在本實施例中， 硫化鎘層厚度為400nm。 碲化鎘層厚度為8微米。 鉻層厚度為400nm。 鉬層厚度為400nm。 鋁層厚度為400nm。 其余結構與實施例1相同，不再贅述。 實施例6 : 在本實施例中， 硫化鎘層厚度為500nm。 碲化鎘層厚度為10微米。 鉻層厚度為500nm。 鉬層厚度為500nm。 鋁層厚度為500nm。
權利要求一種碲化鎘薄膜太陽電池，它包括導電玻璃，在導電玻璃上依次涂覆硫化鎘層和碲化鎘層，其特征是，所述碲化鎘層上依次設有鉻層、鉬層和鋁層。
2. 如權利要求l所述的碲化鎘薄膜太陽電池，其特征是，所述硫化鎘層厚度為50-500nm。
3. 如權利要求l所述的碲化鎘薄膜太陽電池，其特征是，所述碲化鎘層厚度為1-10微米。
4. 如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池，其特征是，所述鉻層厚度為5-500nm。
5. 如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池，其特征是，所述鉬層厚度為5-500nm。
6. 如權利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽電池，其特征是，所述鋁層厚度為5-500nm。
專利摘要本實用新型公開了一種碲化鎘薄膜太陽電池。它具有結構簡單，制作成本低，使用壽命長等優(yōu)點，其結構為它包括導電玻璃，在導電玻璃上依次涂覆硫化鎘層和碲化鎘層，所述碲化鎘層上依次設有鉻層、鉬層和鋁層。
文檔編號H01L31/0216GK201532956SQ20092024968
公開日2010年7月21日 申請日期2009年10月29日 優(yōu)先權日2009年10月29日
發(fā)明者李青海, 王景義, 王步峰 申請人:潤峰電力有限公司