局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，包括：采用缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓的缺陷信號(hào)，并且根據(jù)檢測(cè)結(jié)果生成缺陷信號(hào)文件；將缺陷信號(hào)文件轉(zhuǎn)化為二值圖像文件，其中每一個(gè)缺陷點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)有效像素；利用聚類算法對(duì)缺陷點(diǎn)構(gòu)成的所有有效像素進(jìn)行聚類分析，獲取群聚缺陷的信息，并且記錄該群聚缺陷在晶圓上的位置信息；根據(jù)晶圓標(biāo)識(shí)信息，從制造執(zhí)行系統(tǒng)中獲取所述晶圓所通過的工藝機(jī)臺(tái)的機(jī)臺(tái)信息；將所述晶圓標(biāo)識(shí)信息、所述機(jī)臺(tái)信息、所述群聚缺陷信號(hào)以及群聚缺陷在晶圓上的位置信息保存至數(shù)據(jù)庫(kù)；遍歷獲取的所有群聚缺陷，根據(jù)群聚缺陷特征以及機(jī)臺(tái)信息，在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索特定時(shí)間間隔內(nèi)是否有符合相似性條件的缺陷發(fā)生。
【專利說明】
局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域以及信息技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，在半導(dǎo)體工藝處理中，對(duì)于局部曝光異常缺陷的檢測(cè)的方法是:缺陷掃描機(jī)臺(tái)對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷掃描，將檢測(cè)結(jié)果送至相應(yīng)的缺陷報(bào)告系統(tǒng)后人工排查構(gòu)成群聚(cluster)的缺陷，如果存在該類缺陷，則對(duì)同批次的晶圓進(jìn)行比較，如果有相似的群聚缺陷發(fā)生在相同的位置，則認(rèn)為該缺陷為局部曝光異常缺陷。
[0003]但是，上述方案的缺點(diǎn)在于，一方面，人為手動(dòng)操缺少及時(shí)性;而且另一方面，在不同晶圓間進(jìn)行比較時(shí)也需要進(jìn)行人工判斷，由此很難保證人工判斷的準(zhǔn)確性。
[0004]由此，希望能夠提供一種無須人工操作的實(shí)現(xiàn)局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在無須人工操作的情況下有效地實(shí)現(xiàn)局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)的改進(jìn)方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，包括:
[0007]第一步驟:采用缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓的缺陷信號(hào)，并且根據(jù)檢測(cè)結(jié)果生成缺陷信號(hào)文件；
[0008]第二步驟:將缺陷信號(hào)文件轉(zhuǎn)化為二值圖像文件，其中每一個(gè)缺陷點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)有效像素；
[0009]第三步驟:利用聚類算法對(duì)缺陷點(diǎn)構(gòu)成的所有有效像素進(jìn)行聚類分析，獲取群聚缺陷的信息，并且記錄該群聚缺陷在晶圓上的位置信息；
[0010]第四步驟:根據(jù)晶圓標(biāo)識(shí)信息，從制造執(zhí)行系統(tǒng)中獲取所述晶圓所通過的工藝機(jī)臺(tái)的機(jī)臺(tái)信息；
[0011]第五步驟:將所述晶圓標(biāo)識(shí)信息、所述機(jī)臺(tái)信息、所述群聚缺陷信號(hào)以及群聚缺陷在晶圓上的位置信息保存至數(shù)據(jù)庫(kù)；
[0012]第六步驟:遍歷獲取的所有群聚缺陷，根據(jù)群聚缺陷特征以及機(jī)臺(tái)信息，在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索特定時(shí)間間隔內(nèi)是否有符合相似性條件的缺陷發(fā)生。
[0013]優(yōu)選地，所述局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法還包括:如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)有效的局部曝光異常缺陷。
[0014]優(yōu)選地，所述局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法還包括:如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中沒有檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)無效的局部曝光異常缺陷。
[0015]優(yōu)選地，所述有符合相似性條件的缺陷是發(fā)生在晶圓相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同機(jī)臺(tái)信息的缺陷。
[0016]優(yōu)選地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置。
[0017]優(yōu)選地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的形狀。
[0018]優(yōu)選地，所述晶圓標(biāo)識(shí)信息是晶圓識(shí)別碼。
[0019]優(yōu)選地，所述晶圓標(biāo)識(shí)信息是晶圓批次識(shí)別碼。
[0020]在本發(fā)明中，通過聚類算法自動(dòng)檢測(cè)可能的局部曝光異常缺陷，通過相應(yīng)的回溯算法檢查通過同一機(jī)臺(tái)的其它晶圓在相同位置是否存在同樣的缺陷信號(hào)，如果存在則認(rèn)為是正確的局部曝光異常缺陷信號(hào)。由此，本發(fā)明能夠有效地解決人工判斷群聚信號(hào)是否在相同位置時(shí)準(zhǔn)確性和及時(shí)性較低的問題，及時(shí)發(fā)現(xiàn)有問題的晶圓。
【附圖說明】
[0021]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0022]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法的流程圖。
[0023]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0025]在本發(fā)明中，通過聚類算法自動(dòng)檢測(cè)可能的局部曝光異常缺陷，通過相應(yīng)的回溯算法檢查通過同一機(jī)臺(tái)的其它晶圓在相同位置是否存在同樣的缺陷信號(hào)，如果存在則認(rèn)為是正確的局部曝光異常缺陷信號(hào)。
[0026]下面將描述本發(fā)明的具有優(yōu)選實(shí)施例。
[0027]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法的流程圖。
[0028]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法包括:
[0029]第一步驟S1:采用缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓的缺陷信號(hào)，并且根據(jù)檢測(cè)結(jié)果生成缺陷信號(hào)文件；
[0030]例如，所述缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)是型號(hào)為KLA-Tencor 2825的機(jī)臺(tái)。KLA-Tencor 2825機(jī)臺(tái)檢測(cè)到缺陷信號(hào)后會(huì)生成標(biāo)準(zhǔn)的缺陷信號(hào)文件。但是，需要說明的是，陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)的型號(hào)并不局限于型號(hào)為KLA-Tencor 2825的機(jī)臺(tái)，實(shí)際上，例如所有可以正常生成KLARF標(biāo)準(zhǔn)格式文件的掃描機(jī)臺(tái)均適用于本發(fā)明。
[0031]第二步驟S2:將缺陷信號(hào)文件轉(zhuǎn)化為二值圖像文件，其中每一個(gè)缺陷點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)有效像素；
[0032]第三步驟S3:利用聚類算法對(duì)缺陷點(diǎn)構(gòu)成的所有有效像素進(jìn)行聚類分析，獲取群聚缺陷的信息，并且記錄該群聚缺陷在晶圓上的位置信息；
[0033]第四步驟S4:根據(jù)晶圓標(biāo)識(shí)信息，從制造執(zhí)行系統(tǒng)中獲取所述晶圓所通過的工藝機(jī)臺(tái)的機(jī)臺(tái)信息；
[0034]例如，所述晶圓標(biāo)識(shí)信息是晶圓批次識(shí)別碼和/或晶圓識(shí)別碼。
[0035]第五步驟S5:將所述晶圓標(biāo)識(shí)信息、所述機(jī)臺(tái)信息、所述群聚缺陷信號(hào)以及群聚缺陷在晶圓上的位置信息保存至數(shù)據(jù)庫(kù)；
[0036]第六步驟S6:遍歷獲取的所有群聚缺陷，根據(jù)群聚缺陷特征以及機(jī)臺(tái)信息，在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索特定時(shí)間間隔內(nèi)是否有符合相似性條件的缺陷發(fā)生。
[0037]由此，如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)有效的局部曝光異常缺陷。反之，如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中沒有檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)無效的局部曝光異常缺陷。
[0038]具體地，所述有符合相似性條件的缺陷是發(fā)生在晶圓相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同機(jī)臺(tái)信息的缺陷。
[0039]例如，優(yōu)選地，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置和/或群聚缺陷的形狀。
[0040]而且，例如，具體地，所述特定時(shí)間間隔指的是之前的預(yù)定天數(shù)之內(nèi)。
[0041]在本發(fā)明中，通過聚類算法自動(dòng)檢測(cè)可能的局部曝光異常缺陷，通過相應(yīng)的回溯算法檢查通過同一機(jī)臺(tái)的其它晶圓在相同位置是否存在同樣的缺陷信號(hào)，如果存在則認(rèn)為是正確的局部曝光異常缺陷信號(hào)。由此，本發(fā)明能夠有效地解決人工判斷群聚信號(hào)是否在相同位置時(shí)準(zhǔn)確性和及時(shí)性較低的問題，及時(shí)發(fā)現(xiàn)有問題的晶圓。
[0042]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0043]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于包括: 第一步驟:采用缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓的缺陷信號(hào)，并且根據(jù)檢測(cè)結(jié)果生成缺陷信號(hào)文件； 第二步驟:將缺陷信號(hào)文件轉(zhuǎn)化為二值圖像文件，其中每一個(gè)缺陷點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)有效像素； 第三步驟:利用聚類算法對(duì)缺陷點(diǎn)構(gòu)成的所有有效像素進(jìn)行聚類分析，獲取群聚缺陷的信息，并且記錄該群聚缺陷在晶圓上的位置信息； 第四步驟:根據(jù)晶圓標(biāo)識(shí)信息，從制造執(zhí)行系統(tǒng)中獲取所述晶圓所通過的工藝機(jī)臺(tái)的機(jī)臺(tái)信息； 第五步驟:將所述晶圓標(biāo)識(shí)信息、所述機(jī)臺(tái)信息、所述群聚缺陷信號(hào)以及群聚缺陷在晶圓上的位置信息保存至數(shù)據(jù)庫(kù)； 第六步驟:遍歷獲取的所有群聚缺陷，根據(jù)群聚缺陷特征以及機(jī)臺(tái)信息，在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索特定時(shí)間間隔內(nèi)是否有符合相似性條件的缺陷發(fā)生。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于還包括:如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)有效的局部曝光異常缺陷。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于還包括:如果在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中沒有檢索到符合相似性條件的結(jié)果，則判斷檢測(cè)到的群聚缺陷是一個(gè)無效的局部曝光異常缺陷。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述有符合相似性條件的缺陷是發(fā)生在晶圓相同位置上的具有相同群聚缺陷特征以及相同機(jī)臺(tái)信息的缺陷。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述群聚缺陷特征是群聚缺陷的形狀。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述晶圓標(biāo)識(shí)?目息是晶圓識(shí)別碼。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述晶圓標(biāo)識(shí)信息是晶圓批次識(shí)別碼。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部曝光異常缺陷自動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，所述缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)的類型為所有晶圓缺陷掃描機(jī)臺(tái)。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK106067427SQ201610356816
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年5月25日 公開號(hào)201610356816.7, CN 106067427 A, CN 106067427A, CN 201610356816, CN-A-106067427, CN106067427 A, CN106067427A, CN201610356816, CN201610356816.7
【發(fā)明人】陳旭, 婁曉祺, 邵雄
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司